DS18B20温度传感器课程设计报告Word文件下载.docx

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基于DS18B20的温度传感器

2、课程设计目的

通过基于MCS-51系列单片机AT89C51和DS18B20温度传感器检测温度,熟悉芯片的使用,温度传感器的功能,数码显示管的使用,汇编语言的设计;

并且把我们这一年所学的数字和模拟电子技术、检测技术、单片机应用等知识,通过理论联系实际,从题目分析、电路设计调试、程序编制调试到传感器的选定等这一完整的实验过程,培养了学生正确的设计思想,使学生充分发挥主观能动性,去独立解决实际问题,以达到提升学生的综合能力、动手能力、文献资料查阅能力的作用,为毕业设计和以后工作打下一个良好的基础。

3、设计任务和要求

以MCS-51系列单片机为核心器件,组成一个数字温度计,采用数字温度传感器DS18B20为检测器件,进行单点温度检测,检测精度为±

0.5摄氏度。

温度显示采用LCD1602显示,两位整数,一位小数。

系统总体仿真图

板上实现效果图

4、正文

(一)、方案选择与论证

根据设计任务的总体要求,本系统可以划分为以下几个基本模块,针对各个模块的功能要求,分别有以下一些不同的设计方案:

(1)、温度传感模块

方案一:

采用热敏电阻,热敏电阻精度、重复性、可靠性较差,对于检测1摄氏度的信号是不适用的,也不能满足测量范围。

在温度测量系统中,也常采用单片温度传感器,比如AD590,LM35等。

但这些芯片输出的都是模拟信号,必须经过A/D转换后才能送给计算机,这样就使测温系统的硬件结构较复杂。

另外,这种测温系统难以实现多点测温,也要用到复杂的算法,一定程度上也增加了软件实现的难度。

方案二:

采用单总线数字温度传感器DS18B20测量温度,直接输出数字信号。

便于单片机处理及控制,节省硬件电路。

且该芯片的物理化学性很稳定,此元件线形性能好,在0—100摄氏度时,最大线形偏差小于1摄氏度。

DS18B20的最大特点之一采用了单总线的数据传输,由数字温度计DS18B20和微控制器AT89C51构成的温度装置,它直接输出温度的数字信号到微控制器。

每只DS18B20具有一个独有的不可修改的64位序列号,根据序列号可访问不同的器件。

这样一条总线上可挂接多个DS18B20传感器,实现多点温度测量,轻松的组建传感网络。

综上分析,我们选用第二种方案。

温度传感模块仿真图

(2)、显示模块

方案一:

采用8位段数码管,将单片机得到的数据通过数码管显示出来。

该方案简单易行,但所需的元件较多,且不容易进行操作,可读性差,一旦设定后很难再加入其他的功能,显示格式受限制,且大耗电量大,不宜用电池给系统供电。

采用液晶显示器件,液晶显示平稳、省电、美观,更容易实现题目要求,对后续的园艺通兼容性高,只需将软件作修改即可,可操作性强,也易于读数,采用RT1602两行十六个字符的显示,能同时显示其它的信息如日期、时间、星期、温度。

综上分析,我们采用了第二个方案

显示模块仿真图

三、系统的具体设计与实现

(1)、系统的总体设计方案

采用AT89S52单片机作为控制核心对温度传感器DS18B20控制,读取温度信号并进行计算处理,并送到液晶显示器LCD1602显示。

按照系统设计功能的要求,确定系统由3个模块组成:

主控制器、测温电路和显示电路。

数字温度计总体电路结构框图如图下所示。

(2)、硬件电路设计

a、单片机控制模块

该模块由AT89C51单片机组成在设计方面,AT89C51的EA接高电平,其外围电路提供能使之工作的晶振脉冲、复位按键,四个I/O分别接8路的单列IP座方便与外围设备连接。

当AT89C51芯片接到来自温度传感器的信号时,其内部程序将根据信号的类型进行处理,并且将处理的结果送到显示模块,发送控制信号控制各模块。

b、温度传感器模块

DS18B20相关资料

1、DS18B20原理与分析DS18B20是美国DALLAS半导体公司继DS1820之后最新推出的一种改进型智能温度传感器。

与传统的热敏电阻相比,它能够直接读出被测温度并且可根据实际要求通过简单的编程实现9~12位的数字值读数方式。

可以分别在93.75ms和750ms内完成9位和12位的数字量,并且从DS18B20读出的信息或写入DS18B20的信息仅需要一根口线(单线接口)读写,温度变换功率来源于数据总线,总线本身也可以向所挂接的DS18B20供电,而无需额外电源。

因而使用DS18B20可使系统结构更趋简单,可靠性更高。

他在测温精度、转换时间、传输距离、分辨率等方面较DS1820有了很大的改进,给用户带来了更方便的使用和更令人满意的效果。

以下是DS18B20的特点:

(1)独特的单线接口方式:

DS18B20与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。

(2)在使用中不需要任何外围元件。

(3)可用数据线供电,电压范围:

+3.0~+5.5V。

(4)测温范围:

-55-+125℃。

固有测温分辨率为0.5℃。

(5)通过编程可实现9-12位的数字读数方式。

(6)用户可自设定非易失性的报警上下限值。

(7)支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在惟一的三线上,实现多点测温。

(8)负压特性,电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作。

2、DS18B20的测温原理DS18B20的测温原理上图所示,图中低温度系数晶振的振荡频率受温度的影响很小,用于产生固定频率的脉冲信号送给减法计数器1,高温度系数晶振随温度变化其震荡频率明显改变,所产生的信号作为减法计数器2的脉冲输入,图中还隐含着计数门,当计数门打开时,DS18B20就对低温度系数振荡器产生的时钟脉冲后进行计数,进而完成温度测量。

计数门的开启时间由高温度系数振荡器来决定,每次测量前,首先将-55℃所对应的基数分别置入减法计数器1和温度寄存器中,减法计数器1和温度寄存器被预置在-55℃所对应的一个基数值。

减法计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数,当减法计数器1的预置值减到0时温度寄存器的值将加1,减法计数器1的预置将重新被装入,减法计数器1重新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数,如此循环直到减法计数器2计数到0时,停止温度寄存器值的累加,此时温度寄存器中的数值即为所测温度。

图中的斜率累加器用于补偿和修正测温过程中的非线性,其输出用于修正减法计数器的预置值,只要计数门仍未关闭就重复上述过程,直至温度寄存器值达到被测温度值,这就是DS18B20的测温原理。

另外,由于DS18B20单线通信功能是分时完成的,他有严格的时隙概念,因此读写时序很重要。

系统对DS18B20的各种操作必须按协议进行。

操作协议为:

初始化DS18B20(发复位脉冲)→发ROM功能命令→发存储器操作命令→处理数据。

DS18B20工作过程一般遵循以下协议:

初始化——ROM操作命令——存储器操作命令——处理数据①初始化单总线上的所有处理均从初始化序列开始。

初始化序列包括总线主机发出一复位脉冲,接着由从属器件送出存在脉冲。

存在脉冲让总线控制器知道DS1820在总线上且已准备好操作。

②ROM操作命令一旦总线主机检测到从属器件的存在,它便可以发出器件ROM操作命令之一。

所有ROM操作命令均为8位长。

这些命令如下:

ReadROM(读ROM)[33h]

此命令允许总线主机读DS18B20的8位产品系列编码,唯一的48位序列号,以及8位的CRC。

此命令只能在总线上仅有一个DS18B20的情况下可以使用。

如果总线上存在多于一个的从属器件,那么当所有从片企图同时发送时将发生数据冲突的现象(漏极开路会产生线与的结果)。

MatchROM(符合ROM)[55h]此命令后继以64位的ROM数据序列,允许总线主机对多点总线上特定的DS1寻址。

只有与64位ROM序列严格相符的DS18B20才能对后继的存贮器操作命令作出响应。

所有与64位ROM序列不符的从片将等待复位脉冲。

此命令在总线上有单个或多个器件的情况下均可使用。

SkipROM(跳过ROM)[CCh]

在单点总线系统中,此命令通过允许总线主机不提供64位ROM编码而访问存储器操作来节省时间。

如果在总线上存在多于一个的从属器件而且在SkipROM命令之后发出读命令,那么由于多个从片同时发送数据,会在总线上发生数据冲突(漏极开路下拉会产生线与的效果)。

SearchROM(搜索ROM)[F0h]

当系统开始工作时,总线主机可能不知道单线总线上的器件个数或者不知道其64位ROM编码。

搜索ROM命令允许总线控制器用排除法识别总线上的所有从机的64位编码。

AlarmSearch(告警搜索)[ECh]

此命令的流程与搜索ROM命令相同。

但是,仅在最近一次温度测量出现告警的情况下,DS18B20才对此命令作出响应。

告警的条件定义为温度高于TH或低于TL。

只要DS18B20一上电,告警条件就保持在设置状态,直到另一次温度测量显示出非告警值或者改变TH或TL的设置,使得测量值再一次位于允许的范围之内。

贮存在EEPROM内的触发器值用于告警。

③存储器操作命令

WriteScratchpad(写暂存存储器)[4Eh]

这个命令向DS18B20的暂存器中写入数据,开始位置在地址2。

接下来写入的两个字节将被存到暂存器中的地址位置2和3。

可以在任何时刻发出复位命令来中止写入。

ReadScratchpad(读暂存存储器)[BEh]

这个命令读取暂存器的内容。

读取将从字节0开始,一直进行下去,直到第9(字节8,CRC)字节读完。

如果不想读完所有字节,控制器可以在任何时间发出复位命令来中止读取。

CopyScratchpad(复制暂存存储器)[48h]

这条命令把暂存器的内容拷贝到DS18B20的E2存储器里,即把温度报警触发字节存入非易失性存储器里。

如果总线控制器在这条命令之后跟着发出读时间隙,而DS18B20又正在忙于把暂存器拷贝到E2存储器,DS18B20就会输出一个“0”,如果拷贝结束的话,DS18B20则输出“1”。

如果使用寄生电源,总线控制器必须在这条命令发出后立即起动强上拉并最少保持10ms。

ConvertT(温度变换)[44h]

这条命令启动一次温度转换而无需其他数据。

温度转换命令被执行,而后DS18B20保持等待状态。

如果总线控制器在这条命令之后跟着发出读时间隙,而DS18B20又忙于做时间转换的话,DS18B20将在总线上输出“0”,若温度转换完成,则输出“1”。

如果使用寄生电源,总线控制器必须在发出这条命令后立即起动强上拉,并保持500ms。

RecallE2(重新调整E2)[B8h]

这条命令把贮存在E2中温度触发器的值重新调至暂存存储器。

这种重新调出的操作在对DS18B20上电时也自动发生,因此只要器件一上电,暂存存储器内就有了有效的数据。

在这条命令发出之后,对于所发出的第一个读数据时间片,器件会输出温度转换忙的标识:

“0”=忙,“1”=准备就绪。

ReadPowerSupply(读电源)[B4h]

对于在此命令发送至DS18B20之后所发出的第一读数据的时间片,器件都会给出其电源方式的信号:

“0”=寄生电源供电,“1”=外部电源供电。

④处理数据

DS18B20的高速暂存存储器由9个字节组成,其分配如图3所示。

当温度转换命令发布后,经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。

单片机可通过单线接口读到该数据,读取时低位在前,高位在后。

DS18B20温度数据表

上表是DS18B20温度采集转化后得到的12位数据,存储在DS18B20的两个8比特的RAM中,二进制中的前面5位是符号位,如果测得的温度大于或等于0,这5位为0,只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度;

如果温度小于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际温度。

温度转换计算方法举例:

例如当DS18B20采集到+125℃的实际温度后,输出为07D0H,则:

实际温度=07D0H╳0.0625=2000╳0.0625=1250C。

例如当DS18B20采集到-55℃的实际温度后,输出为FC90H,则应先将11位数据位取反加1得370H(符号位不变,也不作为计算),则:

实际温度=370H╳0.0625=880╳0.0625=550C。

2、显示模块LCD1602资料(这里主要介绍下指令说明及时序)

1602液晶模块内部的控制器共有11条控制指令,如表10-14所示:

序号

指令

RS

R/W

D7

D6

D5

D4

D3

D2

D1

D0

1

清显示

2

光标返回

*

3

置输入模式

I/D

S

4

显示开/关控制

D

C

B

5

光标或字符移位

S/C

R/L

6

置功能

DL

N

F

7

置字符发生存贮器地址

字符发生存贮器地址

8

置数据存贮器地址

显示数据存贮器地址

9

读忙标志或地址

BF

计数器地址

10

写数到CGRAM或DDRAM)

要写的数据内容

11

从CGRAM或DDRAM读数

读出的数据内容

表10-14:

控制命令表

1602液晶模块的读写操作、屏幕和光标的操作都是通过指令编程来实现的。

(说明:

1为高电平、0为低电平)

指令1:

清显示,指令码01H,光标复位到地址00H位置。

指令2:

光标复位,光标返回到地址00H。

指令3:

光标和显示模式设置I/D:

光标移动方向,高电平右移,低电平左移S:

屏幕上所有文字是否左移或者右移。

高电平表示有效,低电平则无效。

指令4:

显示开关控制。

D:

控制整体显示的开与关,高电平表示开显示,低电平表示关显示C:

控制光标的开与关,高电平表示有光标,低电平表示无光标B:

控制光标是否闪烁,高电平闪烁,低电平不闪烁。

指令5:

光标或显示移位S/C:

高电平时移动显示的文字,低电平时移动光标。

指令6:

功能设置命令DL:

高电平时为4位总线,低电平时为8位总线N:

低电平时为单行显示,高电平时双行显示F:

低电平时显示5x7的点阵字符,高电平时显示5x10的点阵字符。

指令7:

字符发生器RAM地址设置。

指令8:

DDRAM地址设置。

指令9:

读忙信号和光标地址BF:

为忙标志位,高电平表示忙,此时模块不能接收命令或者数据,如果为低电平表示不忙。

指令10:

写数据。

指令11:

读数据。

与HD44780相兼容的芯片时序表如下:

读状态

输入

RS=L,R/W=H,E=H

输出

D0—D7=状态字

写指令

RS=L,R/W=L,D0—D7=指令码,E=高脉冲

读数据

RS=H,R/W=H,E=H

D0—D7=数据

写数据

RS=H,R/W=L,D0—D7=数据,E=高脉冲

表10-15:

基本操作时序表

读写操作时序如图10-55和10-56所示:

图10-55读操作时序

图10-56写操作时序

四、软件设计

系统程序主要包括主程序、读出温度子程序、温度转换子程序、计算温度子程序、显示等等。

1、主程序

主要功能是完成DS18B20的初始化工作,并进行读温度,将温度转化成为压缩BCD码并在显示器上显示传感器所测得的实际温度。

2、读出温度子程序

读出温度子程序的主要功能是读出RAM中的9字节,在读出时需要进行CRC校验,校验有错时不进行温度数据的改写。

其程序流程图如下图所示。

3、温度转换命令子程序

温度转换命令子程序主要是发温度转换开始命令,当采用12位分辩率时转换时间约为750ms,在本程序设计中采用1s显示程序延时法等待转换的完成。

流程图图如下

4、计算温度子程序

计算温度子程序将RAM中读取值进行BCD码的转换运算,并进行温度值正负的判定。

流程图如下:

#include<

reg52.h>

intrins.h>

typedefunsignedcharuint8;

#defineuintunsignedint

#defineucharunsignedchar

sbitDQ=P3^3;

//定义DQ引脚为P3.3

ucharcodeBw[10]={0x30,0x31,0x32,0x33,0x34,0x35,0x36,0x37,0x38,0x39};

//百位编码

ucharcodeXsw[16]={0x30,0x31,0x31,0x32,0x33,0x33,0x34,0x34,0x35,0x36,0x36,0x37,0x38,0x38,0x39,0x39};

//小数位编码

sbitRS=P2^0;

sbitRW=P2^1;

sbitEN=P2^2;

sbitBUSY=P0^7;

ucharwendu;

uchartemp_g,temp_d;

unsignedcharcodeword1[]={"

Temperature:

"

};

voiddelay(uintxms)

{

uinti,j;

for(i=xms;

i>

0;

--i)

for(j=110;

j>

--j);

}

voidDelayus(intt)//在11.059MHz的晶振条件下调用本函数需要24μs,然后每次计数需16μs

ints;

for(s=0;

s<

t;

s++);

等待繁忙标志

voidwait(void)

P0=0xFF;

do

{

RS=0;

RW=1;

EN=0;

EN=1;

}while(BUSY==1);

EN=0;

写数据

voidw_dat(uint8dat)

wait();

P0=dat;

RS=1;

RW=0;

EN=1;

写命令

voidw_cmd(uint8cmd)

P0=cmd;

RS=0;

发送字符串到LCD

voidw_string(uint8addr_start,uint8*p)

w_cmd(addr_start);

while(*p!

='

\0'

w_dat(*p++);

}

初始化1602

voidInit_LCD1602(void)

w_cmd(0x38);

//16*2显示,5*7点阵,8位数据接口

w_cmd(0x0c);

//显示器开、光标开、光标允许闪烁

w_cmd(0x06);

//文字不动,光标自动右移

w_cmd(0x01);

//清屏

ucharReset()//完成单总线的复位操作。

uchard;

DQ=0;

//将DQ线拉低

Delayus(29);

//保持480μs.复位时间为480μs,因此延时时间为(480-24)/16=28.5,取29μs。

DQ=1;

//DQ返回高电平

Delayus(3);

//等待存在脉冲.经过70μs之后检测存在脉冲,因此延时时间为(70-24)/16=2.875,取3μs。

d=DQ;

//获得存在信号

Delayus(25);

//等待时间隙结束

return(d);

//返回存在信号,0=器件存在,1=无器件

voidwrite_bit(ucharbitval)//向单总线写入1位值:

bitval

//将DQ拉低开始写时间隙

if(bitval==1)

DQ=1;

//如果写1,DQ返回高电平

Delayus(5);

//在时间隙内保持电平值,

//Delayus函数每次循环延时16μs,因此Delayus(5)=5*16+24=104μs

}

voidds18write_byte(charval)//向单总线写入一个字节值:

val

uchari;

uchartemp;

for(i=0;

i<

8;

i++)//写入字节,每次写入一位

{

temp=val>

>

i;

temp&

=0x01;

write_bit(temp);

ucharread_bit()//从单总线上读取一位信号,所需延时时间为15μs,因此无法调用前面定义

{//的Delayus()函数,而采用一个for()循环来实现延时。

//将DQ

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