第十章高级光刻工艺.docx
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第十章高级光刻工艺
第十章高级光刻工艺
概述
随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，还有芯片尺寸和器件密度的增加，这些都要求芯片制造工业尽可能地挖掘各种传统工艺的潜能和开发新的工艺技术。
本章主要介绍在亚微米级芯片制造工艺过程中遇到的一些问题和一些解决办法。
目的
完成本章后您将能够：
1.描述四种与曝光有关的效应，这四种效应都会引起光刻图形变形。
2.描绘双层光刻胶工艺的截面流程图。
3.描绘铜制程工艺的截面流程图。
4.列举两种平整化技术。
5.说出图像反转工艺的优点。
6.描述防反射涂层，对比增强涂层和光刻胶染色剂是怎样改进分辨率的。
7.识别光刻掩膜版的薄膜部分并能讲出它对光刻工艺的贡献。
特大规模/超大规模集成电路图形处理过程中存在的问题
对于中等规模、大规模和某些特大规模集成电路，在第八章和第九章中详细描述的十步单层光刻胶成像的基本工艺完全适用。
然而，随着特大规模/超大规模集成电路要求的特征图形尺寸越来越小，缺陷密度越来越低，这些基本光刻工艺已经明显显出力不能及。
在亚微米工艺时代，基本光刻工艺在0.3微米以下明显显示出它的局限性。
存在的问题主要包括光学曝光设备的物理局限，光刻胶分辨率的限制和许多与晶片表面有关的问题，比如晶片表面的反射现象，晶片表面的高低不平现象。
七十年代中期，人们普遍认为使用光学设备和光学光刻胶所能达到的最小分辨率为1.5微米。
这一预言使人们开始将更多的兴趣转移到X射线曝光系统和电子束曝光系统。
然而，随着许多对基本光学曝光工艺的改进和发展，使用光学曝光系统已能达到0.2微米的水平。
1
没有人能给将来的光刻要求有一个十分清晰的界定，但我们可以从SIA的半导体工业发展指南中看到一些端倪。
2图10.1例举了一些在2012年左右对光刻工艺的要求，其中大部分技术还未出现。
本章主要讲解一些光学光刻存在的问题和一些解决办法。
常见的光刻胶分辨率问题主要是由进入光刻胶的光波波阵面引起的。
通常我们只是简单地用直线和箭头表示光线，其实在光波波阵面中的放射线是由各种方向和各种能量的放射线组成的。
它们会引起“虚象”现象（aerialimage）。
3使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对“虚象”有很好的控制。
控制方法主要从三个方面入手：
光学系统分辨率，光刻胶分辨率和晶片表面问题。
第四方面是刻蚀图形定义问题。
生产年度
2001
2006
2012
线宽（纳米）
150
100
90
记忆量
1GB
16GB
64GB
Logic每平方厘米比特
380M
2.2B
17B
芯片尺寸－DRAM（平方毫米）
445
790
1580
最大连线水平
7
7-8
9
掩膜层
23
24-26
28
缺陷密度－DRAM（D/m）
875
490
250
芯片连接－I/O
1195
1970
3585
芯片直径（毫米）
300
300
450
图10.1SIA技术路线图预测（源自：
SemiconductorInternational,January1998）.
光学系统分辨率控制
用光刻胶解析出图形，这是一系列的光学，物理和化学现象的结果。
接下来的部分将向读者讲解一系列与之有关的参数，这些参数在纳米芯片时代需要很严格地控制和改进，以便达到分辨率的要求。
图10.2列举了通向亚微米芯片世界，系统和工艺的一般发展过程。
图10.2 光刻分辨率工艺路线图（源自：
SemiconductorInternational,February1993）
改进的曝光源
紫外光（UV）和深紫外光（DUV）。
曝光源的选择，主要是根据光刻胶的光谱响应范围和所需达到的特征图形尺寸决定的（参看“光刻胶曝光速度，灵敏度和曝光源”部分）。
大多数的光刻机使用高压汞灯作为曝光光源。
高压保证了对水银进行高层激荡时不会引起水银蒸发。
从汞灯出来的光按波长被分为几段。
一些光刻胶是为汞灯全光谱反应设计的，而另一些则是针对其某一特定波长设计的。
还有一些光刻胶是针对汞灯特殊的能量峰值设计的。
汞灯有三个能量峰值，它们对应的波长分别是：
365纳米，405纳米和436纳米。
这三个波长也被相应称为：
I线,H线,G线。
光刻机通常使用滤波器只让G线或I线通过。
I线光成为亚微米时代的首选曝光源。
I线的波长是365纳米（0.365微米），它和生产的0.35微米的产品尺寸接近。
在实际生产中，要想制作出比曝光波长小的图形是很难的。
将曝光光源的波长限制在很窄的范围内的好处是可以使光刻胶以很快的速度曝光，减少光在光刻胶中的散射。
窄波段曝光源限制了发生在光刻掩膜版透光/阻光边界的光刻胶部分曝光现象。
对于只对特定波长曝光的光刻胶来说，它的曝光时间很短，因为这些特殊波长处意味着汞灯特殊的高能量处。
光刻机和光刻胶的分辨能力主要是由曝光的波长决定的。
曝光的波长越短越窄，分辨率越高，这主要是由于光的衍射现象的存在（图10.3）。
波长越长，衍射现象越明显，它最终成为曝光系统分辨率的限制条件。
短波长同时携带更多的能量，这样也使曝光时间缩短，从而限制了因光的散射现象造成的分辨率不好的问题（图10.4）。
在汞灯的光谱中，紫外光的峰值能量波长分别为：
313纳米，254纳米。
它们分别被称为：
中紫外线和深紫外线。
我们可以使用普通的紫外光源，例如汞-氙灯,氙灯,氘灯，加上滤波器就可以得到中紫外和深紫外光了。
4
受激准分子激光器。
也有另外一种紫外光源，它就是受激准分子激光器。
以下的气体激光器和它们的发光波长为：
XeF（351nm）,XeCl（308nm）,RF（248nm）,AF（193纳米）。
5
图10.3减少光刻胶图形的衍射
图10.4光刻胶里的光散射现象
Resist光刻胶
Maskimage掩膜版图像
Resistimage光刻胶图像
聚焦离子束。
理论上讲，使用聚焦离子束曝光是可行的。
离子束散射少，这样可以产生更小尺寸的特征图形。
而且，离子的能量远远大于电子，这样可以缩短曝光时间。
然而，离子束曝光系统的研发却受到很多来自实际生产方面考虑的牵制，比如系统不稳定性等。
6
X射线。
对高分辨率的追求必然地使人们想到了两种非光学光源，X射线（图10.5）和电子束。
X射线是高能量光量子，它的波长只有4-50埃。
7因为衍射作用很小，这个波段可以将图形尺寸做到0.1微米的水平。
X射线光刻机使用1:
1的掩膜版。
通常曝光时间比较短，反射和散射现象降低到非常低的水平，几乎没有景深的问题。
X射线曝光的晶片只有很少量的来自附着在掩膜版上的尘埃和有机物的缺陷，因为X射线可以穿过它们。
在实际生产中，X射线光刻机遇到了很多困难，一个主要的问题来自用于曝光的掩膜版。
因为X射线会穿透传统的玻璃和铬制作的掩膜版，所以必须使用金来做阻挡层，或者其它的一些可以阻挡X射线的物质（参见“掩膜版”）。
图10.5X射线曝光系统
Pumpingport抽吸入口
RotatingAnode旋转极
ElectronGun电子枪
X-RayX射线
BerylliumWindow铍窗
Maskholder掩膜载体
Wafer晶圆
TableMotions桌面移动
Gasinlet气体入口
在研发X射线曝光设备的同时，X射线光刻胶的研发工作也在进行。
这项工作很复杂，因为没有一个标准的X射线源，同时X射线光刻胶要具有对X射线的高敏感性和对刻蚀工艺很良好的阻挡作用。
而光刻胶对X射线的高敏感性和对刻蚀工艺的阻挡作用这两个参数在实际生产中很难平衡。
另外一个障碍是1:
1曝光，因为X射线会破坏用来缩影的光学系统。
由于掩膜版尺寸的限制，只有步进式的光刻机才有实际使用价值。
X射线源包括标准X射线发光管，激光驱动源，同步激光发生器。
标准X射线发光管和激光驱动源是点光源，它们与传统的一个曝光系统一个光源相类似。
同步激光发生器是一台巨大而昂贵的设备，它可以将电子在轨道中加速。
被加速的电子发出X射线，这叫作同步加速器辐射。
随着X射线的旋转，它们从不同的端口射出并被导向许多光刻机中。
电子束。
电子束光刻是一门成熟的技术，它被用来制作高质量的掩膜版。
系统（图10.6）主要包括一束直径很小的电子束和一个控制电子束开关的抑制器组成。
曝光必须在真空中进行，以防止空气分子对电子束的干扰。
电子束通过一组静电板然后到达晶片或掩膜版。
这组静电板的作用是调节电子束方向（或加速），它们的功能和电视机的电子枪类似。
为保证电子束精确到达晶片或掩膜版，电子束光源，相应的机械装置和衬底都在真空环境中。
图10.6电子束曝光系统
ElectronBeam电子束
BeamOn-Offcontrol电子束开关控制
MagneticDeflection磁偏差
ElectrostaticDeflection静电偏差
CalibrationGrid校准格
ElectronDetector电子探测器
InterfaceDigitalandAnologCkts数字和模拟电路界面
Computer计算机
X-YtableX-Y载台
电子束光刻无需掩膜版。
因为不用掩膜版，一些由掩膜版引起的缺陷被去除了。
电子束开关和导向由计算机来控制，计算机中存着由CAD直接设计而来的晶片图形。
电子束被偏转系统导向到需要曝光的位置，然后电子束被打开，使相应的部位光刻胶曝光。
面积大一些的衬底被固定在X-Y载台上，载台连同衬底在电子束下移动直到全部曝光完毕。
这种方法被称为“直接书写式（directwriting）”。
光刻胶的曝光顺序分为光栅式和矩阵式（图10.7）。
光栅式是电子束从晶片一边扫描到另一边。
计算机控制方向和开关电子束。
它的缺点是费时，因为电子束要扫描整个晶片。
而矩阵式曝光，电子束直接移到需要曝光的地方，在每一个需要曝光的地方，曝出一个个小的矩形或长方形，用他们组成需要的图形。
图10.7电子束扫描方式。
（a）光栅式扫描（b）矢量式扫描
Beam电子束
因为没有了光刻掩膜版和光学系统的误差，电子束曝光的晶片有很好的对准和套准结果。
目前使用的电子束曝光系统，能得到0.25微米的分辨率。
9大规模使用电子束曝光系统存在速度和费用问题。
目前的电子束光刻机每班至多曝光十片六英寸的晶片，但每台设备却价值几百万美金。
之所以速度慢，其中一个因素是要在曝光反应室中产生和释放真空需要很长时间。
其它曝光问题
在第八章已针对图形分辨率和曝光光线波长的关系作了详细说明。
一般来讲，如果想要得到尺寸更小的图形，就需要使用波长更短的光源。
然而，这将导致景深的缩短。
在0.5微米以下的工艺中，从I线到深紫外线，由于景深的要求，我们不得不对系统做进一步改进，比如使用变焦镜头、环孔光线、离轴光线、周相移动掩膜版等。
还有，随着图形尺寸的变小和图形密度的增大，其它的一些光学效应也开始起作用。
以下我们针对这些问题和解决方案作一些阐述。
镜头的数值孔径（NA）。
在叉子的阴影实验中，距离作为一个影响分辨率的因素被引入。
在半导体的图形形成工艺中，有使用接触式/接近式光刻机的，掩膜版和晶片是接触的或接近的（参见“接触、接近式光刻机”）。
但特大规模和超大规模的主流产品是使用投影式光刻机的，光刻掩膜版和晶片是分开的。
投影光学系统有它自身独特的问题。
它的挑战来自将光刻掩膜版上的图形投射到晶片表面时，如何控制分辨率的损失和图形尺寸。
小尺寸的图形要求使用短波长的光线。
晶片上的最小尺寸是由投影光学系统的物理属性限定的。
其中一个是投影透镜的数值孔径（NA）。
数值孔径代表投影透镜的集光能力。
关系式为：
？
？
？
（288页公式）
其中σ=最小图形尺寸，k=常数（有时称为瑞雷常数），NA=透镜的数值孔径。
k（或在一些公式中为k1）是与透镜（或整个光学系统）的分辨临近图形的能力有关的常数。
由于衍射作用的存在，当两个图象接近到一定程度时，即使是最理想的透镜，也会使他们混淆不清。
k一般为0.5左右。
从公式中我们可以看出，通过减小波长或者是增加数值孔径，可以得到更小尺寸的图形。
使用深紫外线，X射线或电子束都是减小波长的办法。
然而，增加NA却有一定的限制，这是因为增加NA要牺牲景深这一参数。
在通常的摄影学中，当前景清晰而背景不清晰或正好相反时，我们知道这是景深问题。
在半导体光刻使用的波长范围内，即使是一微米的晶圆表面高度差就足以引起景深问题。
在晶片表面最高处和最低处都必须达到分辨率的要求和正确的尺寸。
增加NA，另一个牺牲是视野。
这同变焦镜头使用高倍放大率时的现象是一样的。
放大倍数越大，视野越小。
视野成为步进式光刻机的一个限制因素。
小视野需要更多的时间来完成整片晶片的曝光。
当更多的信息要印在晶片上时，所有上述技术问题变得十分复杂。
技术领头产品是动态随机存储器（DRAM），这个产品平均每三年更新一次，信息量变为原来的四倍。
随着图形尺寸的缩小，芯片尺寸的增加，器件的堆叠和更好的设计，至少三倍以上的信息（每平方厘米）要放在掩膜版上。
8这一趋势也迫使光刻机，特别是
步进式光刻机进一步发展，它包括透镜系统，曝光源，光刻胶和其它一些图形增强技术，比如光源的改进，周相移动掩膜版等（参见本章后面内容）。
这些技术的运用有效地降低了上面公式中的k。
可变数值孔径透镜。
NA这一参数是衡量透镜集光能力的。
它的对立参数是景深（DOF）。
一组透镜如果想有好的NA，那么它就得牺牲景深（参看第八章）。
不幸的是，高级的电路往往由许多层组成，高低不平的表面要求大的景深。
只拥有一个固定NA透镜的光刻机是很难适应这一要求的。
比较新的光刻机一般都具有可变数值孔径透镜，这样可以适应对景深的多样化需求。
离轴光线。
将曝光光线从垂轴移开一些可以阻止引起驻波的光干涉现象。
对比效应
当掩膜版上一条不透明的线条被周围大面积的透光图形包围的时候，很难达到好的分辨率。
因为大量的辐射光线将使晶片上相应的光刻胶线条变窄（图10.8），辐射光线来自线条边缘的衍射光。
这一现象称为临近效应。
图10.8临近效应
Radiation射线
Mask掩膜版
Resist光刻胶
Substrate底基
另一种对比效应称为景物反差（图10.9）。
当光线穿透掩膜版的不透光区或者一些来自晶片表面反射的光线到达光刻胶时，会发生这一现象。
它导致一些地方部分曝光，从而显影后留下一些变形的图形。
使用负胶时，后果更为严重。
图10.9景物反差
Lowcontrast低反差
Highcontrast高反差
Mask掩膜版
Resist光刻胶
Substrate底基
周相移动掩膜版（PSMs）
另一个衍射问题发生在当两个图形非常接近时。
在某一点，正常的衍射波开始接触叠加，导致该区域光刻胶不能正常曝光。
两个衍射波混在一起是因为它们的相位相同。
相位是一个描述波的名词，它与波峰波谷的相对位置有关（图10.10）。
（a）中的波是同相的，而（b）中的波是异相的。
一个解决衍射叠加的办法是将其中一个透光部分用透明物质覆盖，而这一透明物质可以改变波的相位，从而达到克服衍射叠加的目的（图10.11）。
基于以上原理而产生的交互周相移动掩膜版（或称交互狭缝周相移动掩膜版-AAPSM）就是将一层二氧化硅膜淀积在掩膜版上，然后将其中一部分移去，形成交替图形。
图形多为重复性阵列，比如存储器产品，交替盖住透光部分这一方法比较适用。
图10.10波的相位
Inphase在相位
Outofphase出相位
图10.11光强图形（a）没有相位移动（b）有相位移动（源自：
VLSIFbricationPrinciplesbyGhandhi）
Glass玻璃
Chrome铬
Phaseshifter周相移动
Mask掩膜
Wafer晶圆
另一种方法是周相移动涂层在掩膜版图形边缘的扩展使用。
这一工艺同样要在掩膜版上加涂二氧化硅层并完成其它所有掩膜版制作工艺步骤。
这一方法有一些变生方法，比如亚分辨率（图形外延）周相移动掩膜版和镶边周相移动掩膜版。
9
光学临近纠偏掩膜版（OPC）
我们知道在0.5微米以下工艺制成中，由于临近效应的存在，在掩膜版上完美的图形，在光刻胶上可能形成扭曲的图形。
OPC掩膜版试图在掩膜版上做出扭曲的图形，将它们曝光在光刻胶上时，却可以形成完美图形。
借助于计算机，对曝光工艺条件（对比效应）进行分析，然后设计掩膜版上的图形。
10
环孔照射
环孔照射（Annularringillumination）作为一种技术手段，首先是被PerkinElmer扫描投影光刻机采用的。
在解决分辨率这一问题上，均匀一致的光源是一个重要武器。
不幸的是，传统的光学曝光源产生的光斑太不均匀一致了。
然而，在这个光斑中，我们可以找到能量均匀一致的区域（比如环状区域）。
环孔光源挡去了大部分光，只透过环状的均匀一致的光照射在晶圆上。
掩膜版薄膜
投影光刻机的发展（投影对准机和曝光机）大大延长了掩膜版的使用寿命。
这也促进了高质量的掩膜版的发展。
在生产线上，掩膜版使用了很长一段时间以后，掩膜版上可能会有灰尘和划痕，从而造成晶圆的良品率降低。
掩膜版受损的一个原因可能来自它的清洁过程。
这是一个左右为难的尴尬境地，在清洗掩膜版的时候，造成掩膜版污损，清洗本身变成了污染，划痕和破损的来源。
解决这一问题的一个办法是掩膜版薄膜（图10.12）。
掩膜版薄膜（pellicle）是一层在框架上拉伸平铺的无色有机聚合物薄膜。
框架是专为掩膜版设计的。
掩膜版薄膜是在掩膜版制成或清洁后加盖上的。
薄膜加在掩膜版上后，环境中的微粒就会附着在薄膜表面。
薄膜与掩膜版之间的距离保证了微粒不会在掩膜版的焦平面上。
实际上，微粒对于曝光光源来说是透明的。
图10.12掩膜版薄膜
Particle微粒
Particleimageoutoffocus微粒图像不在焦点上
Particleimageprintedonwaferasperfect微粒图像成像在晶圆上
使用薄膜的另一个好处是由于掩膜版表面被薄膜覆盖，一定程度上防止了掩膜版划痕。
第三个好处是一旦覆盖上薄膜，掩膜版可以省去一些例行清洗。
在一些应用中，掩膜版薄膜还被加上防反射涂层。
这些好处可以促成晶圆良品率5%至30%的增加。
11（11）
掩膜版薄膜是用硝化纤维（NC）或醋酸纤维（AC）制成的。
宽频（340至460纳米）12曝光系统使用NC薄膜，而AC薄膜使用在中深紫外曝光系统中。
薄膜非常薄（厚度在0.8微米至2.5微米）而且必须有很高的透射率。
典型的薄膜具有99%以上透射率。
薄膜要想最好地发挥效力，必须严格控制厚度，一般在规定厚度的+/-800埃，同时微粒的直径要小于25微米。
薄膜是通过旋转浇涂技术制成的。
薄膜原料溶解在溶剂中，然后旋转涂在刚性衬底上，比如玻璃板。
这和晶圆涂胶工艺很类似。
薄膜厚度由溶液黏度和喷涂速度决定。
薄膜从衬底上取下被固定在框架上。
框架形状由掩膜版的形状和尺寸决定。
洁净室洁净度要求是10级或更好，同时要防静电包装。
晶圆表面问题
小图形的分辨率受晶圆表面的条件影响很大。
表面的反射率，表面地形差异，多层刻蚀等都要求特殊工艺或工艺微调。
光刻胶的光散射现象
除了入射光线被反射离晶圆表面，入射光线也会因发生漫反射而进入光刻胶引起图形定义不好。
漫射的程度与光刻胶的厚度成比例。
光刻胶里的一些辐射吸收染色剂也会增加漫射吸收量，因而降低分辨率。
光刻胶里的光反射现象
高强度的辐射线理想状况下应该是90度垂直晶圆照射，在这种理想情况下，光线在光刻胶中竖直上下反射，从而可以得到很好的图形（图10.13）。
但实际情况是，一些曝光光线总是与晶圆有一定的角度而使不应曝光的部分受到照射。
这种光刻胶里的反射率因晶圆表面物质和晶圆表面平整度变化而变化。
金属层，特别是铝和铝合金,具有很强的反射率。
淀积工艺的一个目标就是平整晶圆表面，已达到对这种反射的控制。
反射问题在表面有很多阶梯（也被称为复杂地形）的晶圆中尤为突出。
这些阶梯的侧面将入射光以一定角度反射入光刻胶里，引起图形分辨率不好。
其中一个独特的现象就是阶梯处发生光干涉现象从而引起阶梯处图形出现“凹口”（图10.14）。
图10.13光刻胶里的光反射
IncidentRadiation易于反射的射线
Substrate底基
Resist光刻胶
图10.14在图形阶梯处金属缺口。
（a）刻蚀前；（b）刻蚀后
防反射涂层
防反射涂层（ARCs）是在涂光刻胶之前在晶圆表面涂的一层物质用来帮助光刻胶成像（图10.15）。
防反射涂层对成像过程有几点帮助：
第一，平整晶圆表面，这样可以使光刻胶涂层更为平整；第二，防反射涂层切断了从晶圆表面反射的光线，这样有助于曝光更小尺寸的图形。
防反射涂层还能降低驻波效应和增强图形对比度，后者来自于防反射涂层增加了曝光宽容度。
图10.15防反射工艺步骤
1.防反射涂层涂在晶圆表面
2.防反射涂层烘焙
3.光刻胶涂层（1.25微米）
4.曝光
5.显影
UVlight紫外光
Resistfilm光刻胶薄膜
Surfacefilm表面薄膜
Heat热
Mask掩膜版
Developer显影剂
防反射涂层（ARCs）涂在晶圆表面以后先要经过烘焙，接着涂光刻胶，对准曝光。
然后光刻胶和防反射涂层一起被显影。
晶圆到达刻蚀工艺时，留在晶圆表面的防反射涂层和光刻胶一起作为刻蚀屏障。
有效的防反射涂层，它应与光刻胶有相同范围的透光性，而且对晶圆表面和光刻胶都应具有很好的粘附性。
另外还有两个要求，一个是防反射涂层的反射系数必须与光刻胶相同，另一个是防反射涂层必须使用和光刻胶相同的显影液和剥离液。
使用防反射涂层也会带来一些负面影响。
其中一个是需要增加额外的涂层工艺和烘焙工艺。
获得了好的分辨率，可能会使膜厚度和显影过程变得难控制，曝光时间也相应地增加了30%至50%。
防反射涂层也可以在三层光刻胶工艺中作为中间层或涂在光刻胶的上面（上涂防反射层=TAR）。
驻波
在“光刻胶里的光反射现象”中，我们提到理想的曝光状态应该是光线垂直照到晶圆表面上。
如果我们只考虑反射现象，上面这句话是对的，但实际上，垂直照射会引起另外一个问题，那就是驻波。
当光线从晶圆表面反射回光刻胶里时，反射光线会与入射光线发生相长干涉或相消干涉现象，从而形成能量变化区（图10.16）。
显影后，形成波纹侧墙。
有许多办法用来改善驻波问题，包括染色剂和防反射涂层。
大多数正胶工艺都在显影前加入曝光后烘（PEB）。
烘焙的目的是减少驻波对图形侧墙的影响。
图10.16驻波效应。
（a）曝光时；（b）显影后。
Standingwaves驻波
Resist光刻胶
Mask掩膜版
Subsurface下表面
平整化
电路通过图形密度的增加和工艺层数的增加升级到了超大规模的水平。
随着各种各样的工艺层被刻蚀成图形，晶圆表面变得高低不平。
这些高低不平的平面各自具有不同的反射性质。
在这样的表面条件下，使用简单的单层光刻胶工艺想达到亚微米图形（特别是0.5微米以下）的分辨率几乎不可能。
一个问题就是景深问题。
景深有限的镜头不能使高平面和低平面的图形同时得到很好的曝光。
另一个就是在阶梯处由光反射造成的金属图形凹口（图10.17）。
在表面地形复杂的晶圆上，目前有许多平整化技术被使用。
这些技术包括复层光刻胶工艺，工艺层平整化，回流技术，还有化学-机械研磨。
目前最受关注的是化学-机械研磨（CMP），通过它可以使用单层光刻胶便可以得到理想的图形。
然而，复层光刻胶工艺在这个工艺转变的时期还是很有用的。
图10.17图形阶梯处光反射
Mask掩膜版
Resist光刻胶
Metal金属
Subst
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