电阻应变片测重量Word文档格式.docx

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弹性敏感元件受到所测量的力而产生变形,并使附着其上的电阻应变计一起变形。

电阻应变计再将变形转换为电阻值的变化,从而可以测量力、压力、扭矩、位移、加速度和温度等多种物理量。

图3-1电阻应变片的基本结构

1-基底;

2-敏感栅;

3-覆盖层;

4-引线

2

重力应变半导体应变电桥等强度梁

输片出

压供电电源Uo

功率信号

放大及V/F电显示单元单片

路机

图1.基于应变式称重传感器的电子秤系统框图

2、电阻应变式传感器的测量电路

常规的电阻应变片K值很小,约为2,,机械应变度约为0.0001—0.001.所以,电阻应变片的电阻变化范围为0.0005—0.1欧姆,所以测量电路应当能精确测量出很小的电阻变化,在电阻应变片传感器中做常用的是桥式测量电路。

桥式测量电路有四个电阻,其中任何一个都可以是电阻应变片电阻,电桥的一个对角线接入工作电压U,另一个对角线为输出电压U0,。

起特点是:

当四个桥臂电阻达到相应的关系时,电桥输出为零,或则就有电压输出,可利用灵敏检流计来测量,所以电桥能够精确的测量微小的电阻变化。

电路图如下图所示:

3

其中R1=R2=R3=R4=350Ω

3、A/D转化器(ADC0809)

A/D0809是一个带有8路=位A/D转换器,8路多路开关以及微处理兼容的控制逻

辑CMOS组件。

ADC0809的内部逻辑结构:

4

引脚结构:

4、ADC0809应用说明

1)ADC0809内部带有输出锁存器,可以与8051直接相连。

2)初始化时,使ST和OE信号全为低电平。

3)送要转换的哪一个通道的地址到A,B,C端口上。

4)在ST端给出一个至少有100ms宽的正脉冲信号。

5)是否转换完毕,我们根据EOC信号来判断。

6)当EOC变为高电平时,这时给OE为高电平,转换的数据被输出给单片机。

四、电阻应变式电子称电路设计

5

1、供电电源设计

称重传感器的电源是由2个OP-07和互补对管Q1与Q2组成称重传感器的第

二级稳压电源,如图所示。

这一级起到高精度稳压作用,其原理:

(1)15V的三端稳压集成电路作为预稳压电源。

(2)选用低温漂特性的运放OP-07,以降低

UU、运放受温度影响所产生的温漂。

(3)从图可见,两个运放的输入端均接于23

UU、精密电压基准源MC1403的输出端上而被钳位,可以认为输出电压的误差23

UU、不会来自输入端。

(4)Q1与Q2是一对互补对管,的负反馈电路分别通过23

VIU这对互补管的发射极。

当温度上升时,的输出电压上升,Q1的上升,上ebAB2

UVRI升。

但是得输出电压也随之上升,导致Q2的电压下降,增大,使下3ebecAB

V降,维持了动态平衡;

反之亦然。

(5)由于正负三端稳压电源的作用,以及AB

UN、UN、由和组成的对称电源结构,称重传感器电桥在无负载时2132

V0V0,,、。

并且由于高阻抗使电桥产生浮地效果,完全免除地线带来的干扰。

CD

综上述处理是传感器电桥电压达到十分稳定的效果,如果电桥的四臂应变片的阻值相等,由于受到压力使电桥对臂阻值同时增大和减小,则电桥电压的精度将直接传递到电桥输出端。

图4.运算放大电路

2、称重传感器调零电路

图2.中标ABCD部分是称重传感器全桥电路。

电桥输出端对角线上接一个

6

K,K,10电位器,滑动端通过100电阻接与电桥电源负端。

这是为了客服制造工

RV艺不完全对称性而设计的,同时兼做去皮重电路。

调节可使电位差等于9AB

V10V,的输出范围为0-15mV。

3、放大电路

放大电路是由四个ICL7650组成差分输入单端输出的专用仪表放大电路。

放大电路主要特点是:

(1)采用ICL7650斩波自温零高精度放大器,能比较好的抑制共模电压干扰。

(2)双端输入分别进入测量放大器的同相端,所以输入阻抗大,能克服电桥传感器输出阻抗低的特点。

(3)极低的温漂系数。

(4)加一级低通有源滤波器以滤除由于放大器ICL7650内时钟斩波频率引起的尖峰脉冲干扰。

R调整使放大倍数为:

20

R2R2619(10)G,(1+)=250RR1720

图5.放大电路

4、V/F转换电路

V/F控制的原理是产生一个震荡频率的电路叫做压控震荡器,是一个压敏电容,当受到一个变化的电压时候它的容量会变化,变化的电容引起震荡频率的变化,产生变频。

LM331是性能价格比较高的集成芯片,可用作精密频率电压转换器、A/D转换器、线性频率调制解调、长时间积分器及其他相关器件。

LM331采用了新的温度补偿能隙基准电路,在整个工作温度范围内和低到4.0V电源电压下都有极

7

高的精度。

LM331的动态范围宽,可达100dB;

线性度好,最大非线性失真小于0.01,,工作频率低到0.1Hz时尚有较好的线性;

变换精度高,数字分辨率可达12位;

外接电路简单,只需接入几个外部元件就可方便构成V/F或F/V等变换电路,并且容易保证转换精度。

本系统采用电压/频率转换器LM331。

其特点是:

体积小,精度高,价格低,串行输出,占用CPU的I/O线少。

其最突出的不足之处是转换速度慢。

以下是LM331一些主要技术指标:

(1)最大线性度0.01%,

(2)满量程频率范围1HZ,100KHZ

图6LM331的简化功能框图

工作原理:

图6为电压/频率转换器LM331的简化功能框图。

内能隙基准电路产生1.9V直流电压,送到2脚,外接R形成基准电流I=1.9/R。

(I=50,500uA)。

输入SS

电压V送比较器,引脚6通常与1脚连接,当K合上后流过恒电流在RL上产生in

压降V作为阈值电压。

在单脉冲定时器上设有定时比较器,一个输入端恒接2/3VXCC作为参考电压,另一个输入端接引脚5。

V>

2/3V单脉冲定时器内部的RS触发器5CC

产生复位信号使K断开,又迫使驱动晶体管截止。

复位后使引脚5与地短接,电容C上的电荷释放,电压下降。

使V<

2/3V,这个单脉冲定时器的定时周期为:

t15CC

=1.1RC。

输入电压V送比较器与V进行比较.因为K合之前V=0,则V>

V,输11inXcLinX入比较器使R触发器产生启动信号使K闭合,基准电流向C充电。

使V上升,SLX直至V>

V。

输入比较器翻转,迫使单脉冲定时器产生复位信号使K断开,C向XinLR放电,使V<

然后输入比较器再次启动定时器,开始下一次循环。

LXin

8

波形分析:

单脉冲定时器内部的RS触发器产生复位信号使K断开,又迫使驱动晶体管截止,使V为高点平,V<

基准电流向C充电。

使V上升,直至V>

此时驱3XinLXXin动晶体管导通。

从波形图看,V>

V后,要关闭K是发生在V>

2/3V时刻,而使Xin5CC驱动晶体管截止是在V<

V时刻。

对C充电平均电流:

I=i*t*F,C对XinLAVEoutLR放电电流V/R=V/R。

显然,LM331工作时:

充电平均电流=放电电流:

LXLinL

VinIi,t,F,V/RFout,(11)AVE,outinLR,i,tL

VRVR/inLinsF,,out1.9/1.12.09RsRCRRC,111L1

图7LM331的工作波形

当前,12位以上的A/D转换

器的价格仍较昂贵,用V/F变换

器来代替A/D转换器,在要求速

度不太高的场合是一种较好的选

择。

从传感器来的毫伏级的电压

信号经低温漂运算放大器INA126

放大到0,10V后加到V/F变换器

LM331的输入端,从频率输出端

f输出的频率信号加到单片机的o

图8.V/F转换电路图输入端T1上。

根据分辨率的要求

9

利用软件处理,最后得到A/D转换的结果。

所以我们决定采用LM331芯片V/F转换作为信号转换的方案。

5、单片机电路

(a)AT89C52简介

芯片功能介绍及设计:

AT89C52是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的低电压,高性能CMOS8位微处理器,俗称单片机。

该器件采用ATMEL高密度非易失存储器制造技术制造,与工业标准的MCS-51指令集和输出管脚相兼容。

由于将多功能8位CPU和闪烁存储器组合在单个芯片中,ATMEL的AT89C52是一种高效微控制器,为很多嵌入式控制系统提供了一种灵活性高且价廉的方案。

此外,AT89C52设有稳态逻辑,可以在低到零频率的条件下静态逻辑,支持两种软件可选的掉电模式。

在闲置模式下,CPU停止工作。

但RAM,定时器,计数器,串口和中断系统仍在工作。

在掉电模式下,保存RAM的内容并且冻结振荡器,禁止所用其他芯片功能,直到下一个硬件复位为止

(b)引脚说明

VCC:

供电电压。

GND:

接地。

图9.AT89C52芯片引脚图

P0口:

P0口为一个8位漏级开路双向I/O口,每脚可吸收8TTL门电流。

当P1口的管脚第一次写1时,被定义为高阻输入。

P0能够用于外部程序数据存储器,它可以被定义为数据/地址的第八位。

在FIASH编程时,P0口作为原码输入口,当FIASH进行校验时,P0输出原码,此时P0外部必须被拉高。

P1口:

P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。

P1口管脚写入1后,被内部上拉为高,可用作输入,P1口被外部下拉为低电平时,将输出电流,这是由于内部上拉的缘故。

在FLASH编程和校验时,P1口作为第八位地址接收。

P2口:

P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2口缓冲器可接收,输出4个TTL门电流,当P2口被写“1”时,其管脚被内部上拉电阻拉高,且作为输入。

并因此作为输入时,P2口的管脚被外部拉低,将输出电流。

这是由于内部上拉的缘故。

P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时,P2口输出地址的高八位。

在给出地址“1”时,它利用内部上拉优势,当对外部八位地址数据存储器进行读写时,P2口输出其特殊功能寄存器的内容。

P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。

P3口:

P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口,可接收输出4个TTL门电流。

当P3口写入“1”后,它们被内部上拉为高电平,并用作输入。

作为输

10

入,由于外部下拉为低电平,P3口将输出电流(ILL)这是由于上拉的缘故。

P3口也可作为AT89C52的一些特殊功能口,如下表所示:

P3.0RXD(串行输入口)

P3.1TXD(串行输出口)

P3.2/INT0(外部中断0)

P3.3/INT1(外部中断1)

P3.4T0(记时器0外部输入)

P3.5T1(记时器1外部输入)

P3.6/WR(外部数据存储器写选通)

P3.7/RD(外部数据存储器读选通)

P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。

RST:

复位输入。

当振荡器复位器件时,要保持RST脚两个机器周期的高电平时间。

ALE/PROG:

当访问外部存储器时,地址锁存允许的输出电平用于锁存地址的地位字节。

在FLASH编程期间,此引脚用于输入编程脉冲。

在平时,ALE端以不变的频率周期输出正脉冲信号,此频率为振荡器频率的1/6。

因此它可用作对外部输出的脉冲或用于定时目的。

然而要注意的是:

每当用作外部数据存储器时,将跳过一个ALE脉冲。

如想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。

此时,ALE只有在执行MOVX,MOVC指令是ALE才起作用。

另外,该引脚被略微拉高。

如果微处理器在外部执行状态ALE禁止,置位无效。

PSEN:

外部程序存储器的选通信号。

在由外部程序存储器取指期间,每个机器周期两次PSEN有效。

但在访问外部数据存储器时,这两次有效的PSEN信号将不出现。

EA/VPP:

当EA保持低电平时,则在此期间外部程序存储器(0000H-FFFFH),不管是否有内部程序存储器。

注意加密方式1时,EA将内部锁定为RESET;

当EA端保持高电平时,此间内部程序存储器。

在FLASH编程期间,此引脚也用于施加12V编程电源(VPP)。

XTAL1:

反向振荡放大器的输入及内部时钟工作电路的输入。

XTAL2:

来自反向振荡器的输出。

U1(c)单片机原理图如图所示,为单片机芯片AT89C52工作于11.0592MHZ时钟,它的P3.5脚(定时/计数器1的外部脉冲输入端)和频率信号相连,对脉冲

11

U1序列计数,以获取频率信息,从而转换为重量值。

的P0口和P2口是数码管显示电路的接口。

其中P0口为4位位码,P2口提供4位段码(4位7段数码显示)。

图10.单片机的设计电路

(d)输出显示

1.)输出显示电路图:

12

图11显示电路2()程序

#include"

reg52.h"

//包含头文件#include"

math.h"

sbitwei0=P0^0;

//位定义

sbitwei1=P0^1;

sbitwei2=P0^2;

sbitwei3=P0^3;

sbitcs_VF=P3^7;

sbitrd_VF=P3^6;

sbitwr_VF=P3^5;

sbitle_573=P3^4;

#defineuintunsignedint//宏定义#defineulongunsignedlong

#defineucharunsignedchar

图12V/F信号读取及处

ucharcodeshuma[]={//码表理程序

0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,0x88,0x83,0xc6,0xa1,0x86,0x8e,0x8e,0xc1,0xc7,0xc7};

ulongxielv=4975;

//定义全局变量ulongzhong=0;

voidinit()//初始化函数

{

le_573=0;

wei0=0;

wei1=0;

wei2=0;

wei3=0;

13

}

voiddelay_ms(unsignedinta)//延时函数{

unsignedintb;

unsignedintc;

for(b=0;

b<

a;

b++)

for(c=0;

c<

112;

c++);

}

显示函数voiddisplay(ulongshuvf)//{

ucharqian,bai,shi,ge,i;

qian=(shuvf/1000000)%10;

bai=(shuvf/100000)%10;

shi=(shuvf/10000)%10;

ge=(shuvf/1000)%10;

if(shuvf>

1010000)

for(i=0;

i<

80;

i++)

P2=shuma[16];

//显示千位

wei3=1;

delay_ms(3);

P2=0xff;

wei2=1;

//显示百位

P2=shuma[17];

wei1=1;

//显示十位

P2=shuma[18];

wei0=1;

//显示个位

14

P2=shuma[19];

else

P2=shuma[qian];

P2=shuma[bai];

P2=shuma[shi];

P2=shuma[ge];

ucharreadvf()//读VF函数{

15

ucharVFshu;

cs_VF=1;

wr_VF=1;

rd_VF=1;

cs_VF=0;

delay_ms

(1);

wr_VF=0;

delay_ms(5);

rd_VF=0;

P1=0xff;

VFshu=P1;

returnVFshu;

intmain()//主函数

init();

while

(1)

zhong=(readvf()-17)*xielv;

display(zhong);

五、心得体会

通过此次实验我了解了以8051系列的AT89C2051单片机为核心开发电阻应变片

重力测试的系统。

在这次试验中我学到了许多在书本上不能学到的东西。

在试验

中使我收获了很多东西。

对我以后的工作会有很大帮助。

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