电子电路分析与制作应知部分考试习题.docx

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电子电路分析与制作应知部分考试习题

电子电路分析与制作试题库

第一部份应知部分

一、单项选择题：

1.差分放大电路是为了_________而设置的。

（C）

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移

2.共集电极放大电路的负反馈组态是_________。

（A）

A、压串负B、流串负C、压并负

3.差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ_________倍。

（B）

A、1B、2C、3

4.为了使放大器带负载能力强，一般引入_________负反馈。

（A）

i.A、电压B、电流C、串联

1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是_________。

（A）

b）A、12VB、5VC、9V

A、饱和B、截止C、交越D、频率

5.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路_________能力。

（A）

A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低

6.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_________之间变化。

（B）

A、0~20B、20~200C、200~1000

7.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=_________Uz（C）

A、0.45B、0.9C、1.2

8.单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=（）U2。

（C）

A0.45B0.9C1.2

9.三端集成稳压器CW7906的输出电压是_________（A）

A-6VB-9vC-12v

10.差分放大电路是为了_________而设置的。

（C）

A稳定AuB放大信号C抑制零点漂移

11.KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路_________能力。

（A）

A放大差模抑制共模B输入电阻高C输出电阻低

12.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_________变化。

（B）

A0-20B20-200C200-1000

13.共集电极放大电路的负反馈组态是_________。

（A）

A、压串负B、流串负C、压并负

14.差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ_________倍。

（B）

A、1B、2C、3

15.为了使放大器带负载能力强，一般引入_________负反馈。

（A）

A、电压B、电流C、串联

16.差分放大电路是为了_________而设置的。

（C）

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移

17.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路_________能力。

（A）

A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低

18.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_________之间变化。

（B）

A、0~20B、20~200C、200~1000

19.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=_________Uz（C）

A、0.45B、0.9C、1.2

20.振荡器的输出信号最初由_________而来的。

（C）

A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号

21.三端集成稳压器CW7906的输出电压是_________（A）

A-6VB-9vC-12v

22.KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路_________能力。

（A）

A放大差模抑制共模B输入电阻高C输出电阻低

23.LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在_________变化。

（B）

A0-20B20-200C200-1000

24.单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=（）U2。

（C）

A0.45B0.9C1.2

25.

（2）RC串并联网络在

时呈。

（B）

A感性B阻性C容性

26.通用型集成运放的输入级多采用。

（D）

A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法

27.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（B）

A.βB.β2C.2βD.1+β

28.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）

A.大B.小C.相等

29.在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（C）

A.φA=-1800，φF=+1800B.φA=+1800，φF=+1800C.φA=00，φF=00

30.集成运放的互补输出级采用。

（B）

A.共基接法B.共集接法C.共射接法

31.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（B）

A.βB.β2C.2βD.1+β

32.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）

A.大B.小C.相等

33.放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力。

（A　）

Ａ、强　　Ｂ、弱　　Ｃ、一般

射极跟随器具有特点。

（C　）D.差分接法

34.

Ａ、电流放大倍数高　Ｂ、电压放大倍数高　Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低

35.引入并联负反馈，可使放大器的。

（C　）

Ａ、输出电压稳定　Ｂ、反馈环内输入电阻增加　Ｃ、反馈环内输入电阻减小

36.直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的。

（A　）

Ａ、好　　Ｂ、差　　Ｃ、相同

37.工作在线性区的运算放大器应置于状态。

（　A）

Ａ、深度反馈　　Ｂ、开环　　Ｃ、闭环

38.产生正弦波自激震荡的稳定条件是。

（C　）

A、引入正反馈B、|AF|≥1C、AF=1

39.测量脉冲电压（例如尖脉冲）的峰值应使用。

（C　）

Ａ、交流毫伏表　　Ｂ、直流电压表Ｃ、示波器、

40.整流的目的是。

（A）

A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将正弦波变为方波

41.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则。

（C）

A.输出电压约为2UDB.变为半波直流C.整流管将因电流过大而烧坏

42.直流稳压电源中滤波电路的目的是。

（C）

A.将交流变为直流B.将高频变为低频C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉

43.滤波电路应选用。

（B）

A.高通滤波电路B.低通滤波电路C.带通滤波电路

44.串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。

（C）

A.基准电压B.采样电压C.基准电压与采样电压之差

45.开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是。

（A）

A.调整管工作在开关状态B.输出端有LC滤波电路C.可以不用电源变压器

46.下列逻辑代数运算错误的是。

（B）

A. A·0=0     B. A+1=A 

C. A·1=A     D. A+0=A

47.在何种输入情况下，“或非”运算的结果是逻辑1。

（  A）

A. 全部输入为0

B. 全部输入为1

C. 任一输入是0，其它输入为1

D. 任一输入是1

48.当某种门的输入全部为高电平，而使输出也为高电平者，则这种门将是（  B）。

A．与非门及或非门   B．与门

C．或门及异或门     D．与门及或非门    

49.TTL与非门的扇出系数是（  C）。

A．输出端允许驱动各类型门电路的平均数目

B．输出端允许驱动同类型门电路的最小数目

C．输出端允许驱动同类型门电路的最大数目 

D．以上各项都不是

50.一个16选1的数据选择器（十六路数据选择器），其地址输入（选择控制输入）端有（ C ）。

A．1个  B．2个  

C．4个  D．8个

51.对于JK触发器，输入J＝0，K＝1，CP脉冲作用后，触发器的状态应为（  C）。

A．1       B．0   

C．不定    D．以上各项都不是

52.异步时序电路和同步时序电路比较，其差异在于（  B）。

A．没有触发器   B．没有统一的时钟脉冲控制

C．没有稳定状态 D．输出只与内部状态有关  

53.随机存取存储器（  ）。

（D）

A．只读存储器     B．挥发性存储器

C．不挥发性存储器 D．A、B、C三项都不是

54.晶闸管内部有（C）PN结。

A一个，B二个，C三个，D四个

55.单结晶体管内部有（A）个PN结。

A一个，B二个，C三个，D四个

56.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（B）。

A不变，B增大，C减小。

57.单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。

A1，B0.5，C0.45，D0.9.

58.单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。

A1，B0.5，C0.45，D0.9.

59.为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（B）。

A三极管，B续流二极管，C保险丝。

60.晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。

A电阻性，B电感性，C反电动势。

61.直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（C）。

A一样，B要硬一些，C要软一些。

62.带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（A）负载。

A大电流，B高电压，C电动机。

63.晶闸管在电路中的门极正向偏压（B）愈好。

A愈大，B愈小，C不变

64.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C）。

A分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。

65.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C）。

A分流，B降压，C过电压保护，D过电流保护。

66.变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。

A关断过电压，B交流侧操作过电压，C交流侧浪涌。

67.晶闸管变流装置的功率因数比较（B）。

A高，B低，C好。

68.晶闸管变流器接直流电动机的拖动系统中，当电动机在轻载状况下，电枢电流较小时，变流器输出电流是（B）的。

A连续，B断续，C不变。

69.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。

A有效值B最大赛值C平均值

70.普通的单相半控桥可整流装置中一共用了（A）晶闸管。

A一只，B二只，C三只，D四只。

71．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（A）。

A．NPN型硅管B.NPN型锗管

C.PNP型硅管D.PNP型锗管

72．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。

A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管

C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管

73．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。

A．输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大

74.在图示电路中,Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（D）。

A．减小C，减小RiB.减小C，增大Ri

C.增大C，减小Ri

75.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（D）。

A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路

C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路

76.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。

A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器

77．正弦电压u（t）=

（V）,则正弦电压的有效值等于（　B　）

A．

B．

C．

D．

78．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大，需引入的交流负反馈是（　　A　）

A．电压串联B．电压并联

C．电流串联D．电流并联

79．

（　A　　）

A．

B．

C．

D．

80．集成运放作为线性应用时，电路形式一般是（　D　）

A．开环B．正反馈

C．开环或正反馈D．深度负反馈

81．单相桥式整流电路，

为变压器副边电压有效值，则二极管承受的最高反压

为

（　B　）

A．

B．

C．

D．

82．开关型集成稳压器与普通线性集成稳压器相比较，前者的突出特点是（　B　）

A．稳压效果好B．效率高

C．滤波电容大D．输出纹波小

83．卡诺图中，把8个相邻项合并，能够消除的变量数为（　C　　）

A．1个B．2个

C．3个D．4个

84．在下列各图中，使输出F=1的电路是（　A　　）

85．两个一位二进制数A和B的数据比较器，表示A>B的输出G表达式为（　　C　）

A．

B．

C．

D．

86．在下列各图中,能实行

的电路是（　B　　）

87．三极管β值是反映（   B  ）能力的参数。

A．电压控制电压 B．电流控制电流

C．电压控制电流 D．电流控制电压

88．N沟道绝缘栅增强型场效应管的电路符号是（  A   ）

89．互补对称功率放大器是（  A   ）

A．共发射极电路 B．共基极电路

C．共集电极电路 D．差动电路

90．振荡频率较低，一般在1MHz以内的电路是（   A  ）

A．变压器耦合振荡器 B．文氏桥振荡器

C．电感三点式振荡器 D．电容三点式振荡器

91．桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U0（AV）=（  D   ）

A．0.45U2 B．0.9U2

C．1.1U2 D．1.2U2

92．用三端稳压器组成稳压电路，要求U0=5V I0=0.5A应选用的稳压器是（  A   ）

A．CW7805 B．CW7905

C．CW78M05 D．CW78L05

93．三位二进制代码可以编出的代码有（   D  ）

A．3种 B．4种

C．6种 D．8种

94．发光二极管的工作电流为（   A  ）

A．几~几十（微安） B．几十~几百（微安）

C．几~十几（毫安） D．几安培

95．在CP有效的情况下，当输入端J=l、K=0时，则J-K触发器的输出Qn+1=（  C  ）

A．1 B．0

C．Qn D．

96．已知逻辑函数

则根据逻辑关系可等效为（  B  ）

97．用555定时器构成的施密特触发器当5脚经电容接地时，两个阈值电压是（   C  ）

98．通常情况下，ADC和DAC从速度上比较（   D  ）

A．DAC比ADC快 B．DAC比ADC慢

C．一样快 D．无法确定

99.PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流（A）漂移电流。

a.大于b.小于c.等于

100、当环境温度降低时，二极管的反向电流（C）

a.不变b.增大c.减小

101、测得BJT各极对地电压为VB=4V，VC=3．6V，VE=3．4V，则该BJT工作在（B）状态。

a.截止b.饱和c.放大

102、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是（B）。

a.VC＞VB＞VEb.VC＜VB＜VEc.VE＜VB＞VCd.VE＞VB＜VC

103、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用（A）电路。

a.共射或共源b.差分放大c.互补对称

104、运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的（C）

a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强

105、希望接上负载RL后，VO基本不变，应引入A）负反馈。

a.电压b.电流c.串联d.并联

106、要求得到一个由电流控制的电压源，应引入（B）负反馈。

a.电压串联b.电压并联c.电流串联d.电流并联

107、某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压为7V，输入电压为15mV时，输出电压为6.5V，则AV=（C）

a.700b.100c.-100

108、某BJT的IE=1mA，IB=20

A，则IC=（A）mA

a.0.98b.1.02c.0.8d.1.2

109.PN结外加反向电压时，其内电场（C）。

a.减弱b.不变c.增强

110.锗二极管的死区电压为（B）V。

a.0.5b.0.2c.0.3

111.测得BJT各极对地电压为VB=1.8V，VE=0V，VC=12V，则该管工作在（D）状态。

a.截止b.饱和c.放大d.已损坏

112.测得BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，—0.2V，—3V，则1、2、3脚对应的三个极是（A）。

a、ebcb、ecbc、cbed、bec

113.OTL功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。

静态时，该电容上的电压为（B）。

a.VCCb.

VCCc.2VCC

114.FET用于放大时，应工作在（B）区。

a.可变电阻b.饱和c.击穿

115.为了提高输入电阻，减小温漂，集成运放的输入级大多采用（C）电路。

a.共射或共源b.共集或共漏c.差放电路

116.希望静态时，元件参数改变时对放大器静态工作点的影响较小，应引入（B）负反馈。

117.要求得到一个由电流控制的电流源，应引入（D）负反馈。

a.电压串联b.电压并联c.电流串联d.电流并联

118.测得BJT的IB=30

A时，IC=2.4mA；IB=40

A时，IC=3mA，则它的

值为（B）。

a、80b、60c、75d、100

119.PN结外加正向电压时，其空间电荷区（C）。

a.不变b.变宽c.变窄

120.测得BJT各电极对地电压为：

VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该BJT工作在（B）状态。

a.截止b.饱和c.放大

121.测得放大电路中的BJT各电极对地电压为：

VB=2.7V，VE=2V，VC=6V，则该BJT为（A）。

a.NPN硅管b.NPN锗管c.PNP锗管d.PNP硅管

122.OCL功放电路的输出端直接与负载相联，静态时，其直流电位为（C）。

a.VCCb.（1/2）VCCc.0d.2VCC

123.FET是（）控制器件。

（B）

a.电流b.电压c.电场

124.通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（B）。

a.电阻大b.功率大c.电压高

125.希望放大器输入端向信号源索取的电流比较小，应引入（C）负反馈。

a.电压b.电流c.串联d.并联

126.要求输入电阻Ri大，输出电流稳定，应引入（C）负反馈。

a.电压串联b.电压并联c.电流串联d.电流并联

127.工作在放大区的BJT，IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值为（B）。

a.10b.50c.100

128.若差分电路两输入电压分别为Vi1=10mV，Vi2=6mV，则Vid和Vic分别为（A）mV。

a.48b.28c.42d.24

129．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（ A ）。

A．NPN型硅管  B.NPN型锗管

C.PNP型硅管  D.PNP型锗管

130．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D ）。

A．P沟道增强型MOS管  B、P沟道结型场效应管

C、N沟道增强型MOS管  D、N沟道耗尽型MOS管

131．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C ）。

A．输入电阻高  B.输出电阻低  C.共模抑制比大  D.电压放大倍数大

132.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。

A.基本共射放大电路    B.基本共集放大电路 

C.反相比例运算电路    D.同相比例运算电路

133．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是（ C ）。

a．不用输出变压器   b．不用输出端大电容   c．效率高   d．无交越失真

134．稳压二极管稳压时，其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A ）。

a．正向导通区   b．反向截止区 c．反向击穿区

135．为使PN结正向偏置，就使P区接电源（），N区接电源（A）

A．正极、负极B。

负极、正极

C．正极、正极D。

负极、负极

136．在下图所示电路中，稳压管Dw1和Dw2的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压UO为（D）。

A．6VB。

7VC。

0VD。

1V

137．若分别测得放大电路中的NPN型硅管各极电位如下图所示，则管脚①②③分别为电极（C）

A．c、b、eB.e、c、bC.b、c、eD.b、e、c

138．如下图所示各电路中，处于放大状态的三极管是（B）

139．为了消除基本共射放大电路的饱和失真，应（D）

A．减小基极偏置电阻B。

增大基极偏置电阻

C．减小集电极偏置电阻D。

增大集电极偏置电阻

140．温度升高时，三极管的部分参数的变化规律是（B）

A．β↑、ICEO↑、UBE↑B。

β↑、ICEO↑、UBE↓

C．β↓、ICEO↑、UBE↑D。

β↑、ICEO↓、UBE↓

141.以下哪些不属于引入负反馈后对电路的影响（D）

A．使放大电路的放大倍数减小

B．使放大电路通频带展宽

C．改变放大电路的输入输出电阻

D．使放大电路放大倍数增大

142.由NPN管组成的基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真这种失真是（A）

A．饱和失真B。

频率失真C。

截止失真D。

以上均不定

143．表征场效应管放大能力的重要参数是（B）

A．夹断电压UpB。

低频互导（跨导）gm

C．饱和漏极电流IDSSD。

最大栅源电压BUGS

144．源极输出器类似于（C）

A．共发射极放大电路B。

共基极放大电路

C．共集电极放大电路D。

共漏极放大电路

145．N沟道结型场效应管处于放大状态要求（C）

A．UGS>0B。

UGS=0C。

UGS<0D。

UDS=0

146．LC正弦波振荡电路起振的振幅条件是（B）

A．︱AF︱=0B.︱AF︱=1C.︱AF︱<1D.︱AF︱>1

147．采用石英晶体振荡电路的主要目的是（C）

A．提高输出信号幅度B。

抽调输出信号的频率

C．提高输出信号的稳定性D。

增大输出信号的频率范围

148．双端输入双端输出差动放大器用成倍的元件来换取（A）

A．对零点漂移的抑制B.较大的电压放大倍数

C.较高的频率稳定度D.较大的输出信号幅度

149.与乙类功放器比较,甲乙类功放器的