传感器课程设计霍尔位移传感器的设计Word文档下载推荐.docx
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本文主要研究霍尔位移传感器的设计。
如图所示，被测物体分别与恒定电流I和恒定磁场B垂直。
当被测物体相对于原来位置有微小位移变化时，会产生变化的磁通量，会在导体垂直于磁场和电流的两个端面之间产生电势差，即UH（霍尔电压）。
本文主要研究微小位移与霍尔电压的关系来设计霍尔位移传感器。
关键字：
霍尔传感器位移霍尔电压
霍尔效应原理图
第一章霍尔传感器的发展历程·
·
5
第二章霍尔传感器的工作原理
1、霍尔效应·
2、霍尔元件·
3、霍尔元件的主要特性及材料·
第三章霍尔元件的误差及补偿·
6
1、霍尔元件的零位误差与补·
8
2、微位移和压力的测量·
3、霍尔位移传感器的设偿·
2、霍尔元件的温度误差及补偿·
7
第四章霍尔传感器的应用·
1、霍尔传感器的优点及应用·
计电路图·
4、霍尔元件的技术参数·
10
第五章课程设计总结·
11
参考文献·
12
第一章霍尔传感器发展历程
霍尔传感器是磁电效应的一种，这种现象是霍尔于1879年在研究金属的导体机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强的多，利用这种现象制成的各种霍尔元件。
广泛的应用于工业自动化技术，检测技术及信息处理方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
尽管人们早在1879年就知道了霍尔效应，但直到20世纪60年代末，随着固态电子技术的发展，霍尔效应才开始为人们所应用。
自此，霍尔传感器得到飞速发展，在汽车，工业，计算机等行业中得到广泛应用，如齿轮速度检测、运动与接近检测及电流检测等。
霍尔传感器的出现。
解决了很多让人棘手的问题。
1、霍尔效应
如霍尔效应原理图所示，在半导体薄片两端通以恒定电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压，它们之间的关系为UH=KHIBCOSA，式中KH称为霍尔系数，它的大小与薄片的材料有关。
上述效应称为霍尔效应，它是德国物理学家霍尔于1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
I为所加的电流（一般为恒流源），B为均匀磁场，A为磁场与法线的夹角。
EH为电场（图中所示）
2、霍尔元件
霍尔元件是半导体四端薄片，一般做成正方形，在薄片的相对两侧对称的焊上两对电极引出线（一对称激励电流端，另一对称霍尔电势输出端），如下图所示。
霍尔元件结构
3、霍尔元件的主要特性及材料
1）霍尔元件的主要特性参数
灵敏度KH：
表示元件在单位的磁感应强度和单位控制电流所得到的开路霍尔电动势
霍尔输入电阻：
霍尔控制及间的电阻值
霍尔最大允许激励电流：
以霍尔元件允许的最大温度为限所对应的激励电流
不等位电势：
当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。
（不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的，r0称不等位电阻）
寄生直流电势（霍尔元件零位误差的一部分）：
当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电势
控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。
两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同产生温差电势
霍尔电势温度系数：
在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1度时，霍尔电势变化的百分率。
基本应用电路
2）霍尔元件的材料
目前最常用的霍尔元件材料是锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的In（AsyP1-y）型固熔体（其中y表示百分比）等半导体材料。
其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。
N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同N型锗，但其电子迁移率比较低，带负载能力较差，通常不用作单个霍尔元件。
锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。
砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。
In（AsyP1-y）型固熔体的热稳定性最好。
第三章霍尔元件的误差及补偿
1、霍尔元件的零位误差与补偿
霍尔元件的零位误差是指无外加磁场或无控制电流情况下霍尔元件产生输出电压并由此产生误差。
它主要表现有以下几种形式：
1）不等位电动势
它是零位误差中最重要的一种，他是当霍尔元件在额定控制电流下，不外加磁场时，霍尔输出端之间的空载电动势。
2）寄生直流电势
再无磁场的情况下，元件通入交流电流，输出端除交流不等位电压以外的直流分量
3）感应零电动势
感应零电动势是在未通电流情况下，由于脉动或交变磁场作用在输出端产生的电动势。
4）自激场零电动势
霍尔元件控制电流产生自激场
2、霍尔元件的温度误差及补偿
1）温度误差产生原因：
霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。
其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。
当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。
2）减小霍尔元件的温度误差的方法
选用温度系数小的元件、采用恒温措施、采用恒流源供电、采用适当的补偿电路
恒流源温度补偿电路
注：
当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时，旁路分流电阻自动地加强分流，减少了霍尔元件的控制电流。
第四章霍尔传感器的应用
1、霍尔传感器的优点及应用
1）优点：
结构简单，体积小，重量轻，频带宽，动态特性好和寿命长
2）应用：
电磁测量：
测量恒定的或交变的磁感应强度、有功功率、无功功率、相位、电能等参数；
自动检测系统：
多用于位移、压力的测量。
2、微位移和压力的测量
测量原理：
霍尔电势与磁感应强度成正比，若磁感应强度是位置的函数，则霍尔电势的大小就可以用来反映霍尔元件的位置。
应用：
位移测量、力、压力、应变、机械振动、加速度
3、霍尔位移传感器的设计电路图
图1
图2
图1特殊用法，使得霍尔元件的输出不必使用差值放就可以处理UH的信号放大，及与图3的恒流源构成温度度补偿电路。
（图中的纳极管期限压的作用，使1、3端的电压不超过5.1V）
图2的功能，霍尔电压的放大及霍尔元件的归零校正（既当无电流或无磁场或无微小位移变动时，霍尔电压不为零，可通过滑动变阻器调节电阻使最后输出电压变为零）
图3
图3是恒流源，他可以使输出电流恒定不变，维持在一定的数值，通过调节图中滑动变阻器的变化可以改变图中恒流源的输出值
位移X
1
2
3
4
9
霍尔电压UH（mv）
0.023
0.046
0.069
0.092
0.115
0.139
0.162
0.185
0.208
0.231
（以上的数据通过电路仿真得到的数据，从数据中可以大概知道位移与霍尔电压成正比且线
4、霍尔元件的技术参数
1）测量范围：
由于没弄实物，无法得知该电路的实际测量范围。
但通过查资料可知霍尔式传感器的测量范围一般大约在1到2mm之间
2）输出电压：
如图所示的电路图，应该在0到0.231mV之间（通过电路仿真知道的）。
3）迟滞误差：
因为电路仿真无迟滞误差，所以不确定。
但由于电路有滑动变阻器可以调节，弄实物时迟滞误差应该不会太大。
4）电压灵敏度：
在这里的电压灵敏度为最后电压输出差值与位移差值的比值乘%。
5）精度：
因为电路仿真的精度为百分之百，只有弄出实物才能知道该设计电路的灵敏度。
第五章课程设计总结
为期10天的传感器课设结束了，回想起走过的历程还真是颇有感触。
应该说有过彷徨也有过迷惘吧，但此刻收获的却是看见自己辛勤劳动出成果后的喜悦，突然间，觉得一切都值了。
在这段时间内，我去过图书馆翻阅书籍，也重新研读了教材上的理论知识。
古语云：
“纸上得来终觉浅，绝知此事要躬行。
”真的感触颇深，学习时，总感觉听懂了，也就满足了，进而就顺其自然地掩卷不思了，哪里想到学的东西如何运用到生产实践中。
可通过课设，我才恍然大悟，原来真没那么简单，任何东西只要与生产生活相挂钩，那就一定有东西可以挖掘，也就一定有很多知识解决不了现实问题。
如此，我才慢慢开始溯本求源，开始从细微之处肯透知识点，本次课设何不是如此呢？
！
通过霍尔元件的电流应该多大才合适，应<
=5mA,（大于5mA后有些霍尔元件的霍尔电压不会随着物体位移的变化而变化，而是为一个定值）这要是在生活中谁会去在意呢但是到了设计中，我们就不得不考虑其四两拨千斤般的作用了，我想也正是通过这些细微末节处，才让我们真切认识到知识是多么神圣与重要，我们要有所成就
就必须认真细心，多学多思，多把理论知识与实践生活联系起来。
此外，通过这次课设，我进一步体会到了工具的重要性，这包括软件操作
工具书等方面。
因为我们不可能学富五车，因而就有必要翻阅文献资料，如设计用到的相关书籍，标准手册等等。
同时，具备较好的计算机水平也会给我们带来巨大的益处，比如数学公式的编辑，图形的绘制等等。
但反过来说，通过这样的课程设计，也会加深我们对工具的了解和形成对其客观的认识，我想这对我们以后在工作和生活中有比较好的视野和思维是有巨大帮扶作用的。
总之，本次课设不仅加强了我对霍尔传感器的认识，更重要的是，它让我掌握了做设计应有的环节与步骤，也使我懂得了如何去结合理论知识分析解决现实问题，同时也让我学到了很多以前没有接触到的知识和相关计算机方面的操作。
参考文献
张玉龙等•传感器电路设计手册•中国计量出版社•1989年
李科杰等•新编传感器技术手册•国防工业出版社•2002年
吴桂秀•传感器应用制作入门•浙江科学技术出版社•2004年
杨宝清•孙宝元•传感器及其应用手册•2004年
单成祥•传感器的理论与设计基础及其应用•国防工业出版社•1999年
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