大陆台湾英语的led半导体照明术语对照表.docx

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大陆台湾英语的led半导体照明术语对照表

半导体照明术语对照表

2009年2月

序号

大陆术语

英文

定义

台湾地区

术语

一、基本术语

1-01

半导体

semiconductor

两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化。

半導體

1-02

半导体器件

semiconductordevice

其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。

半導體元件

1-03

[半导体]二极管

（semiconductor）diode

具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件。

（半導體）二極體

1-04

发光二极管；

LED

light-emittingdiode

当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管。

發光二極體

1-05

固态照明

solidstatelighting

采用固体发光材料，如发光二极管（LED）、场致发光（EL）、有机发光（OLED）等作为光源的照明方式。

固態照明

1-06

半导体照明

semiconductorlighting

采用LED作为光源的照明方式。

半導體照明

1-07

衬底

substrate

用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片。

基板

1-08

外延片

epitaxialwafer

用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。

磊晶片

1-09

发光二极管芯片

light-emittingdiodechip

具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片。

發光二極體晶片（粒）

1-10

LED模块

LEDmodule

由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元。

LED模組

1-12

LED组件

LEDdiscreteness

由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。

LED元組件

1-13

内量子效率

innerquantumefficiency

有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比。

內部量子效率

1-14

出光效率

lightextractionefficiency

逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比。

出光效率

1-15

注入效率

Injectionefficiency

注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比。

注入效率

1-16

外量子效率

outerquantumefficiency

逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积。

外部量子效率

二、LED类型

2-01

单色光LED

monochromaticlightLED

发出单一颜色光的LED，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。

單色LED

2-02

白光LED

whitelightLED

用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED。

白光LED

2-03

直插式LED；

DIPLED

DualIn-linePackageLED

带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED。

砲彈型封裝LED

2-04

贴片式LED；

SMDLED

SurfaceMountedDevicesLED

正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED。

表面封裝型LED

2-05

小功率LED

lowpowerLED

单芯片工作电流在100mA（含100mA）以下的发光二极管。

小功率LED

2-06

功率LED

powerLED

工作电流在100mA以上的发光二极管。

高功率LED

2-07

LED数码管

LEDnixietube

采用LED显示数字或字符的器件或模块。

LED尼士管

2-08

LED显示器

LEDdisplayer

采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块。

LED顯示器

2-09

LED背光源

LEDbacklight

采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块。

LED背光源

三、外延（工艺）

3-01

外延

epitaxy

用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。

在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延。

磊晶

3-02

量子阱

quantumwell

组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料结构。

量子井

3-03

单量子阱

singlequantumwell

只有一个量子阱的材料结构。

單層量子井

3-04

多量子阱

multi-quantumwell

包含多个单量子阱的材料结构。

多層量子井

3-05

金属有机化学汽相沉积；

MOCVD

metalorganicchemicalvapordeposition

金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。

有機金屬化合物半導體磊晶技術

3-06

超晶格

superlattice

两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远大于材料的晶格常数，但接近于或小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）。

超晶格

3-07

异质结

heterogeneousstructure

由两种或两种以上不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。

異質接面

3-08

单异质结

singleheterojunction

由两种不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。

單異質接面

3-09

双异质结

doubleheterojunction

包含两个异质结的异质结构。

雙異質接面

3-10

图形化衬底

graphicalsubstrate

在外延生长前，采用蚀刻的方法，在表面形成一定图案的衬底。

圖形化基板

四、芯片（工艺）

4-01

湿法蚀刻

wetetching

将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。

濕式蝕刻

4-02

干法蚀刻

dryetching

将晶片置于等离子气体中，通过气体放电去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面。

乾式蝕刻

4-03

曝光

exposure

利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光刻胶进行光化学反应的过程。

曝光

4-04

烘胶

baking

在一定的温度下，使光刻胶固化的过程。

烘烤

4-05

蒸镀

evaporation

将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真空状态下沉积在待镀材料表面。

蒸鍍

4-06

激光剥离

laserlift-off

利用激光照射在芯片上，使外延层和衬底界面处熔化，从而将二种材料分离的方法。

雷射剝離

4-07

欧姆接触

ohmiccontact

电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触。

歐姆接觸

4-08

氧化铟锡电极

IndiumTinOxideelectrodeITO

蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电流扩展及透光。

氧化銦錫電極

4-09

衬底转移；

金属键合

substratetransfer

metalbonding

<芯片制造>将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。

基板黏合

4-10

金属反射层

reflectivemetalelectrode

在LED芯片表面蒸镀一层金属，形成一种可提高外量子效率的光反射层。

金屬反射層

4-11

同侧电极结构

lateralelectrodestructure

P、N电极在芯片的上面，使部分电流横向流过外延层的一种电极结构。

同側電極結構

4-12

垂直电极结构

verticalelectrodestructure

P、N电极分别在芯片的上下二端，使电流垂直流过外延层的一种电极结构。

垂直電極結構

4-13

承载基板

supportsubstrate

<芯片制造>用来承载外延层或芯片，并提供电极接触的一种材料。

承載基板

4-14

表面粗化

surfaceroughening

在LED外延片或芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外量子效率的粗糙表面结构。

表面粗化

4-15

正装芯片

normalchip

发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构。

傳統晶片

4-16

倒装芯片

flipchip

发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上，形成一种芯片衬底（或靠原衬底面）朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构。

覆晶晶片

4-17

芯片分选

chipsorting

按不同参数（例如电压、电流、波长、光强等）对芯片进行分档测试选择。

晶片分級

4-18

内陷电极

recessedelectrode

电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中。

嵌入電極

4-19

互补电极

complementaryelectrode

在LED芯片垂直结构中，为避免底部所发光被顶部N电极吸收，在N电极正下方电极区域制作一个高阻层，使电流分布在N电极投影以外的互补区域。

互補電極

4-20

N面出光

lightextractionfromNside

发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出。

N極出光

4-21

侧面钝化

lateralpassivation

在LED芯片侧面镀上保护层，使芯片避免沾污、保护芯片稳定性和可靠性。

側面鈍化

五、封装

5-01

支架；

框架

leadframe

提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件。

支架

5-02

点胶

coat

在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。

點膠

5-03

装架

dieattachment（diebond）

将LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位置上。

固晶

5-04

烧结

sinter

通过高温加热，使银胶固化。

固化

5-05

引线键合；

压焊

wirebonding

为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架（框架）的引出端。

打線

5-06

LED封装

LEDpackage

将LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸。

LED封裝

5-07

灌封

embedding

采用模条灌装成型的封装方式。

嵌入

5-08

塑封

moulding

采用模压成型的封装方式。

模具成型

5-09

点胶封装

coatingpackage

采用点胶成型的封装方式，也称软包封。

點膠封裝

5-10

热沉

heatsink

与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体。

散熱片

5-12

共晶焊

eutecticbonding

在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使之共熔的一种焊接方法。

共金結合

5-13

透明介质

transparentmedium

无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。

透明介質

5-14

固化

cure

通过高温加热，使封装环氧固化。

固化

5-15

切筋

dam-barcut

切断LED支架的连筋。

切腳

5-16

气泡

airbladder

LED封装体内存在的任何局部空隙。

氣泡

5-17

黑点

stain

外来异物在LED封装体中所形成的点状体。

黑點

5-18

划痕

nick

LED封装体表面上的机械划伤、压伤和外界杂质所引起的无序凹坑。

刮痕

5-19

变色

discoloration

LED封装体及支架镀层上的任何颜色变化。

變色

六、光度量术语

6-01

可见光

visiblelight

能直接引起视觉的光学辐射。

其波长范围一般在380－780nm。

可見光

6-02

辐射通量；

辐射功率

Фe；Ф；P

radiantflux

radiantpower

以辐射形式发射、传播或接收的功率，单位为W。

輻射通量;輻射功率

6-03

光通量

Фv；Ф

luminousflux

从辐射通量

导出的量，该量是根据辐射对CIE标准光度观测者的作用来评价的。

对于明视觉：

式中:

是辐射通量的光谱分布；

是光谱光视效率。

单位为lm

注1：

Km值（明视觉）和Km’值（暗视觉）参见GB/T2900.65-2004定义845-01-56。

注2：

LED的光通量通常以它们所属种类的组来表示。

光通量

6-04

总光通量

totalluminousflux

总光通量是在光源立体角4π范围内累积的光通量之和。

式中I为发光强度；Ω为光源立体角范围。

總光通量

6-05

辐射能量

Qе；Q

radiantenergy

在给定的持续时间Δt内，辐射通量Фe的时间积分，单位为J。

輻射能

6-06

光量

Qv；Q

quantityoflight

在给定的持续时间Δt内，光通量Фv的时间积分，单位为lm/s。

總光量

6-07

辐射强度

Ie；I

radiantintensity

离开辐射源的，在包含给定方向的立体角元dΩ内传播的辐射能量dФe除以该立体角元，单位为W／sr。

輻射強度

6-08

发光强度

IV；I

luminousintensity

离开光源的，在包含给定方向的立体角元dΩ内传播的光通量dФv除以该立体角元，单位：

cd=lm/sr

光強度

6-09

平均发光强度

ILEDAe、ILEDAv、ILEDBe、ILEDBv

averagedluminousIntensity

光源在一定的立体角内发射的光（或辐射）通量与该立体角的比，可表示为:

注：

CIE推荐标准条件A（探测器面积1cm2，光源到探测器间距316mm，对应立体角为0.001Ω）和B（探测器面积1cm2，光源到探测器间距100mm，对应立体角为0.01Ω）分别来测量远场和近场条件下的平均LED发光强度,可以分别用符号ILEDAe、ILEDAv、ILEDBe、ILEDBv来表示。

平均光強度

6-10

辐射亮度

radiance

给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强度，与辐射束元垂直于指定方向上的面积之比。

其数值与辐射面的性质有关，并且随方向而变化，单位为W/（m2.sr）。

輻射率（輻射亮度）

6-11

光亮度

luminance

给定点的光束元在给定方向上的发光强度，与光束元垂直于指定方向上的面积之比。

单位为cd/m2。

輝度

6-12

辐射照度

Ee；E

irradiance

包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点面元面积之比。

单位为W/m2。

輻射照度

6-13

光照度

；E

illuminance

包含该点的面元上所接收的光通量，与该点面元面积之比。

单位为lx或lm/m2。

照度

6-14

平均照度

averageilluminance

被照表面接收到的光通量与接收面积的比值，单位为lx或lm/m2。

平均照度

6-15

辐射出射度

Me；M

radiantExitance

离开包含该点面元的辐射通量，与该点面元面积之比。

单位：

W/m2。

輻射發散度（輻射出射度）

6-16

流明

lumen

光通量的SI单位：

由一个发光强度为1cd的均匀点光源在单位立体角（球面度）内发射的光通量。

（第9届国际度量大会，1948年）。

等效定义：

频率为540×1012赫兹、辐射通量为1/683瓦特的单色辐射束的光通量。

流明

6-17

辐射效率

ηe

radiantefficiency

辐射源发射的辐射功率Фe与其消耗的电功率P的比值。

輻射效率

6-18

发光效能；

光源的光视效能

ηV

luminousefficacy

luminousefficacyofasource

光源发射的光通量ФV与其消耗的电功率P的比值，单位为lm/W。

發光效率

6-18

辐射的光视效能

luminousefficacyofradiation

光源发射的光通量ФV与其发射的辐射功率Фe的比值，单位为lm/W。

視效函數（光見度）

6-20

眩光

glare

由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度太强，而引起不舒适感或分辨细节或物体的能力减弱的视觉条件。

眩光

6-21

光轴

opticalaxis

关于主辐射能分布中心的一条直线。

注：

除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。

光軸

6-22

半强度角

θ1/2

half-intensityangle

发光强度值为光轴向强度值一半时光束方向与光轴向（法向）的夹角。

半功率發射角（半強度角）

6-23

立体角

solidangle

以立体角的顶点为球心，以r为半径作一个球面，则此立体角为其边界在此球面上所截的面积dS与半径r的平方之比。

立體角

6-24

光出射度

luminousexitance

离开表面一点处的面元的光通量除以该面元的面积。

光束發散度（光出射度）

6-25

峰值发射波长

λp

peakemissionwavelength

辐射功率最大值所对应的波长。

峰值波長

6-26

中心波长

centrewavelength

光谱带宽两端点处波长

和

的中心处波长定义为

，计算式为：

注:

在有些应用中用

表示最大强度十分之一处对应的两个波长构成的光谱带宽。

中心波長

6-27

重心波长

centroidwavelength

光谱分布的重心波长

表示的是“质量中心的波长”，按下式计算：

当测量计算不同LED的典型光谱分布的重心波长时，其结果可能受到相对光谱曲线渐小尾部的微小值的很大影响，此处测量的不确定性由于受到杂散辐射、噪声和放大器偏置的影响而增加。

重心波長

6-28

光谱辐射带宽

Δλ

spectralradiationbandwidth

光谱辐射功率等于或大于最大值的一半时的波长间隔。

光譜頻帶寬度（光譜輻射帶寬）

6-29

光谱功率分布

P（λ）

spectralpowerdistribution

光源辐射功率按波长的分布，称为光谱功率分布。

以任意单位表示的光谱功率分布，称为相对光谱功率分布。

光譜功率分佈

6-30

辐射通量密度

radiantFluxDensity

通过单位面积的辐射通量，单位为W/m2。

輻射通量密度

6-31

发光效率

luminescentefficiency

光源消耗每一瓦电能所发出的光。

单位为流明每瓦（lm/w）。

發光效率

6-32

光通量效率

ηV

luminousfluxefficiency;orLuminousefficiency

器件发射的光通量ФV与器件的电功率（正向电流IF乘以正向电压VF）的比值。

光通量效率

七、色度量术语

7-01

显色指数

colourrenderingindex

光源显色性的度量。

以被测光源下物体的颜色和参照光源下物体的颜色的相符程度来表示。

国际照明委员会CIE把太阳的显色指数定为100。

演色指數

7-02

显色性

color-renderingproperties

光源显现被照物体真实颜色的能力。

物体的真实颜色是指在参照照明体（通常为完全辐射体）下所呈现的颜色。

演色性

7-03

色温

colourtemperature

当光源的色品是与某一温度下完全辐射体的色品相同时，该完全辐射体的绝对温度为此光源的色温，单位为K。

色溫

7-04