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《材料结构与性能》习题

《材料结构与性能》习题

第一章

1、一25cm长的圆杆,直径2.5mm,承受的轴向拉力4500N。

如直径拉细成2.4mm,问:

1)设拉伸变形后,圆杆的体积维持不变,求拉伸后的长度;

2)在此拉力下的真应力和真应变;

3)在此拉力下的名义应力和名义应变。

比较以上计算结果并讨论之。

2、举一晶系,存在S14。

3、求图1.27所示一均一材料试样上的A点处的应力场和应变场。

4、一陶瓷含体积百分比为95%的Al2O3(E=380GPa)和5%的玻璃相(E=84GPa),计算上限及下限弹性模量。

如该陶瓷含有5%的气孔,估算其上限及下限弹性模量。

5、画两个曲线图,分别表示出应力弛豫与时间的关系和应变弛豫和时间的关系。

并注出:

t=0,t=∞以及t=τε(或τσ)时的纵坐标。

6、一Al2O3晶体圆柱(图1。

28),直径3mm,受轴向拉力F,如临界抗剪强度τc=130MPa,求沿图中所示之一固定滑移系统时,所需之必要的拉力值.同时计算在滑移面上的法向应力。

第二章

1、求融熔石英的结合强度,设估计的表面能为1.75J/m2;Si-O的平衡原子间距为1.6×10—8cm;弹性模量值从60到75GPa。

2、融熔石英玻璃的性能参数为:

E=73GPa;γ=1。

56J/m2;理论强度。

如材料中存在最大长度为的内裂,且此内裂垂直于作用力的方向,计算由此而导致的强度折减系数。

3、证明材料断裂韧性的单边切口、三点弯曲梁法的计算公式:

是一回事。

4、一陶瓷三点弯曲试件,在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图2。

41所示。

如果E=380GPa,μ=0.24,求KⅠc值,设极限载荷达50㎏。

计算此材料的断裂表面能。

5、一钢板受有长向拉应力350MPa,如在材料中有一垂直于拉应力方向的中心穿透缺陷,长8mm(=2c)。

此钢材的屈服强度为1400MPa,计算塑性区尺寸r0及其与裂缝半长c的比值。

讨论用此试件来求KⅠc值的可能性。

6、一陶瓷零件上有以垂直于拉应力的边裂,如边裂长度为:

①2mm;②0.049mm;③2μm,分别求上述三种情况下的临界应力。

设此材料的断裂韧性为1。

62MPa·m2。

讨论诸结果。

7、画出作用力与预期寿命之间的关系曲线。

材料系ZTA陶瓷零件,温度在900℃,KⅠc为10MPa·m2,慢裂纹扩展指数N=40,常数A=10—40,Y取

设保证实验应力取作用力的两倍.

8、按照本章图2.28所示透明氧化铝陶瓷的强度与气孔率的关系图,求出经验公式。

9、弯曲强度数据为:

782,784,866,884,884,890,915,922,922,927,942,944,1012以及1023MPa。

求两参数韦伯模量数和求三参数韦伯模量数。

第三章

1、计算室温(298K)及高温(1273K)时莫来石瓷的摩尔热容值,并请和安杜龙—伯蒂规律计算的结果比较。

2、请证明固体材料的热膨胀系数不因内含均匀分散的气孔而改变。

3、掺杂固溶体与两相陶瓷的热导率随体积分数而变化的规律有何不同。

4、康宁1723玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数:

λ=0.021J/(cm·℃);α=4。

6×10-6/℃;σp=7.0kg/mm2,E=6700kg/mm2,ν=0。

25。

求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。

5、一热机部件由反应烧结氮化硅制成,其热导率λ=0.184J/(cm·℃),最大厚度=120mm。

如果表面热传递系数h=0。

05J/(cm2·s·℃),假设形状因子S=1,估算可兹应用的热冲击最大允许温差。

第四章

1、一入射光以较小的入射角i和折射角r穿过一透明玻璃板。

证明透过后的光强系数为(1—m)2.设玻璃对光的衰减不计。

2、一透明AL2O3板厚度为1mm,用以测定光的吸收系数。

如果光通过板厚之后,其强度降低了15℅,计算吸收及散射系数的总和。

第五章

1、无机材料绝缘电阻的测量试件的外径Φ=50mm,厚度d=2mm,电极尺寸如图5。

55所示:

D1=26mm,D2=38mm,D3=48mm,另一面为全电极。

采用直流三端电极法进行测量。

(1)请画出测量试件体电阻率和表面电阻率的接线电路图。

(2)若采用500V直流电源测出试体的体电阻为250MΩ,表面电阻为50MΩ,计算该材料的体电阻率和表面电阻率。

2、实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据,经数学回归分析得出关系式为:

(1)试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。

(2)若给定T1=500K,σ1=10—9(

T1=1000K,σ2=10-6(

计算电导活化能的值。

3、本征电导体中,从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导.激发的电子数n可近似表示为:

n=Nexp(—EP/2kT)

式中N为状态密度,k为波尔兹曼常数,T为绝对温度。

试回答以下问题:

(1)设N=1023cm-3,k=8.6×10—5eV·K-1时,Si(Eq=1.1eV),TiO2(Eq=3。

0eV)在室温(20℃)和500℃时所激发的电子数(cm-3)各是多少?

(2)半导体的电导率σ(Ω-1·cm—1)可表示为

σ=neμ

式中n为载流子速度(cm-3),e为载流子电荷(电子电荷1.6×10—19C),μ为迁移率(cm2·V—1·s—1)。

当电子(e)和空穴(h)同时为载流子时,

σ=neeμe+nheμh

假设Si的迁移率μe=1450(cm2·V-1·s—1),μh=500(cm2·V-1·s—1),且不随温度变化。

试求Si在室温20℃和在500℃时的电导率。

4、根据费米—狄拉克分布函数,半导体中电子占有某一能级E的允许状态几率f(E)为:

f(E)=[1+exp(E—EF)/kT]—1

EF为费米能级,它是电子存在几率为1/2的能级。

如图5.56所示的能带结构,本征半导体导带中的电子浓度n,价带中的空穴浓度p分别为

式中:

me*,mh*分别为电子和空穴的有效质量,h为普朗克常数。

试回答下列问题:

(1)本征半导体中n=p,利用上二式写出Ef的表达式。

(2)当me*=mh*时,Ef位于能带结构的什么位置。

通常me*〈mh*,Ef的位置随温度将如何变化。

(3)令n=p=

Eg=Ec—Ev,试求n随温度变化的函数关系(含Eg的函数)。

(4)如图5.56所示,施主能级为ED,施主浓度为ND,Ef在Ec和ED之间,电离施主浓度nD为:

若n=nD,试写出Ef的表达式.当T=0时,Ef位于能带结构的什么位置.

(5)令n=nD=

试写出n随温度变化的关系式。

5、

(1)根据缺陷化学原理,推导NiO电导率与氧分压的关系.

(2)讨论添加AL2O3对NiO电导率的影响,并写出空穴浓度与氧分压的关系。

6、

(1)根据化学缺陷原理推导ZnO电导率与氧分压的关系。

(2)讨论AL2O3,Li2O对ZnO电导率的影响。

7、p-n结的能带结构如图5.57(a)所示,如果只考虑电子的运动,那么在热平衡状态下,p区的极少量电子由于势垒的降低而产生一定的电流(饱和电流—I0)与n区的电子由于势垒的升高Vd,靠扩散产生的电流(扩散电流Id)相抵消。

Id可表示为

Id=Aexp(-eVd/KT)

式中A为常数,当p-n结上施加偏压V,能带结构如图5.57(b),势垒高度为(Vd—V)。

求:

(1)此时的扩散电流I’d的表达式。

(2)试证明正偏压下电子产生的静电流公式为

I=I0[exp(eV/kT)—1]

(3)设正偏压为V1时的电流I1,那么,电压为2V1时,电流I2为多少(用含I1的函数表示)?

(4)负偏压下,施加电压极大时(V→∞),I的极限值为多少?

但是实际当施加电压至某一值(—VB)时,电流会突然增大,引起压降,试定性描绘p—n结在正负偏压时的V—I特性.

第六章

1、金红石(TiO2)的介电常数是100,求气孔率为10%的一块金红石陶瓷介质的介电常数。

2、一块1cm*4cm*0。

5cm的陶瓷介质,其电容为2。

4-6μF,损耗因子tgδ为0。

02。

求:

(1)相对介电常数;

(2)损耗因素。

3、镁橄榄石(Mg2SiO4)瓷的组成为45%SiO2,5%Al2O3和50%MgO,在1400℃烧成并急冷(保留玻璃相),陶瓷的εr=5。

4。

由于Mg2SiO4的介电常数是6.2,估算玻璃的介电常数εr。

(设玻璃体积浓度为Mg2SiO4的1/2)。

4、如果A原子的原子半径为B的两倍,那么在其它条件都是相同的情况下,原子A的电子极化率大约是B的多少倍?

5、为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n2相等。

6、从结构上解释,为什么含碱土金属的适用于介电绝缘?

7、细晶粒金红石陶瓷样品在20.c,100Hz时,εr=100,这种陶瓷εr高的原因是什么?

如何用实验来鉴别各种起作用的机制。

8、叙述BaTiO3典型电介质中在居里点以下存在四中极化机制。

9、画出典型的铁电体的电滞回线,用有关机制解释引起非线性关系的原因。

10、根据压电振子的谐振特性和交流电路理论,画出压电振子的等效电路图,并计算当等效电阻为0时,各等效电路的参数(用谐振频率与反谐振频率表示)。

第七章

1、当正型尖晶石CdFe2O4掺入反型尖晶石如磁铁矿Fe3O4时,Cd离子仍然保持正型分布,试计算下列组成的磁矩:

CdxFe3-x,当(a)x=0,(b)x=0。

1,(c)

X=0。

5

2、试述下列型尖晶石结构的单位体积饱和磁矩,以玻尔磁子数表示:

MgFe2O4CoFe2O4Zn0.2Mn0。

8Fe2O4

3、导致铁磁性和亚铁磁性物质的离子结构有什么特征?

4、为什么含有未满电子壳的原子组成的物质中只有一部分具有铁磁性?

 

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