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(2)在使用中不需要任何外围元件;

(3)可用数据线供电,供电电压范围:

+3.0V~+5.5V;

(4)测温范围:

-55~+125℃。

固有测温分辨率为0.5℃。

当在-10℃~+85℃范围内,可确保测量误差不超过0.5℃,在-55~+125℃范围内,测量误差也不超过2℃;

(5)通过编程可实现9~12位的数字读数方式;

(6)用户可自设定非易失性的报警上下限值;

(7)支持多点的组网功能,多个DS18B20可以并联在唯一的三线上,实现多点测温

(8)负压特性,即具有电源反接保护电路。

当电源电压的极性反接时,能保护DS18B20不会因发热而烧毁,但此时芯片无法正常工作;

(9)DS18B20的转换速率比较高,进行9位的温度值转换只需93.75ms;

(10)适配各种单片机或系统;

(11)内含64位激光修正的只读存储ROM,扣除8位产品系列号和8位循环冗余校验码(CRC)之后,产品序号占48位。

出厂前产品序号存入其ROM中。

在构成大型温控系统时,允许在单线总线上挂接多片DS18B20[6]。

2.2.1.2DS18B20的内部结构及工作原理

DS18B20采用3脚PR35封装或8脚SOIC封装。

其管脚排列见图2-1。

图2-1DS18B20管脚封装图

I/O为数据输入/输出端(即单线总线),它属于漏极开路输出,外接上拉电阻后,常态下呈高电平。

UDD是可供选用的外部电源端,不用时接地,GND为地,NC空脚。

DS18B20的内部结构主要包括7部分:

寄生电源、温度传感器、64位激光(loser)ROM与单线接口、高速暂存器(即便筏式RAM,用于存放中间数据)、TH触发寄存器和TL触发寄存器,分别用来存储用户设定的温度上下限值、存储和控制逻辑、位循环冗余校验码(CRC)发生器。

DS18B20的测温原理见图2-2。

图2-2DS18B20内部测温原理图

图2-2中低温度系数晶振的振荡频率受温度的影响很小,用于产生固定频率的脉冲信号送给减法计数器1,高温度系数晶振的振荡频率随温度变化而明显改变,所产生的信号作为减法计数器2的脉冲输入。

图中还隐含着计数门,当计数门打开时,DS18B20就对低温度系数振荡器产生的时钟脉冲进行计数,进而完成温度测量。

计数门的开启时间由高温度系数振荡器来决定,每次测量前,首先将-55℃所对应的基数分别置入减法计数器1和温度寄存器中,减法计数器1和温度寄存器被预置在-55℃所对应的一个基数值。

减法计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数,当减法计数器1的预置值减到0时温度寄存器的值将加1,减法计数器1的预置将重新被装入,减法计数器1重新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数,如此循环直到减法计数器2计数到0时,停止温度寄存器值的累加,此时温度寄存器中的数值即为所测温度。

图2-2中的斜率累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性,其输出用于修正减法计数器的预置值,只要计数门仍未关闭就重复上述过程,直至温度寄存器值达到被测温度值,这就是DS18B20的测温原理[7]。

DS18B20内部对计算的结果可提供0.5℃的分辨力。

温度以16bit带符号位扩展的二进制补码形式读出,表2-1给出了温度值和输出数据的关系。

数据通过单线接口以串行方式传输。

DS18B20测温范围-55℃~+125℃,以0.5℃递增。

如果用于华氏温度,必须要使用一个转换因子查找表。

注意DS18B20内温度表示值为1/2℃LSB,9bit格式见表2-1。

表2-1DS18B20温度数据表示格式

温度数据关系见表2-2。

表2-2DS18B20温度数据关系

温度°

C

数据输出(二进制)

数据输出(十六进制)

+125

0000000011111010

00FA

+25

0000000000110010

0032

+1/2

0000000000000001

0001

0000000000000000

0000

-1/2

1111111111111111

FFFF

-25

1111111111001110

FFCE

-55

1111111110010010

FF92

DS18B20是本设计中的核心部件,是用来检测温度的传感器,它自身可以把检测到的模拟信号转换成数字信号,然后通过一根信号线将转换好的数据直接传输给单片机,供应5V的电源就行了,只要对其进行一系列必要的编程,就可以实现将温度全部读出。

硬件连接见图2-3。

图2-3DS18B20的连接电路

 

1.3.1DS18B20原理简介

DS18B20单线数字温度传感器外部封装图如图1-2所示:

图1-2单线数字温度传感器外部封装图

DS18B20是美国DALLAS半导体公司继DS1820之后最新推出的一种改进型智能温度传感器。

与传统的热敏电阻相比,他能够直接读出被测温度并且可根据实际要求通过简单的编程实现9~12位的数字值读数方式。

可以分别在93.75ms和750ms内完成9位和12位的数字量,并且从DS18B20读出的信息或写入DS18B20的信息仅需要一根口线(单线接口)读写,温度变换功率来源于数据总线,总线本身也可以向所挂接的DS18B20供电,而无需额外电源。

他在测温精度、转换时间、传输距离、分辨率等方面较DS1820有了很大的改进,给用户带来了更方便的使用和更令人满意的效果。

1DS18B20性能特点

(1)独特的单线接口方式:

DS18B20与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。

(2)在使用中不需要任何外围元件。

(3)可用数据线供电,电压范围:

3.0~5.5V。

-55~125℃。

固有测温分辨率为0.5℃。

(5)通过编程可实现9~12位的数字读数方式。

(6)用户可自设定非易失性的报警上下限值。

(7)支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在唯一的三线上,实现多点测温。

(8)负压特性,电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作。

2DS18B20内部结构

DS18B20采用3脚PR35封装或8脚SOIC封装,其内部结构主要由四部分组成,如图1-3所示:

图1-3DS18B20内部结构

(1)64位光刻ROM

(2)温度传感器

(3)非挥发的温度报警触发器TH和TL

(4)高速暂存器。

18B20的管脚排列如图1-4所示。

64位光刻ROM是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列号。

不同的器件地址序列号不同。

图1-4 

DS18B20引脚分布图

(1)64b闪速ROM的结构如表1-1:

表1-1闪速ROM的结构

8b检验CRC

48b序列号

8b工厂代码(10H)

MSBLSB

MSBLSB

TM

R1

R0

1

开始8位是产品类型的编号,接着是每个器件的惟一的序号,共有48位,最后8位是前56位的CRC校验码,这也是多个DS18B20可以采用一线进行通信的原因。

(2)非易市失性温度报警触发器TH和TL,可通过软件写入用户报警上下限。

(3)高速暂存存储器[4]

DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的E2RAM。

后者用于存储TH,TL值。

数据先写入RAM,经校验后再传给E2RAM。

而配置寄存器为高速暂存器中的第5个字节,他的内容用于确定温度值的数字转换分辨率,DS18B20工作时按此寄存器中的分辨率将温度转换为相应精度的数值。

该字节各位的定义如表1-2:

表1-2DS18B20内部存储器

低5位一直都是1,TM是测试模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。

在DS18B20出厂时该位被设置为0,用户不要去改动,R1和R0决定温度转换的精度位数,即是来设置分辨率,如表1-3所示(DS18B20出厂时被设置为12位)。

表1-3 R1和R0模式表

分辨率

温度最大转换时间/mm

9位

93.75

10位

187.5

11位

275.00

1 

12位

750.00

由表1-3可见,设定的分辨率越高,所需要的温度数据转换时间就越长。

因此,在实际应用中要在分辨率和转换时间权衡考虑。

高速暂存存储器除了配置寄存器外,还有其他8个字节组成,其分配如下所示。

其中温度信息(第1,2字节)、TH和TL值第3,4字节、第6~8字节未用,表现为全逻辑1;

第9字节读出的是前面所有8个字节的CRC码,可用来保证通信正确。

表1-4 R1和R0模式表

温度低位

温度高位

TH

TL

配置

保留

8位CRC

LSBMSB

当DS18B20接收到温度转换命令后,开始启动转换。

转换完成后的温度值就以16位带符号扩展的二进制补码形式存储在高速暂存存储器的第1,2字节。

单片机可通过单线接口读到该数据,读取时低位在前,高位在后,数据格式以0.625℃/LSB形式表示。

温度值格式如表1-5:

表1-5 温度值格式

23

22

21

20

2-1

2-2

2-3

2-4

S

26

25

24

对应的温度计算:

当符号位S=0时,直接将二进制位转换为十进制;

当S=1时,先将补码变换为原码,再计算十进制值。

表1-6是对应的一部分温度值。

表1-6 部分温度值

温度/℃

二进制表示

十六进制表示

00000111

11010000

07D0H

+25.0625

00000001

10010001

0191H

+0.5

00000000

00001000

0008H

0000H

-0.5

11111111

11111000

FFF8H

-25.0625

11111110

01101111

FE6FH

-55

11111100

10010000

FC90H

DS18B20完成温度转换后,就把测得的温度值与TH,TL作比较,若T>

TH或T<TL,则将该器件内的告警标志置位,并对主机发出的告警搜索命令作出响应。

因此,可用多只DS18B20同时测量温度并进行告警搜索。

(4)CRC的产生在64bROM的最高有效字节中存储有循环冗余校验码(CRC)。

主机根据ROM的前56位来计算CRC值,并和存入DS18B20中的CRC值做比较,以判断主机收到的ROM数据是否正确。

3、DS18B20的测温原理

DS18B20的测温原理如图1-5所示,图中低温度系数晶振的振荡频率受温度的影响很小[5],用于产生固定频率的脉冲信号送给减法计数器1,高温度系数晶振随温度变化其震荡频率明显改变,所产生的信号作为减法计数器2的脉冲输入,图中还隐含着计数门,当计数门打开时,DS18B20就对低温度系数振荡器产生的时钟脉冲后进行计数,进而完成温度测量。

这就是DS18B20的测温原理。

另外,由于DS18B20单线通信功能是分时完成的,他有严格的时隙概念,因此读写时序很重要。

系统对DS18B20的各种操作必须按协议进行。

操作协议为:

初始化DS18B20(发复位脉冲)→发ROM功能命令→发存储器操作命令→处理数据。

各种操作的时序图与DS1820相同。

[6]

图1-5 DS18B20的内部测温电路框图

4、DS18B20控制方法

在硬件上,DS18B20与单片机的连接有两种方法,一种是Vcc接外部电源,GND接地,I/O与单片机的I/O线相连;

另一种是用寄生电源供电,此时VDD、GND接地,I/O接单片机I/O。

无论是内部寄生电源还是外部供电,I/O口线接一个4.7KΩ左右的上拉电阻即可。

DS18B20有六条控制命令,如下表1-7所示:

表1-7DS18B20控制命令

指 

约定代码

操 

作 

说 

 

温度转换

44H

启动DS18B20进行温度转换

读暂存器

BEH

读暂存器9个字节内容

写暂存器

4EH

将数据写入暂存器的TH、TL字节

复制暂存器

48H

把暂存器的TH、TL字节写到E2RAM中

重新调E2RAM

B8H

把E2RAM中的TH、TL字节写到暂存器TH、TL字节

读电源供电方式

B4H

启动DS18B20发送电源供电方式的信号给主CPU

CPU对DS18B20的访问流程是:

先对DS18B20初始化,再进行ROM操作命令,最后才能对存储器操作,数据操作。

DS18B20每一步操作都要遵循严格的工作时序和通信协议。

如主机控制DS18B20完成温度转换这一过程,根据DS18B20的通讯协议,须经三个步骤:

每一次读写之前都要对DS18B20进行复位,复位成功后发送一条ROM指令,最后发送RAM指令,这样才能对DS18B20进行预定的操作[7]。

其引脚排列如图1-6所示:

图1-6DS18B20引脚图

序号

名称

引脚功能描述

GND

地信号

2

DQ

数据输入/输出引脚。

开漏单总线接口引脚。

当被用着在寄生电源下,也可以向器件提供电源。

3

VDD

可选择的VDD引脚。

当工作于寄生电源时,此引脚必须接地。

误差(℃)

温度(℃)

图1-7DS18B20的典型工作曲线

5、DS18B20的延时问题

虽然DS18B20有诸多优点,但使用起来并非易事,由于采用单总线数据传输方式,DS18B20的数据I/O均由同一条线完成。

因此,对读写的操作时序要求严格。

为保证DS18B20的严格I/O时序,需要做较精确的延时。

在DS18B20操作中,有了比较精确的延时保证,就可以对DS18B20进行读写操作、温度转换及显示等操作。

图3-3温度采集流程图

3-3温度采集流程图

3.2.2温度检测程序

该程序功能是把数字传感器DS18B20检测的当前温度值读入单片机内存单元。

其程序流程图如图3-2所示:

图3-2 温度检测程序流程图

3.2.3多路监测温度处理程序

因为要进行多路温度检测,因此要通过键盘来改变检测通道。

这里通过设置通道加,通道减,来改变测试的通道。

这就是多路监测温度处理程序所要完成的功能。

程序流程图如图3-3所示:

图3-3温度处理程序流程图

DS18b20传感器淘宝店铺:

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