Multisim里的NPN三极管参数资料大全.docx
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Multisim里的NPN三极管参数资料大全
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"MHz"
晶体管型号:
2N1711（S）
生产厂家:
德国AEG公司,DIT,德国椤茨标准电器公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
75V
最大电流允许值:
0.5A
最大耗散率:
0.8W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
>70MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC140,BC141,BC300,BC301,2N1990,
晶体管型号:
2N2102（A.L.S）
生产厂家:
美国国民半导体公司,美国无线电公司,SEM,美国得克萨斯仪表公司,德国凡尔
伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）,开关管（S）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
120V
最大电流允许值:
1A
最大耗散率:
1W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
>120MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC300,BSS42,BSS43,BSV84,BSW67,BSX47,2N2243,2N2405,2N3019,2N3020,3DK03E,
晶体管型号:
2N2218（A）
生产厂家:
SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德
国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.8A
最大耗散率:
0.8W
放大倍数:
β>40
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC141,BC301,BFX96A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX60,BSX61,2N3444,3DK3D,
晶体管型号:
2N2219
生产厂家:
德国AEG公司,DIT,美国、法国费兰第有限公司,美国通用电器公司,德国椤茨标
准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.8A
最大耗散率:
0.8W
放大倍数:
β300
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC140,BC302,BFX97,BSW52,BSX45,3DK3D,
晶体管型号:
2N2219（A）
生产厂家:
SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德
国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.8A
最大耗散率:
0.8W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC141,BC301,BFX97A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX60,BSX61,2N3444,3DK3D,
晶体管型号:
2221
生产厂家:
未知生产厂家
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.8A
最大耗散率:
0.625W
放大倍数:
β=40-120
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
2N2221,
晶体管型号:
2N2222
生产厂家:
德国AEG公司,DIT,美国、法国费兰第有限公司,美国通用电器公司,德国椤茨标
准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.8A
最大耗散率:
0.5W
放大倍数:
β=300
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC546,BC639,BFX95,BSW62,BSW85,3DK3D,3DG2222,
晶体管型号:
2N2222A
生产厂家:
SEM,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司,德
国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.8A
最大耗散率:
0.5W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC546,BC637,BFX95A,BSS40,BSS41,BSW61,BSW62,BSW63,BSW64,BSW85,2N4014,3DK3D,
晶体管型号:
2N2369（A）
生产厂家:
DIT,德国椤茨标准电器公司,美国摩托罗拉半导体公司,美国晶体管有限公司,
德国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
高速开关（SS）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
40V
最大电流允许值:
0.2A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>40
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BSS10,BSS11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92,BSX93,BSY62,BSY63,2N3227,2N3261,
2SC2901,3DG84B,
晶体管型号:
2N2712
生产厂家:
美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
18V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.12W
放大倍数:
β>75
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG120C,
晶体管型号:
2N1714
生产厂家:
SEM,美国得克萨斯仪表公司,美国晶体管有限公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
90V
最大电流允许值:
0.75A
最大耗散率:
0.8W
放大倍数:
β>20
最大工作频率:
>16MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC141,BC301,BSS42,BSS43,BSX46,BSX47,2N5320,2N4239,3DK3D,
晶体管型号:
2N2923
生产厂家:
SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.2W
放大倍数:
β>90
最大工作频率:
300MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:
2N2924
生产厂家:
SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.2W
放大倍数:
β>150
最大工作频率:
300MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:
2N2925
生产厂家:
SEM,法国巴黎珊斯公司,美国通用电器公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.2W
放大倍数:
β>235
最大工作频率:
300MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:
2N3019（S）
生产厂家:
德国AEG公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公司,美国摩托罗拉半导体
公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
140V
最大电流允许值:
1A
最大耗散率:
0.8W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
>100MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BSS43,BSW68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,
晶体管型号:
2N3020（S）
生产厂家:
德国AEG公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公司,美国摩托罗拉半导体
公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
140V
最大电流允许值:
1A
最大耗散率:
0.8W
放大倍数:
β>40
最大工作频率:
>100MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BSS43,BSW68,2SC1860,
晶体管型号:
2N3055（E,H,S,U,）
生产厂家:
德国AEG公司,德国椤茨标准电器公司,法国巴黎珊斯公司,德国电子元件股份公
司,美国摩托罗拉半导体公司,德国凡尔伏公司,德国西门子AG公司,美国晶体管有限公司,美国无线电
公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）,开关管（S）,功率放大（L）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
100V
最大电流允许值:
15A
最大耗散率:
115W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
>2.5MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5631,2N6254,3DD17D,
晶体管型号:
2N3390
生产厂家:
美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>400
最大工作频率:
140MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121C,
晶体管型号:
2N3391（A）
生产厂家:
美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>250
最大工作频率:
160MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:
2N3392
生产厂家:
美国通用电器公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>150
最大工作频率:
120MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121A,
晶体管型号:
2N3393
生产厂家:
美国通用电器公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>90
最大工作频率:
120MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:
2N3394
生产厂家:
美国通用电器公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>55
最大工作频率:
120MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:
2N3414
生产厂家:
美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限__________工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.5A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>75
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC338,BC378,BC738,BC838,2N220,2N221,2N2222,2N3402,3DK3A,
晶体管型号:
2N3415
生产厂家:
美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.5A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>75
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
2N3403,
晶体管型号:
2N3416
生产厂家:
美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.5A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>75
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC337,BC377,BC737,BC837,2N2220,2N2221,2N2222,2N3404,3DK3A,
晶体管型号:
2N3417
生产厂家:
美国通用电器公司,法国巴黎珊斯公司,美国国民半导体公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
25V
最大电流允许值:
0.5A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>75
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
2N3405,
晶体管型号:
2N3439（L,S）
生产厂家:
德国AEG公司,美国无线电公司,美国得克萨斯仪表公司,德国电子元件股份公司,美国晶体管有限公司,德国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
开关管（S）,视频输出（Vid）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
450V
最大电流允许值:
1A
最大耗散率:
1W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BSS49,BUX54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N5095,3DK304B,
晶体管型号:
2N3441
生产厂家:
美国无线电公司,法国巴黎珊斯公司,德国西门子AG公司,SEM,美国硅晶体技术
公司,美国晶体管有限公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）,开关管（S）,功率放大（L）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
160V
最大电流允许值:
3A
最大耗散率:
25W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
>0.8MHZ
引脚数:
2
可代换的型号:
BD193,BD241D,BD243D,BDX22,BDY72,BDY79,2SD386（A）,2N3738,2N6264,3DD61E,晶体管型号:
2N3501（S）
生产厂家:
美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,美国晶体管有限公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
150V
最大电流允许值:
0.3A
最大耗散率:
1W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
>150MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BSS43,BSW68,2SC1860,
晶体管型号:
2N3700
生产厂家:
美国国民半导体公司,德国电子元件股份公司,德国凡尔伏公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
140V
最大电流允许值:
1A
最大耗散率:
0.5W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
200MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
晶体管型号:
2N3707
生产厂家:
美国国民半导体公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）,前置放大（V）,低噪放大（ra）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
30V
最大电流允许值:
0.03A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
80MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC109,BC169,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG110B,
晶体管型号:
2N3711
生产厂家:
美国国民半导体公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
30V
最大电流允许值:
0.03A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>180
最大工作频率:
80MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号:
2N3858
生产厂家:
美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
30V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>60
最大工作频率:
125MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC108,BC168,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121M.,
晶体管型号:
2N3859
生产厂家:
美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
30V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
140MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121M,
晶体管型号:
2N3860
生产厂家:
美国通用电器公司,SEM,美国史普拉各电气公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
30V
最大电流允许值:
0.1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>150
最大工作频率:
170MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121M,
晶体管型号:
2N3879
生产厂家:
美国无线电公司,美国硅晶体技术公司,美国晶体管有限公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）,开关管（S）,功率放大（L）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
120V
最大电流允许值:
7A
最大耗散率:
35W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
>40MHZ
引脚数:
2
可代换的型号:
BD193,BDX22,MJE15030,2N5202,2N6264,3DA27B,
晶体管型号:
2N3903
生产厂家:
美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.2A
最大耗散率:
0.625W
放大倍数:
β>50
最大工作频率:
>250MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC174,BC182,BC190,BC546,2N2220,2N2221,2N2222,3DK40B,
晶体管型号:
2N3904
生产厂家:
美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
通用型（Uni）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.2A
最大耗散率:
0.625W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
>250MHZ
引脚数:
3
可代换的型号:
BC174,BC182,BC190,BC546,
晶体管型号:
2N3947
生产厂家:
美国摩托罗拉半导体公司,美国国民半导体公司,SSI
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）,开关管（S）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
60V
最大电流允许值:
0.2A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
β>100
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC182,BC546,BFX94,BSW61,BSW84,2N2221,2N2221（A）,2N2222（A）,3DG130B,晶体管型号:
2N4014
生产厂家:
美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
开关管（S）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
80V
最大电流允许值:
1A
最大耗散率:
0.36W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
2N3737,3DG84C,
晶体管型号:
2N4123
生产厂家:
美国摩托罗拉半导体公司,德国电子元件股份公司,美国得克萨斯仪表公司
制作材料:
Si-NPN
性质:
低频或音频放大（LF）,开关管（S）
封装形式:
直插封装
极限工作电压:
40V
最大电流允许值:
0.2A
最大耗散率:
0.625W
放大倍数:
未知放大倍数
最大工作频率:
<1MHZ或者未知工作频率
引脚数:
3
可代换的型号:
BC107,BC171,BC183,BC207,BC237,BC382,BC547,
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