半导体词汇1Word文档格式.docx
《半导体词汇1Word文档格式.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体词汇1Word文档格式.docx（24页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。
Line
PAL制式（逐行倒相制式）
SEquential
Couleur
Avec
Memoire
SECAM制式（顺序与存储彩色电视系统）
半导体词汇3
A
1.Video
Demand
视频点播
2.DPI
Dot
Per
Inch
点每英寸
3.
A.M.U
原子质量数
4.
ADI
After
develop
inspection显影后检视
5.
AEI
蚀科后检查
6.
Alignment
排成一直线，对平
7.
Alloy
融合：
电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
8.
ARC：
anti-reflect
coating
防反射层
9.
ASHER:
一种干法刻蚀方式
10.
ASI
光阻去除后检查
B
11.
Backside
晶片背面
12.
Etch
背面蚀刻
13.
Beam-Current
电子束电流
14.
BPSG:
含有硼磷的硅玻璃
15.
Break
中断，stepper机台内中途停止键
C
16.
Cassette
装晶片的晶舟
17.
CD：
critical
dimension
关键性尺寸
18.
Chamber
反应室
19.
Chart
图表
20.
Child
lot
子批
21.
（die）
晶粒
22.
CMP
化学机械研磨
23.
Coater
光阻覆盖（机台）
24.
Coating
涂布，光阻覆盖
25.
Contact
Hole
接触窗
26.
Control
Wafer
控片
27.
Critical
layer
重要层
28.
CVD
化学气相淀积
29.
Cycle
time
生产周期
D
30.
Defect
缺陷
31.
DEP:
deposit
淀积
32.
Descum
预处理
33.
Developer
显影液；
显影（机台）
34.
Development
显影
35.
DG:
dual
gate
双门
36.
DI
water
去离子水
37.
Diffusion
扩散
38.
Doping
掺杂
39.
Dose
剂量
40.
Downgrade
降级
41.
DRC:
design
rule
check
设计规则检查
42.
Dry
Clean
干洗
43.
Due
date
交期
44.
Dummy
wafer
挡片
E
45.
E/R:
etch
rate
蚀刻速率
46.
EE
设备工程师
47.
End
Point
蚀刻终点
48.
ESD:
electrostatic
discharge/electrostatic
damage
静电离子损伤
49.
ET:
蚀刻
50.
Exhaust
排气（将管路中的空气排除）
51.
Exposure
曝光
F
52.
FAB
工厂
53.
FIB:
focused
ion
beam
聚焦离子束
54.
Field
Oxide
场氧化层
55.
Flatness
平坦度
56.
Focus
焦距
57.
Foundry
代工
58.
FSG:
含有氟的硅玻璃
59.
Furnace
炉管
G
60.
GOI:
oxide
integrity
门氧化层完整性
H
61.
H.M.D.S
Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.S
62.
HCI:
hot
carrier
injection
热载流子注入
63.
HDP：
high
density
plasma
高密度等离子体
64.
High-Voltage
高压
65.
Hot
bake
烘烤
I
66.
ID
辨认，鉴定
67.
Implant
植入
L
68.
Layer
层次
69.
LDD:
lightly
doped
drain
轻掺杂漏
70.
Local
defocus
局部失焦因机台或晶片造成之脏污
71.
LOCOS:
local
oxidation
of
silicon
局部氧化
72.
Loop
巡路
73.
Lot
批
M
74.
Mask
（reticle）
光罩
75.
Merge
合并
76.
Metal
Via
金属接触窗
77.
MFG
制造部
78.
Mid-Current
中电流
79.
部门
N
80.
NIT:
Si3N4
氮化硅
81.
Non-critical
非重要
82.
NP:
n-doped
plus（N+）
N型重掺杂
83.
NW:
well
N阱
O
84.
OD:
definition
定义氧化层
85.
OM:
optic
microscope
光学显微镜
86.
OOC
超出控制界线
87.
OOS
超出规格界线
88.
Over
过蚀刻
89.
flow
溢出
90.
Overlay
测量前层与本层之间曝光的准确度
91.
OX:
SiO2
二氧化硅
P
92.
P.R.
Photo
resisit
光阻
93.
P1:
poly
多晶硅
94.
PA;
passivation
钝化层
95.
Parent
母批
96.
Particle
含尘量/微尘粒子
97.
PE:
1.
process
engineer;
2.
enhance
1、工艺工程师
2、等离子体增强
98.
PH:
photo
黄光或微影
99.
Pilot
实验的
100.
电浆
101.
Pod
装晶舟与晶片的盒子
102.
Polymer
聚合物
103.
POR
Process
record
104.
PP:
p-doped
plus（P+）
P型重掺杂
105.
PR:
resist
106.
PVD
物理气相淀积
107.
PW:
P阱
Q
108.
Queue
等待时间
R
109.
R/C:
runcard
运作卡
110.
Recipe
程式
111.
Release
放行
112.
Resistance
电阻
113.
Reticle
114.
RF
射频
115.
RM:
remove.
消除
116.
Rotation
旋转
117.
RTA:
rapid
thermal
anneal
迅速热退火
118.
RTP:
迅速热处理
S
119.
SA:
salicide
硅化金属
120.
SAB:
block
硅化金属阻止区
121.
SAC:
sacrifice
牺牲层
122.
Scratch
刮伤
123.
Selectivity
选择比
124.
SEM：
scanning
electron
扫描式电子显微镜
125.
Slot
槽位
126.
Source-Head
离子源
127.
SPC
制程统计管制
128.
Spin
129.
旋干
130.
Sputter
溅射
131.
SRO:
Si
rich
富氧硅
132.
Stocker
仓储
133.
Stress
内应力
134.
STRIP:
一种湿法刻蚀方式
T
135.
TEOS
–
（CH3CH2O）4Si
四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。
作LPCVD
/PECVD生长SiO2的原料。
又指用TEOS生长得到的SiO2层。
136.
Ti
钛
137.
TiN
氮化钛
138.
TM:
top
metal
顶层金属层
139.
TOR
Tool
U
140.
Under
蚀刻不足
141.
USG:
undoped
硅玻璃
W
142.
W
（Tungsten）
钨
143.
WEE
周边曝光
其它
144.
mainframe
主机
145.
cassette
晶片盒
146.
amplifier
放大器
147.
enclosure
外壳
148.
wrench
扳手
149.
swagelok
接头锁紧螺母
150.
clamp
夹子
151.
actuator激励
152.
STI
shallow
trench
isolantion
浅沟道隔离层
153.
SAB
硅铝块
154.
UBM球下金属层镀模工艺
155.
RDL金属连线重排工艺
156.
RIE
reactinv
反应离子etch
157.
ICP
inductive
couple
感应等离子体
158.
thin
film
transistor
薄模晶体管
159.
ALD
atomic
deposition
原子层淀积
160.
BGA
ball
grid
array
高脚封装
161.
AAS
absorptions
spectroscopy
原子吸附光谱
162.
AFM
force
microscopy
原子力显微
163.
ASIC
特定用途集成电路
164.
ATE
自动检测设备
165.
SIP
self-ionized
自电离电浆
166.
IGBT
绝缘门双极晶体管
167.
PMD
premetal
dielectric
电容
168.
TCU
temperature
control
unit
温度控制设备
169.
arc
chamber
起弧室
170.
vaporizer
蒸发器
171.
filament
灯丝
172.
repeller
反射板
173.
ELS
extended
life
source
高寿命离子源
174.
analyzer
magnet
磁分析器
175.
post
accel
后加速器
176.
quad
rupole
lens
磁聚焦透镜
177.
disk/flag
faraday
束流测量器
178.
e-shower
中性化电子子发生器
179.
extrantion
electrode
高压吸极
180.
disk
靶盘
181.
rotary
drive
旋转运动
182.
liner
直线往复运动
183.
gyro
两方向偏转
184.
flat
aligener
平边检测器
185.
loadlock
valve
靶盘腔装片阀
186.
reservoir
水槽
187.
string
filter
过滤器
188.
离子交换器
189.
chiller
制冷机
190.
heat
exchange
热交换机
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Basic
Operation
基本工艺
制程方法
Options
具体分类
Layering
增层
Oxidation
氧化
Atmospheric
常压氧化法
High
Pressure
高压氧化法
Rapid
Thermal
快速热氧化
Chemical
Vapor
Deposition
化学汽相淀积
常压化学汽相淀积
（LPCVD）
低压化学汽相淀积
Enhanced
（PECVD）等离子增强化学汽相淀积
Epitaxy
（VPE）
汽相外延法
Metaloranic
（MOCVD）
金属有机物CVD
Moleculur
Beam
Epitaxy（MBE）分子束外延
Physical
Deposition（PCD）
物理汽相淀积
Vacuum
Evaporation
真空蒸发法
Sputtering
溅射法
Patterning
光刻
Resist
光刻胶
Positive
正胶工艺
Negative
负胶工艺
暴光系统
接触式暴光
Proximity
接近式暴光
Scanning
Projection
投影式暴光
Stepper
步进暴光机
Sources
暴光源
Mercury
高压汞
X-rays
X射线
E-Beams
电子束暴光
Imaging
Processes
成象工艺
Single
单层光刻胶
Multilayer
多层光刻胶
Antireflecting
Layers
Off-Axis
Illumination
偏轴照明
Planarization
平坦化
Contrast
Enhancement
对比度提高
刻蚀
Wet
Chemistry-Liqiud/vapor
湿化学刻蚀
Dry（Plasma）
干法刻蚀
Lift-Off
剥脱
Ion
Millling
离子磨
Reaction
Etch（RIE）
反应离子刻蚀法
Open
Tube-Horizontal/Vertical
（开放式炉管-水平/竖置）
Closed
Tube
封闭炉管
Process（RTP）
快速热处理
Implantation
Medium/High
Current
中/高电流离子注入
Low/High
Voltage（energy）
低能量/高能量离子注入
Heating热处理
Thermal加热
Plates
加热盘
Convection
热对流
RTP
快速加热
Radiation热辐射
Infrared
（IR）红外线加热
Yield
良率
Parameter参数
PAC感光化合物
ASIC特殊应用集成电路
Solvent
溶剂
Carbide碳
Refractive折射
Expansion膨胀
Strip
湿式刻蚀法的一种
mental
PSG
硼硅玻璃
Runcard
POD
装晶舟和晶片的盒子
A/D
[军]
Analog.Digital,
模拟/数字
AC
Magnitude
交流幅度
交流相位
Accuracy
精度
"
Activity
Model
Model"
活动模型
Additive
加成工艺
Adhesion
附着力
Aggressor
干扰源
Analog
Source
模拟源
AOI,Automated
Optical
Inspection
自动光学检查
Assembly
Variant
不同的装配版本输出
Attributes
属性
AXI,Automated
X-ray
自动X光检查
BIST,Built-in
Self
Test
内建的自测试
Bus
Route
总线布线
电路基准
circuit
diagram
电路图
Clementine
专用共形开线设计
Cluster
Placement
簇布局
CM
合约制造商
Common
Impedance
共模阻抗
Concurrent
并行设计
Constant
恒压源
Cooper
Pour
智能覆铜
Crosstalk
串扰
CVT,Component
Verification
and
Tracking
元件确认与跟踪
DC
直流幅度
Delay
延时
Delays
Design
for
Testing
可测试性设计
Designator
标识
DFC,Design
Cost
面向成本的设计
DFM,Design
Manufacturing
面向制造过程的设计
DFR,Design
Reliability
面向可靠性的设计
DFT,Design
面向测试的设计
DFX,Design
X
面向产品的整个生命周期或某个环节的设计
DSM,Dynamic
Setup
Management
动态设定管理
Dynamic
动态布线
EDIF,The
Electronic
Interchange
Format
电子设计交互格式
EIA,Electronic
Industries
Association
电子工业协会
Electro
Check
动态电性能分析
Electromagnetic
Disturbance
电磁干扰
Noise
电磁噪声
EMC,Elctromagnetic
Compatibilt
电磁兼容
EMI,Electromagnetic
Interference
Emulation
硬件仿真
Engineering
Change
Order
原理图与PCB版图的自动对应修改
Ensemble
多层平面电磁场仿真
ESD
静电释放
Fall
Time
下降时间
False
Clocking
假时钟
FEP
氟化乙丙烯
FFT,Fast
Fourier
Transform
快速傅里叶变换
Float
License
网络浮动
Frequency
Domain
频域
Gaussian
Distribution
高斯分布
Global
flducial
板基准
Ground
Bounce
地弹反射
GUI,Graphical
User
图形用户界面
Harmonica
射频微波电路仿真
HFSS
三维高频结构电磁场仿真
IBIS,Input/Output
Buffer
Information
Specification
模型
ICAM,Integrated
Computer
Aided
在ECCE项目里就是指制作PCB
IEEE,The
Institute
Electrical
Engineers
国际电气和电子工程师协会
IGES,Initial
Graphics
Exchange
三维立体几何模型和工程描述的标准
Image
Fiducial
阻抗
In-Circuit-Test
在线测试
Initial
初始电压
Input
Rise
输入跃升时间
IPC,The
Packaging
Interconnect
封装与互连协会
IPO,Interactive
Optimizaton
交互过程优化
ISO,The
International
Standards
Organization
国际标准化组织
J
Jumper
跳线
Linear
Suit
线性设计软件包
个别基准
manufacturing
制造业
MCMs,Multi-Chip
Modules
多芯片组件
MDE,Maxwell
Environment
Nonl
升级会员 