福建省Volte MOS差点分析指导汇总Word格式.docx
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静音,完全听不清楚说啥,杂音噪声很大
一般情况下,MOS值大于等于3.8被认为是较优的语音质量,大于等于3.0被认为是可以接受的语音质量,低于3.0被认为是难以接受的语音质量。
中国移动对MOS分的定义为路测MOS分,基于宽带AMR(AMRWB)的POLQA算法打分。
1.2MOS评分原则
中国移动集团只有语音MOS的测试标准,视频业务目前业界无通用MOS测评标准,所以现阶段VoLTE的MOS值测试仅针对语音业务。
针对目前移动场景,VoLTE与VoLTE通话协商的编码为AMR-WB宽带编解码,提供高清语音体验;
VoLTE与2G/3GCS业务互通协商的编码为AMR-NB窄带编码(与CS域的编解码相同),因此MOS测试采用VoLTE拨打VoLTE的方式,测试宽带VoLTE编码的语音质量。
集团对MOS分的定义为路测MOS分,采用P.863算法进行评估。
集团对MOS测试工具要求:
珠海世纪鼎利Pioneer、北京惠捷朗(CDS),现阶段测试终端是HTCM8T。
目前的MOS评分周期是9秒输出一个MOS分,主叫和被叫周期交替发送固定语料。
每隔9秒鼎利设备的主叫和被叫会输出一个MOS分,发送端发送语料的时候,接收端静默接收,不存在主被叫同时发送语料的情况,无论是主叫发语料还是被叫发语料,对端接收后都会在MOS盒和原始语料进行对比,所以主叫和被叫的MOS是一致的。
每个MOS语料发送周期内(9秒),连续的语音分为两段,每段时间2秒左右,总的发音时长4秒左右。
其余时间都是发送静默帧(SID)。
160ms发包周期的都是SID帧,20MS发包周期的都是有语音的RTP包。
1.3MOS考核要求
MOS平均分,即POLQA算法平均得分,目标值:
3.5,挑战目标:
4.0;
MOS>
3.0占比,即MOS得分>
3.0的采样点占比,目标值:
85%,挑战目标:
90%;
3.5占比,即MOS得分>
3.5的采样点占比,目标值:
80%,挑战目标:
85%。
2影响MOS的主要因素
影响VolteMOS值的因素主要有语音编码、端到端时延、抖动、丢包率等,如下:
类别
原因
说明
语音编码
eSRVCC
切换到GSM,采用EFR/NB-AMR,导致MOS分低,SRVCC到2G后,语音质量会变差,LTE语音评估算法是POLQA算法进行评估,主要是用了评估WB的,而2G是属于NB的,用这种算法评估2GMOS值是不合适的,所以MOS会出现下降。
空闲态重选/连接态重定向到2G
弱覆盖
CSFB
SIP流程异常
AMR12.65
弱覆盖或者容量受限降速
时延
传输时延
传输时延是指结点在发送数据时使数据块从结点进入到传输媒体所需的时间,即一个站点从开始发送数据帧到数据帧发送完毕(或者是接收站点接收一个数据帧的全部时间)所需要的全部时间,传输引入时延大于80ms,导致端到端时延大于200ms,通过ping包测试检测传输时延。
EPC转发时延
排除空口时延和传输时延后,通过EPC抓包分析EPC转发时延问题
空口时延
空口是基站和移动电话之间的无线传输规范,定义每个无线信道的使用频率、带宽、接入时机、编码方法以及越区切换,影响空口时延的主要因素是数据传输时长、数据传输资源请求等待时间,以及数据处理导致的反馈延时等。
降低空口时延,可以提升移动通信系统的性能,时延类问题优先排查传输时延和空口时延,通过PDCP环回、复测跟踪CELLDT数据等手段验证是否存在空口时延
丢包
空口持续下行质差
包含下行弱覆盖,下行干扰,漏配邻区不切换,导致连续丢包
上行高干扰
上行干扰大于-113dBm,导致eNodeB无法正常解码PUSCH或DTX比例较高,导致连续丢包
上行接入受限
PL大于125,在上行底噪较好的情况下,也容易出现上行接收容易受限,现象是MOS样本发端的ULMACBLER较高,尤其是CRS功率设置大于9.2dBm
下行失步后重建
下行失步主要原因为无线环境不好,干扰,弱覆盖等,在协议里面针对上行链路失步和下行链路失步分别定义了判断标准,上行链路失步会删除链路,立即断开,造成UE最终掉话,如在切换时目标小区上行失步会导致切换失败引起掉话;
下行失步会进行cellupdate,如果cu成功,业务可以恢复,这种小区更新的原因是下行失步,目的是一直挽救机制,但在失步时语音业务会受到影响,MOS评分变低甚至掉话,UE从RRC连接态突然进入空闲态,并且发起RRC重建,导致连续丢包
小区重建
小区内RRC和激活用户数过多,导致QCI1无法及时调度,PDCP丢弃定时器超时后丢包,SRI调度不及时导致丢包等。
频繁切换
系统内切换过程对MOS有影响,系统内切换对MOS值不一定影响非常大,RSRP较好地方切换MOS值下降0.1-0.5,而乒乓切换影响较大,MOS值下降0.5-1.5分,路测工具每10S采集一次MOS值(10S平均值),如果采集到切换过程的MOS,测试结果就会偏低,咋分析路测数据是,需要关注低MOS区域是否有切换或者乒乓切换发生,导致RTP短时间内连续丢包
抖动
传输抖动
传输引入时延大于80ms,导致端到端时延大于200ms,通过ping包测试检测传输时延
空口抖动
语音抖动是网络时延和网络抖动造成的。
网络时延是指一个IP包在网络上传输所需的平均时间,网络抖动是指IP包传输时间的长短变化。
当网络上的语音时延(加上声音采样、数字化和压缩时延)超过200ms时,通话双方一般就倾向于采用半双工的通话方式,一方说完后另一方再说。
另一方面,如果网络抖动较为严重,那么有的语音包因迟到被丢弃,会产生话音的断续及部分失真,严重影响音质。
,空口抖动容易出现在大话务场景下,因为调度因素出现空口抖动,还包括空口质量问题导致MAC重传引入的抖动。
2.1语音编码
以ASCOM工具为例,应用POLQASWB评估方法,采用某语音样本和AMRWB23.85kbps语音编码,MOS值最好为4.14;
采用同样的语音样本和AMRNB12.2kbps语音编码,MOS值最好为3.1。
2.2端到端时延
终端的语音编解码时延指的是终端从话筒采集语音到编码成AMR-NB或AMR-WB等码流;
或者从AMR-NB或AMR-WB码流解码成语音并从听筒播放的处理时延
空口的传输时延eNodeB的调度等待时延、空口误包吃重传以及分段均会影响空口的传输时延。
核心网的处理时延包括对语音包的转发时延,以及可能存在的语音编解码转换时延(譬如LTE终端拨打固定电话,两边终端的语音编解码方式不同,需要经过核心网媒体网关的编解码转换)。
传输网传输时延语音IP报文在传输网设备和链路上的传输时延
2.3丢包和抖动
空口信号质量空口信号质量差可能导致误包增加,过多的重传和分段会造成丢包和抖动增加。
eNodeB的负载当eNodeB上负载较重时,包括CPU占用率偏高或者高优先级业务的PRB占用率偏高,可能导致部分用户的语音包不能及时调度,从而造成超时丢包或者抖动增加。
传输网络丢包或者抖动传输网络上丢包或者存在抖动,会造成端到端丢包率上升和抖动增加。
3MOS优化思路
如上所述,影响MOS的因素涉及端到端,具体可以归纳为两通道、三网元,需要拉通端到端进行分析优化,如下:
两管道
三网元
空口管道
承载网管道
CN
eNodeB
UE
1.空口质量
2.空口资源
3.QoS配置
1.大时延、抖动
2.丢包、乱序
1.核心网数据配置
2.组网结构
3.流程配置
1.基站处理能力
2.算法特性限制
1.终端能力
2.语音编码
1.话务容量受限
2.覆盖差
3.丢包时延大
4.频繁重选或者位置更新导致寻呼不到
5.上下行干扰
1.参数配置
2.容量或能力限制
3.传输质量问题
4.UGW到P-CSCF传输异常
1.TAU和切换流程冲突、TAU失败问题
2.被叫域选失败
3.网络侧路由配置缺失/错误导致路由选择失败
4.Diameter链路数据的捆绑方式
5.UGW数据转发失败
6.CS-Retry呼叫流程
1.寻呼参数优化
2.业务分层优化
3.弱覆盖优化
4.邻区优化
5.RRC重建
6.乒乓切换
1.参数编码设置
2.软件编码限制
3.主被叫终端、用户行为
4.特殊场景优化
5.终端ROHC问题
6.注册问题
MOS优化思路就是采用正确的测试方法,选用最合适的编码,配置合理的参数,同时降低丢包、误码对语音的影响。
由于丢包、时延和抖动是影响VoLTE语音质量的直接因素,反映到无线侧主要就是覆盖、资源、干扰、切换等,因此无线空口网络质量优化是MOS提升的关键。
3.1测试方法寻优
通过前期的经验总结发现,MOS语料和MOS设备音量调整,MOS测试设备供电方式、音频线的连接是否稳定等因素都会影响MOS分;
移动集团规范了MOS语料,所以只能选择移动推荐的固定语料,手机音量和MOS测试设备供电方式都可以参考MOS测试知道书进行寻优。
3.2配置参数寻优
Volte配置参数包含两类,一类是开通Volte功能的基础类参数,包含Volte开关、DRX参数、RoHC参数、互操作参数等;
一类是影响MOS的性能类参数,包含时延调度、上行RLC分段等特性类参数。
对于基础类参数,需要加强基础功能开关、特性参数、系统内邻区、异频切换参数、互操作参数的核查,避免由于基础功能开关、特性参数配置错误或者系统内邻区漏配、异频参数设置不合理或者eSRVCC过多导致MOS差。
对于性能类参数,结合中国移动Volte性能基线参数的推荐设置,推广使用,后期在参数修改范围内进行精细优化,确保参数统一合理。
MMLObject
ParameterID
参数名称
CELLULSCHALGO
ULVOIPRLCMAXSEGNUM
VOIP上行最大RLC分段数
INTERRATHOGERANGROUP
INTERRATHOGERANB1THD
基于覆盖的GERAN触发门限
CELLALGOSWITCH
SUBFRAMESCHDIFFSWITCH@DLSCHSWITCH
子帧调度差异化开关@下行调度开关
PUSCHDTXSCHOPTSWITCH@ULSCHSWITCH
PUSCHDTX调度优化开关
ULRBALLOCATIONSTRATEGY
上行资源分配策略
CELLSTANDARDQCI
TRAFFICRELDELAY
业务延迟释放时间
ULDELAYSCHSTRATEGY
上行时延调度策略
ULVOIPDELAYSCHSWITCH@ULENHENCEDVOIPSCHSW
上行VOIP时延调度开关
ULVOIPSCHOPTSWITCH@ULENHENCEDVOIPSCHSW
上行VOIP调度优化开关
ULVOLTEDATASIZEESTSWITCH@ULENHENCEDVOIPSCHSW
上行VoLTE动态调度数据估算开关
PUCCHCFG
FORMAT1CHALLOCMODE
Fomat1码道分配模式
INTERFRANDSWITCH
干扰随机化算法开关
3.3提升策略寻优
通过过滤MOS低于3.0/3.5的问题点,MOS打分由低到高进行问题点分类统计,找到MOS差的主要影响因素和共性问题,优先制定相应方案进行提升;
通过日常对MOS的提升优化,记录统计问题点发生频次、现象,总结出完善的MOS优化流程,为后续的MOS优化提升提供指导。
4MOS差点分析指导
4.1MOS差点分析思路
MOS低分是E2E问题,分析MOS低分需要关联主叫和被叫同时进行对比分析。
但是有切入重点,例如主叫发语料包,被叫收语料包。
那么优先看被叫下行的空口,如果被叫下行没问题再看主叫的上行。
MOS低于3.0分容易定位,MOS优化初期建议从3.0以下差点入手。
重点分析和解决连续MOS差点(连续MOS差点≥2).例如在GSM呼叫、下行弱覆盖、邻区漏配、上行高干扰、基站状态异常等问题都可能造成连续MOS差点。
因为MOS样本只有10秒左右,离散的MOS差点通常是突发上下行干扰或者切换导致,分析优化难度高,如果不是连续空口质差或者RRC重建问题等明显问题,建议降低处理的优先级。
4.2MOS分析优化流程
1)导出每10秒打点的MOS分,包含MOS分、平均时延、Jitter指标。
筛选出MOS低于3.0/3.5的差点;
2)导出主叫和被叫到收/发RTP包序号,对RTP包序号进行顺序插补,通过函数计算累计丢包数量;
3)分析MOS差点是主叫发送还是被叫发送,优先看接收端下行是否存在丢包,记录RTP丢包数量、在MOS样本点内的RTP丢包率;
4)如果有RTP丢包,分析丢包时间点接受端到下行空口质量(RSRP、SINR、DL-MAC-BLER)以及是否有切换。
分析时需要打开上述空口测量量的妙级统计。
定位该小区下行质差或者重建的原因;
5)如果接收端下行空口质量好,而且DL-MAC-BLER,转发送端上行分析,分析上行时重点关注RSRP、SINR、PL、UE-TxPower、UL-MAC-BLER。
如果存在上行丢包,而且PL小于120,需要配合话统中上行干扰统计分析;
6)如果没有RTP丢包,但是时延指标大于200ms,那么计算发端和收段的单向RTP包时延,分析时延大于200ms的时间段内是否存在空口质量问题(包含是否有频繁切换),如果空口正常,需要配合话统中是否有重载情况(最大机会用户大于50,最大RRC连接用户大于200);
7)对于log和话统配合无法明确定位的问题,需要现场复测,同时后台跟踪标口信令和CellDT数据、SEQ、EPC和SBC配合信令跟踪(华为SBC有跟踪RTP包的能力);
8)如果RTP丢包和时延不是空口引入,通过Ping包测试、Wireshark抓包分析承载层(传输、EPC)是否有时延和丢包。
4.3覆盖问题优化
覆盖是影响MOS的最重要因素,弱覆盖直接影响到语音质量。
根据多次MOS值拉网分析MOS分随RSRP变化的分布,可知RSRP低于-110dBm时,MOS分恶化较为明显,如下所示:
根据多次MOS值拉网分析MOS分随SINR分布,可知SINR低于0时,MOS分恶化较为明显,如下所示:
移动集团要求MOS>
3.5分,对应的覆盖要求为RSRP>
-110dbm&
SINR>
0db,在覆盖达不到此要求的情况下,MOS无法达到要求,且覆盖越好MOS值越高。
定位方法:
满足下述判断条件则认为网络覆盖差:
RSRP分布:
RSRP<
-110dBm,SINR分布差:
SINR<
0dB。
优化方法:
通过软件按规范筛选出覆盖黑点区域,进行天馈调整或功率补偿,缺少站点区域可规划新增站点。
问题分类:
✓弱覆盖:
需覆盖区域基站间距过大,有建筑物遮挡或发射小区发射功率异常而导致被覆盖区域信号较弱,持续>
=100m发生RSRP<
-105dBm的采样点比例大于50%的问题路段。
举例:
厦门集美软件园三期诚毅东路,仅有两个宏站进行覆盖,且受到周边高层建筑物的阻挡,弱覆盖现象严重,RSRP已经到-113.63dbm。
需规划加站解决,如下:
✓重叠覆盖:
重叠覆盖是由于主服务小区与周边邻区RSRP相差过小造成,容易造成频繁切换和同频干扰,高重叠覆盖问题指道路测试最强小区电平不低于-105dBm,6dB内强信号重叠数大于3。
华侨大学厦门工学院1号门门口附近,靠近立交桥区域,视野空旷,无主覆盖,信号较为杂乱,导致SINR低,需要优化调整出主覆盖小区。
✓越区覆盖:
由于基站天线挂高过高或者俯仰角过小引起的该小区覆盖距离过远,从而越区覆盖到其他站点覆盖的区域,并影响到其它小区覆盖的区域,造成同频段干扰,判断方式需要从测试数据中看出是否有未存在解析错误的情况下,远距离拉线出现,并且信号与主占用小区差距不大。
厦门集美-天风路监控杆-HLH-2小区越区覆盖,在厦门集美-金鹭特种合金监控杆-HLH站点附近区域与主服务小区厦门集美-金鹭特种合金监控杆-HLH-3造成MOD3干扰。
需要控制厦门集美-天风路监控杆-HLH-2小区的覆盖范围。
如下:
4.4资源问题优化
在大话务量场景下,语音有高优先级,数据业务的负载对语音MOS的影响较小,但是语音业务话务量较大的情况下,也可能会出现资源受限导致的语音丢包,这种情况下要分析资源是否已经充分利用。
接入阶段的VoLTE用户干扰较大:
刚接入用户初始接入功率很高,对相邻码道的用户会产生很大的干扰,而导致上行丢包。
空口资源分别根据以下记录的指标,计算CCE,PRB的利用率,判断小区资源是否拥塞:
平均利用率>
60%,就认为负载较高,可能应影响语音质量。
需要进行高负荷场景下的参数配置核查。
计算CCE,PRB利用率,判断小区资源是否拥塞,平均利用率>
60%,就认为负载较高,可能会影响语音质量;
体现在无线环境良好的情况下,无干扰,无丢包,无高时延情况,MOS依然低下,需从后台查询小区状态是否存在高负荷情况,如PRB资源利用率大于60%,用户数大于400。
小区重载对MOS的影响
通过后台查询,厦门集美-新源路-HLH-2小区该时段用户数400以上,中点测试MOS评分:
2.740,极好点测试MOS评分:
3.753,如下:
4.5干扰问题优化
上行干扰直接影响上行丢包,从而影响MOS值。
根据小区受干扰水平分析MOS值随小区每RB平均干扰电平值变化分布如下图,可见平均每RB干扰电平值大于-105dBm时,MOS分恶化较为明显。
查看MOS分低点区域TOP小区的上行干扰话统数据,如果L.UL.Interference.Avg>
=-105dBm,则初步判断很有可能存在上行干扰;
DT测试log中,查看终端上行发射功率是否存在大幅提升(表现为整网路测log的UE发射功率分布中,满功率比例明显增加,例如满功率比例增加15%以上),并且U2000上的上行接收SINR水平降低。
当两者同时满足时,可以断定存在上行干扰,需要进行干扰排查。
通过话统、路测数据中UE发射功率判断对应小区是否存在上行干扰问题。
通过网管数据筛选干扰小区,再结合路测数据中干扰小区占用情况,是否占用到该小区之后,UE发射功率明显抬升,确认干扰小区后,判断是硬件故障还是外部干扰,并进行干扰处理。
上行干扰导致MOS低
此区域为小区覆盖边缘,同频干扰略高,UE发射功率已经为23,上行功控补偿不能满足覆盖需求,并出现一次RRC重建立,被拒绝,MOS评分只有2.728,如下:
4.6切换问题优化
分析路测数据,确认低分点评分周期内是否有切换慢、切换频繁、切换失败、eSRVCC切换或掉话等,从而确认切换是否为导致低分的原因,系统内切换过程中对MOS有影响:
系统内切换对MOS值并不一定影响非常大,RSRP较好地方切换MOS值下降0.1~0.5,而乒乓切换影响较大,MOS值下降0.5~1.5分。
路测工具间隔10S采集一次MOS值(10S平均值),如果采集到切换过程的MOS,测试结果就会偏低。
在分析路测数据时,需要关注低MOS区域是否有切换或者乒乓切换发生。
切换失败影响,UE收到切换命令后,启动(系统内500ms;
到GERAN8000ms),定时器超时,仍然没有完成切换,UE侧丢弃切换命令里边携带的专用Preamble,恢复小区的原来配置,发起重建,重建期间的MOS会降低到1.5左右。
LTE语音评估算法使用POLQA算法进行评估,主要是用来评估WB的,而2G是属于NB的,用这种算法评估2GMOS值是不合适,MOS值下降1.5~2.0分,影响较大。
是否有切换慢、切换频繁、切换失败、eSRVCC切换、或多配、漏配邻区。
1、优化乒乓切换参数(门限、迟滞、CIO等);
2、优化eSRVV切换参数,包括A2门限、迟滞;
3、采用OMStar工具进行自动邻区优化。
问题分类
✓切换参数不合理:
多体现于异频切换,A1/A2参数设置不合理,导致异频不切换或切换慢,造成UE长时间占用质差小区,导致MOS评分低,该现象常出现于载波聚合和负荷均衡改造后小区。
在厦门集美理工学院南门,用户占用D2频点,A1\A2门限设置较为苛刻,切换过晚,导致MOS偏低,需要对切换参数进行优化调整,及时、平滑切换,如下:
✓系统内频繁切换
如下区域在TAC边界,无主覆盖导致多次跨TAC切换,频繁切换及TAU。
需要控制好切换带及TAU。
✓eSRVCC切换:
SRVCC到2G后,语音质量会变差,LTE语音评估算法是POLQA算法进行评估,主要是用了评估WB的,而2G是属于NB的,用这种算法评估2GMOS值是不合适的,所以MOS会出现下降。
如事件和信令指示,主叫由于覆盖过差进行了eSRVCC切换,GSM下语音MOS下降1.5~2.0分,导致本次呼叫MOS评分低于3.0,如下:
5其他案例分享
5.1高RRC重建导致VolteMOS值偏低
5.1.1问题描述
厦门岛外网格在日常Volte拉网测试过程中发现,在厦门海沧-海新路北监控杆-HLH覆盖的道路上,MOS值偏低,需要分析MOS低的原因并解决。
5.1.2问题分析
路测分析
分析拉网路测Log可知,在厦门海沧-海新路北监控杆-HLH-2和厦门海沧-海新路北监控杆-HLH-1的之间MOS值很差,如下图,初步怀疑为切换质差导致MOS偏低,核查邻区关系及参数未发现异常,进行现场复测。
复测后分析路测信令可以看到,在从厦门海沧-海新路北监控杆-HLH-2覆盖区域到厦门海沧-海新路北监控杆-HLH-1覆盖区域行驶过程中并没有发生切换,而是多次发生RRC重建:
网管KPI分析
分别对两个小区的网管切换指标进行分析,发现切换正常,所以高RRC重建问题不是由于切换失败引起。
由于高RRC重建同样可能对MOS值产生较大影响,对厦门海沧-海新路北监控杆-HLH-1小区存在的路测RRC重建问题分析。
后台信令跟踪
从主叫占用的eNodeB上来看,RRC重建