局放仪地使用培训资料Word文档下载推荐.docx
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图1-1中以并联一对火花间隙的电容c来模拟产生局部放电的内部气泡。
图1-2表示了在交流电压下局部放电的发生过程。
图1-2介质内单气泡对交流电压下的局部放电过程
u（t）－外施交流电压
uc（t）－气泡不击穿时在气泡上的电压
uc’（t）－有局部放电时气泡上的实际电压
vc－气泡的击穿电压
vr－气泡的残余电压
us－局部放电起始电压（瞬时值）
ur－与气泡残余电压vr对应的外施电压
ir－气泡中的放电电流
电极间总电容cx＝ca+（cb×
cc）/（cb+cc）=ca电极间施加交流电压u（t）时，气泡电容Cc上对应的电压为Uc（t）。
如图2-1所示，此时的uc（t）所代表的是气泡被击穿时的电压的曲线。
Uc（t）＝U（t）×
Cb/Cc+Cb
外施电压u（t）上升时，气泡上电压Uc（t）也上升，当U（t）上升到Us时，气泡上电压Uc达到气泡击穿电压，气泡击穿，产生大量的正、负离子，在电场作用下各自迁移到气泡上下壁，形成空间电荷，建立反电场，削弱了气泡内的总电场强度，使放电熄灭，气泡又恢复绝缘性能，这样的一次放电持续时间是极短暂的，对一般的空气气泡来说，大约只有几个毫微秒（10的负8次方到10的负9次方秒），所以电压Uc（t）几乎瞬间从Vc降到Vr，Vr是残余电压，而气泡上电压Uc’（t）将随U（t）的增大继续由Vr再次升高到Vc时，气泡再一次击穿，发生又一次局部放电，但此时相应的外施电压比Us小，为（Us-Ur），这是因为气泡上有残余电压Vr的内电场作用的结果。
Ur是与气泡残余电压Vr相应的外施电压，如此反复上述过程，即外施电压每增加（Us-Ur），就产生一次局部放电，直到前一次放电熄灭后，Uc’（t）上升到峰值时共增加量不足以达Vc（相当于外施电压的增量Δ比（Us-Ur）小）为止。
此后，随着外施电压U（t）经过峰值Um后减小，外施电压在气泡中建立反方向电场，由于气泡中原存的残余电压内电场与外电场方向相反，故外施电压须经（Us+Ur）的电压变化，才能使用气泡上的电压达到击穿电压Vc。
假定正、负方向击穿电压Vc相等，产生一次局部放电，放电很快熄灭，气泡中电压瞬时降到残余电压Vr（也假定正、负方向相同），外施电压连续下降，当再下降（Us-Ur）时，气泡电压就又达到Vc从而又产生一次局部放电，如此重复上述过程，直到外施电压升到反向峰值—Um的增量Δ不足以达到（Us-Ur）为止，外施电压经过一Um峰值后，气泡上的外电场方向又变为正方向，与气泡残余电压方向相反，故外施电压又须上升（Us+Ur）产生第一次放电，熄灭后每经过（Us-Ur）的电压上升就产生一次放电，重复前面所介绍的过程，如图1-2所示。
产生局放时，局部地区空间电荷密度变大，电流集中，可以发出光、热、音响和电磁发射，在放电能量作用下，使绝缘高分子有机物质产生一系列的物理化学变化，造成表面侵蚀和局部过热，使绝缘性能劣化，随着局部放电的发展，放电点向前发展，放电通道渐渐增长，分枝增多，形成树枝状放电，最后形成贯穿性通道，即导致击穿。
在油纸绝缘中的局部放电，会在油中形成不同的X腊，散热能力降低，易导致热击穿，局部放电也易使纸纤维断裂、碳化，因此，局部放电对于加速绝缘老化、缩短绝缘寿命所造成的危害是不可低估的。
三、局部放电的表征参数
局部放电是比较复杂的物理现象，必须通过多种表征参数才能全面的描绘其状态，同时局部放电对绝缘破坏的机理也是很复杂的，也需要通过不同的参数来评定它对绝缘的损害，目前我们只关心两个基本参数：
1、视在放电电荷—在绝缘中发生局部放电时，绝缘体上施加电压的两端出现的脉动电荷称之为视在放电电荷，单位用皮库（PC）表示，通常以稳定出现的最大视在放电电荷作为该试品的放电量。
2、放电重复率—在测量时间内每秒中出现的放电次数的平均值称为放电重复率，单位为次/秒，放电重复率越高，对绝缘的损害越大。
四、局部放电的测量原理：
局放仪运用的原理是脉冲电流法原理，即产生一次局部放电时，试品Cx两端产生一个瞬时电压变化Δu，此时若经过电容Ck耦合到一检测阻抗Zd上，回路就会产生一脉冲电流I，将脉冲电流流经检测阻抗产生的脉冲电压信息予以检测、放大和显示等处理，就可以测定局部放电的一些基本参数（主要是电量q）。
在这里需要指出的是，试品内部实际的局部放电量是无法测量的，因为试品内部的局部放电脉冲的传输路径和方向是极其复杂的，因此我们只有通过对比法来检测试品的视在放电电荷，即在测试之前先在试品两端注入一定的电量，调节放大倍数来建立标尺，然后在实际电压下将收到的试品内部的局部放电脉冲和标尺进行对比，以此来得到试品的视在放电电荷。
五、测量中的干扰及抗干扰方法
1、测量中的干扰分类
干扰有来自电网的和来自空间的，按表现形式又分为固定的和移动的，主要的干扰有以下一些：
1悬浮电位物体放电，通过对地杂散电容耦合。
2外部尖端电晕。
3可控硅元件在邻近运行。
4继电器、接触器、辉光管等动作。
5接触不良。
6无线电干扰
7荧光灯干扰
8电动机干扰
9中高频工业设备
2、抗干扰方法
1采用带调压器、隔离变压器和滤波器的控制电源。
2设置屏蔽室，可只屏蔽试验回路部分。
3可靠的单点接地，将试验回路系统设计成单点接地结构，接地电阻要小，接地点要与一般试验室的地网及电力网中线分开。
4采用高压滤波器。
5用平衡法或桥式。
6利用时间窗。
7用干扰判别装置。
8采用较窄频带。
9在高压端加高压屏蔽罩或半导体橡胶帽防电晕干扰。
六、局放试验电路的主要接法及优缺点
1、标准试验电路，又称并联法，适用于必须接地的试品。
其缺点是高压引线对地杂散电容并联在Cx上，会降低测试灵敏度。
2、接法的串连法，其要求试品低压端对地浮置。
其优点是变压器入口电容、高压线对地杂散电容与耦合电容Ck并联，有利于提高试验灵敏度，缺点是试品损坏时会损坏输入单元。
3、平衡法试验电路：
要求两个试品相接近，至少电容量为同一数量级，其优点是外干扰强烈的情况下，可取得较好抑制干扰的效果，并可消除变压器杂散电容的影响，而且可做大电容试验，缺点是须要两个相似的试品，且当产生放电时，需设法判别哪个试品放电。
七、各种试品的测试接线及加压方法
1、发电机的局部放电测试方法
A、接线图如下：
B、试验电压及允许局放量如下表：
整相绕组（或分支）的局部放电量不大于下列值
定子电压等级（KV）
6KV
10KV
最高试验电压（KV）
局部放电试验电压（KV）
4KV
最大放电量（PC）
15000PC
2、变压器的局部放电测试方法：
a、单相励磁基本接线
b、三相励磁基本接线
试验电压
允许局放量
Um
1.5Um/1.732
Q<
500PC
1.3Um/1.732
300PC
3、互感器的局部放电测试方法
a、电流互感器接线
b、电压互感器接线
接地形式
互感器形式
预加电压>
10S
测量电压>
1min
绝缘形式
允许局部放电水平PC
电网中性点绝缘或经消弧线圈接地
电流互感器和相对地电压互感器
1.3Um
1.1Um
液体浸渍固体
视放电量
100
250
1.1Um/1.732
10
50
相对相电压互感器
电网中性点有效接地
0.8×
4、高压套管的局部放电测试方法：
套管绝缘类型
允许放电量（pC）
1.05Un/1.732
1.5Un/1.732
油浸纸和胶浸纸
胶粘纸
浇铸绝缘
气体
注：
1.5Un/1.732的试验电压仅用于变压器和电抗器套管。
八、测试步骤简介
1、按照系统连接原理图连接好系统。
2、利用校正脉冲发生器进行系统放电量校正，例如用校正脉冲发生器（JZF-9）在试品两端（即Cx两端）注入50pC，调节放大器增益粗调（22）及细调（23）和PC设定按钮（21）使数字表显示50.0PC，至此校正完毕，关掉方波并取下。
3、利用升压装置进行升压，升至试验电压时，调节放大器粗调，使局部放电脉冲显示在示波器上，大小适中。
4、打开判别开关（16），调节阈电平粗调（17）和阈电平细调（15），使有效指示灯（19）闪亮，记下此时的数字表值即为放电量值，将PD-KV开关
（2）拨至KV，即可读取电压值，记下试验结果。
5、将电压调至零，测试完毕。
叙述当中括号内数字代表开关编号，参照说明书前、后面板图。
九、图谱简介
放电类型和干扰的初步辨认
先介绍一下示波屏上的椭圆扫描，它是顺时针方向旋转，正零标脉冲表示验电压开始由负变向正极性；
负零标脉冲则与之相反。
两零标间的中点为试验电压的正、负峰值部位。
所以，根据放电的原理，可以知道放电应出现在正零标脉冲和负零标脉冲顺时针转到峰值处，即椭圆上的第一和第三象限。
一典型的内部气泡放电的波形特点：
（图8—01）
1放电主要显示在试验电压由零升到峰值的两个椭圆象限内。
2在起始电压Ui时，放电通常发生在峰值附近，试验电压超过Ui时，放电向零相位延伸。
3两个相反半周上放电次数和幅值大致相同（最大相差至3﹕1）。
4放电波形可辩。
5q与试验电压关系不大，但放电重复率n随试验电压上升而加大。
6局部放电起始电压Ui和熄灭电压Ue基本相等。
7
放电量q与时间关系不大。
如果放电量随试验电压上升而增大，并且放电波形变得模糊不可分辨，则往往是介质内含有多种大小气泡，或是介质表面放电。
如果除了上述情况，而且放电幅值随加压时间而迅速增长（可达100倍或更多），则往往是绝缘液体中的气泡放电，典型例子是油浸纸电容器的放电。
二金属与介质间气泡的放电波形特点：
正半周有许多幅值小的放电，负半
周有很少幅值大的放电。
幅值相差可达
10﹕1，其他同上。
典型例子：
绝缘与导体粘附不良的
聚乙烯电缆的放电。
q与试验电压关系不
大。
（图8—02）
如果随试验电压升高，放电幅值也
增大，而且放电波形变得模糊，则往往
是含有不同大小多个气泡，或是外露的
金属与介质表面之间出现的表面放电。
（图8—03）
下面介绍一些主要视为干扰或非
正常放电的情况：
（1）悬浮电位物体放电波形特点：
在电压峰值前的正负半周两个象
限里出现幅值。
脉冲数和位置均相同，
成对出现。
放电可移动，但它们间的
相互间隔不变，电压升高时，根数增
加，间隔缩小，但幅值不变。
有时电
压升到一定值时会消失，但降至此值
又重新出现。
原因：
金属间的间隙产生的放电，间
隙可能是地面上两个独立的金属体间
（通过杂散电容耦合）也可能在样品（图8—04）
内，例如屏蔽松散。
（图8—04）
（2）外部尖端电晕放电波形特点：
起始放电仅出现在试验电压的一
个半周上，并对称地分布在峰值两侧。
试验电压升高时，放电脉冲数急剧增
加，但幅值不变，并向两侧伸展。
原因：
空气中高压尖端或边缘放
电。
如果放电出现在负半周，表示尖
端处于高压，如果放电出现在正半周
则尖端处于地电位。
（图8—05）
（
（图8—05）
（3）液体介质中的尖端电晕放电波形特点：
（图8—06）
放电出现在两个半周上，对称地分
布在峰值两侧。
每一组放电均为等间隔，
但一组幅值较大的放电先出现，随试验
电压升高而幅值增大，不一定等幅值；
一组幅值小的放电幅值相等，并且不随
电压变化。
绝缘液体中尖端或边缘放电。
如一组大的放电出现在正半周，则尖端
处于高压；
如出现在负半周，则尖端地
电位。
（4）接触不良的干扰图形（图8—07）
波形特点：
对称地分布在实验电压
零点两侧，幅值大致不变，但在实验电
压峰值附近下降为零。
波形粗糙不清晰，
低电压下即出现。
电压升高时，幅值缓
慢增加，有时在电压达到一定值后会完
全消失。
实验回路中金属与金属不良
接触的连接点；
塑料电缆屏蔽层半导体
粒子的不良接触；
电容器铝箔的插接片（图8—07）
等（可将电容器充电然后短路来消除）。
（5）可控硅元件的干扰图形（图8—08）
波形特点：
位置固定，每只元件产
生一个独立讯号。
电路接通，电磁耦合
效应增强时讯号幅值增加，试验调压时，
该脉冲讯号会发生高频波形展宽，从而
占位增加。
邻近有可控硅元件在运行。
（图8—08）
（6）继电器、接触器、辉光管等动作的
干扰。
图形（图8—09）
分布不规则或间断出现，
同试验电压无关。
热继电器、接触器和各种火
花试验器及有火花放电的记录器动作时
产生。
（图8—09）
（7）异步电机的干扰图形（图8—10）
正负半周出现对称的两
簇讯号，沿椭圆时基逆向以不变的速度
旋转。
异步电机运行讯号耦合到检
测回路中来。
（图8—10）
（8）荧光灯的干扰图形（图8—11）
栏栅状，幅值大致相同
的脉冲，伴有正负半波对称出现的两簇
脉冲组。
荧光灯照明
（图8—11）
（9）无线电干扰的干扰图形（图8—12）
幅值有调制的高频正弦
波，同试验电压无关。
无线电话、广播话筒、载波
通讯等。
（图8—12）
（10）电动机干扰的干扰图形（图8—13）
放电波形沿椭圆基线均
匀分布，每个单个讯号呈“山”字形。
带换向器的电动机，如电扇、
电吹风运转时的干扰。
（（图8—13）
（11）中高频工业设备的干扰图形
（图8—14）
连续发生，仅出现在电
源波形的半周内。
感应加热装置和频率接近检
测频率的超声波发生器等。
（12）铁芯磁饱和谐波的干扰图形
（图8—15）
较低频率的谐波振荡，
出现在两个半周上，幅值随试验电压升
高而增大，不加电压时消失，有重现性。
试验系统各种铁芯设备（试
验变压器、滤波电抗器、隔离变压器等）
磁饱和产生的谐振。
（图8—15）
（13）电极在电场方向机械移动的干扰
图形（图8—16）
仅在试验电压的半周
（正或负）上出现的与峰值对称的两个
放电响应，幅值相等，而脉冲方向相反，
起始电压时两个脉冲在峰值处靠得很近，
电压升高时逐渐分开，并可能产生新的
脉冲讯号对。
电极的部分（尤其是金属箔
电极）在电场作用下运动。
（图8—16）
（14）漏电痕迹和树枝放电
放电讯号波形与一般典型图象均不符合，波形不规则不确定。
玷污了的绝缘上漏电或绝缘局部过热而致的碳化痕迹或树枝通道。
在放电测试中必须保证测试回路中其它元件（试验变压器、阻塞线圈、耦合电容器、电压表电阻等）均不放电，常用的办法是用与试品电容数量级相同的无放电电容或绝缘结构取代试品试验，看看有无放电。
了解了各种放电类型的波形特征，来源以及识别干扰后就可按具体情况采取措施排除干扰和正确地进行放电测量了。
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