职高电子技术判断题.docx
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职高电子技术判断题
一、选择题：
*10101001常温下单晶半导体中就存在着一定数量的电子一空穴对。
（）
□10101002空穴参与导电，是半导体区别于其他导体导电的一个重要特点。
（）
□10101003空穴的导电过程实质上是电子向一个方向连续填补空穴的运动。
（）
＊10101004在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
（）
10102005在纯净的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导
电性能显著增强。
（）
10103006在硅或锗晶体中掺入五价元素可形成P型半导体。
（）
10103007在硅和锗晶体中掺入三价元素可形成N型半导体。
（）
□10103008在Ｐ型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载
流子。
（ ）
＊10103009 在Ｎ型半导体中，电子是多数载流子，所以Ｎ型半导体带负
电。
（ ）
□10104010 当Ｎ型和Ｐ型半导体结合在一起时，由于浓度差的存在，使Ｐ区的电子向Ｎ区扩散，使Ｎ区的空穴向Ｐ区扩散，这称为多数载流子的扩散运动。
（ ）
□10104011将Ｐ区接电源正极，Ｎ区接电源负极，此时ＰＮ结处于反偏状态。
（ ）
□10104012 ＰＮ结正偏时，多数载流子运动加剧，形成较大的正向电流。
（ ）
10104013PN结反向偏置时内电场削弱，阻挡层变薄，电阻变小。
（）
10104014PN结正向偏置时内电场增强，阻挡层变厚，电阻变大。
（）
10105015PN结的单向导电性就是指它正偏导通，反偏截止的特性。
（）
*10105016PN结反向偏置时，反向电流随着反向电压增大而增大。
（）
□10201017 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
（ ）
□10201018 晶体二极管的正向导通后，随电流的增大电压也成比例
地上升。
（ ）
*10201019晶体二极管是线性元件。
（）
10201020硅二极管的死区电压是0.2V，锗的死区电压是0.5V。
（）
10201021晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。
（）
10201022晶体二极管加上正向电压后就会导通。
（）
*10201023晶体二极管一旦反向击穿就不能再使用。
（）
10201024晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。
（）
10201025二极管具有单向导电性。
（）
□10202026 由二极管的单向导电特性可知，它的正向电阻小，反向电阻大。
（ ）
*10202027二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。
（）
□10203028 点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极
管。
（ ）
10203029小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装；电流较大的二极管常用金属外壳封装。
（）
＊10204030 用机械万用表测二极管正向电阻时，应将万用表的红表棒接
二极管的正极，黑表棒接二极管的负极。
（ ）
10204031用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大，则
二极管已经短路。
（）
□10205032 硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，所以硅二极管的温
度特性比锗二极管好。
（ ）
10205033在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。
（）
□10206034一般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。
（ ）
□10206035 晶体二极管反向击穿后立即烧毁。
（ ）
*10206036把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管两端，此二极管就会被击穿。
（）
10206037当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；
当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。
（）
10206038如果二极管的正反向电阻都很大，则该晶体二极管已被击穿。
（）
＊10220039 在图一所示电路中，晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。
（ ）
□10301040 晶体三极管由二个ＰＮ结构成，晶体二极管由一个ＰＮ结构成，所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。
（ ）
□10301041 晶体三极管有两个ＰＮ结，因此它具有单向导电性。
（ ）
*10301042NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系应满足UC＞UB＞UE。
（）
*10301043PNP型三极管的各极电位关系为UC＞UB＞UE，则该三极管处于截止状态。
（）
*10301044一个PNP型硅三极管各极对地电位为：
4V、4.3V、3.6V，则该三极管工作在饱和状态。
（）
□10302045 常温下，硅晶体三极管的ＵBE约为0.7V，且随温度升高而增大。
（ ）
□10302046 在晶体三极管发射结上加正偏电压时，就会产生基极电流。
（ ）
10302047三极管输入特性是指三极管的集电极和发射极之间的电压一定，加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。
（）
□10303048 晶体三极管工作在放大状态的条件是：
集电结正偏,发射结反偏。
（ ）
10303049晶体三极管的输出特性可分为三个区域：
截止区、放大区和饱和区。
（）
10303050在三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于ICBO。
（）
10303051晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流随基极电流的增加而增加。
（）
10303052发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。
（）
10303053三极管的穿透电流不受基极控制，与放大无关。
（）
10303054一般说来晶体三极管的电流放大系数β随温度升高而减小。
（）
10303055发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。
（）
10303056晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC/IB，它不随工作点改变而改变。
（）
*10303057晶体三极管的发射结和集电结都是PN结，因此，发射极和集电极可以互换使用。
（）
10303058晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。
（）
10303059晶体三极管不允许工作在过损耗区。
（）
10304060三极管的放大作用就是把小电流放大成大电流。
（）
＊10304061某晶体三极管的IB=10µA时，IC=0.44mA；当IB=20µA时，
IC=0.89mA，则它的电流放大系数β=45。
（）
10304062三极管放大作用的实质是用较小的电流控制较大的电流。
（）
＊10304063 测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是
–9V，-6V和-6.2V，则这个晶体三极管是ＮＰＮ型锗管。
（）
*10305064以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得两个阻值均较小，则该管为PNP型。
（）
□10305065 用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小，说明该晶体三极管的二个PN结都已烧毁。
（ ）
*10305066以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得两个阻值均较大，则该管为NPN型。
（）
10401067根据MOS管的图形符号不仅可以识别这个MOS管是N沟道
的还是P沟道，而且还可识别出它是耗尽型的还是增强型的。
（）
□10402068 绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完全绝缘
的。
（ ）
10402069MOS管的一个突出优点是输入电阻高。
（）
□10403070 场效应管是以栅源电压控制漏极电流。
（ ）
10403071UGS的微小变化可以引起输入电压UDS较大变化，这就是结型
场效应管能进行电压放大的原理。
（）
*10403072场效应管的漏极和源极通常制成对称的，只要产品源极与衬
底没有连在一起，那么漏极和源极就可互换使用。
（）
10403073在N沟道增强型MOS管中，如果UGS=0，那么就不存在导电
沟道。
（）
*10403074夹断电压UP和开启电压UT的正负性与导电沟道类型无关。
（）
□10403075 晶体三极管是电流控制型器件，而场效应管是电压控制型器
件。
（）
10501076稳压二极管的正常工作区为PN结的反向击穿区。
（）
10501077稳压管的反向电流在一定范围内变化时，稳压管端的电压几
乎不变。
（）
□10502078 开关二极管与普通二极管的不同之处是它的反向电阻极大。
（ ）
10502079硅开关二极管开关时间极短，仅需几个纳秒。
（）
□10503080 变容二极管具有显著的变容效应，其PN结的结电容会随着正
向电压的变化而变化。
（ ）
*10503081变容二极管工作时应加反向电压，其PN结的结电容随反向
电压变化而变化。
（）
10504082发光二极管发光的颜色与它所用的材料无关。
（）
□10505083 光电三极管使用时集电极和发射极极性接反时，电路不能正
常工作。
（ ）
*10505084光电二极管工作时加上正向电压，光电流随光照强度的增加
而上升。
（）
□10505085 光电二极管和发光二极管使用时都应接正向电压。
（ ）
＊20101086 按放大器中三极管的连接方式来分，有共射极、共基极和共集电极放大器等，其中只有电流放大作用而无电压放大作用的是共射极接法。
（ ）
20101087放大电路中三极管连接方式可分为共射极，共基极二种。
（）
□20102088 在单管放大电路中若电源电压不变，只要变化集电极电阻的
值就可以改变集电极电流的值。
（ ）
*20102089放大器不设静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三
极管输入特性曲线的非线性会产生失真。
（）
20102090合理设置放大器的静态工作点，就可以防止电路产生失真现
象。
（）
20102091放大器中晶体三极管静态工作点是指IBQ，ICQ和UCEQ。
（）
□20103092 共发射极放大电路中，集电极电阻的作用是将三极管的电流
放大作用以电压放大的形式表现出来。
（ ）
20103093低频放大电路放大的对象是电压、电流的平均值。
（）
20103094低频放大电路放大的对象是电压，电流的变化量。
（）
20103095选择合适的基极偏置电阻RB就可以使三极管有合适的静态工
作点。
（）
*20103096在共发射极放大电路中，集电极负载电阻RC=0时，输出电压
不一定等于零。
（）
20103097共发射极放大电路中的耦合电容C1、C2的作用只有一个，就
是保证输入和输出信号畅通地传输。
（）
□20104098 共射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以该电路
有时被称为反相器。
（ ）
*20104099放大电路工作在动态时，为了避免失真，发射结电压直流分
量和交流分量应相等。
（）
20104100共发射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以它具
有倒相作用。
（）
□20104101 交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，
直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）
20201102放大器的非线性失真是指其输出波形与输入波形的形态有
一定差异。
（）
□20201103 在晶体管放大电路中，静态工作点过高出现截止失真，静态
工作点过低出现饱和失真，截止失真和饱和失真统称非线性
失真。
（ ）
□20202104 可以通过分析直流通路来分析放大器的静态工作点。
（ ）
20202105利用交流通路可以近似故算放电路的静态工作点。
（）
20202106利用直流通路可估算放大器的输入电阻，输出电阻和放大倍
数。
（）
20202107交流放大电路的基本分析方法主要有近似估算法和图解分析
法两种。
（）
□20203108 放大电路的电压放大倍数随负载ＲL而变化，ＲL越大，
电压放大倍数越小。
（）
20203109放大器的交流通路就是将大器中的直流电源和电容视为短路
时，交流信号流通的那部分电路。
（）
□20204110 放大器不设置静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和
三极管输入特性曲线的非线性，会产生失真。
（ ）
□20204111 晶体三极管放大电路的静态工作点过高时，会出现饱和失真，
此时可通过减小ＲB使电路回到正常放大状态。
（）
20204112放大电路的静态工作点偏高不容易产生失真，偏低容易产生
失真。
（）
*20204113放大电路中的饱和失真和截止失真，称为交越失真。
（）
□20205114 放大电路的输出端不接负载，则放大器的交流负载线和直流负载线相重合。
（）
20205115运用三极管的特性曲线簇，通过作图的方法，直观地分析放
大电路的性能的方法称图解分析法。
（）
*20205116放大器不带负载时电压放大倍数小，带了负载后电压放大倍
数就会增加（）
*20205117放大器的输出端不接负载，则放大器的交流负载线和直流负
载线就相重合。
（）
*20205118放大器的交流负载线没有直流负载线陡。
（）
□20301119 晶体管放大电路中，集电极电流ICQ随温度的升高而下降。
（ ）
20301120放大电路的静态工作点一经设定后，就不会受到外界因素的
影响。
（）
*20301121温度升高时，放大器的静态工作点就有可能下降。
（）
□20302122 放大电路的静态工作点一经设定后，就不会受外界因素的影
响。
（ ）
20302123要使放大器能正常工作，不但要有合适的静态工作点，还要
设法稳定工作点。
（）
□20303124 实际放大电路常采用分压式偏置电路，这是因为它能使
静态工作点稳定。
（ ）
20303125分压式偏置电路的静态工作点稳定性好，所以这种电路被广
泛使用。
（）
20304126放大电路的静态工作点过高容易引起截止失真。
（）
20304127放大电路的静态工作点过低容易出现饱和失真。
（）
□20305128 分压式偏置电路中，如果不接发射极电容ＣE，就会使放大电
路电压放大倍数下降。
（ ）
□20305129 分压式偏置电路中，为使工作点稳定，ＲE的值应足够大，Ｒ
B1和ＲB2的值应足够小。
（ ）
20305130分压式偏置电路UBQ不受温度影响，仅由电源电压和RB1的分
压电路决定。
（）
*20305131分压式偏置电路中，发射极电阻RE能抑制ICQ的变化，它对
交流信号无抑制作用。
（）
*20305132分压式偏置电路中，射极电容CE对静态工作点有一定影响。
（）
□20401133 分析多级放大电路时，可以把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。
（ ）
□20401134 采用阻容耦合的前后级放大电路的静态工作点互相独立。
（ ）
20401135阻容耦合就是用电阻、电容把前后两级放大电路连接起来。
（）
20401136阻容耦合放大电路的主要优点是效率高。
（）
□20401137 阻容耦合电路的主要优点是效率高。
（ ）
□20401138 两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为AV1、AV2，则这
两个放大器连成两级放大器后总的放大倍数为AV=AV1+A
（ ）
*20402139某多级放大电路由三极基本放大器组成，已知每级电压放大倍
数是AU，则总电压放大倍数为3AU。
（）
20501140反馈就是将放大器的输出信号的一部分或全部送回到放大器的输入端与输入信号相合成。
（）
□20502141 电压串联负反馈可提高放大器的输入电阻和电压放大倍数。
（ ）
□20502142 负反馈使放大器的放大倍数减小，放大倍数的稳定性提高。
（ ）
□20502143 负反馈可以减小放大器的非线性失真。
（ ）
□20502144 在放大器中引入负反馈是为了降低放大倍数。
（ ）
20502145负反馈有削弱输入信号作用，所以一般不采用负反馈。
（）
20502146负反馈不能提高放大器放大倍数的稳定性。
（）
*20502147负反馈可以消除放大器非线性失真。
（）
20502148负反馈对输入电阻有影响，对输出电阻无影响。
（）
20502149判别正反馈还是负反馈通常采用瞬时极性法。
（）
□20503150 电压反馈送回到放大器输入端的是电压。
（ ）
□20503151 反馈到放大器输入端的信号极性和原来假设的输入端信号极
性相同为正反馈，相反为负反馈。
（ ）
*20503152串联负反馈使输入电阻增大，并联负反馈使输入电阻减小。
（）
*20503153电压负反馈能使输出电阻增大，电流负反馈能使输出电阻减
小。
（）
20503154电压反馈能稳定输出电压，电流反馈能稳定输出电流。
（）
□20504155 射极输出器是共集电极电路，其电压放大倍数小于且接近于１，输出电阻大，输入电阻小。
（ ）
□20504156 为了利用输入阻抗高的特点，通常射极输出器不用分压式偏
置。
（ ）
*20504157射极输出器反馈系数为1，所以它没有放大作用。
（）
20504158射极输出器的输入电阻大，输出电阻小。
（）
20505159通过反馈元件可以把放大器的输出信号送回到输入端。
（）
＊20505160 在射极输出器的射极偏置电阻上引入的是电流串联的负反
馈。
它使输入电阻增大，输出电阻减小。
（ ）
□20520161 为提高放大器的放大倍数可以采用正反馈。
（ ）
□20601162 OCL功率放大电路输入交流信号时，总有一只功放三极管工作
在截止状态，所以输出波形必然出现失真。
（ ）
20601163因为OTL功率放大电路中的二个三极管工作在乙类状态，
所以也存在着交越失真的问题。
（）
□20602164 双电源的互补对称功率放大电路选用两个不同类型的功放
管，让它们在电路中交替工作。
（ ）
20602165OCL功率放大电路中的二个三极管一定是NPN型和PNP
型，并它们的特性和参数要求相同。
（）
*20602166甲乙类功率放大器能消除交越失真是因为二只三极管有合适
的偏流。
（）
□20603167 在单管功率放大器有足够的输出功率，充许功放三极管
工作在极限状态。
（ ）
□20603168 功率放大器的电压与电流放大倍数都大于１。
（ ）
20603169功率放大器不仅要求有足够大的功率输出，而且要求效率高，
非线性失真小，要考虑散热问题。
（）
□20603170 近似估算法同样可以应用于功率放大器。
（ ）
□20603171 甲类功率放大器的效率低，主要是静态工作点选在交流负载线的中点。
使静态电流ＩC较大造成的。
（ ）
□20603172 乙类功率放大器态时，Ｉc≈０，所以静态功耗几乎为零，效
率高。
（ ）
20703173石英晶体振荡器的特点是频率稳定度高。
（）
□20702174 若要获得低频信号时，通常采用ＲＣ正弦波振荡器。
（ ）
*20702175一般情况下，高频信号发生器采用RC振荡器。
（）
□20703176 电容三点式正弦波ＬＣ振荡器的输出波形比电感三点
式ＬＣ正弦波振荡器的输出波形好。
（ ）
*20703177若要获得低频信号，可采用LC振荡器。
（）
□20704178 自激振荡器建立振荡的条件是ＡuＦ>１。
（ ）
□20704179 正弦波荡器是一种能量转换装置，它靠消耗直流电能产生交
流信号。
（ ）
20704180选频放大器和正反馈电路是振荡器的两个基本组成部分。
（）
20704181要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡和相应平衡两
个条件。
（）
*20704182正弦波振荡器只有在外界信号的激励之后，才能产生振荡。
（）
20704183正弦波振荡器中必须有选频网络。
（）
20704184相位平衡条件是指由输出端反馈到输入端的电压相位必须和
输入信号相位相同。
（）
□20705185 正弦波振荡器中如没有选频网络，就不能引起自激振荡。
（ ）
□20705186 正弦波振荡器的振荡频率取决于电路的反馈强度。
（ ）
20705187LC振荡器的振荡频率由LC的值决定；RC振荡器的振荡频率
由RC的值决定。
（）
□30101188 为了保证直接耦合放大电路能正常工作，必须注意前后级间
静态电位要有合理的配置。
（ ）
30101189在直接耦合放大电路中，用发射极电阻调节电位可以使放大
器前后级间静态电位得到合理配置。
（）
30101190用二极管调节三极管发射极电位可以使直接耦合放大电路
中的前后级间静态电位得到合理配置。
（）
30101191在直接耦合放大电路中，用稳压管调节三极管发射极电位，
可以使前后级间静态电位得到合理配置。
（）
*30101192采用PNP型三极管和NPN型三极管组成互补耦合放大电路
可以使三极管的静态工作点得到合理配置。
（）
□30102193 直接耦合放大器级数越多，零漂越小。
（ ）
□30102194 零点漂移是指输出端缓慢的不规则的电压变化。
（ ）
□30102195 阻容耦合放大电路不存在零漂问题。
（ ）
□30102196 零飘一般是折算到输入端来衡量的。
（ ）
□30102197 直接耦合放大电路能放大直流信号但不能放大交流信号。
（ ）
30102198直接耦合放大电路在输入信号为零时，输出电压偏离其起始
值的现象称为零点漂移。
（）
*30102199零点漂移，一般是折算到输出端来衡量。
（）
□30201200 差动放大电路对共模信号没有放大作用，放大的只是差模信
号。
（ ）
□30201201
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