基于LTCC工艺的设计规范总结Word文件下载.docx

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2．介质损耗角正切：

<

0.002@（1~100GHz）

3．电阻率：

>

1012at100DVCΩ

5．层数：

最多30层

6．每层层厚：

0.1mm

7．导体厚度：

0.01mm

8

．孔径：

最小直径0.1mm

可选6mil8mil10mil12mil

9

．密度：

Density

3.2g/cm3

10．镀金属：

铜（Cu）顶层：

嵌入其中，中间层：

上下各嵌入50％

过孔镀银（Ag）

11.基板尺寸（最大）

105mm×

105mm

12．生瓷片精度

横向平面精度：

±

5um

众向生瓷精度：

10um

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2.导体线宽和间距

建议尺寸最小尺寸

A

B

C

顶层

45um

内层

100um

Note:

可能的情况下推荐更大的间距，密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短

路问题

相关参数:

网印最小线宽/间距100um/100um直描最小线宽/间距

50um/75um

蚀刻最小线宽/间距45um/45um

3．导体到基板边缘的间距/和腔体间隙

推荐尺寸最小尺寸

4．电气过孔

214的可选通孔直径为：

6mils、8mils、10mils、12mils

互连通孔最小直径：

5.同层通孔间距

A一般取3倍于孔径尺寸

注意：

散热和RF通孔排除在此标准外

相关参数：

互连通孔最小节距：

0.3mm

6.过孔托盘

在通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠，除非密集

布线情况时不允许使用此方法（通孔直接与导线相连）

7．基板边缘电气通孔

A值推荐3～4倍于通孔直径，最小为18～25mil

8．器件安装处通孔分布

当设计的密度需要长的通孔串时，通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂

缝。

层与层直接的电气通孔之间的交错连接：

通孔采取垂直方向的交错（Z字型），

以使传送通道（routingchannels）的封闭（blockage）降到最小,并减小通孔的

“加速效应”（postingeffect）。

以下是交错通孔技术的示例：

可接受的Z字形推荐的阶梯型堆叠通孔

通孔堆栈：

说明：

电连接建议使用交错通孔，在特别情况下，在同一通孔处最多可以通孔15层。

9．地和电源面板

大面积的裸露导体区域，比如面板，必须是实心的。

烧结板在所有可能的地方

应该网格化。

铺地的区域必须是实心的，以此在需要时提供对传输线或其他关

键信号线的保护。

所有铺地板的边缘（在基板的周围和腔体附近）都必须造成

城形，来提升生瓷带层与层之间的迭片结构的粘合性。

相邻层之间的面板的栅

格形状必须是可以相互抵消（offset）的，使基板顶层和地层表面较为平整

接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗，对于大面积地面/电

源面，建议使用栅格形式，对于特别情况，局部可以使用面地面/面电源面。

10．空腔

空腔底部导体与空腔壁之间的间隙

如果有必要，底部导体的电气连接可以穿过空腔壁，但是不能超过壁长的

25％，最大50％，城形的金属化设计可以用来满足该设计。

裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙

11．通孔与腔体的间隙

通孔和腔体壁之间的间隙

连接架

在设计确认前应该检查连接架上的空腔壁高度

12．空腔与空腔的间隔：

最小尺寸

1．烧结腔体壁长度不应超过500mils

2．烧结前的经机械加工的腔体壁长度不能超过2inches

3．最少腔体深度是一层生瓷片，连接架是经过考虑的腔体构成的。

4．需要检查