模拟电子技术基础习题.ppt

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模拟电子技术基础习题,第一章半导体二极管及其应用电路,第二章半导体三极管及其放大电路,第三章场效应晶体管及其放大电路,第四章集成运算放大器,第六章运放应用电路,第七章功率放大电路,第八章波形发生和变换电路,第九章直流稳压电源,第五章负反馈放大电路,第十章晶闸管及其应用,第十一章第二十一章应用篇,第一章半导体二极管及其应用电路一、填空：

1半导体是导电能力介于_和_之间的物质。

2利用半导体的_特性，制成杂质半导体；利用半导体的_特性,制成光敏电阻，利用半导体的_特性,制成热敏电阻。

3PN结加正向电压时_，加反向电压时_，这种特性称为PN结的_特性。

4PN结正向偏置时P区的电位_N区的电位。

导体,绝缘体,掺杂,光敏,热敏,单向导电,截止,高于,导通,5二极管正向导通的最小电压称为_电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_电压.6二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。

7在常温下，硅二极管的死区电压约_V，导通后在较大电流下的正向压降约_V。

死区,单向导电,击穿,最大整流电流,最大反向工作电压,0.5,0.7,8在常温下，锗二极管的死区电压约为_V，导通后在较大电流的正向压降约为_V。

9半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的__性能越好。

10稳压管工作在伏安特性的_区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压__。

0.1V,0.3,单向导电,反向击穿,基本不变,11理想二极管正向电阻为_，反向电阻为_，这两种状态相当于一个_。

12当温度升高时，二极管的正向特性曲线将_，反向特性曲线将_。

13当温度升高时，二极管的正向电压降_，反向击穿电压_，反向电流_。

0,无穷大,开关,左移,下移,减小,减小,增大,14.整流电路的作用是__，核心元器件是_。

15.滤波电路的作用是___，滤波电路包含有_元件。

16.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大的是_，整流效果好的是_。

17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反接，则_，如果任意一只二极管脱焊，则_。

将交流电变成脉动的直流电,二极管,降低输出直流电中的脉动成分,储能,单相半波,单相桥式,电源短路,成为半波整流,二、选择题：

1.二极管的导通条件是（）。

A.B.死区电压C.击穿电压。

2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10，它的电流（）。

A.基本不变B.增加10C.增加10以上3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10，它的电流（）。

A.基本不变B.增加10C.增加10以上4.用万用表的档和档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为和，则与的关系为（）。

A.B.C.,5.当温度为时，二极管的导通电压为0.7V，若其他参数不变，当温度升高到时，二极管的导通电压将（）。

A.等于0.7VB.小于0.7VC.大于0.7V6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、VD3的工作状态为（）。

A.VD1导通，VD2、VD3截止B.VD2导通，VD1、VD3截止C.VD3导通，VD1、VD2截止,8.电路如图所示,VD1VD3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_。

A.BB.CC.A,7.在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V，VDZ2的稳定电压为15V，输出电压等于（）。

A15VB9VC24V,9理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承受的最大反向电压为_。

A小于B.等于C.大于，小于D.等于10单相桥式整流电容滤波电路，当满足（35）时，负载电阻上的平均电压为_。

A.1.1U2B.0.9U2C.1.2U2D.0.45U2,11所示电路图中，（忽略导通压降）用示波器观察的波形正确的是_。

12.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波形如图所示，符合该波形的电路是_。

三、判断题1.在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大而增大。

（）2.如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。

（）3.指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极，黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管的正向电阻。

（）4.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只有负载电流的一半。

（）5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二级管承受的反向电压相同。

（）,四、分析计算：

1.判断下列电路中二极管的工作状态。

VD1导通，VD2截止VD截止,2.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。

截止0V,导通+11.3V,截止+6V,导通+0.7V,导通-12.7V,3.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。

4.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否导通，并求输出电压。

5.电路如图所示，设，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。

5.电路如图所示，设，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。

5.电路如图所示，设，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。

6图示电路中，已知2CW5的参数如下：

稳定电压，最大稳定电流，若流经电压表V的电流可忽略不计。

求：

1）开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？

2）开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？

3）开关S合上，且输入电压由原来30V上升到33V时，此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？

V：

12VA1：

12mAA2：

6mA,IZ：

12mA,V：

12VA1：

14mAA2：

6mA,7电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示（V）试求：

（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；

（2）正常工作时，Uo=？

（3）若电容脱焊，Uo=？

（4）若RL开路，Uo=？

（5）若其中一个二极管开路，Uo=？

12V,9V,14V,10V,8.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，（V）试求：

（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；

（2）正常工作时，Uo=？

（3）若电容脱焊，Uo=？

（4）若RL开路，Uo=？

（5）若其中一个二极管开路，Uo=？

28V,18V,24V,20V,第二章半导体三极管一、填充题1.三极管从结构上看可以分成和两种类型。

2.晶体三极管工作时有和两种载流子参与导电，因此三极管又称为晶体管。

3.设晶体管的压降不变，基极电流为20A时，集电极电流等于2mA，则=_。

若基极电流增大至25A，集电极电流相应地增大至2.6mA，则=_。

100,120,NPN,PNP,自由电子,空穴,双极型,4.三极管的电流放大作用是指三极管的电流约是电流的倍，即利用电流，就可实现对电流的控制。

5.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20A，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于_，电流放大系数等于_。

6.当三极管工作在区时，关系式ICIB才成立，发射极偏置，集电极偏置。

7.当三极管工作在区时，IC0；发射极偏置，集电极偏置。

集电极,基极,基极,集电极,0.98mA,49,放大,正向,反向,截止,零或反向,反向,8.当三极管工作在区时，UCE0。

发射极偏置，集电极偏置。

9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以极的电位最高，极电位最低，极和极电位差等于。

10.当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以极的电位最高，极电位最低，UBE等于。

11.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为,试判断三极管的类型是，材料是。

集电,饱和,正向,发射,基,0.7V,正向,发射,发射,集电,-0.3V,PNP,锗,12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，,三个电极分别1为，2为，3为。

13.温度升高时，三极管的电流放大倍数将；穿透电流ICEO将；发射极电压UBE将。

14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将_移，输出特性曲线将_移，而且输出特性曲线之间隔将变_。

C,E,B,增大,增大,减小,左,上,宽,15.查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写在下表中16.某放大电路，当输入电压为10mV时，输出电压为7V，当输入电压为15mV时，输出电压为6.5V。

则该电路的电压增益为。

17.直流放大器能放大，交流放大器能放大。

100,交直流信号,交流信号,3AD30C,3DD15D,3DG8050,18.当静态工作点设置偏低时，会引起失真，单级共射放大电路输出电流波形的半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调。

19.当静态工作点设置偏高时，会引起失真，单级共射放大电路输出电压波形的半周产生削波，需将基极上偏置电阻的值调。

20.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的是。

21.三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是电路，与相位相同是电路。

截止,负,小,饱和,负,大,温度引起的参数变化,共射放大,共基和共集放大,22.三种基本组态的放大电路中，有电压放大无电流放大的是电路，有电流放大无电压放大的是电路，既有电压放大又有电流放大的是电路。

23.分压偏置的共射极放大电路中的作用是。

24.多级放大电路常见的耦合方式有、。

共基极,共集电极,共射极,稳定靜态工作点,直接,阻容,变压器,25.直接耦合放大电路既能放大信号，又能放大信号，但它存在零漂的问题，常采用放大电路来抑制零漂。

26.多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益变，通频带变。

直流,交流,差动,大,窄,二、选择题1当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于（）。

A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿2当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于（）。

A.截止状态B.饱和状态C.放大状态D.击穿3.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型,5.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型6.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，则该三极管的类型为（）。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型7、检查放大器中晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（）。

A.IBQB.UBEQC.ICQD.UCEQ8.放大器中晶体管在静态时进入饱和区的条件（）。

A.IBIBSB.IB死区电压D.UBEQ=导通压降,9、工作在放大状态的双极型晶体管是（）。

A.电流控制元件B.电压控制元件C.不可控元件10、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为（）。

A.1为e；2为b；3为cB.1为e；2为c；3为bC.1为b；2为e；3为cD.1为b；2为c；3为e11用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为（）。

A.1为e；2为b；3为cB.1为e；2为c；3为bC.1为b；2为e；3为cD.1为b；2为c；3为e,12.处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是_。

A.VBVCVEB.VEVBVCC.VCVBVED.VCVEVB13.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是_。

A.VBVCVEB.VEVBVCC.VCVBVED.VCVEVB14.三极管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的_。

AicBuCE；CiB；DiE,15放大电路的三种组态，都有（）放大作用。

A.电压B.电流C.功率16固定偏置放大电路中，晶体管的50，若将该管调换为=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流将（）。

A.增加B.减少C.基本不变17测得某放大电路负载开路时的输出电压为4V，接入的负载2K后，测得输出电压为2.5V，则该放大电路的输出电阻为（）。

A.1.2kB.1.6kC.3.2kD.10k18单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700,19共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位（）。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差270020固定偏置共射极放大电路，已知VCC12V，RC=3K，40,忽略UBE,若要使静态时UCE9V，则RB应取（）。

A.600KB.240KC.480KD.360K21固定偏置共射极放大电路,VCC10V，硅晶体管的100,RB=100K，RC=5K，则该电路中三极管工作在（）。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定,22.固定偏置共射极放大电路,VCC10V，硅晶体管的100,RB=680K，RC=5K，则该电路中三极管工作在（）。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定23图所示交流通路中三极管的Rbe=3K，100,则该电路的输入电阻Ri为（）。

A.100B.3KC.3.1KD.13.1K,24.分压式偏置放大电路，为使稳定静态工作点的效果更好一些，而且对放大电路其它性能不产生影响，哪种设置更合理（）。

A.I1=4IBVB=4VB.I1=8IBVB=8VC.I1=8IBVB=4VD.I1=4IBVB=8V25有两个电压放大倍数Au=100的放大电路A和B，分别对同一具有内阻的信号源电压进行放大，在相同的负载电阻RL的情况下，测得uoa=4.5V，uob=4.6V,则知B放大电路的（）。

A.输入电阻小B.输入电阻大C.输出电阻小B.输出电阻大26.直接耦合放大电路能放大。

A.直流信号B.交流信号C.交直流信号。

27.阻容耦合放大电路能放大。

A.直流信号B.交流信号C.交直流信号。

28.阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，低频区电压增益下降的原因是由于（）的存在。

A耦合电容与旁路电容B极间电容和分布电容C晶体管的非线性29.阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号，高频区电压增益下降的原因是由于（）存在。

A耦合电容与旁路电容B极间电容和分布电容C晶体管的非线性30.已知多级放大电路Au1=20dB,Au2=40dB,则电路总的电压放大倍数Au为（）dB。

A80B800C60D.20,31.已知多级放大电路Au1=100、Au2=10,则电路总的电压放大倍数Au为（）。

A100B1000C110D.110032.两个相同的单级共射放大电路空载时的电压放大倍数均为30，现将它们级连后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数（）。

A等于60B.等于900C.小于900D.大于900,三、判断题：

1.晶体三极管由两个PN结构成，二极管包含有一个PN结，因此可以用两个二极管反向串接来构成三极管。

（）2.晶体三极管只有测得UBEUCE才工作在放大区。

（）3.晶体三极管三个电极上的电流总能满足IE=IC+IB的关系。

（）4.晶体三极管集电极和基极上的电流总能满足IE=IC的关系。

（）5.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（）6.晶体三极管放大电路都有功率放大作用。

（）,7.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

（）8.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）9.由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

（）10.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（）,11.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

（）12.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。

（）13.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能发放大直流信号。

（）14.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

（）,四、分析计算题1.固定偏置三极管放大电路如图所示，输入正弦交流电时，输出波形如图所示，试判断电路有无失真？

是什么失真？

产生该失真的原因是什么？

如何改善这种失真？

RB,2.电路如图所示，测得图a）所示放大电路的输出电压波形如图b）所示。

（1）是什么失真？

（2）分析产生该失真的原因；（3）说明消除该失真的方法。

RB,3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？

3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？

4.电路如图所示，晶体管=100，UBE=0.7V。

1）求静态工作点；2）画出微变等效电路；3）求电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻Ro；4）若改为=120，则Au变为多大？

6.,6.,6.,7.,7.,7.,8.,8.,8.,9.,9.,9.,10.,10.,10.,10.,11.,11.,第三章场效应晶体管及其放大电路一、填充题1、M0S管的结构由、和组成。

2、绝缘栅型场效应管按导电沟道的分有和两类，其每一类又可和两种。

3、场效应管与双极晶体管比较，_为电压控制器件，_为电流控制器件，_的输入电阻高。

4、场效应管有_种载流子参与导电，故场效应管又称_型元件。

金属氧化物半导体,N沟道P沟道增强型耗尽型,1单极,场效应管双极型晶体管场效应管,5、_MOS管开启电压0，_MOS管开启电压0。

6、_MOS管的夹断电压0，_MOS管的夹断电压0。

7、使用场效应管时应特别注意对_极的保护，尤其是绝缘栅管，在不用时应将三个电极_。

N沟道P沟道,P沟道N沟道,栅短接,8、某场效应管的转移特性如左图a）所示，由此可知该管是_沟道_型的绝缘栅场效应管，_V。

9、某场效应管的转移特性如右图b）所示，由此D可知该管是_沟道_型的绝缘栅场效应管，_,_。

P沟道增强型2V,N沟道耗尽型6mA6V,10、某场效应管的输出特性如图所示，由此可知该管是_沟道_型的绝缘栅场效应管，_。

11、某场效应管工作在恒流区，当时，当时，则该管的低频跨导为_。

12、自偏压电路只适用于_型的场效应管放大电路。

N沟道增强型2V,3,耗尽,二、选择题1、场效应管用（）控制漏极电流。

A.基极电压B.栅源电压C.基极电流D.栅极电流2、表征场效应管放大能力的重要参数是（）。

A.B.C.D.3、N沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。

A.B.C.D.4、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）。

A.B.C.D.,5、广义地说，结型场效应管应该_。

A.属于耗尽型管B.属于增强型管C.不属于耗尽型管D.不属于增强型管6、场效应管自生偏置电路中的电阻Rg，的作用是_。

A.提供偏置电压B.提供偏置电流C.防止输入信号短路D.泄放栅极可能出现的感应电荷以防管子击穿7图示是某场效应管的特性曲线。

据图可知，该管是_。

A.P沟道结型管B.N沟道结型管C.P沟道耗尽型MOS管D.N沟道增强型MOS管,8.图示是某场效应管的特性曲线。

据图可知，该管是_。

A.P沟耗尽型MOS管B.N沟道耗尽型MOS管C.P沟增强型MOS管D.N沟增强型MOS管,差模共模,0.021.99,直接零点漂移,对称,AUD和AUC抑制共模信号,好强大,UO/UID有用,UOC/UIC无用,单管电压增益零无穷大,两个两个四,双端输入双端输出单端输入双端输出双端输入单端输出单端输入单端输出,四、分析计算题双端输出差动放大电路如图所示，已知RC1=RC2=2K,RE=5.1K,两管的UBE=0.7V，=50，Rbe=2K，求：

（1）静态电流ICQ1、UCEQ；

（2）差模电压放大倍数AuD、RiD、ROD。

电压串联,并联电流,电压增大,电流减小,并联电压电流串联,225,三、判断题：

1.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）2.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。

（）3.在负反馈放大电路中放大器的放大倍数越大，闭环放大倍数就越稳定。

（）4.在负反馈放大电路中，在反馈系数较大的情况下，只有尽可能地增大开环放大信号，才能有效地提高闭环放大倍数。

（）5.在深度负反馈的条件下，闭环放大倍数AF1/F，它与负反馈有关。

而与放大器开环放大倍数A无关，故此可以省去放大通路，仅留下反馈网络，来获得稳定的放大倍数。

（）,6.在深度负反馈的条件下，由于闭环放大倍数AF1/F，与管子参数几乎无关，因此，可以任意选用晶体管来组成放大级，管子的参数也就没什么意义了。

（）7.负反馈只能改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路外无效。

（）8.若放大电路负载固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流负反馈。

（）9.电压负反馈可以稳定输出电压，流过负载的电流也就必然稳定。

因此电压负反馈和电流负反馈都可以稳定输出电流，在这一点上电压负反馈和电流负反馈没有区别。

（）,10.负反馈能减小放大电路的噪声，因此无论噪声是输入信号中混合的还是反馈环路内部产生的，都能使输出端的信噪比得到提高。

（）11.由于负反馈可展宽频带，所以只有负反馈足够深，就可以用低频管代替高频管组成放大电路来放大高频信号。

（）,四、分析判断题电路如图所示，判别下列反馈电路的交直流组态和极性。

交直流电压并联正反馈交直流电流并联负反馈,1.,直流电流串联负反馈交直流电压串联负反馈,2.,交直流电流串联正反馈交直流电压并联正反馈,3.,交流电压串联负反馈交直流电流串联正反馈,4.,交流电压串联负反馈交直流电流并联负反馈,5.,交直流电压串联负反馈交直流电流串联负反馈,6.,交直流电压并联负反馈交直流电压串联正反馈,7.,交直流电压并联负反馈交直流电流并联负反馈,8.,交直流电流串联负反馈交流电压并联正反馈,9.,交直流电压并联负反馈交流电流串联正反馈,10.,交直流电压并联负反馈交流电压并联负反馈,11.,第六章集成运算放大器基本应用电路,0,线性非线性,虚断虚短,4.下图中图为输入方式比例运算电路i1iF、uN0;图为输入方式比例运算电路i1iF、uN0。

a反相,b同相,5.单值电压比较器有个门限电压，迟滞电压比较器有个门限电压。

6.电压传输特性如图所示，参考电压是_V，输出电压是_V；输入信号加在_输入端。

7.迟滞电压比较器回差电压的大小与和有关。

2,1,10,2,反相,UTH1,UTH2,B,A,A,A,B,B,A,A,C,B,三、判断题：

1.运算电路中一般均引入负反馈。

（）2.在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

（）3.凡是集成运算放大器构成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念。

（）4.处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻需相等，才能防止输入偏置电流带来的运算误差。

（）5.在反相求和电路中，集成运放的反相输入为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之和。

（）,四、计算题,反相比例,双端输入方式,减法,电压跟随器,反相加法,15.,16.,单值电压比较,17.,单值电压比较,18.,uPuN,uNuP,-UO（sat）,+UO（sat）,迟滞电压比较,4V,-4V,6V,-6V,6V,4V,4V,4V,-6V,-4V,-4V,-4V,-4V,4V,-4V,6V,-6V,6V,0,6V,-6V,