PSIM中文教程全解Word文件下载.docx

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2.6.3Optocoupler33

2.6.4dv/dt的34块

2.7热模块35

2.7.1设备数据库编辑器35

42在数据库2.7.2二极管器件

2.7.3二极管损耗计算43

在数据库452.7.4IGBT器件

2.7.5IGBT损耗计算47

在数据库502.7.6MOSFET器件

2.7.6MOSFET的损耗计算51

2.8电机驱动模块54

机械系统542.8.1参考方向

2.8.2直流机56

2.8.3感应机58

2.8.4感应电机饱和61

2.8.5无刷直流电机62

2.8.6同步机与外部激励66

2.8.7永磁同步电机68

2.8.8永磁同步电机饱和70

2.8.9开关磁阻电机73

2.9MagCouplerModule76

2.9.1magcouplerDL76块

2.9.2MagCouplerBlock77

2.10magcouplerRT模块81

2.11机械元件和传感器85

2.11.1机械元件和传感器85

2.11.1.1恒转矩负载85

2.11.1.2恒功率负荷85

2.11.1.3恒速负荷86

2.11.1.4TypeLoad将军86

2.11.1.5外部控制负荷87

2.11.2齿轮箱87

2.11.3机械耦合块88

2.11.4机电接口88块

2.11.5速度/转矩传感器89

2.11.6位置传感器91

2.11.6.1绝对编码器91

2.11.6.2增量式编码器92

2.11.6.3解析器92

2.11.6.4霍尔效应传感器93

2.12可再生能源模型94

II

章节：

-3

2.12.1太阳能模块94

2.12.2风机97

3控制电路元件

3.1传递函数块99

3.1.1比例控制器100

3.1.2积分100

3.1.3微分器102

3.1.4比例积分控制器102

3.1.5单极控制器103

3.1.6修改PI控制器103

3.1.73型控制器104

在过滤块105内置3.1.8

3.2计算功能块106

3.2.1106夏季

3.2.2乘数和Divider106

3.2.3平方根107块

3.2.4指数/电力/对数功能块107

3.2.5均方根107块

3.2.6绝对和符号功能块108

3.2.7三角函数108

3.2.8快速傅里叶变换块108

3.2.9最大/最小功能块109

3.3其他功能块110

3.3.1比较器110

3.3.2限制器110

3.3.3梯度（dv/dt）限制器110

3.3.4梯形、方形块111

3.3.5采样/保持111块

3.3.6舍入块112

3.3.7时间延迟块112

3.3.8器113

3.3.9THD114块

3.4逻辑组件115

3.4.1逻辑Gates115

3.4.2设置复位触发器115

3.4.3JK触发器116

3.4.4D触发器117

3.4.5单稳态多谐振荡器117

3.4.6脉冲宽度计数器118

3.4.7向上/向下计数器118

3.4.8A/D和D/A转换器119

3.5数字控制模块120

三

2章：

3.5.1零阶保持120

3.5.2Z传递函数方框121

1223.5.2.1积分器

3.5.2.2微分器123

3.5.2.3数字滤波器123

3.5.3单位延迟125

3.5.4量化块126

3.5.5循环缓冲区128

3.5.6卷积块129

3.5.7内存读取块129

3.5.8数据阵列130

3.5.9栈130

3.5.10多采样率系统131

3.6simcoupler模块132

3.6.1设立在PSIM和Simulink132

在Simulink1333.6.2求解器的类型和时间步长的选取

4其他组件

4.1参数文件137

4.2来源138

4.2.1时间138

4.2.2常数138

4.2.3直流电源138

4.2.4正弦源139

4.2.5方波电源139

4.2.6三角/锯齿来源140

4.2.7步源141

4.2.8分段线性源142

4.2.9随机源143

4.2.10数学函数源143

4.2.11电压/电流控制的来源144

4.2.12非线性电压控制源145

4.3电压/电流传感器146

4.4探头和146米

4.5电压/电流范围148

4.6初始值150

4.7开关控制器151

4.7.1开关控制器151

4.7.2α控制器15

4.7.3PWM控制器152查找表

4.8功能块154

4.8.1控制电源接口15块

四

-1

4.8.2变换块154

4.8.2.1ABCdq0变换155

ABCα/β不能转化1

4.8.2.3α/β-dq变换1

4.8.2.4笛卡尔坐标变换157

4.8.3数学功能块157

4.8.4查找表158

4.8.5C座160

4.8.6简化C座161

4.8.7外部DLL模块162

4.8.8嵌入式软件164块

5分析规格

5.1仿真控制165

5.2交流分析166

5.3参数扫描168

6电路原理图设计

6.1创建一个电路171

6.2文件菜单173

6.3编辑菜单173

6.4视图菜单174

6.5支路菜单175

6.5.1创建在主电路176支路-

6.5.2创建子电路内的支路177

6.5.3连接支路-在主电路178

电路的1786.5.4其他功能

6.5.4.1传递变量从主电路支路178

6.5.4.2定制电路图179

6.5.4.3包括在PSIM180子元素列表

6.6模拟菜单180

6.7选项菜单183

6.8实用工具菜单187

6.9管理PSIM图书馆187

6.9.1创造一次图像188

6.9.2添加新的子电路元件为图书馆189

6.9.3添加一个新的DLL元到图书馆191

v

0章：

7波形处理

7.1文件菜单193

7.2编辑菜单194

7.3轴菜单194

7.4屏幕菜单195

7.5测量菜单196

7.6分析菜单197

7.7视图菜单198

7.8选项菜单198

7.9标签菜单199

7.10出口数据199

8错误/警告消息和其他模拟问题

8.1模拟问题201

8.1.1时间步长的选取201

8.1.2传播延迟的逻辑电路201

8.1.3界面之间的电源和控制电路201

8.1.4FFT分析202

8.2错误/警告消息202

8.3调试203

指数205

一

一般信息

1.1引言

PSIM仿真软件1是专为电力电子与电机驱动器。

快

仿真和友好的用户界面，提供了一个强大的PSIM电力电子仿真环境，

模拟和数字控制、磁、电机驱动系统的研究。

PSIM包括最基本的软件包，以及下面的附加选项：

电机驱动模块

数字控制模块

simcoupler模块

热模块

magcoupler模块

magcouplerRT模块

simcoder2模块

可再生能源计划

电机驱动模块有内置的电机模型和电机驱动系统的机械负荷模型

研究。

数字控制模块提供的分立元件如零阶保持器、Z传递函数

块，量化块，数字滤波器，用于数字控制系统分析。

simcoupler模块提供的接口之间的PSIM和MATLAB／Simulink联合仿真3。

热模块提供了计算半导体器件损耗的能力。

的magcoupler模块提供PSIM和电磁场分析软件之间的接口

JMAG4协同仿真。

的magcouplerRT模块链接PSIM与jmag-rt4数据文件。

simcoder模块提供的DSP硬件自动代码生成能力。

可再生能源包括基本PSIM软件包，电机驱动模块，和可再生

能源模型，如太阳能模块和风力涡轮机在可再生能源应用的模拟。

此外，PSIM支持通过自定义DLL模块的第三方软件链接。

整体PSIM

环境如下所示。

1。

PSIM和simview是注册商标，和版权，Powersim公司2001-2010年

2。

SimCoder是一个商标，是由模型公司，模型公司版权，2008-2010年

三.Simulink和MATLAB是MathWorks公司的注册商标，Inc.

4。

和jmag-rtJMAG的作业调度选项表公司版权，1997-2010

1章：

PSIM仿真环境包括电路原理图程序PSIM模拟器引擎，和

波形处理程序simview1。

仿真过程如下所示。

本手册涵盖了PSIM和所有附加模块除了SimCoderModule。

使用的SimCoder

模块是在单独的文件中simcoder用户手册。

本手册的第1章介绍了电路结构，软件/硬件的要求和参数

规范格式。

第2章通过4描述电源和控制电路组件。

5章

介绍了瞬态分析和交流分析的技术指标。

在PSIM示意程序的使用

和simview在6章讨论7。

最后，错误/警告消息在第8章进行了讨论。

1.2电路结构

电路为代表的是在PSIM四块：

电源电路、控制电路、传感器和开关控制器。

下面的图表显示了这些块之间的关系。

电源电路由开关器件，RLC分支，变压器和耦合电感。

这个

控制电路以方框图表示。

在s域元件和Z域，逻辑元件（如逻辑门和触发器），和非线性元件（如乘法器和除法器）中使用

控制电路。

传感器被用来测量电源电路数量，并将它们传递给控制电路。

门控

信号，然后产生的控制电路，并通过开关控制器发送回电源电路

控制开关。

1.3软件/硬件需求

PSIM软件运行在微软WindowsXP/Vista的个人电脑。

最小内存需求

是128字节。

1.4安装程序

快速安装指南提供飞行员“PSIM-快速指南”的光盘。

在PSIM目录下的一些文件是如下表所示。

在PSIM使用的文件扩展名：

注意，PSIM示意文件扩展名是。

学校在PSIM8或以上，但在PSIM9分机

改变。

psimsch为了区分PSIM文件从其他软件的文件。

1.5模拟电路

模拟样品的一个象限斩波电路”印章。

学校”：

启动PSIM。

从“文件”菜单中选择打开加载文件”印章，SCH”。

从模拟的菜单，选择“运行PSIM仿真开始。

仿真结果将被保存

文件”印章。

txt”。

如果选择自动运行simview不在选项菜单中选择，从模拟菜单，

选择“运行simview开始simview。

如果该选项被选中，simview将推出

自动。

在SIMVIEW，选择曲线显示。

1.6组件参数规范和格式

在PSIM的每个组件的参数对话框有三个标签：

参数，其他信息，和颜色，

如下图所示。

在仿真中使用的参数选项卡中的参数。

在“其他信息”选项卡上的信息

另一方面，在仿真中不使用。

它只用于报告的目的，并将出现在零件清单中

视图->

元在PSIM上市。

信息，如设备评级，制造商和零件号可以存储

在“其他信息”选项卡下。

组件颜色可设置在“颜色”选项卡中。

参数下的参数选项卡可以是一个数值或数学表达式。

一个阻力，为

例如，可以在下列方式中指定：

十二点五

12.5k

12.5ohm

12.5kohm

25/2.ohm

R1+R2

R1×

0.5+（旁白+0.7）/IO

其中R1，R2，VO和艾奥符号定义在一个参数文件（见4.1节），或在主电路如

这个电阻在电路（见第6.3.4.1）。

十后缀字母的力量是允许在PSIM。

支持下面的后缀字母：

G109

M106

K或K310

M10-3

U6-10

n9-10

P12-10

数学表达式可以包含括号，并且不区分大小写。

以下的数学

功能是允许的：

+添加

-减法

*乘法

/分

*的权力[例如：

2×

3=2*2*2]

平方根函数

罪恶的正弦函数

因为余弦函数

在正弦反函数

ACOS余弦反函数

谭正切函数

阿坦反正切函数

但反正切函数[π<

=atan2（y，x）<

=

双曲正弦双曲正弦函数

双曲余弦双曲余弦函数

进出口指数（基E）[例如：

exp（x）=E×

]

对数对数函数（基）[例：

日志（x）=

log10对数函数（10）

ABS绝对值函数

符号函数[例子：

符号（1.2）=1；

符号（-1.2）=-1）

二

电源电路元件

2.1电阻电感电容支路

2.1.1电阻器、电感器和电容器，

单个电阻，电感，电容，和集总RLC支路提供在PSIM。

初始条件

电感电流和电容电压可以被定义。

为了方便三相电路的设置，提供对称三相RLC支路。

初始

三相支路的电感电流和电容电压都为零。

图像:

对于三相分支，相位与一个点是第一阶段。

属性:

一个分支的电阻、电感或电容都不能全部为零。

至少有一个参数

是一个非零的值。

参数描述

电阻，欧姆

电感电感，在H

在F中的电容

初始电流初始电感电流

最初的Cap。

电压初始电容电压，在V

支路电流输出的当前标志标志。

如果标志为零，则没有当前的输出。

如果国旗是1，电流将是

可用于运行时图中的显示（在模拟运行时

图）。

它也将显示在simview保存到输出文件。

当它流到分支的虚线终端时，电流是正的。

目前flag_a；

目前flag_b；

目前flag_c

三相支路的A、B和C的电流标志。

2.1.2变阻器

变阻器是一个抽头电阻。

图像：

总电阻变阻器的电阻R（总节点k和m之间），欧姆

抽头位置（0至1）的抽头位置抽头。

节点K和T之间的电阻是：

R*抽头。

当前流到节点K的当前标志标志。

2.1.3SaturableInductor

一个饱和电感考虑磁芯的饱和效应。

电流与电感特性的电流与电感（I1，L1），（I2，L2）等

当前显示的当前标志标志

非线性B-H曲线的分段线性近似表示。

由于磁通密度B

正比于磁通λ和磁化力H是目前我成正比，B-H曲

被λ代表我曲线相反，如下图所示

电感的定义为：

L=λ/我，比我在每一个点λvs.。

的饱和特性的定

由一系列的数据点为：

（I1，L1），（I2，L2），（I3，L3），等

注意定义的饱和特性必须使磁链λ是单调递增的

也就是说，L1*我2*2*我3*1*我3，等等。

此外，类似于在现实世界中的饱和特性，每一个线性段的斜率必须

随着电流的增加而单调减小。

在某些情况下，含有饱和电感的电路可能无法收敛。

连接一个非常小的

横跨饱和电感的电容器可以帮助收敛。

第2章：

2.1.4非线性元件

提供了具有非线性电压电流关系的下列元素：

电阻型[V=F（I）]

具有附加输入x的电阻型[V=F（I，x）]

电导型[I=F（V）]

-电导型与附加的输入x[I=F（V，x）]

附加的输入x必须是一个电压信号。

用于电阻型元件：

表达式F（I）或F（I，X）的V的表达在I和X[V=F（I）或V=F（I，X）]

表达DF/诊断衍生的电压与电流I，即DF（我）/诊断

初始值IO为当前I的初始值

我的下限我目前的下限

我的上限我目前的上限

电导型元素：

表达式F（V）或F（V，X）的表达，我在V和X[I=F（V）或I=F（V，X）]

表达DF/DV的电流与电压的导数，即DF（v）/DV

初始值为电压V的初始值

V的下限的电压的下限

V的上限的电压V

非线性有限元（Noni）在上述模型的非线性二极管电路。

二极管电流被表示为一个功能的电压为：

I=14-10*（E40*1）。

在PSIM，非线性元件的规格将：

2.2开关

有在PSIM的两个基本类型的开关。

一个是开关型。

它工作在截止

区域（关闭状态）或饱和区（状态）。

另一种是线性型。

它可以工作在任一截止，

线性或饱和区。

开关在开关模式包括以下：

二极管和开关

闸流管和双向可控硅

自换相开关，具体：

-门关断开关

NPN双极结型晶体管（BJT）

PNP双极结型晶体管

-绝缘栅双极晶体管（IGBT）

-N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和P沟道

MOSFET

双向开关

开关模型是理想的。

也就是说，无论是开启和关断瞬变被忽视。

开关上有10μΩ阻力。

当没有RLC支路并联连接的开关，一

10Ω电阻将连接在交换机内部。

这种电阻可以被看作是关闭状

电阻。

在某些情况下，这种电阻可能需要修改。

要改变关闭状态的阻力，为

例如，100米Ω，连接一个百米Ω并联开关。

自从PSIM看到已经有一个电

并联开关，10mΩ电阻不会添加

缓冲电路不需要开关。

线性开关包括以下：

NPN和PNP双极晶体管

-N和P沟道MOSFET

2.2.1二极管、LED、ZenerDiode、和双向触发二极管

二极管和LED：

当它进行的时候，一个发光二极管（LED）发光。

二极管或LED的导通是由

电路工作条件。

当正偏置电压大于阈值时，二极管被打开

电压，当电流下降到零时，关断。

二极管的阈值

电压

二极管的阈值电压Vd_th，在五二极管开始进行当正

偏置电压大于Vd_th。

二极管电阻二极管的电阻RD，在欧姆，之后开始进行。

初始二极管位置的初始位置标志。

如果标志是0，二极管关闭。

如果它是1，

二极管在。

二极管的电流标志电流标志。

二极管的I-V特性和LED显示如下：

Zener：

齐纳二极管的电路模型如下图所示。

齐纳二极管的击穿电压，击穿电压VB，V

正向阈值

正向传导的阈值电压（从阳极到阴极），在V

正向导通电阻的正向电阻

齐纳电流输出电流国旗（从阳极到阴极）

当齐纳二极管正向偏置，它的行为作为一个普通的二极管。

当它是反向偏见，它会

阻挡导通，只要阴极阳极电压V万卡的击穿电压小于。

什么时候

V卡超过VB，电压V卡将被钳位到VB。

注意当齐纳箝位，由于二极管是一个在10μΩ电阻为蓝本，阴极

阳极电压将等于：

VKa=VB+10μΩ*我KA。

因此，取决于我的价值，V

将略高于VB。

如果我KA是非常大的，V家可以大大高于VB。

DIAC（双向触发二极管）：

是双向触发二极管。

双向触发二极管不进行到导通电压达到。

之后,双向触发二极管进入雪崩导通，和导通压降是静电压。

导通，导通时，移民局开始进行电压电压V

静电压导通电压降，V

当前标志当前标志

2.2.2晶闸管、双向可控硅

晶闸管在开启时被控制。

关闭是由电路条件。

可控硅是一种可以在两个方向上传导电流的装置。

它的行为以同样的方式作为两个相反的

并联的晶闸管。

电压降晶闸管导通电压降，在V

保持该设备停止传导和返回的最小导通电流

到关闭状态（只适用于晶闸管）

闩锁电流最小的状态所需的电流保持装置在后的状态

触发脉冲被删除（仅晶闸管）

初始开关位置的初始位置标志（仅用于晶闸管）

用于开关电流输出的电流标志标志

注意，双向可控硅装置，保持电流和保持电流设置为零。

有两种方法来控制晶闸管或可控硅。

一种是使用一个选通块，另一个是使用一个开关

控制器.一个晶闸管或可控硅栅极节点必须连接到一个浇注块或开关

控制器.

下面的例子说明了晶闸管开关的控制。

实例：

晶闸管开关的控制

左边的这个电路使用一个开关选通块。

开关选通模式和频率是预先—

定义，并保持不变，在整个模拟。

右边的电路使用一个阿尔法开关

控制器.在度的延迟角α，通过电路中的直流源的指定

2.2.3GTO和晶体管

自整流的开关的开关，除了PNP双极结型晶体管（BJT）和P沟道

MOSFET的开启门控信号是当高（当1V或更高的电压施加到栅极

节点）和开关正偏置（集电极发射极或漏极源极电压为正）。

它被关闭了

每当选通信号是低或电流下降到零。

PNP晶体管和P沟道MOSFET开关打开时，门控信号低，开关

负偏置（集电极-发射极或漏极-源极电压为负）。

GTO开关是一个对称的装置与正向和反向阻断能力。

IGBT

或MOSFET开关包括一个反并联二极管的有源开关。

注意，在PSIMBJT开关模型的局限性，与现实生活中的设备的行为，是

在PSIMBJT开关块反向电压（在这个意义上，它就像一个GTO）。

此外，它是由

在栅极节点处的电压信号，而不是电流。

属性为GTO：

可关断晶闸管的导通压降的电压降，V

初始位置初始开关位置标志（0：

关闭；

1：

）

当前标志开关电流标志（0：

无显示；

显示）

对NPN和PNPBJT属性：

饱和电压为NPN型三极管的饱和电压vce_sat，或vec_satPNP，在V

N沟道和P沟道MOSFET的属性：

电阻的MOSFET的导通电阻rds_on，欧姆

反并联二