《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx

上传人:b****3 文档编号:7839332 上传时间:2023-05-09 格式:DOCX 页数:18 大小:504.61KB
下载 相关 举报
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第1页
第1页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第2页
第2页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第3页
第3页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第4页
第4页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第5页
第5页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第6页
第6页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第7页
第7页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第8页
第8页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第9页
第9页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第10页
第10页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第11页
第11页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第12页
第12页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第13页
第13页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第14页
第14页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第15页
第15页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第16页
第16页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第17页
第17页 / 共18页
《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx_第18页
第18页 / 共18页
亲,该文档总共18页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
下载资源
资源描述

《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx

《《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx(18页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。

《电工与电子技术基础》电子部分习题Word文档下载推荐.docx

第一节晶体二极管(第二课时)

1、晶体二极管的正极电位是-10V,负极电位是-5V,则该二极管处于()

A.零偏B.反偏C.正偏

2、面接触型晶体二极管比较适用于()

A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关

3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应该把欧姆挡拨到()

A.R×

100Ω或R×

1kΩ挡B.R×

1Ω挡C.R×

10kΩ挡

4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压,则晶体二极管相当于  ( )

A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关

5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时,该二极管相当于()

A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路

1、当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为V,锗二极管的正向压降为V。

2、晶体二极管因所加电压过大而。

并出现的现象,称为热击穿。

3、下面每小题后面的括号内,提供几种答案,选择正确的填在相应的横线上。

(1)简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结?

(能;

不能;

不一定)

(2)二极管导通时,则二极管两端所加的是电压。

(正向偏置;

反向偏置;

无偏置)

(3)当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时,二极管才能导通。

(击穿;

饱和;

门槛)

(4)二极管两端的反向偏置电压增高时,在达到电压以前,通过的电流很小。

最大;

短路)

第二节二极管整流电路

1、在如图所示的电路中,试分析输入端a、b间输入交流电压υ时,通过R1、R2两电阻上的是交流电,还是直流电?

2、若将单相桥式电路接成如图的形式,将会出现什么结果,应如何改正?

3、如图所示两个电路中,设V1、V2均为理想二极管(即正向导通时其正向电阻和正向压降为零,反向截止时其反向电阻无穷大的二极管),试判断两图中的二极管是截止的还是导通的,A、B两端的电压VAB=?

C、D端的电压VCD=?

4、画出半波整流电路图。

若负载电阻RL=0.9kΩ,负载电流IL=10mA,试求:

(1)电源变压器的次级电压V2;

(2)整流二极管承受的最大反向电压VRM;

(3)流过二极管的平均电流IV。

5、画出桥式全波整流电路图。

若输出电压VL=9V,负载电流IV=1A。

(1)电源变压器次级绕组电压V2;

6、如图所示的单相桥式整流电路中:

(1)若有一个二极管V1内部短路,整流电路会出现什么现象?

(2)若有一个二极管V2虚焊(断路),整流电路会有什么现象?

(3)若有一个二极管V3方向接反,整流电路会出现什么现象?

7、图所示的电路中:

(1)当变压器次级电压为正半周(a+、b-)时,哪两个二极管导通?

负半周(a-、b+)时,哪两个二极管导通?

(2)请在图中标出RL1、RL2两端的电压极性。

第三节滤波和稳压电路

1、指出下图所示稳压电路中的错误。

2、如图所示的简单稳压电路是正确的,某人按图接好该电路,在测试时发现输出电压VL只有0.7V左右,试说明是何原因造成的,应如何改正?

3、两个稳压二极管,稳压值分别是7V和9V,将它们组成如下图所示的四种电路,设输入电压V1值是20V,求各电路输出电压V2的值是多少?

4、在单相桥式整流电路中,变压器次级电压V2=120V(如图所示),在未接滤波C时负载两端电压VL是多少伏?

加了滤波电容并在空载情况下输出的直流电压最大值是多少伏,此时整流二极管实际承受的反向电压值是多大?

第五章晶体三极管

第一节晶体三极管(第一课时)

a)填空题

1、晶体三极管有两个PN结,其中一个PN结叫做;

另一个叫做。

2、晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是。

IC/IB的比值叫,ΔIC/ΔIB的比值叫。

3、硅晶体三极管的饱和压降约为V,锗晶体三极管的饱和压约为V。

4、硅晶体三极管发射极的导通电压(门槛电压)约为V,锗晶体三极管发射极的导通电压约为V。

5、PNP型晶体三极管的发射区是型半导体,集电区是型半导体,基区是型半导体。

6、若晶体三极管集电极输出电流IC=9mA,该管的电流放大系数为β=50,则其输入电流IB=mA。

b)解答题

1、已知某三极管的IB1=10μA时,IC1=0.88mA,当IB2=40μA时,IC2=2.38mA。

求该三极管的β值是多少?

2、某锗三极管,β=30,IB=10μA,试求IC=?

3、三极管的电流放大系数β=30,当基极电流变化50μA时,集电极电流的变化量是多少

第一节晶体三极管(第二课时)

一、判断题

1、为使晶体三极管处于放大工作状态,其发射极应加反向电压,集电极应加正向电压。

()

2、无论是哪种晶体三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也总是高于b极电位。

3、对于NPN三极管,当VBE>0,VBE>VCE,则该三极管的工作状态是饱和状态。

()

4、已知某三极管的射极电流IE=1.36mA,集电极电流IC=1.33mA,则基极电流IB=30μA。

5、某晶体二极管的IB=10μA时,IC=0.44mA,;

当IB=20μA时,IC=0.89mA,则它的电流放大系数β=45。

二、选择题

1、晶体三极管的发射极正偏,集电极反偏时,则晶体三极管所处的状态是()

A.放大状态B.饱和状态C.截止状态

2、晶体三极管的两个PN结都反偏时,则晶体三极管所处的状态是()

3、当晶体三极管反偏时,则晶体三极管的集电极电流将()

A.增大B.反向C.中断

4、晶体三极管工作在饱和状态时,它的IC将()

A.随IB的增加而增加B.随IB的减小而减小

C、IB无关,只决定于Rc和VG

5、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地电位是:

VB=4.7V,VC=4.3V,VE=4V,则该晶体三极管的工作状态是()三、解答题

1、

试判断下图所示三极管的IB=?

IC=?

VCE=?

该管处于何种工作状态?

2、下图示出各三极管的每个电极对地的电位。

试判别各三极管处于何种工作状态?

(NPN管为硅管,PNP型为锗管)

3、如图所示电路,设VBE=0.7V,求IB=?

,IC=?

第六章单级低频小信号放大器

第一节放大器的基本概念

1、一个放大器的增益是120dB,相当于多大的放大倍数?

如电压增益为-60dB,是是什么意思?

2、某放大器的电压放大倍数为30000,问用分贝计算时电压增益是多少?

3、如果输入信号电压为Vi=0.02V,电流Ii=1.0mA;

输出电压VO=2V,电流IO=0.1A。

问放大器的电压、电流增益和功率增益各为多少分贝?

第三节单级低频小信号放大器

第一课时电路说明及电路图

1、画出下图中各放大电路的直流通路和交流通路图。

第二课时静态工作点定义及电路的作用

1、放大器的静态工作点一经设定后,不受外界因素的影响。

2、共发射极放大器的输出信号和输入信号反相。

3、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。

1、晶体三极管放大器设置合适的静态工作点,以保证放大信号时,三极管()

A.发射结为反向偏置B.集电结为正向偏置C.始终工作在放大区

2、在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为()

A.υo=icRCB.υo=-icRCC.υo=IcRC

3、共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()

A.同相位B.相位差90oC.相位差180o

三、填空题

1、放大器的静态是指时的工作状态,静态工作点可根据电路参数用

方法分析确定,也可用方法分析确定。

2、表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有、和。

3、共发射极电路的输出电压与输入电压有的相位关系,所以该电路有时被成为。

4、晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低,将产生

失真;

静态工作点设置太高,将产生失真。

第四节放大电路的分析方法

在a图中,若晶体管的输出特性曲线如图b所示。

设VG=12V,RC=2kΩ,Rb=160kΩ,试画出直流负载线,描出静态工作点Q并写出放大器的静态参数IBQ、ICQ、VCEQ的值

a

b

2、

图a中,若VG=16V,RC=4kΩ,Rb=400kΩ,试用作图法在b图中求出静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ。

3、如图所示的共射基本放大电路中,设晶体管的β=40,rbe=1.4kΩ。

(1)

估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ;

(2)估算放大倍数。

4如图所示的放大器中已知VG=15V,RC=3kΩ,Rb=500Ω,β=60,试估算放大器的静态工作点。

5、单管放大电路如图所示,已知晶体管的β=30,基区电阻rb≈300Ω,输入电压Vi=10mV。

(1)算晶体管的输入电阻rbe=?

(2)这个放大器的输入电阻ri=?

、输出电阻ro=?

(3)

算放大器的输出电压VO=?

第五节放大器的偏置电路

1、简述分压式偏置电路稳定工作点的原理

2、在如图具有分压式稳定工作点的偏置电路放大器中,若Rb1=20kΩ,Rb2=10kΩ,RC=1kΩ,VG=12V,估算VCEQ是多少?

3、在下图中,已知Rb1=20kΩ,Rb2=10kΩ,RC=1kΩ,Re=1.5kΩ,VG=12V,三极管β=30,RL=1kΩ。

(1)计算静态工作点(ICQ、VCEQ)及电压放大倍数;

(2)为了得到合适的静态工作点,实验中一般要调Rb1,为什么?

调节Rb2可以吗?

如果换上PNP型的管子,电路应做哪些改动?

综合练习六

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索
资源标签

当前位置:首页 > 自然科学 > 物理

copyright@ 2008-2023 冰点文库 网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备19020893号-2