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扩散培训教材

扩散工艺培训

第一章扩散原理简介

1.1什么是扩散？

扩散的作用是什么？

有哪些机制？

扩散是一种由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程。

由于热运动，把原子从一个位置输运到另一个位置，使基体原子与杂质原子不断地相互混合，从而改变基片表面层的导电类型。

扩散是常规硅太阳电池工艺中，形成PN结的主要方法。

替位式扩散机构：

这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。

硼、磷、砷等是此种方式。

图1-1替位式扩散示意图

填隙式扩散机构：

这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。

镍、铁等重金属元素等是此种方式。

图1-2填隙式扩散示意图

1.2硅太阳电池主要的扩散杂质源：

硅太阳电池所用的主要的扩散杂质源有气态源、液态源、固态源等。

气态源-磷化氢PH3

磷化氢是无色、易燃、有剧毒的气体。

考虑到安全问题没有在硅太阳电池的扩散中被使用。

固态源-五氧化二磷P2O5

P2O5为固体，有很强的吸水性，作为杂质源操作在使用和保存时保持一定的状态是不可能的，用来扩散重复性差。

液态源-三氯氧磷POCL3

POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源，它是无色透明液体，具有刺激性气味。

如果纯度不高则呈红黄色。

其比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。

POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发，高温下蒸汽压很高。

为了保持蒸汽压的稳定，通常是把源瓶放在20℃的恒温箱中。

POCL3有巨毒，换源时应在抽风厨内进行，且不要在尚未倒掉旧源时就用水冲，这样易引起源瓶炸裂。

POCl3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下：

5POCl3=3PCl5+P2O5

生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：

2P2O5+5Si=5SiO2+4P

由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与其分解是不充分的，生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。

但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下：

4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2

生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气，在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：

4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2

POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散，反应式如前所示：

2P2O5+5Si=5SiO2+4P

POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大的结面积的太阳电池是非常重要的。

磷扩散装置如附图2-1所示，源瓶要严加密封，切勿让湿气进入源瓶，因为POCl3易吸水汽而变质，使扩散表面浓度上不去，其反应式如下：

2POCl3+3H2O=P2O5+6HCl

所以如果发现POCl3出现淡黄色时就不能再用了。

图2-1三氯氧磷扩散装置示意图

磷扩散的系统应保持清洁干燥，如果石英管内有水汽存在，就会使管内P2O5水解生成偏磷酸（HPO3），使扩散管炉口内出现白色沉积物和粘滞液体，粘滞液体的会在工艺运行进舟和出舟时滴落在硅片上，造成返工片，粘滞液体的吸附性还比较强，会吸附杂质，而对扩散管内的洁净度产生影响，因此，长时间扩散后对扩散管定期进行HF浸泡清洗。

1.3什么是PN结

PN结是太阳能电池的心脏。

需要强调指出，PN结是不能简单地用两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的。

要制造一个PN结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。

也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。

制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个区域中占优势（P型），而使施主杂质在半导体内的另外一个区域中占优势（N型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触。

我们制作太阳电池的硅片是P型的，也就是说在制造硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为P型硅片。

如果我们把这种硅片放在一个石英容器内，同时将含磷的气体通入这个石英容器内，并将此石英容器加热到一定的温度，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽，在硅片周围包围着许许多多的磷的分子。

我们用肉眼观察硅片时，认为硅片是密实的物体，实际上硅片也是像海绵一样充满着许多空隙，硅原子并不是排列得非常严实，它们的之间存在着很大的缝隙。

因此磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。

当硅晶体中掺入磷后，磷原子就以替代的方式占据着硅的位置。

理想晶体中原子的排列是很整齐的，然而在一定的温度下，构成晶体的这些原子都围绕着自己的平衡位置不停地振动，其中总有一些原子振动的比较厉害，可以具有足够高的能量，克服周围原子对它的作用，离开原来的位置跑到其它地方去，这样就在原来的位置上留下一个空位。

替位或扩散是指杂质原子进入晶体后，沿着晶格室位跳跃前进的一种扩散。

这种扩散机构的特征是杂质原子占据晶体内晶格格点的正常位置，不改变原材料的晶体结构。

在靠近硅晶片表面的薄层内扩散进去的磷原子最多，距表面愈远，磷原子愈少。

也就是说，杂质浓度（磷浓度）随着距硅表面距离的增加而减少。

从以上分析中我们可以看到，浓度差别的存在是产生扩散运动的必要条件，环境温度的高低则是决定扩散运动快慢的重要因素。

环境温度愈高，分子的运动越激烈，扩散过程进行得就越快。

当然，扩散时间也是扩散运动的重要因素，时间愈长，扩散浓度和深度也会增加。

硅晶片是P型的，如果扩散进去的磷原子浓度高于P型硅晶片原来受主杂质浓度，这就使得P型硅晶片靠近表面的薄层转变成为N型了。

由于愈靠近硅晶片表面，硼原子的浓度愈高，因此可以想象：

在距离表面为

的地方，那里扩散进去的磷原子浓度正好和硅晶体中原来的硼原子浓度相等。

在与表面距离小于

的薄层内，磷原子浓度高于原来硅晶片的硼原子浓度，因此这一层变成了N型硅半导体。

在与表面距离大于

的地方，由于原来硅晶片中的硼原子浓度大于扩散进去的磷原子浓度，因此仍为P型。

由此可见，在与表面距离

处，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是形成了PN结。

即为PN结的结深。

这样我们就可以利用杂质原子向半导体晶片内部扩散的方法，改变半导体晶片表面层的导电类型，从而形成P、N结，这就是用扩散法制造P-N结的基本原理。

1.4结深

对扩散的要求是获得适合于太阳电池pn结需要的结深和扩散层方块电阻，浅结死层小，电池短波响应好，而浅结引起串联电阻增加，只有提高栅电极的密度，才能有效提高电池的填充因子，这样，增加了工艺难度，结深太深，死层比较明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降，实际电池制作中，考虑到各个因素，太阳电池的结深一般控制在0.3～0.5m。

1.5恒定源扩散与恒量源扩散

固体中的扩散方程可写成下式：

（5-1）

式中的

表示杂质浓度，是坐标

和时间

的函数。

坐标

指杂质原子进入硅中的深度，即距离表面的距离，单位取厘米，时间

单位取秒，上式已假定D是一个常数。

事实上，扩散系数D是表征扩散速度的物理常数，随着固体的温度上升而变大，同时还受到杂质浓度、晶体结构等因素的影响。

在扩散过程中，硅片周围的杂质浓度恒定，不随时间而改变，硅片表面的杂质浓度Ns保持不变，始终等于源相中的杂质浓度，称这种情况为恒定源扩散，根据边界条件，（5-1）式的解为：

（5-2）

只要知道杂质在硅中的扩散系数D和表面浓度

，利用（5-2）式可作出该杂质在硅中的分布曲线，如图5-5所示，称这种分布为余误差分布。

图5-1余误差分布

根据（5-2）式，当距离

=

时，浓度为

。

如果浓度

等于基体晶片的掺杂浓度N0，此时的

即为PN结的深度，简称为结深

。

设表面浓度Ns=1020个/cm3，基体浓度N0=1016个/cm3代入（5-2）式得到

与D，t之间的关系为：

=5.4

（5-3）

（5-3）式中常数5.4随N0/Ns的比值而变化，近似计算时，N0/Ns=10-3-10-5内皆可采用上式。

在扩散前，用预扩散或沉积法，使硅片表面具有一定量的杂质源Q，整个扩散过程中不再加源，因而整个扩散过程中杂质源总量Q保持不变，随着扩散深度增加，表面浓度不断下降，称这种情况为恒量源扩散。

根据边界条件，（5-1）式的解为：

（5-4）

根据（5-4）式作出该杂质在硅中的分布曲线，如图5-6所示，称这种分布为高斯分布。

因为

处的掺杂浓度等于基体掺杂浓度，（5-4）式变为：

=

（5-5）

上式给出恒量源情况下

与D、t之间的关系。

图5-2高斯分布

实际扩散过程常介于上述两种分布之间，根据不同工艺或近似高斯分布或近似余误差分布。

常规太阳电池工艺中，因为扩散较浅，常采用余误差分布近似计算。

1.6方块电阻

在扩散工艺中，方块电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要标志之一。

对应于一对确定数值的结深和薄层电阻，扩散层的杂质分布就是确定的。

也就是说，把薄层电阻的测量同结深的测量结合起来，我们就能够了解到扩散入硅片内部杂质的具体分布。

深入了解薄层电阻的定义和测试方法，对我们控制扩散条件和提高产品质量具有十分现实的意义。

㈠薄层电阻的定义

扩散层的薄层电阻也称方块电阻，常用Rs或R□表示，所谓薄层电阻，就是表面为正方形的半导体薄层在电流方向（电流方向平等于正方形的边，见图6-1）所呈现的电阻。

我们知道金属导体的电阻公式R=ρl/s，R是电阻，ρ电阻率，s面积，l长度。

与之类似薄层电阻的大小应为：

Rs=ρl/l

=ρ/

，可见，薄层电阻的大小与薄层的平均电阻率成正比，与薄层的厚度成反比（一般电阻的大小与边长成正比），而与正方形的边长无关，其单位为欧姆。

为了表示薄层电阻不同于一般电阻，其单位常用[欧姆/方块]或[Ω/口]表示。

图6-1

㈡薄层电阻的物理定义

在半导体中，电阻率与杂质浓度之间关系为：

当我们对掺杂浓度取平均值时：

所以：

注意：

为单位表面积扩散薄层内的净杂质总量。

Rs的大小就直接反映了扩入硅片内部的净杂质总量的多少。

薄层电阻越小，表示扩入硅片的净杂质越多，反之，扩入的就越少。

还要注意的是：

不同的杂质分布和结深可获得同样的Rs，这是实际设计和工艺中常遇到的问题。

例如下图中的两个分布曲线，可获得同样的Rs。

图6-2

㈢扩散层薄层电阻的测试

硅片表面扩散层的薄层电阻可用四探针法测量。

测量装置如下图所示。

测量头是由彼此相距为s的钨丝探针组成，针尖要在同一平面同一直线上。

测量时，将探针压在硅片的表面，外面两根探针通电流I，测量中间两根探针间的电压V。

薄层电阻为：

，

图6-3四探针法测试薄层电阻原理图

C称做修正因子，其数值的大小除与样品形状和大小有关，还与样品是单层扩散还是双层扩散等因素有关。

1.7扩散温度与时间

扩散时的温度和时间是控制电池结深的主要因素，在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择高一些，可以缩短扩散时间，有利于生产。

对于浅扩散的情况，温度选择要适当，既不能使温度过高，使扩散时间过短，以致难于控制工艺，又不宜温度过低，而使扩散时间延长到不适当的地步，但是扩散的温度较高，这对结深和硅片的少子寿命影响比较大，导致转换效率大幅度降低，所以在制备晶体硅太阳电池还是要避免太高的扩散温度，我们现在的扩散温度一般控制在830-870度之间。

。

在一定的温度下，扩散时间与结深的关系如图7-1所示。

在恒定表面浓度扩散时，时间增加

，扩散进入硅中的杂质总量Q相应增加，结深增加了

。

在恒量表面杂质源扩散时，扩散进入硅中的杂质总量Q始终不变，扩散时间增加，表面浓度

下降，结深增加。

图7-1扩散时间对于结深的影响

1.8扩散温度和扩散时间对方块电阻的影响

根据恒定源扩散理论，扩散入硅片单位表面的杂质总量为：

（8-1）

根据方块电阻的定义：

（8-2）

式中

为单位面积扩散薄层内的净掺杂杂质总量，即

=

将式（8-1）代入式（8-2）得：

（8-3）

由于表面杂质浓度

、扩散系数D都是温度T的函数，所以只要调整扩散温度和扩散时间两个参数，就可得到确定的方块电阻值。

1.9方块电阻大小对电性能的影响

方块电阻偏低，扩散浓度大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降；

方块电阻偏高，扩散浓度低，则横向电阻高，使Rs上升；因此，实际电池制作中，考虑到各个因素，方块电阻控制在55～70/□。

1.10少子寿命

少子寿命是表征硅材料的重金属沾污及晶格缺陷的指标，少子寿命越高，重金属沾污及晶格缺陷程度越低，硅材料越好！

但不一定是最适合用于生产电池片的。

但是目前在实验室里面，各项指标都严格保证做到最佳，所做成的电池的效率能达到23%左右，这也是目前认为的硅太阳能电池的效率极限。

实际生产当中，体寿命大于10us的硅片生产的电池的转化效率主要集中在16%-18%左右，而且采用高寿命的硅片生产的电池效率的提高并不明显。

但是要提高硅材料的少子寿命的成本往往比较高。

所以从成本考虑，不是少子寿命越高越好！

少子寿命不过是表征造成少子寿命低的原因主要还是晶格陷造成的悬挂键增多实际上硅片过高的氧含量也会一定程度中和掉晶格中的悬挂键造成少子寿命虚高所以少子寿命高的不一定好，尤其是高到超出一定范围的，要注意可能是含氧高的片子但是少子寿命过低一般都是金属元素过高造成的高复合中心或者拉硅棒的过程中贪图利益造成的位错片还有一种利用锅底料、回收硅片的反掺片，也会造成少子寿命降低所以什么事情都要结合中国国情来谈，尤其是搞技术的，也许在国外少子寿命越高越好但是在中国就难说了

1.11扩散死层

扩散时P浓度呈阶梯分布，表面浓度较高，超过P在硅基上的最大固溶度，就会有部分P原子析出，不能作为施主杂质提供电子，反而会因为晶格失配、位错，成为复合中心，少子寿命极低。

对常规磷扩而言，硅片近表面O．05um围内杂质分布平坦，无浓度梯度，此即所谓“死层”。

“死层”是有电不活泼磷存在的结果，它也是短波光子被硅吸收的区域。

死层造成短波响应变差，若要提高电池的短波响应，就要设法减少杂质分布曲线平坦段的范围。

1.12吸杂

吸杂可分为外吸杂和内吸杂，内吸杂是利用硅中氧沉淀所产生的缺陷作为“陷阱”，以此捕获硅体内的杂志，从而表明形成一层“洁净”区域用于制备器件。

外吸杂是采用外部吸收方式，使金属杂质从活跃区域移动到不产生负面影响的区域。

太阳电池作为体器件，其吸杂只能使用外吸杂。

一般而言，吸杂的主要过程是：

（1）杂志的释放。

金属杂质在多晶体内的存在方式有间隙、替位态、沉淀和其他杂质的复合体，而这些形态中只有间隙态才是可以移动的，所以只有把其他形态的金属变为间隙态才可以被快速吸收。

（2）杂质的快速扩散。

这些已变为间隙态的金属杂质快速扩散，到达吸收点。

（3）杂质在预定的位置被捕获。

这些预定的吸杂位置可以是缺陷、空位或者固溶度增强的区域，而这些吸杂区域要对杂质原子具有更牢固的束缚能，所以这些吸杂的杂质不至于被再次释放。

磷吸杂是利用浓磷扩散形成扩散层，它的吸杂原理包括弛豫吸杂和分凝吸杂，分凝吸杂部分是由于费米能级效应和离子成对效应而形成的在重扩散层的增强溶解；弛豫吸杂部分是由重扩散形成的位错网络，同时由于硅扩散时形成过量的自间隙原子而导致金属杂质从替位位置移动到间隙位置，导致了扩散速度的增加，从而加速磷吸杂的完成。

从原则上讲，可以将晶体硅内的金属杂质浓度降到很低。

硅太阳电池通常是利用p型材料，然后进行磷扩散，在硅片表面形成一层高磷浓度的n型半导体层，构成p-n结。

而磷吸杂则是利用同样的技术，在制备p-n结之前，在850-900℃作用一段时间，利用三氯氧磷液态源，在硅片两面扩散高浓度的磷原子，产生磷硅玻璃（PSG），它含有大量的微缺陷，成为金属杂质的吸收点；在磷扩散的同时，金属原子也扩散并沉积在磷硅玻璃层中；然后通过HF酸等化学试剂，去除磷硅玻璃，并将其中的金属杂质一并去除。

1.13扩散小结

（1）由于硅太阳能电池实际生产中均采用P型硅片，因此需要形成N型层才能得到PN结，这通常是通过在高温条件下利用磷源扩散来实现的。

这种扩散工艺包括两个过程：

首先是硅片表面含磷薄膜层的沉积，然后是在含磷薄膜中的磷在高温条件下往P型硅里的扩散。

（2）在高温扩散炉里，汽相的POCL3（phosphorusoxychloride）或PBr3（phosphorustribromide）首先在表面形成P2O5（phosphoruspentoxide）;然后，其中的磷在高温作用下往硅片里扩散。

（3）扩散过程结束后，通常利用“四探针法”对其方块电阻进行测量以确定扩散到硅片里的磷的总量，对于丝网印刷太阳电池来说，方块电阻一般控制在40-50欧姆。

（4）发射结扩散通常被认为是太阳电池制作的关键的工艺步骤。

扩散太浓，会导致短路电流降低（特别是短波长光谱效应很差，当扩散过深时，该效应还会加剧）；扩散不足，会导致横向传输电阻过大，同样还会引起金属化时硅材料与丝网印刷电结之间的欧姆接触效果。

（5）导致少数载流子寿命低的原因还包括扩散源的纯度、扩散炉的清洁程度、进炉之前硅片的清洁程度甚至是在热扩散过程中硅片的应力等。

（6）扩散结的质量同样依赖于扩散工艺参数，如扩散的最高温度、处于最高温度的时间、升降温的快慢（直接影响硅片上的温度梯度所导致的应力和缺陷）。

当然，大量的研究表明，对于具有600mv左右开路电压的丝网印刷太阳电池，这种应力不会造成负面影响，实际上有利于多晶情况时的吸杂过程。

（7）发射结扩散的质量对太阳能电池电学性能的影响反映在串联电阻从而在填充因子上：

a.光生载流子在扩散形成的N-型发射区是多数载流子，在这些电子被金属电极收集之前需要经过横向传输，传输过程中的损失依赖于N-型发射区的横向电阻；b.正面丝网印刷金属电极与N-型发射区的电接触，为了避免形成SCHOTTKY势垒或其它接触电阻效应而得到良好的欧姆接触，要求N-型发射区的搀杂浓度要高。

（8）扩散结的深度同样也很关键，因为烧结后的金属电极要满足一定的机械强度，如果结太浅，烧结后金属会接近甚至到达结的位置，会导致结的短路。

（9）太阳光谱中，不同波长的光有不通的穿透深度，也就是说不同波长的光在硅材料里的不同深度被吸收。

波长越短的光在硅材料里的不同深度被吸收。

波长越短的光，越在靠近表面的区域被吸收。

在N-型区空穴是少数载流子，在P-型区电子是少数载流子，每个光子在吸收处产生一对电子空穴对，由于P-N结的内建场的作用，N-型区的空穴个P-型区的电子分别扩散到PN结附近然后被分离到另一侧成为多数载流子。

（10）因光子被吸收后所产生的电子和空穴（光生载流子）需要扩散一定的距离才能到达PN结附近，在这一扩散过程中，有些载流子载流子可能会因为复合而消失从而导致短路电流的降低。

通常，利用少数载流子寿命来对此复合损失加以描述。

由于硅材料对短波长的光（紫外光和蓝光）的吸收主要发生载表面附加区域，因此，考虑扩散结的要求时（扩散深度和结深），仅需要对短波长的光加以特别关注。

（11）要求一定的扩散浓度以确保因载流子横向传输所经过的电阻造成的损失较小。

由于搀杂浓度会极大地降低少数载流子的寿命，而结太深又会增加少数载流子在扩散到PN结地过程中的复合损失。

当横向薄层电阻低于100欧姆时，太阳电池表面会不可避免地存在以个区域，在该区域中由于光被吸收所产生地载流子会因为寿命太短而在扩散到PN结之前就被复合，从而对电池效率没有贡献，该特殊区域被成为“死层”。

（12）而实际上，丝网印刷太阳电池地横向薄层电阻通常在40-50欧姆，“死层”效应更严重。

不仅紫外光，即使太阳光谱中最高密度的绿光的贡献也会受到影响。

对于绿光，有大约10%的强度会在“死层”被吸收而失去贡献。

相比而言，波长较长的红光和红外光因主要在体内被吸收，所产生的光生载流子被收集的几率几乎不受扩散结的影响。

（13）需要指出的时，即使将薄层电阻升高到100欧姆，由于浓扩散导致的“死层”效应减少，但表面的复合仍然很严重，需要进行表面钝化。

因此，要制备高效太阳电池，需要同时满足淡搀杂和表面钝化两个条件。

（14）太阳电池的开路电压和短路电流与器件内部的复合息息相关。

复合越小，开路电压越高。

同时，复合情况也影响着饱和暗电流。

由于“死层”里的复合速率非常高，在表面和“死层”里所产生的光生载流子对短路电流和复合电流均没有贡献。

（15）由于丝网印刷太阳电池的表面扩散浓度较高，“死层”效应较严重，硅片本身的质量和背表面复合对开路电压的影响更严重。

第二章问题处理

2.1工艺问题处理

（1）故障：

扩散不到

诊断：

1.携带气体大氮气量太小，不能将源带到管前；2.炉门没关紧，有源被抽风抽走；3.管口抽风太大。

措施：

1.增大N2的携带流量；2.将炉门重新定位，确保石英门与石英管口紧贴合。

（2）故障：

方块电阻偏高

诊断：

1.扩散温度偏低；2.源量不够，不能足够掺杂；3.石英管饱和不够。

措施：

1.加大源量；2.延长扩散时间；3.通入足够量的小N2和O2。

（3）故障：

方块电阻偏低

诊断：

1.扩散温度偏高；2.源温较高于20度。

措施：

1.减少扩散温度；2.减少扩散时间。

（4）故障：

扩散后单片上电阻不均匀

诊断：

1.扩散气流不均匀；2.单片上源沉积不均匀。

措施：

1.调整扩散气流量；2.调整扩散片与片之间的距离。

（5）故障：

扩散后硅片上有色斑或者发紫

诊断：

1.清洗甩干时没有甩干；2.扩散过程中有偏磷酸滴落；3.氧化层过厚

措施：

1.调整甩干机工艺参数等；2.对扩散管定期做HF浸泡清洗。

3.检查有没有卡舟等状况导致氧化层过后。

2.2设备故障

（1）当出现以下图一显示问题时按照

（1）Service——Recovery——Handing，

（2）Mannul——Boat——Position——Setpoint——Minimum处理。

处理过程如下图二至图八所示。

图一

图二

图三

图四

图五

图六

图七

图八

（2）当出现如图九所示问题时，先将屏幕上方的“Auto～Hand”由“Auto”转到“Hand”，然后按下对话框中的“OK”确定。

对话框不再跳出后，关掉CMI软件，将“Hand”转回“Auto”，等待一会后重新双击桌面上的CMI图标，看启动的软件是否正常。

如果还不正常，就需要重新启动电脑。

如仍不能解决就需要请工程人员处理。

图九

第三章设备介绍

第二章操作界面介绍

2.1标题栏：

1.系统名称2.数据和时间3.centothern的标志和系统信息按钮

4.信息区的目前显示5.系统状态（下图）6.注册/注销按钮（下图）

7.消除警报8.备注9.附加信息