电脑内存性能指标有哪些Word文件下载.docx

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TRcD

该项所表示的是从内存行地址到列地址的延迟时间。

TRAs延迟

该数字表示内存行地址控制器的激活时间。

篇二：

内存性能参数详解

速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。

这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAm核心来实现的。

作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAm核心。

技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAm核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

DDR2与DDR的区别示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。

DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FbgA封装方式替代了传统的Tsop方式。

然而，尽管DDR2内存采用的DRAm核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。

首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；

其次，DDR2内存的VDImm电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。

DDR2的定义：

DDR2（DoubleDataRate2）sDRAm是由JeDec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：

4bit数据读预取）。

换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FbgA封装形式，而不同于目前广泛应用的Tsop/Tsop-II封装形式，FbgA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。

回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；

随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。

这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bIT预读取能力。

换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。

也就是说，在同样100mhz的工作频率下，DDR的实际频率为200mhz，而DDR2则可以达到400mhz。

这样也就出现了另一个问题：

在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。

举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。

实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2gb/s，但是DDR400的核心工作频率是200mhz，而DDR2-400的核心工作频率是100mhz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400mhZ限制。

DDR内存通常采用Tsop芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200mhz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。

这也就是DDR的核心频率很难突破275mhZ的原因。

而DDR2内存均采用FbgA封装形式。

不同于目前广泛应用的Tsop封装形式，FbgA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是ocD、oDT和postcAs。

ocD（off-chipDriver）：

也就是所谓的离线驱动调整，DDRII通过ocD可以提高信号的完整性。

DDRII通过调整上拉（pull-up）/下拉

（pull-down）的电阻值使两者电压相等。

使用ocD通过减少DQ-DQs的倾斜来提高信号的完整性；

通过控制电压来提高信号品质。

oDT：

oDT是内建核心的终结电阻器。

我们知道使用DDRsDRAm的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。

它大大增加了主板的制造成本。

实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；

终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。

因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。

DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。

使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

postcAs：

它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。

在postcAs操作中，cAs信号（读写/命令）能够被插到RAs信号后面的一个时钟周期，cAs命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。

原来的tRcD（RAs到cAs和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。

由于cAs信号放在了RAs信号后面一个时钟周期，因此AcT和cAs信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

二：

双通道内存双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。

它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。

在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAm内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。

由于英特尔已经放弃了对RDRAm的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔865/875系列，而AmD方面则是nVIDIAnforce2系列。

双通道内存技术是解决cpu总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。

现在cpu的Fsb（前端总线频率）越来越高，英特尔pentium4比AmDAthlonxp对内存带宽具有高得多的需求。

英特尔pentium4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（QuadDataRate，四次数据传输）技术，其Fsb是外频的4倍。

英特尔pentium4的Fsb分别是400/533/800mhz，总线带宽分别是3.2gb/sec，4.2gb/sec和xxgb/sec，而DDR266/DDR333/DDR400所能提供的内存带宽分别是2.1gb/sec，2.7gb/sec和3.2gb/sec。

在单通道内存模式下，DDR内存无法提供cpu所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。

而在双通道内存模式下，双通道DDR266/DDR333/DDR400所能提供的内存带宽分别是4.2gb/sec，5.4gb/sec和xxgb/sec，在这里可以看到，双通道DDR400内存刚好可以满足800mhzFsbpentium4处理器的带宽需求。

而对AmDAthlonxp平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（DoubleDataRate，双倍数据传输）技术，Fsb是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔pentium4平台，其Fsb分别为266/333/400mhz，总线带宽分别是2.1gb/sec，2.7gb/sec和3.2gb/sec，使用单通道的DDR266/DDR333/DDR400就能满足其带宽需求，所以在AmDK7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。

nVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的e7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，sis和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。

但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。

DDRsDRAm内存和RDRAm内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，

这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAm内存芯片组的难度和成本都不算太高。

但DDRsDRAm内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：

当DDRsDRAm工作频率高于400mhz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。

普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。

虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。

双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。

比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为b。

当控制器b准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。

两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。

双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。

这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DImm内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DImm内存条可以可靠地共同运作。

三：

内存频率内存主频和cpu主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。

内存主频是以mhz（兆赫）为单位来计量的。

内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。

内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。

目前较为主流的内存频率室333mhz和400mhz的DDR内存，以及533mhz和667mhz的DDR2内存。

大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。

晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。

晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。

而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。

DDR内存和DDR2内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；

而DDR2内存每个时钟能够以四倍于工作频率的速度读/写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。

例如DDR200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200mhz，而等效频率分别是200/266/333/400mhz；

DDR2400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200mhz，而等效频率分别是400/533/667/800mhz。

内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与cpu的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。

首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比cpu外频高33mhz或者低33mhz的模式下（注意只是简单相差33mhz），从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。

其次，在正常的工作模式（cpu不超频）下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel910gL芯片组，仅仅只支持533mhzFsb即133mhz的cpu外频，但却可以搭配工作频率为133mhz的DDR266、工作频率为166mhz的DDR333和工作频率为200mhz的DDR400正常工作（注意此时其cpu外频133mhz与DDR400的工作频率200mhz已经相差66mhz了），只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。

再次，在cpu超频的情况下，为了不使内存拖cpu超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AmD的socket939接口的opteron144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300mhz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR600，这显然是不可能的，为了顺利超上300mhz外频，我们可以在超频前在主板bIos

中把内存设置为DDR333或DDR266，在超上300mhz外频之后，前者也不过才DDR500（某些极品内存可以达到），而后者更是只有DDR400（完全是正常的标准频率），由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频成功。

目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。

篇三：

硬盘的性能指标有哪些

（此文摘自网络日志）

硬盘接口

ATA全称AdvancedTechnologyAttachment，是用传统的40-pin并口数据线连接主板与硬盘的，外部接口速度最大为133mb/s，因为并口线的抗干扰性太差，且排线占空间，不利计算机散热，将逐渐被sATA所取代。

IDe

IDe的英文全称为“IntegratedDriveelectronics”，即“电子集成驱动器”，俗称pATA并口。

sATA

使用sATA（serialATA）口的硬盘又叫串口硬盘，是未来pc机硬盘的趋势。

20XX年，由Intel、ApT、Dell、Ibm、希捷、迈拓这几大厂商组成的serialATA委员会正式确立了serialATA1.0规范，20XX年，虽然串行ATA的相关设备还未正式上市，但serialATA委员会已抢先确立了serialATA2.0规范。

serialATA采用串行连接方式，串行ATA总线使用嵌入式时钟信号，具备了更强的纠错能力，与以往相比其最大的区别在于能对传输指令（不仅仅是数据）进行检查，如果发现错误会自动矫正，这在很大程度上提高了数据传输的可靠性。

串行接口还具有结构简单、支持热插拔的优点。

sATA2

希捷在sATA的基础上加入ncQ本地命令阵列技术，并提高了磁盘速率。

scsI全称为smallcomputersystemInterface（小型机系统接口），历经多世代的发展，从早期的scsI-II，到目前的ultra320scsI以及Fiber-channel（光纤通道），接头类型也有多种。

scsI硬盘广为工作站级个人计算机以及服务器所使用，因为它的转速快，可达15000rpm，且数据传输时占用cpu运算资源较低，但是单价也比同样容量的ATA及sATA硬盘昂贵。

sAs（serialAttachedscsI）是新一代的scsI技术，和sATA硬盘相同，都是采取序列式技术以获得更高的传输速度，可达到3gb/s。

此外也透过缩小连接线改善系统内部空间等。

此外，由于sAs硬盘可以与sATA硬盘共享同样的背板，因此在同一个sAs存储系统中，可以用sATA硬盘来取代部分昂贵的scsI硬盘，节省整体的存储成本。

硬盘尺寸

5.25英寸硬盘；

早期用于台式机，已退出历史舞台。

3.5寸台式机硬盘；

风头正劲，广泛用作各式电脑。

2.5寸笔记本硬盘；

广泛用于笔记本电脑，桌面一体机，移动硬盘及便携式硬盘播放器。

1.8寸微型硬盘；

广泛用于超薄笔记本电脑，移动硬盘及苹果播放器。

1.3寸微型硬盘；

产品单一，三星独有技术，仅用于三星的移动硬盘。

1.0寸微型硬盘；

最早由Ibm公司开发，microDrive微硬盘（简称mD）。

因符合cFII标准，所以广泛用于单反数码相机。

0.85寸微型硬盘；

产品单一，日立独有技术，已知仅用于日立的一款硬盘手机。

硬盘的物理结构

1、磁头

硬盘内部结构磁头是硬盘中最昂贵的部件，也是硬盘技术中最重要和最关键的一环。

传统的磁头是读写合一的电磁感应式磁头，但是，硬盘的读、写却是两种截然不同的操作，为此，这种二合一磁头在设计时必须要同时兼顾到读/写两种特性，从而造成了硬盘设计上的局限。

而mR磁头（magnetoresistiveheads），即磁阻磁头，采用的是分离式的磁头结构：

写入磁头仍采用传统的磁感应磁头（mR磁头不能进行写操作），读取磁头则采用新型的mR磁头，即所谓的感应写、磁阻读。

这样，在设计时就可以针对两者的不同特性分别进行优化，以得到最好的读/写性能。

另外，mR磁头是通过阻值变化而不是电流变化去感应信号幅度，因而对信号变化相当敏感，读取数据的准确性也相应提高。

而且由于读取的信号幅度与磁道宽度无关，故磁道可以做得很窄，从而提高了盘片密度，达到200mb/英寸2，而使用传统的磁头只能达到20mb/英寸2，这也是mR磁头被广泛应用的最主要原因。

目前，mR磁头已得到广泛应用，而采用多层结构和磁阻效应更好的材料制作的gmR磁头（giant

magnetoresistiveheads）也逐渐普及。

2、磁道

当磁盘旋转时，磁头若保持在一个位置上，则每个磁头都会在磁盘表面划出一

个圆形轨迹，这些圆形轨迹就叫做磁道。

这些磁道用肉眼是根本看不到的，因为它们仅是盘面上以特殊方式磁化了的一些磁化区，磁盘上的信息便是沿着这样的轨道存放的。

相邻磁道之间并不是紧挨着的，这是因为磁化单元相隔太近时磁性会相互产生影响，同时也为磁头的读写带来困难。

一张1.44mb的3.5英寸软盘，一面有80个磁道，而硬盘上的磁道密度则远远大于此值，通常一面有成千上万个磁道。

3、扇区

磁盘上的每个磁道被等分为若干个弧段，这些弧段便是磁盘的扇区，每个扇区可以存放512个字节的信息，磁盘驱动器在向磁盘读取和写入数据时，要以扇区为单位。

1.44mb3.5英寸的软盘，每个磁道分为18个扇区。

4、柱面

硬盘通常由重叠的一组盘片构成，每个盘面都被划分为数目相等的磁道，并从外缘的“0”开始编号，具有相同编号的磁道形成一个圆柱，称之为磁盘的柱面。

磁盘的柱面数与一个盘面上的磁道数是相等的。

由于每个盘面都有自己的磁头，因此，盘面数等于总的磁头数。

所谓硬盘的chs，即cylinder（柱面）、head（磁头）、sector（扇区），只要知道了硬盘的chs的数目，即可确定硬盘的容量，硬盘的容量=柱面数*磁头数*扇区数*512b。

硬盘的逻辑结构

1.硬盘参数释疑

到目前为止,人们常说的硬盘参数还是古老的chs（cylinder/head/sector）参数。

那么为什么要使用这些参数，它们的意义是什么?

它们的取值范围是什么?

很久以前，硬盘的容量还非常小的时候，人们采用与软盘类似的结构生产硬盘。

也就是硬盘盘片的每一条磁道都具有相同的扇区数。

由此产生了所谓的3D参数（Diskgeometry）.既磁头数（heads），柱面数（cylinders），扇区数（sectors），以及相应的寻址方式。

其中：

磁头数（heads）表示硬盘总共有几个磁头,也就是有几面盘片,最大为255（用8个二进制位存储）；

柱面数（cylinders）表示硬盘每一面盘片上有几条磁道,最大为1023（用10个二进制位存储）；

扇区数（sectors）表示每一条磁道上有几个扇区,最大为63（用6个二进制位存储）；

每个扇区一般是512个字节,理论上讲这不是必须的,但好像没有取别的值的。

所以磁盘最大容量为：

255*1023*63*512/1048576=7.837gb（1m=1048576bytes）或硬盘厂商常用的单位：

255*1023*63*512/1000000=8.414gb（1m=1000000bytes）

在chs寻址方式中，磁头，柱面，扇区的取值范围分别为0到heads-1。

0到cylinders-1。

1到sectors（注意是从1开始）。

2.基本Int13h调用简介

bIosInt13h调用是bIos提供的磁盘基本输入输出中断调用，它可以完成磁盘（包括硬盘和软盘）的复位，读写，校验，定位，诊，格式化等功能。

它使用的就是chs寻址方式，因此最大识能访问8gb左右的硬盘（本文中如不作特殊说明，均以1m=1048576字节为单位）。

3.现代硬盘结构简介

在老式硬盘中，由于每个磁道的扇区数相等，所以外道的记录密度要远低于内道，因此会浪费很多磁盘空间（与软盘一样）。

为了解决这一问题，进一步提高硬盘容量，人们改用等密度结构生产硬盘。

也就是说，外圈磁道的扇区比内圈磁道多，采用这种结构后，硬盘不再具有实际的3D参数，寻址方式也改为线性寻址，即以扇区为单位进行寻址。

为了与使用3D寻址的老软件兼容（如使用bIosInt13h接口的软件），在硬盘控制器内部安装了一个地址翻译器，由它负责将老式3D参数翻译成新的线性参数。

这也是为什么现在硬盘的3D参数可以有多种选择的原因（不同的工作模式，对应不同的3D参数，