研发部工作总结Word文件下载.docx
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2012年10月，组织技术人员进行IGBT重大专项预算书的编写工作，经过近一个月的努力奋战完成了预算书及申报书的编写工作并进行了上报。
申报项目/奖项
项目名称
奖金
备注
在天津市经信委的项目立项
《区熔法制备8英寸硅单晶的技术研究》、《气相掺杂区熔硅单晶径向电阻率均匀性的研究及其产业化》、《区熔重掺单晶的研制》、《直拉法制备重掺杂硅单晶的工艺研究及其产业化》、《8英寸直拉<
硅单晶制备工艺的研究及其产业化》
天津市2012年企业技术创新项目
专利金奖配套资助
3万元
园区专利资助
国家科技进步奖
《大直径区熔硅单晶研发及产业化》
天津市科技进步奖和滨海新区科技进步奖
《气相掺杂区熔硅单晶》
中国电子学会技术发明二等奖
《大直径区熔硅单晶》
2012年度工信部电子基金
中环股份定向增发项目
《IGBT及光电子器件用区熔硅单晶研发及产业化》
国家重大科技专项项目申报书
《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》
2012年重点产业振兴和技术改造项目
天津市专利金奖
中国专利奖
重点产业振兴项目
IGBT免招标、免税、项目备案
重点产业振兴项目，银行贷款贴息
天津市滨海新区科学技术进步奖（参加答辩）
中小型企业市场开拓资金
信息产业项目
技术中心创新能力建设项目
中环青年创新创效项目成果
自主创新产品认定
创新型试点企业申报
天津市科技型中小企业认定
IGBT重大专项
火炬重点高新技术企业认定
2012年国家高新技术企业发展投资计划
电子产业振兴与技术改造项目
二、规范企业技术中心管理，积极应对高新技术企业中期复查工作
针对高新技术企业的相关要求，为了规范高新技术企业财务管理，天津市要求研发经费纳入管理费用，单独归集，核算清晰。
2012年初，工艺研发部与财务部配合工作，每月针对项目对研发经费进行归集、统计、核算，并细化项目经费分配工作。
为了迎对高新技术企业中期检查工作，将更加规范研发经费管理，做到有理有据。
此外，配合园区科技局完成高新技术企业的调查、固定资产投资等工作。
特别是面对研发经费的严格管理的要求，工艺研发部与财务部配合完成了2011年企业研发加计扣除的专项审计工作，完成了2008年、2011年研发经费的专项审计工作。
2012年2月，完成了2011年企业技术中心的工作总结、《2011年企业技术中心年报表》、《大中型企业年报表》、《天津市专利项目实施调查表》、《集成电路企业调查表》、《集成电路企业年审表》等十余项报表的上报工作。
完成所属各行业协会的调查统计工作。
推荐沈浩平、李翔等同志入选国家、行业及天津市高新技术企业专家库等材料组织上报工作。
三、工艺标准化工作
积极参与国家标准的拟定工作，并于5月底向光伏材料工作组提交《太阳能硅片沟槽形和阶梯形刀痕几何尺寸的测量方法》、《光伏用硅片中代位碳原子和间隙氧含量测量方法》的国家标准初稿。
在企业内部标准化方面，设定专人做标准化技术文件，拟定并完成与中环光伏的《太阳能硅单晶技术协议》、《太阳能硅片技术协议》、《太阳能多晶加工技术协议》等工作；
完成与中环天磁《重掺料加工的技术协议》等。
在革新部推动下，以直拉制造部为试点，工艺研发部配合直拉工序进行SQM改善活动，目前完成太阳能单晶的QC工程图、标准作业书、CTQ、基本遵守及点检表的设计，并现场张贴，并被直拉制造部用于培训及操作的依据。
由工艺研发部人员担当企业SQM讲师，配合革新部定期为全公司班组长提供SQM培训工作。
配合革新部工作每月编制环欧公司简报，将本部门每月的工作完成情况进行总结并且以PPT的形式进行发表。
四、专利工作
2012年2月，环欧公司专利《大直径区熔硅单晶的生产方法》荣获中国专利优秀奖，同时获天津市专利金奖，并获得市政府的3万元奖金；
中环电子信息集团为鼓励进步，给予1：
1配套奖金。
2012年初完成《酸蚀刻硅片工艺》、《直拉重掺锑单晶的掺杂方法及掺杂装置》的专利申请加快工作，完成市知识产权局、园区科技局、中环电子信息集团多项专利的专利资助。
目前，已获得专利累计奖金6.8万元。
完成了2012年天津市专利试点企业的申报工作，设定专职人员负责专利工作，同时准备建立专利管理制度，形成有效的工作程序；
加强专利信息利用，提高创新水平，积极实施专利申请战略；
加大知识产权保护工作的资金和人力投入，努力提高本企业自主知识产权拥有的数量和质量，并在核心技术和基础产品上形成有效专利布局，形成以核心发明专利为主导，以实用新型专利为基础的合理专利布局。
计划年申请专利数不低于15件，且年增幅达到20%以上，并保持专利授权率和维持率稳定增长。
2012年具体专利策划如下表：
环欧公司2012年专利申报计划
序号
专利名称
专利类型
1
区熔气相重掺杂（B）硅单晶的制备方法
发明
2
区熔<
硅单晶的制备方法
3
区熔气相重掺杂（p）硅单晶的制备方法
4
一种用于直拉硅单晶制备的的双石英坩埚装置
5
直拉重掺砷单晶的制备方法及掺杂装置
6
直拉重掺砷单晶掺杂装置
实用新型
7
8英寸直拉<
8
酸洗多晶硅块料工艺
9
钻石线切割太阳能硅片工艺
10
0.11mm钢线切割硅片工艺
11
0.10mm钢线切割硅片工艺
12
采用循环再生砂研磨硅片的工艺
13
磨片机循环再生砂的过滤装置
发明/实用新型
截至至2012年11月，工艺研发部已经上报4项专利，完成了年初制定的上报4项专利的工作目标。
编写上报专利
一种制备<
区熔硅单晶的方法
一种硅多晶原料的清洗方法
一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法
一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法
五、规范技术项目管理
2012年面对较好的销售形势，公司的销售收入比2011年大幅增加，工艺研发部根据工作需要，及时调整研发经费的管理和比例，与财务部配合将公司的研发经费管理向科学化、规范化迈进。
2012年伊始，在革新部和中环股份技术中心的推动下，工艺研发部结合公司研发的实际情况，借鉴以往的项目论证经验，查找项目管理方面的不足，以加强项目管理和项目考核为今年的工作重点。
针对各个事业部的《项目建议书》进行严格把关，以便于公司技术委员会对各部门确定的技术项目进行分类评审。
《项目建议书》中要求在项目立项阶段即对项目性质、立项背景、项目时间进度、项目资金使用计划以及项目预计达成目标都做好策划，这样规划不仅有利于项目工程师对项目有更深入的了解，并按照项目时间节点检查自己的工作，也便于公司技术委员会对项目进行立项论证和项目的阶段性考核。
在股份公司的组织下，定期召开技术例会，在每季度的技术例会都会对项目进行调整，并将于12月对项目进行验收。
2012年技术项目明细及进展情况如下表：
2012年环欧公司技术项目明细及进展
No.
项目名
立项
现状
目标
8寸区熔单晶生长技术
7英寸单晶
设备改造中
8英寸单晶
区熔6寸气掺单晶
成晶困难
5寸试验中，6寸未做
RRV＜30%
5寸FZGD单晶产业化（三极管）
RRV＜30%
RRV＜25%
RRV
＜20%
气掺单晶电阻率均匀性改善
（3、4寸）
＜30%
合格率>
60%
＜15%
区熔重掺单晶的产业化
（TVS二极管）
成晶率40%
成晶率65%
热处理工艺对NTD单晶电阻率及寿命的影响
电阻率出现低环，寿命偏低
试验中
降低电阻率漂移率，提高寿命
直拉重掺衬底单晶的产业化
成晶率34.5%
合格率36%
成晶率60%
合格率50%
单晶的产业化
合格率24%，氧含量影响
成晶率50%
合格率24%
合格率55%
直拉半导体电阻率轴向入档率改善
入档率35%
入档率40%
入档率57%
线切硅片表面质量的提高
硅片崩边、裂片率高，因TTV、Warp等因素引起的不良率高
调整线张力，warp不良率由10.3%降低至2.61%。
WARP：
4”≦25；
5”≦30；
6”≦35
切磨片清洗质量改进
清洗不良率高
已对金星十工位、五工位进行了改造，效果明显。
优化工艺，改进设备
磨片工艺砂浆的循环使用
1.71
元/片
1.3
0.86
在质量计划方面，做到严格把关，1-5月份已完成《PWA-15金刚砂磨片》《半导体切片提速试验》等23项质量计划的工艺路线及实验方案的审批工作。
六、工艺文件、理论产能的修改、修订工作
通过现场写实，配合事业部完成了《滚磨工艺文件》、《线切割工艺操作规程》、等工艺文件的修改和修订工作；
配合事业部进行了《线切工序理论产能》、《直拉理论产能和工时利用》等文件的修订工作；
编写了《QB-20外购太阳能电池用硅单晶及硅片检验标准》、《太阳能单晶尾部处理规定》等管理文件及规定。
对制造部上报的理论产能表进行审核及更新，对于理论产能的更改进行现场写实考核，发现问题及时进行纠正，并对现场写实工作进行了总结及通报。
七.中环领先、中环光伏的建设、沟通工作
工艺研发部协助子公司——中环领先、中环光伏的建设及技术沟通工作。
因与领先公司毗邻，在双方交接程序上因走捷径，经常出现双方沟通不畅、责任不明的情况，工艺研发部协助做好双方交接的文件，做到有理、有据；
中环光伏前期建设人手少，工艺研发部加班加点，在工作之余为中环光伏申请内蒙古科技厅的创新项目撰写全套项目申请，并协助中环光伏拟定技术标准。
八、其他工作
除此之外，工艺研发部还负责进口贴息资金申请的手续，技术中心的运作。
协助质量部进行产品质量的反馈，处理顾客抱怨与质量投诉，回复国际客户的技术问题，提供相应的技术文件，协助市场部和质量部作好客户回访，跟客户讲解相关的技术理念，最终解决技术质量问题，并与公司相关部门及人员进行技术质量分析。
组织人员编制企业宣传册，参加技术展会以及集团公司组织的质量攻关成果发表会，并取得了“黄河杯”一等奖的好成绩。
名称
深圳电子信息展
高新技术企业认定工作会
专利金奖颁奖会及工作会
SEMICON年会
集团公司QC成果发表会
集团公司质量攻关成果发表会
第三届中国（太原）国际能源产业博览会
九、2011年工作展望
（1）2012年我们仍将面对全球金融危机带来的巨大挑战。
工艺研发部与各部门积极配合，使公司能够得到充足的研发经费和政府、上级主管部门在财力和人才引进政策上的大力支持，并做好2012年度中环科技基金、国家专利的申报工作，从而为环欧公司成为科技创新型企业提供有力的保障。
（2）做好已承担项目的阶段性总结工作，包括国家重点新产品《大直径区熔硅》项目及中环科技基金项目《区熔硅抛光片研发及产业化》项目的阶段性总结及财务分析。
（3）加强公司技术项目管理工作，加快试验步伐，积极开发新产品，使公司产品的技术含量始终保持领先势头。
与国际知名企业相比，环欧公司的研发实力还有待加强，科技创新能力还有待提高，科技人员的素质需要提升，由于工艺研发部人员的限制，工艺研发部对技术项目的管理力度不够，希望2012年通过机构调整，工艺研发部切实地将技术项目管理起来，增强公司具有可持续发展的动力。
对于科技研发人员，建立健全贯彻项目过程的考核奖惩体系；
细化考核目标及奖惩标准，实行项目策划、实施和达产不同阶段的过程考核；
工作围绕行业的发展趋势、以及公司的战略和经营目标进行，按照月度、季度和年度对相应的人员以及项目进行考核管理。
进行立项评审、项目监督以及项目最终审核，并相应配置研究开发和奖励经费。
完成《气相掺杂区熔硅单晶》、《8英寸<
直拉硅单晶》的科技查新、送外检测及并组织相关专家进行鉴定，完成新产品的鉴定工作。
（4）加强车间现场的工艺写实工作和理论产能的核实工作，加强产品品质的控制管理，力争每个部门配专职人员一名，负责现场的工艺监督、工艺文件核对、作业指导书核准工作。
配合事业部做好SQM品质改善活动。
（5）组织好QC小组和质量攻关活动，完成电子信息行业质量管理的发表工作，以及参加中环电子信息集团的质量攻关项目的发表。
（6）做好高新技术企业的研发配套工作，与财务部配合，做好企业技术中心的研发经费管理及科技项目基金的管理。
（7）完善工程师、技师评聘体系，做好公司技术人员的梯队建设，为公司未来发展做好技术人才储备。
（8）加快企业技术中心向国家级技术中心迈进的步伐。
“持续改进”是环欧公司永恒的话题，工艺研发部今后的工作仍将以此为原则，不断寻求科技质量上的改进和改善，为公司产品的技术创新贡献自己的一份力量。
2012年6月16日
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