微电子笔试笔试和面试题有答案综述Word格式.docx
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–Top-Down流程在EDA工具支持下逐步成为
IC主要的设计方法
–从确定电路系统的性能指标开始，自系
统级、寄存器传输级、逻辑级直到物理
级逐级细化并逐级验证其功能和性能
Top-Down设计关键技术
.需要开发系统级模型及建立模型库，这些行
为模型与实现工艺无关，仅用于系统级和RTL
级模拟。
.系统级功能验证技术。
验证系统功能时不必
考虑电路的实现结构和实现方法，这是对付
设计复杂性日益增加的重要技术，目前系统
级DSP模拟商品化软件有Comdisco，Cossap等，
它们的通讯库、滤波器库等都是系统级模型
库成功的例子。
.逻辑综合--是行为设计自动转换到逻辑结构
设计的重要步骤
5、描述你对集成电路工艺的认识。
把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。
集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。
电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。
单片集成电路工艺 利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。
然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。
随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。
例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；
紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；
外延生长又采用超高真空分子束外延技术；
采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；
互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。
薄膜集成电路工艺 整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。
用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。
薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作,它的材料结构有两种形式：
①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；
②薄膜热电子放大器。
薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。
实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。
厚膜集成电路工艺 用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。
淀积过程是使用一细目丝网，制作各种膜的图案。
这种图案用照相方法制成，凡是不淀积涂料的地方，均用乳胶阻住网孔。
氧化铝基片经过清洗后印刷导电涂料，制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。
制件经干燥后，在750～950℃间的温度焙烧成形，挥发掉胶合剂，烧结导体材料，随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。
有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作，然后装在烧好的基片上，焊上引线便制成厚膜电路。
厚膜电路的膜层厚度一般为7～40微米。
用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较方便，多层工艺相容性好，可以大大提高二次集成的组装密度。
此外，等离子喷涂、火焰喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技术。
与薄膜集成电路相仿，厚膜集成电路由于厚膜晶体管尚不能实用，实际上也是采用混合工艺。
单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点，可以互相补充。
通用电路和标准电路的数量大，可采用单片集成电路。
需要量少的或是非标准电路，一般选用混合工艺方式，也就是采用标准化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。
厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。
厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵活，生产周期短，散热良好，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。
另外，由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线，在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面，可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路，也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。
单片集成电路除向更高集成度发展外，也正在向着大功率、线性、高频电路和模拟电路方面发展。
不过,在微波集成电路、较大功率集成电路方面，薄膜、厚膜混合集成电路还具有优越性。
在具体的选用上，往往将各类单片集成电路和厚膜、薄膜集成工艺结合在一起，特别如精密电阻网络和阻容网络基片粘贴于由厚膜电阻和导带组装成的基片上，装成一个复杂的完整的电路。
必要时甚至可配接上个别超小型元件，组成部件或整机。
6、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？
7、描述一个交通信号灯的设计。
8、我们将研发人员分为若干研究方向，对协议和算法理解（主要应用在网络通信、图象语音压缩方面）、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术设计电路（包括MCU、DSP本身）、电路功能模块设计（包括模拟电路和数字电路）、集成电路后端设计（主要是指综合及自动布局布线技术）、集成电路设计与工艺接口的研究。
你希望从事哪方面的研究？
（可以选择多个方向。
另外，已经从事过相关研发的人员可以详细描述你的研发经历）。
第二部分：
专业篇
（根据你选择的方向回答以下你认为相关的专业篇的问题。
一般情况下你只需要回答五道题以上，但请尽可能多回答你所知道的，以便我们了解你的知识结构及技术特点。
）
1、请谈谈对一个系统设计的总体思路。
针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？
2、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：
y=lnx，其中，x为4位二进制整数输入信号。
y为二进制小数输出，要求保留两位小数。
电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。
3、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。
简述单片机应用系统的设计原则。
4、请用方框图描述一个你熟悉的实用数字信号处理系统，并做简要的分析；
如果没有，也可以自己设计一个简单的数字信号处理系统，并描述其功能及用途。
5、画出8031与2716（2K*8ROM）的连线图，要求采用三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和P2.3参加译码，基本地址范围为3000H-3FFFH。
该2716有没有重叠地址？
根据是什么？
若有，则写出每片2716的重叠地址范围。
6、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管（共阳）的原理图。
7、PCI总线的含义是什么？
PCI总线的主要特点是什么？
8、请简要描述HUFFMAN编码的基本原理及其基本的实现方法。
9、说出OSI七层网络协议中的四层（任意四层）。
10、中断的概念？
简述中断的过程。
11、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。
12、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速，程序由8051完成。
简单原理如下：
由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速，占空比越大，转速越快；
而占空比由K7-K0八个开关来设置，直接与P1口相连（开关拨到下方时为"
0"
，拨到上方时为"
1"
，组成一个八位二进制数N），要求占空比为N/256。
下面程序用计数法来实现这一功能，请将空余部分添完整。
MOVP1，#0FFH
LOOP1：
MOVR4，#0FFH
--------
MOVR3，#00H
LOOP2：
MOVA，P1
SUBBA，R3
JNZSKP1
SKP1：
MOVC，70H
MOVP3.4，C
ACALLDELAY：
此延时子程序略
AJMPLOOP1
13、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？
14、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。
15、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。
16、同步电路和异步电路的区别是什么？
17、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。
18、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
19、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？
20、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A.B+C（D+E）
21、请分析如下电路所实现的功能。
22、A）
＃include
voidtestf（int*p）
{
*p+=1;
}
main（）
int*n,m[2];
n=m;
m[0]=1;
m[1]=8;
testf（n）;
printf（"
Datavalueis%d"
*n）;
------------------------------
B）
voidtestf（int**p）
{int*n,m[2];
testf（&
n）;
printf（Datavalueis%d"
下面的结果是程序A还是程序B的？
Datavalueis8
那么另一段程序的结果是什么？
2
23、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为：
A:
B:
24、LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路，分别画出其原理图。
LC振荡电路主要用来产生高频正弦波信号，电路中的选频网络由电感和电容组成。
常见的LC正弦波振荡电路有变压器反馈式、电感三点式和电容三点式。
它们的选频网络采用LC并联谐振回路。
25、锁相环有哪几部分组成？
模拟锁相环主要由相位参考提取电路、压控振荡器、相位比较器、控制电路等组成。
压控振荡器输出的是与需要频率很接近的等幅信号，把它和由相位参考提取电路从信号中提取的参考信号同时送入相位比较器，用比较形成的误差通过控制电路使压控振荡器的频率向减小误差绝对值的方向连续变化，实现锁相，从而达到同步。
数字锁相环主要由相位参考提取电路、晶体振荡器、分频器、相位比较器、脉冲补抹门等组成。
分频器输出的信号频率与所需频率十分接近，把它和从信号中提取的相位参考信号同时送入相位比较器，比较结果示出本地频率高了时就通过补抹门抹掉一个输入分频器的脉冲，相当于本地振荡频率降低；
相反，若示出本地频率低了时就在分频器输入端的两个输入脉冲间插入一个脉冲，相当于本地振荡频率上升，从而达到同步。
26、人的话音频率一般为300~3400HZ，若对其采样且使信号不失真，其最小的采样频率应为多大？
若采用8KHZ的采样频率，并采用8bit的PCM编码，则存储一秒钟的信号数据量有多大？
27、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N管，为什么？
用N管。
N管传递高电平，P管传递低电平。
N管的阈值电压为正，P管的阈值电压为负。
在N管栅极加VDD,在漏极加VDD，那么源级的输出电压范围为0倒VDD-Vth，因为N管的导通条件是Vgs>
Vth，当输出到达VDD-Vth时管子已经关断了。
所以当栅压为VDD时，源级的最高输出电压只能为VDD-Vth。
这叫阈值损失。
N管的输出要比栅压损失一个阈值电压。
因此不宜用N管传输高电平。
P管的输出也会比栅压损失一个阈值。
同理栅亚为O时，P管源级的输出电压范围为VDD倒｜Vth｜。
因此不宜用P管传递低电平
28、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
29、数字滤波器的分类和结构特点。
有限数字滤波FIR、无限数字滤波IIR和自适应滤波
30、DAC和ADC的实现各有哪些方法？
DA转换器 DA转换器的内部电路构成无太大差异，一般按输出是电流还是电压、能否作乘法运算等进行分类。
大多数DA转换器由电阻阵列和n个电流开关（或电压开关）构成。
按数字输入值切换开关，产生比例于输入的电流（或电压）。
此外，也有为了改善精度而把恒流源放入器件内部的。
一般说来，由于电流开关的切换误差小，大多采用电流开关型电路，电流开关型电路如果直接输出生成的电流，则为电流输出型DA转换器，如果经电流椀缪棺缓笫涑觯蛭缪故涑鲂?
/FONT>
DA转换器。
此外，电压开关型电路为直接输出电压型DA转换器。
31、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？
CMOS电路中寄生固有可控硅结构被外界因素触发而导通，在电源和地之间形成低阻通路，一旦电流导通，电源若不关闭，导通就不会中止，引起器件烧毁，造成器件可靠性问题。
。
闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。
避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。
32、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？
33、列举几种集成电路典型工艺。
工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？
最小特征尺寸
34、请描述一下国内的工艺现状。
35、请简述一下设计后端的整个流程？
36、有否接触过自动布局布线？
请说出一两种工具软件。
自动布局布线需要哪些基本元素？
37、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？
38、什么是NMOS、PMOS、CMOS？
什么是增强型、耗尽型？
什么是PNP、NPN？
他们有什么差别？
39、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？
原因：
PMOS的空穴的迁移率远远小于NMOS的电子的迁移率，在要求同样的导电时间下，只有把PMOS的宽长比设的更大一些，才能达到要求
40、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？
P。
N连高电位
汉王笔试
1、下面是一些基本的数字电路知识问题，请简要回答之。
a）什么是Setup和Holdup时间？
Setup/holdtime是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。
建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。
输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间-Setuptime。
如不满足setuptime,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。
保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。
如果holdtime不够，数据同样不能被打入触发器。
b）什么是竞争与冒险现象？
怎样判断？
如何消除？
c）请画出用D触发器实现2倍分频的逻辑电路？
d）什么是"
线与"
逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？
e）什么是同步逻辑和异步逻辑？
f）请画出微机接口电路中，典型的输入设备与微机接口逻辑示意图（数据接口、控制接口、所存器/缓冲器）。
g）你知道那些常用逻辑电平？
TTL与COMS电平可以直接互连吗？
2、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：
a）你所知道的可编程逻辑器件有哪些？
b）试用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D触发器逻辑。
3、设想你将设计完成一个电子电路方案。
请简述用EDA软件（如PROTEL）进行设计（包括原理图和PCB图）到调试出样机的整个过程。
在各环节应注意哪些问题？
飞利浦－大唐笔试
1、用逻辑们和cmos电路实现ab+cd
2、用一个二选一mux和一个inv实现异或
3、给了reg的setup,hold时间，求中间组合逻辑的delay范围。
4.如何解决亚稳态
5.用verilog/vhdl写一个fifo控制器
6.用verilog/vddl检测stream中的特定字符串
信威dsp软件面试题
1）DSP和通用处理器在结构上有什么不同，请简要画出你熟悉的一种DSP结构图
2）说说定点DSP和浮点DSP的定义（或者说出他们的区别）
3）说说你对循环寻址和位反序寻址的理解
4）请写出【－8，7】的二进制补码，和二进制偏置码。
用Q15表示出0.5和－0.5
扬智电子笔试
第一题：
用mos管搭出一个二输入与非门。
第二题：
集成电路前段设计流程，写出相关的工具。
第三题：
名词IRQ,BIOS,USB,VHDL
SDR
第四题：
unix命令cp-r,rm,uname
第五题：
用波形表示D触发器的功能
第六题：
写异步D触发器的verilogmodule
第七题：
WhatisPCChipset?
第八题：
用传输门和倒向器搭一个边沿触发器
第九题：
画状态机，接受1，2，5分钱的卖报机，每份报纸5分钱。
华为面试题
研发（硬件）
全都是几本模电数电信号单片机题目
1.用与非门等设计全加法器
Cout=a&
b+b&
cin+a&
cin
Sum=a^b^cin
2.给出两个门电路让你分析异同
3.名词:
sram,ssram,sdram
4.信号与系统:
在时域与频域关系
5.信号与系统:
和4题差不多
6.晶体振荡器,好像是给出振荡频率让你求周期（应该是单片机的,12分之一周期....）
7.串行通信与同步通信异同,特点,比较
8.RS232c高电平脉冲对应的TTL逻辑是?
（负逻辑?
9.延时问题,判错
10.史密斯特电路,求回差电压
11.VCO是什么,什么参数（压控振荡器?
12.用D触发器做个二分颦的电路.又问什么是状态图
13.什么耐奎斯特定律,怎么由模拟信号转为数字信号
14.用D触发器做个4进制的计数
15.那种排序方法最快?
16.时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。
组合逻辑电路最大延
迟为T2max,最小为T2min。
问，触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件。
研发（软件）
用C语言写一个递归算法求N！
；
给一个C的函数，关于字符串和数组，找出错误；
防火墙是怎么实现的？
你对哪方面编程熟悉？
新太硬件
（1）d触发器和d锁存器的区别
（2）有源滤波器和无源滤波器的原理及区别
（3）sram，falshmemory，及dram的区别？
（4）iir，fir滤波器的异同
（5）冒泡排序的原理
（6）操作系统的功能
（7）学过的计算机语言及开发的系统
（8）拉氏变换和傅立叶变换的表达式及联系。
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电子企业面试专题
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诺基亚面试题目
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各大公司电子类招聘题目精选1
发表于2007-1-1318:
02:
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各大公司电子类招聘题目精选[转]
模拟电路
1、基尔霍夫定理的内容是什么？
（仕兰微电子）
2、平板电容公式（C=εS/4πkd）。
（未知）
3、最基本的如三极管曲线特性。
4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）
负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放
大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知
）
6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？
7、频率响应，如：
怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。
（未知）
8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。
（凹凸）
9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），
优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。
10、给出一差分电路，告诉其输
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