AVR单片机的熔丝位说明.docx

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AVR单片机的熔丝位说明

注意:

对于所有的熔丝位,“1”表示未编程,“0”代表已编程。

一、CKSEL3..0、CKOPT、SUT1.0:

用于设置系统时钟

✓CKSEL3..0---时钟源模式选择。

✓SUT1.0---复位启动时间选择。

1、如果没有特殊要求推荐SUT1/0设置复位启动时间稍长,使电源缓慢上升。

2、对应时钟源模式的不同,SUT的设置也不同,详情看下文说明。

✓CKOPT---选择放大器模式。

0对应高幅度振荡输出;1对应低幅度振荡输出。

当CKOPT被编程时,振荡器在输出引脚产生满幅度的振荡,这种模式适合于噪声环境,以及需要通过XTAL2驱动第二个时钟缓冲器的情况,而且这种模式的频率范围比较宽;当保持CKOPT为未编程状态时,振荡器的输出信号幅度比较小。

其优点是大大降低了功耗,但是频率范围比较窄,而且不能驱动其他时钟缓冲器。

对于谐振器,CKOPT未编程时的最大频率为8MHz,CKOPT编程时为16MHz。

1、当用外部晶体/陶瓷振荡器

（1CKOPT和CKSEL3..1设置晶体振荡器工作模式

XTAL1与XTAL2分别为用作片内振荡器的反向放

大器的输入和输出,如左图所示,这个振荡器可以使用

石英晶体,也可以使用陶瓷谐振器。

C1和C2的数值要

一样,不管使用的是晶体还是谐振器。

最佳的数值与使

用的晶体或谐振器有关,还与杂散电容和环境的电磁噪

声有关。

表1-1给出了不同模式对应的频率范围及针对

晶体选择电容的一些指南。

对于陶瓷谐振器,应该使用

厂商提供的数值。

表1-1:

振荡器工作模式

（1SUT1.0和CKSEL0设置选择启动时间

表1-2:

晶体振荡器时钟选项对应的启动时间表

2、当用外部低频振荡器

为了使用32.768kHz钟表晶体作为器件的时钟源,必须将熔丝位CKSEL设置“1001”以选择低频晶体振荡器。

晶体的连接方式和用上面外部晶振的一样。

通过对熔丝位CKOPT的编程,可以使能XTAL1和XTAL2的内部电容,从而去除外部电容。

内部电容的标称数值为36pF。

选择了这个振荡器之后,启动时间由熔丝位SUT确定,如表2-1所示。

表2-1:

低频晶体振荡器启动时间表

3、当用外部R-C振荡器

（1CKOPT和CKSEL3..0设置晶体振荡器工作模式

对于时间不敏感的应用可以使用左图的外部RC振荡器。

频率可以通过方程f=1/（3RC进行粗略地鼓估计。

电容C至

少要22pF。

通过编程熔丝位CKOPT,用户可以使能XTAL1和

GND之间的片内36pF电容,从而无需外部点燃。

若想获取

有关振荡器如何工作以及如何选择R和C的具体信息,请参

考外部RC振荡器应用手册。

振荡器可以工作于四个不同的模

式,每个模式有自己的优化频率范围。

工作模式通过熔丝位

CKSEL3..0选取,如表3-1所示。

表3-1:

外部R-C振荡器工作模式

（2SUT1.0设置选择启动时间

选择了振荡器之后,启动时间由熔丝位SUT确定,如表3-2所示:

表3-2:

外部R-C振荡器启动时间

4、当用标定内部R-C振荡器

（1CKOPT和CKSEL3..0设置晶体振荡器工作模式

标定的片内RC振荡器提供了固定的1.0、2.0、4.0或8.0MHz的时钟。

这些频率都是5V、25°C下的标称数值。

这个时钟也可以作为系统时钟,只要按照表4-1对熔丝位CKSEL进行编程即可。

选择这个时钟（此时不能对CKOPT进行编程之后就无需外部器件了。

复位时硬件将标定字节加载到OSCCAL寄存器,自动完成对RC振荡器的标定。

在5V,25°C和频率为1.0MHz时,这种标定可以提供标称频率±1%的精度。

当使用这个振荡器作为系统时钟时,看门狗仍然使用自己的看门狗定时器作为溢出复位的依据。

表4-1:

片内标定R-C振荡器工作模式

（2SUT1.0设置选择启动时间

启动时间由熔丝位SUT确定,如表4-2所示。

XTAL1和XTAL2要保持为空（NC。

表4-2:

片内标定R-C振荡器启动时间

（3振荡器标定寄存器OSCCAL的设置

将标定数据写入这个地址可以对内部振荡器进行调节以消除由于生产工艺所带来的振荡器频率偏差。

复位时1MHz的标定数据（标识数据的高字节,地址为0x00自动加载到OSCCAL寄存器。

如果需要内部RC振荡器工作于其他频率,标定数据必须人工加载:

首先通过编程器读取标识数据,然后将标定数据保存到Flash或EEPROM之中。

这些数据可以通过软件读取,然后加载到OSCCAL寄存器。

当OSCCAL为零时振荡器以最低频率工作。

当对其写如不为零的数据时内部振荡器的频率将增长。

写入0xFF即得到最高频率。

标定的振荡器用来为访问EEPROM和Flash定时。

有写EEPROM和Flash的操作时不要将频率标定到超过标称频率的10%,否则写操作有可能失败。

要注意振荡器只对1.0、2.0、4.0和8.0MHz这四种频率进行了标定,其他频率则无法保证。

5、当用外部时钟

为了从外部时钟源驱动芯片,

XTAL1必须如左图所示的进行连

接。

同时,熔丝位CKSEL必须编程

为“0000”。

若熔丝位CKOPT也被

编程,用户就可以使用内部的

XTAL1和GND之间的36pF电容。

选择了这个振荡器之后,启动

时间由熔丝位SUT确定,如表5-1

所示。

表5-1:

外部时钟启动时间

为了保证MCU能够稳定工作,不能突然改变外部时钟源的振荡频率。

工作频率突变超过2%将会产生异常现象。

应该在MCU保持复位状态时改变外部时钟的振荡频率。

附：

时钟源和启动时间设置对照表时钟源外部时钟外部时钟外部时钟内部RC振荡1MHZ内部RC振荡1MHZ内部RC振荡1MHZ1内部RC振荡2MHZ内部RC振荡2MHZ内部RC振荡2MHZ内部RC振荡4MHZ内部RC振荡4MHZ内部RC振荡4MHZ内部RC振荡8MHZ内部RC振荡8MHZ内部RC振荡8MHZ外部RC振荡≤0.9MHZ外部RC振荡≤0.9MHZ外部RC振荡≤0.9MHZ外部RC振荡≤0.9MHZ外部RC振荡0.9-3.0MHZ外部RC振荡0.9-3.0MHZ外部RC振荡0.9-3.0MHZ外部RC振荡0.9-3.0MHZ外部RC振荡3.0-8.0MHZ外部RC振荡3.0-8.0MHZ外部RC振荡3.0-8.0MHZ外部RC振荡3.0-8.0MHZ外部RC振荡8.0-12.0MHZ外部RC振荡8.0-12.0MHZ启动延时6CK+0ms6CK+4.1ms6CK+65ms6CK+0ms6CK+4.1ms6CK+65ms6CK+0ms6CK+4.1ms6CK+65ms6CK+0ms6CK+4.1ms6CK+65ms6CK+0ms6CK+4.1ms6CK+65ms18CK+0ms18CK+4.1ms18CK+65ms6CK+4.1ms18CK+0ms18CK+4.1ms18CK+65ms6CK+4.1ms18CK+0ms18CK+4.1ms18CK+65ms6CK+4.1ms18CK+0ms18CK+4.1ms熔丝CKSEL=0000SUT="00"CKSEL=0000SUT="01"CKSEL="0000"SUT="10"CKSEL="0001"SUT="00"CKSEL="0001"SUT="01"CKSEL="0001"SUT="10"CKSEL="0010"SUT="00"CKSEL="0010"SUT="01"CKSEL="0010"SUT="10"CKSEL="0011"SUT="00"CKSEL="0011"SUT="01"CKSEL="0011"SUT="10"CKSEL="0100"SUT="00"CKSEL="0100"SUT="01"CKSEL=0100SUT="10"CKSEL="0101"SUT="00"CKSEL="0101"SUT="01"CKSEL="0101"SUT="10"CKSEL="0101"SUT="11"CKSEL="0110"SUT="00"CKSEL="0110"SUT="01"CKSEL="0110"SUT="10"CKSEL=0110SUT="11"CKSEL=0111SUT="00"CKSEL="0111"SUT="01"CKSEL=0111SUT="10"CKSEL="0111"SUT="11"CKSEL=1000SUT="00"CKSEL="1000"SUT="01"

外部RC振荡8.0-12.0MHZ外部RC振荡8.0-12.0MHZ低频晶振（32.768KHZ低频晶振（32.768KHZ低频晶振（32.768KHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ低频石英/陶瓷振荡器（0.4-0.9MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ中频石英/陶瓷振荡器（0.9-3.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ高频石英/陶瓷振荡器（3.0-8.0MHZ18CK+65ms6CK+4.1ms1KCK+4.1ms1KCK+65ms32KCK+65ms258CK+4.1ms258CK+65ms1KCK+0ms1KCK+4.1ms1KCK+65ms16KCK+0ms16KCK+4.1ms16KCK+65ms258CK+4.1ms258CK+65ms1KCK+0ms1KCK+4.1ms1KCK+65ms16KCK+0ms16KCK+4.1ms16KCK+65ms258CK+4.1ms258CK+65ms1KCK+0ms1KCK+4.1ms1KCK+65ms16KCK+0ms16KCK+4.1ms16KCK+65msCKSEL="1000"SUT="10"CKSEL="1000"SUT="11"CKSEL="1001"SUT="00"CKSEL="1001"SUT="01"CKSEL="1001"SUT="10"CKSEL="1010"SUT="00"CKSEL="1010"SUT="01"CKSEL=1010SUT="10"CKSEL="1010"SUT="11"CKSEL="1011"SUT="00"CKSEL=1011SUT="01"CKSEL="1011"SUT="10"CKSEL="1011"SUT="11"CKSEL="1100"SUT="00"CKSEL="1100"SUT="01"CKSEL=1100SUT="10"CKSEL="1100"SUT="11"CKSEL="1101"SUT="00"CKSEL="1101"SUT="01"CKSEL="1101"SUT="10"CKSEL="1101"SUT="11"CKSEL="111"0SUT="00"CKSEL="111"0SUT="01"CKSEL="111"0SUT="10"CKSEL="111"0SUT="11"CKSEL=1111SUT="00"CKSEL="111"1SUT="01"CKSEL="111"1SUT="10"CKSEL="111"1SUT="11"

二、BOD（Brown-outDetection掉电检测电路功能控制功能禁止；BODEN（BOD功能控制---1：

BOD功能禁止；0：

BOD功能允许如果BODEN使能（启动掉电检测），则检测电平由BODLEVEL决定。

一旦VCC下降到触发电平（2.7v或4.0v以下，MCU复位；当VCC电平大于触发电平后，经过tTOUT延时周后重新开始工作。

电平选择---1:

电平；BODLEVEL（BOD电平选择---1:

2.7V电平；0：

4.0V电平因为M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以触发电平可选2.7v（BODLEVEL=0或4.0v（BODLEVEL=1;而M16工作在4.5～5.5V，所以只能选BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不适用于ATmega16。

下载使能三、SPIEN（SPI下载使能1：

SPI下载禁止；0：

SPI下载使能。

默认为0。

使能和功能允许四、JTAGEN（JTAG使能和OCDEN（OCD功能允许JTAGEN（JTAG测试访问端口使能---1禁止；JTAGEN（JTAG测试访问端口使能---1：

JTAG禁止；0：

JTAG允许OCDEN（片上调试使能---1功能禁止；OCDEN（片上调试使能---1：

OCD功能禁止；0：

OCD功能允许片上调试使能使用方法：

使用方法：

在JTAG调试时，使能OCDEN和JTAGEN两位（复选框打勾），并保持所有的锁定位处于非锁定状态；在实际使用时为降低功耗，不使能OCDEN和JTAGEN，大约减少2－3mA的电流。

数据保留五、EEAVE（烧录时EEPROM数据保留烧录时EEAVE---1：

不保留；0：

保留留使用EEProm时，若没注意EEAVE位的编程，调试程序每次烧flash时，上次的EEProm都没了。

六、BOOTRST（复位入口地址选择）（复位入口地址选择）1：

程序从0x0000地址开始0：

复位后从BOOT区执行（参考BOOTSZ0/1）。

七、BOOTSZ1/0（引导区程序大小及入口）（引导区程序大小及入口）00：

1024Word/0xc00；10：

256Word/0xf00；01：

512Word/0xe00；11：

128Word/0xf80