北师大结构化学 第九章 晶体结构 习题答案.docx

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北师大结构化学第九章晶体结构习题答案

习题解析

9.1若平面周期性结构系按下列单位并置重复堆砌而成,试画出它们的点阵结构,并指出结构基元。

解:

用实线画出点阵结构如下图9.1,各结构基元中圈和黑点数如下表:

图9.1

号数

1

2

3

4

5

6

7

黑点数

1

1

1

1

0

2

4

圈数

1

1

1

2

3

1

3

9.2有一AB型晶体,晶胞中A和B的坐标参数分别为(0,0,0)和(1/2,1/2,1/2).指明该晶体的空间点阵型式和结构基元。

解:

不论该晶体属于哪一个晶系,均为简单的空间点阵,结构基元为AB。

9.3已知金刚石立方晶胞的晶胞参数a=356.7pm,写出其中碳原子的分数坐标,并计算C—C键的键长和晶胞密度。

解:

金刚石中碳原子分数坐标为:

0,0,0;1/2,1/2,0;1/2,0,1/2;0,1/2,1/2;1/4,1/4,1/4;3/4,3/4,1/4;3/4,1/4,3/4;1/4,3/4,3/4。

C-C键长可由(0,0,0)及(1/4,1/4,1/4)两个原子的距离求出;因为立方金刚石a=b=c=356.7pm

rc-c=

=

×356.7pm

=154.4pm

密度D=ZM/NAV

=

=3.51g·cm-3

9.4立方晶系的金属钨的粉末衍射线指标如下:

110,200,211,220,310,222,321,400,试问:

(a)钨晶体属于什么点阵形式?

(b)X-射线波长为154.4pm,220衍射角为43.62°,计算晶胞参数。

解:

(a)由于在晶体衍射中,h+k+l=偶数,所以钨晶体属于体心立方点阵。

(b)立方晶系dhkl与a的关系为:

dhkl=

由Bragg方程

得:

=316.5pm

9.5银为立方晶系,用CuK射线(=154.18pm)作粉末衍射,在hkl类型衍射中,hkl奇偶混合的系统消光。

衍射线经指标化后,选取333衍射线,=78.64°,试计算晶胞参数。

已知Ag的密度为10.507g/cm3,相对原子质量为107.87。

问晶胞中有几个Ag原子,并写出Ag原子的分数坐标。

解:

对于立方晶系,

=408.57pm

则Z=DVNA/M

=10.507g·cm-3×(408.57×10-10cm)3×6.02×1023mol-1/107.87g·mol-1

=4

Ag原子的分数坐标为:

0,0,0;1/2,1/2,0;0,1/2,1/2;1/2,0,1/2

9.6由于生成条件不同,C60分子可堆积成不同的晶体结构,如立方最密堆积和六方最密堆积结构。

前者的晶胞参数a=1420pm;后者的晶胞参数a=b=1002pm,c=1639pm。

(a)画出C60的ccp结构沿四重轴方向的投影图;并用分数坐标示出分子间多面体空隙中心的位置(每类多面体空隙中心只写一组坐标即可)。

(b)在C60的ccp和hcp结构中,各种多面体空隙理论上所能容纳的“小球”的最大半径是多少?

(c)C60分子还可形成非最密堆积结构,使某些碱金属离子填入多面体空隙,从而制得超导材料。

在K3C60所形成的立方面心晶胞中,K+占据什么多面体空隙?

占据空隙的百分数为多少?

解:

(a)C60分子堆积成的立方最密堆积结构沿四重轴方向的投影图如图9.6所示:

图9.6

四面体空隙中心的分数坐标为:

1/4,1/4,1/4;1/4,1/4,3/4;3/4,1/4,1/4;3/4,1/4,3/4;1/4,3/4,1/4;1/4,3/4,3/4;3/4,3/4,1/4;3/4,3/4,3/4。

八面体空隙中心的分数坐标为:

1/2,1/2,1/2;1/2,0,0;0,1/2,0;0,0,1/2。

(b)首先,由晶体结构参数求出C60分子的半径R。

有hcp结构的晶胞a参数求得:

R=a/2=1/2×1002pm=501pm

也可由ccp结构的晶胞参数求R,结果稍有差别。

由C60分子堆积成的两中最密堆积结构中,四面体空隙和八面体空隙都是相同的。

四面体空隙所能容纳的小球的最大半径为:

rT=0.225R=0.225×501pm=112.7pm

八面体空隙所能容纳的小球的最大半径为:

rO=0.414R=0.414×501pm=207.4pm

(c)K3C60可视为二元离子晶体,但题中并未给出K+的半径值,因此无法根据半径比判断K+所占多面体空隙的类型。

可从结构中的一些简单数量关系推引出结论。

一个K3C60晶胞中共有12个多面体空隙,其中4个八面体空隙(其中心分别在晶胞的体心和棱心上),8个四面体空隙(其中心的分数坐标为1/4,1/4,1/4等)。

而一个晶胞中含4个C60分子,因此,多面体空隙数与C60分子数之比为3:

1。

从晶体的化学式知,K+数与C60分子数之比亦为3:

1。

因此,K+数与多面体空隙数之比为1:

1,此即意味着K3C60晶体中所有的四面体中所有的四面体空隙和八面体空隙皆被K+占据,即占据的百分数为100%。

9.7金属钼为A2型结构,a=314.70pm,试计算Mo的原子半径,(100)和(110)面的面间距。

解:

由于钼为A2型结构,因而原子在立方晶胞的体对角线上互相接触,因此可得

=

×314.7pm=136.27pm

(100)和(110)面的面间距分别为:

d(100)=

=a=314.70pm

d(110)=

=222.56pm

9.8Pd是A1型结构,a=389.0pm,它有很好的吸收H2性能,常温下1体积的Pd能吸收700体积的H2,请问1体积(1cm3)的Pd中含有多少个空隙(包括四面体空隙和八面体空隙),700体积的H2可解离为多少个H原子,若全部H原子占有空隙,则所占空

隙的百分数是多少。

解:

晶胞的体积为V=a3=(389.0pm)3

一个晶胞中共12个空隙(4个八面体空隙和8个四面体空隙),则1体积中共含有的空隙数为:

=2.0×1023

700体积H2可解离出的H原子数为:

=3.8×1022

H原子占有空隙的百分数为:

100%=18.5%

9.9试证明等径圆球的hcp结构中,晶胞参数c和a的比值(称为轴率)为常数,即c/a=1.633。

证:

图9.9示出A3型结构的一个简单六方晶胞。

该晶胞中有两个圆球、4个正四面体空隙和两个正八面体空隙。

由图可见,两个正四面体空隙共用一个顶点,正四面体高的两倍即晶胞参数c,而正四面体的棱长即为晶胞参数a或b。

已知:

a=b=2R

c=

c/a=

≈1.633

图9.9

9.10在等径圆球的最密堆积中,一个四面体空隙由____4____个圆球围成,因此一个球占有__1/4_____个空隙,而一个球参与__8____个四面体空隙的形成,所以平均一个球占有___2___个四面体空隙。

在等径圆球的最密堆积中,一个八面体空隙由____6____个圆球围成,因此一个球占有__1/6_____个空隙,而一个球参与__6____个八面体空隙的形成,所以平均一个球占有__1____个八面体空隙。

9.11金属钠为体心立方结构,a=429pm,计算:

(a)Na的原子半径;

(b)金属钠的理论密度;

(c)(110)面的间距。

解:

(a)金属钠为体心立方结构,原子在晶胞体对角线方向上互相接触,由此推得原子半径和晶胞参数a的关系:

R=

a

代入数据,得:

R=

×429pm=185.8pm

(b)每个晶胞中含两个钠原子,因此,金属钠的理论密度为:

D=(ZM)/(a3NA)

=

=0.967g·cm-3

(c)d(110)=a/(12+12+0)1/2

=429pm/

=303.4pm

9.12金属钽为体心立方结构,a=330pm,试求:

(a)Ta的原子半径;

(b)金属钽的理论密度(Ta的相对原子质量为181);

(c)(110)面间距;

(d)若用λ=154pm的X射线,衍射指标为220的衍射角θ的数值是多少?

解:

(a)钽的原子半径为:

r=

a=

×330pm=143pm

(b)金属钽的理论密度为:

D=(ZM)/(a3NA)

=

=16.7g·cm-3

(c)(110)点阵面的间距为:

d(110)=a/(12+12+0)1/2=330pm/

=233pm

(d)根据Bragg方程得:

220=

=0.6598

θ220=41.3°

9.13金属锂晶体属立方晶系,(100)点阵面的面间距为350pm,晶体密度为0.53g/cm3,从晶胞中包含的原子数目判断该晶体属何种点阵型式?

(Li的相对原子质量为6.941)

解:

金属锂的立方晶胞参数为:

a=d(100)=350pm

设每个晶胞中的锂原子数为Z,则:

Z=

=1.97

≈2

立方晶系晶体的点阵型式有简单立方、体心立方和面心立方三种,而对立方晶系的金属晶体,可能的点阵型式只有面心立方和体心立方两种。

若为前者,则一个晶胞中应至少有4个原子。

由此可知,金属锂晶体属于体心立方点阵。

9.14请按下面(a)到(c)总结A1、A2及A3型金属晶体的结构特征。

(a)原子密置层的堆积方式、重复周期(A2型除外)、原子的配位数及配位情况。

(b)空隙的种类和大小、空隙中心的位置及平均每个原子摊到的空隙数目。

(c)原子的堆积系数、所属晶系、晶胞中原子的坐标参数、晶胞参数与原子半径的关系以及空间点阵型式等。

解:

(a)A1,A2和A3型金属晶体中原子的堆积方式分别为立方最密堆积(ccp)、体心立方密堆积(bcp)和六方最密堆积(hcp)。

A1型堆积中密堆积层的重叠方式为ABCABCABC…,三层为一重复周期,A3行堆积中密堆积层的重复方式为ABABAB…,两层为一重复周期。

A1和A3型堆积中原子的配位数皆为12,而A2型堆积中原子的配位数为8~14,在A1型和A3型堆积中,中心原子与所有配位原子都接触,同层6个,上下两层各3个。

所不同的是,A1型堆积中,上下两层配位原子沿C3轴的投影相差60°呈C6轴的对称性,而A3型堆积中,上下两层配位原子沿c轴的投影互相重合。

在A2型堆积中,8个近距离(与中心原子相距为

)配位原子处在立方晶胞的顶点上,6个远距离(与中心原子相距为a)配位原子处在相邻晶胞的体心上。

(b)A1型堆积和A3型堆积都有两种空隙,即四面体空隙和八面体空隙。

四面体空隙可容纳半径为0.225R的小原子,八面体空隙可容纳半径为0.414R的小原子(R为堆积原子的半径)。

在这两中堆积中,每个原子平均摊到两个四面体空隙和一个八面体空隙。

差别在于,两种堆积中空隙的分布不同。

在A1型堆积中,四面体空隙的中心在立方面心晶胞的体对角线上,到晶胞顶点的距离为

八面体空隙的中心分别处在晶胞的体心和棱心上。

在A3型堆积中,四面体空隙中心的坐标参数分别为0,0,3/8;0,0,5/8;2/3,1/3,1/8;2/3,1/3,7/8。

而八面体空隙中心的坐标参数分别为2/3,1/3,1/4;2/3,1/3,3/4。

A2型堆积中有变形八面体空隙、变形四面体空隙和三角形空隙(亦可视为变形三方双锥空隙)。

八面体空隙和四面体空隙在空间上是重复利用的。

八面体空隙中心在体心立方晶胞的面心和棱心上。

每个原子平均摊到3个八面体空隙,该空隙可容纳的小原子的最大半径为0.154R。

四面体空隙中心处在晶胞的面上。

每个原子平均摊到6个四面体空隙,该空隙可容纳的小原子的最大半径为0.291R。

三角形空隙实际上是上述两种多面体空隙的连接面,算起来,每个原子摊到12个三角形空隙。

(c)

金属的结构型式

A1

A2

A3

原子的堆积系数

74.05%

68.02%

74.05%

所属晶系

立方

立方

六方

晶胞型式

面心立方

体心立方

六方

晶胞中原子的坐标参数

0,0,0;1/2,1/2,0;

1/2,0,1/2;0,1/2,1/2

0,0,0;

1/2,1/2,1/2

0,0,0;

2/3,1/3,1/2

晶胞参数与原子半径的关系

a=2

R

a=

R

a=b=2R

c=

点阵型式

面心立方

体心立方

简单立方

综上所述,A1,A2和A3型结构是金属单质的三种典型结构型式。

它们具有共性,也有差异。

尽管A2型结构与A1型结构同属立方晶系,但A2结构是非最密堆积,堆积系数小,且空隙数目多,形状不规则,分布复杂。

搞清这些空隙的情况对于实际工作很重要。

A1型结构和A3型结构都是最密堆积结构,他们的配位数、球与空隙的比例以及堆积系数都相同。

差别在于他们的对称性和周期性不同。

A3型结构属六方晶系,可划分出包含2个原子的六方晶胞。

其密置层方向与c轴垂直。

而A1型结构的对称性比A3型结构高,它属于立方晶系,可划分出包含4个原子的面心立方晶胞,密置层与晶胞体对角线垂直。

A1型结构将原子密置层中C6轴包含的C3轴对称性保留下来。

另外,A3型结构可抽象出简单六方点阵,而A1型结构可抽象出面心立方点阵。

9.15Na2O为反CaF2型结构,晶胞参数a=555pm。

(a)计算Na+的半径(已知O2-半径为140pm);

(b)计算晶体密度。

解:

(a)可将Na2O晶胞看成是8个相邻的小立方体并置堆砌而成,那么小正方体的边长为

,Na+恰好位于小正方体的体心,体对角线长为2(RO2-+RNa+)

=2(RO2-+RNa+)

RNa+=

-RO2-=100pm

(b)Na2O为反CaF2型结构,则晶胞中有4个Na2O结构基元

D=

=

=2.41g/cm3

9.16具有六方ZnS型结构的SiC晶体,其六方晶胞参数为a=308pm,c=505pm;已知C原子的分数坐标为(0,0,0;2/3,1/3,1/2)和Si原子的分数坐标为(0,0,5/8;2/3,1/3,1/8)。

请回答或计算下列问题:

(a)按比例清楚的画出这个六方晶胞;

(b)晶胞中含有几个SiC?

(c)画出点阵型式,说明每个点阵点代表什么?

(d)Si作什么型式的堆积,C填在什么空隙中?

(e)计算Si-C键键长。

解:

(a)SiC六方晶胞的轴比c/a=505pm/308pm=1.64,Si原子和C原子的共价半径分别为113pm和77pm,参照这些数据和原子的坐标参数,画出SiC的六方晶胞如图9.16(a)所示。

(b)一个晶胞含的C原子数为4(1/12+2/12)(顶点原子)+1(晶胞内原子)=2,Si原子数为4×1/4(棱上原子)+1(晶胞内原子)=2。

所以一个SiC六方晶胞中含2个SiC。

(c)点阵形式为简单六方(见图9.16b),每个点阵点代表2个SiC,即2个SiC为1个结构基元。

图9.16

(d)Si作为六方最密堆积,C原子填在由Si原子围成的四面体空隙中。

Si原子数与四面体空隙数之比为1:

2,而C原子数与Si原子数之比为1:

1,所以C原子数与四面体空隙数之比为1:

2,即C原子只占据50%的空隙。

(e)由(a)中的晶胞图可见,Si-C键键长为:

(1-5/8)c=3/8×505pm=189pm

9.17已知NaCl晶体是由立方面子晶胞组成,其晶胞参数a=563.9pm。

(a)写出原子分子坐标;

(b)写出Na+和Cl-的配位数;

(c)计算晶面(110)及(100)的晶面间距;

(d)求晶体密度(NaCl的相对质量为58.5)。

解:

(a)Cl-的坐标分数为:

0,0,0;1/2,1/2,0;1/2,0,1/2;0,1/2,1/2

Na+的坐标分数为:

1/2,1/2,1/2;1/2,0,0;0,0,1/2;0,1/2,0

(b)Na+和Cl-的配位数均为6。

(c)d(110)=a/(12+12+0)1/2=563.9pm/

=398.8pm

d(100)=a=563.9pm

(d)D=

=

=2.17g/cm3

9.18CaTiO3结晶是立方单位晶胞,a=380pm结晶密度为4.10g/cm3,相对分子质量为135.98,求单位晶胞所含分子数,若设钛在立方单位晶胞的中心,写出各原子的分数坐标。

解:

=

=1

若钛在立方单位晶胞的中心,则晶胞的顶点为Ca2+,面心为O2-,各原子的分数坐标为:

Ti4+:

1/2,1/2,1/2

Ca2+:

0,0,0

O2-:

1/2,1/2,0;0,1/2,1/2;1/2,0,1/2

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