C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx

上传人:b****0 文档编号:9055606 上传时间:2023-05-16 格式:DOCX 页数:33 大小:220.23KB
下载 相关 举报
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第1页
第1页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第2页
第2页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第3页
第3页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第4页
第4页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第5页
第5页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第6页
第6页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第7页
第7页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第8页
第8页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第9页
第9页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第10页
第10页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第11页
第11页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第12页
第12页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第13页
第13页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第14页
第14页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第15页
第15页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第16页
第16页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第17页
第17页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第18页
第18页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第19页
第19页 / 共33页
C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx_第20页
第20页 / 共33页
亲,该文档总共33页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
下载资源
资源描述

C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx

《C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx(33页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。

C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格.docx

C552QW09123HSF制程DIPprofile量测规范及标准规格

MSIComputer(Shenzhen)Co.,Ltd.

恩斯邁電子(深圳)有限公司

文件申請單(C-0-6-0-QP0501-01)

 

類別﹕

█正式

□暫行

區別:

□新建

█變更

□作廢

申請日期:

2008

年8月30

文件名稱:

MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

版本:

8.0

單位(部門)主管:

蔡輝展09051606

申請部門:

新技術整合課

文件編號:

C-5-5-2-QW09123

生效日期:

2008年09月20日

內容:

規范MSIHSF制程DIPprofile量測

 

申請人:

程釗鋒09051530

 

B

B

A

T

5

營中

業系

人公

A

N

S

C

技測

樣備

2

術試

退

稽運央法安

管業研資品

平統

力共

N產3

E

品資

管部

板體

0

整技

核管關務全

理務發材保

台產

資事

採銷資

試源

確門

產產

合術

室理務室衛

處處處處處

產品

源務

產整

室室

品處

部部

部合

 

發文

數量

繳回

數量

 

商造

發文

邱數量

繳回

數量

 

 

張王張

林林陳

李吳朱

維秀志

龍龍文

和俊文

鈞蘭源

吉吉欽

明瑤玲

蔡邱林

輝偉德

展倫修

 

核准發行:

蔡輝展09051606

 

2008.1.28Ver:

5.0

MSIComputer(Shenzhen)Co.,Ltd.

恩斯邁電子(深圳)有限公司

文件履歷表(C-0-6-0-QP0501-02)

 

版次

更內容

生效日期

1.0

新增

2004.10.12

2.0

修改

修改第二頁

5.2.2.2&5.2.2.8

2005.01.17

刪除第四頁附件

修改5.2.2.5

 

3.0新增

 

4.0修改

 

5.0修改新增

 

6.0修改

 

7.0修改新增

 

8.0新增

新增5.3WaveSolder校驗,4.5.6

2005.05.18

頁表格

修改第一頁

5.1.1.2.1.d項.第2頁

2005.12.03

5.2.2.5項;修改第

5頁表格

新增第二頁

5.2.3項;新增錫銅

2006.11.07

焊錫規格

將全文RoHS字樣,修改為HSF,版

2006.12.30

本統一升級為6.0

刪除第2頁5.2中,各profile規格中

2007.10.15

的flux型號和錫棒廠商/型號

增加第3頁5.2.4中,profile制作注意

事項

修改P25.1.1.2.3測溫點的選擇(for

M/B)

2.2g

修改

P3

5.2.3.7浸錫面焊錫點之最高

溫度為:

227℃-270℃

增加P45.5

Goldenprofile的建立

2008.9.20

增加P45.6

WI參數說明

 

頁數1234567

 

版序6.08.08.08.06.06.06.0

 

頁數

 

版序

2005.10.17Ver:

1.0

標準作業指導書

恩斯邁電子

MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

生效日期

2006年12月30日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

6.0

頁次

1

1.0目的

1.1

建立MSIHSF錫爐profile的標准規格,作為profile量測人員的參考依據。

1.2

規范MSIHSF錫爐profile的量測方法,以確保MSIHSF錫爐的焊錫品質。

2.0範圍

MSIHSF制程DIP段profile

 

3.0組織與權責

制造部各課,錫爐作業人員及錫爐profile測試人員

 

4.0流程圖

 

5.0作業內容、規定、注意事項

5.1MSIHSF制程DIPprofile量測規范

5.1.1MSIHSF制程DIPprofile測試板的制作

5.1.1.1所需材料

 

a.PCB板b.熱偶線d.銀膠

注:

不可使用高溫錫絲來固定測溫線(因為高溫錫絲含鉛量過高)。

5.1.1.2.1測溫點的選擇(forcard):

a.BGA本體之中心位置(若有多顆BGA則選最大的一顆;如果沒有BGA,則選不小於48pinIC

或100pinQFP零件之焊點);

a.BGA(最大顆)邊緣之錫球上(如無BGA可取消此點);

b.BGA邊最小電容之焊點(如無BGA可取不小于48pinIC零件或100pinQFP零件);

c.3/4通孔處(測溫頭要連接主要DIPconnectorPTH橫切面的75%處);

e.DIP零件VGA、COM或USB接口之Throughhole通孔焊點(錫面露線頭);

f.PCB板面(此profile量測點頇布置在載具未覆蓋區域的上表面)。

注:

如PCB板上無BGA零件、沒有大於或等於48pinIC與100pin的QFP零件,此機种可取消profile制作(但必頇測量板溫)。

 

5.1.1.2.2測溫點圖示

 

BGA本體之中心及其邊緣之錫球最小電容之焊接點IC之焊接點

 

DIP零件Throughhole焊接點PCB板面

 

錫面露出的測溫線在5mm以內

 

標準作業指導書

主題MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

類編號C-5-5-2-QW09123修訂版序

 

生效日期

8.0

 

恩斯邁電子

2007年10月15日

次2

 

5.1.1.2.3測溫點的選擇(forM/B):

a.PCA之北橋BGA本體之中心位置(若有多顆BGA,則選擇最大顆BGA);

b.PCA之北橋(最大顆)BGA邊緣之錫球上;

c.PCA之板上最小電容零件之焊接點;

d.PCADIMM槽下之焊接點;

e.PCA之南橋BGA本體之中心位置;

f.PCA板面(此Profile量測點頇布置在載具未覆蓋區域的上表面)。

注:

1.如Bottomside有MOS或有大於或等於100pinQFP零件和48pinIC零件時需用其中一點取代

 

C項(按順

 

序:

MOS→QFP→IC);

2.2.DELL特別要求:

c點改為北橋BGA邊緣與b點對角之錫球上。

g.DIP最小電容錫面零件腳

5.1.1.2.4測溫點圖示(forM/B)

 

北橋(BGA)本體中心、邊綠

 

南橋(BGA)本體中心

 

DIMM

 

槽下之焊接點

 

錫球與電容之焊點

5.1.1.2.5測溫點的選擇(forHP)

(a).小BGA中心錫球;

(b).小BGA角落錫球;

(c).大BGA中心錫球;

(d).大BGA角落錫球;

(e).DIMM槽中間或邊緣SMTChip零件;

(f).接口類零件錫面零件腳;

(g).DIMM槽或PCI錫面零件腳;

(h).DIP最小電容錫面零件腳;

5.1.2MSIHSF制程DIPprofile的量測步驟:

1.按要求制作profile測試板;

2.按規定之spec設定錫爐參數;

3.用實板調整軌道寬度(鏈條速度為零時才能調整);

4.待鏈速及錫波穩定後測量錫波高度,並用測溫儀測錫溫,看其是否滿足spec;

5.將測溫線接頭依編號分別接上Datapaq上,將Datapaq置於隔熱盒內,並將隔熱盒放於一載具上;

6.在確定所有參數無誤後,方可以進行測試。

5.2MSIHSF制程DIPprofile規格:

5.2.1forNEC(MSIHSF)

5.2.1.1室溫至105℃溫升斜率<4℃/sec

5.2.1.2吃錫時間(平流波+擾流波):

5+/-0.5sec

5.2.1.3PCB上表面預熱溫度100℃-120℃

5.2.1.4BGAsolderball溫度<170℃

5.2.1.5零件面之峰值溫度<160℃

5.2.1.6錫溫255+/-5℃

5.2.1.7浸錫面焊錫點之最高溫度221℃-260℃

5.2.1.8120℃

5.2.2for錫銀銅(MSIHSF)(如DELL)

5.2.2.1室溫至105℃溫升斜率<4℃/sec

標準作業指導書

恩斯邁電子

MSIHSF制程DIPprofile量測規范及標准規格

生效日期

2007年10月15日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

8.0

頁次

3

5.2.2.2吃錫時間2.5-5sec

5.2.2.3

PCB上表面預熱溫度80℃-100℃(DELL機種85℃~100℃)

5.2.2.4

BGAsolderball溫度<170℃

5.2.2.5零件面之峰值溫度<190℃

5.2.2.6錫溫260+/-5℃

5.2.2.7浸錫面焊錫點之最高溫度221℃-260℃

5.2.2.8120℃

5.2.3for錫銅(

MSI

)(如HP)

HSF

5.2.3.1室溫至105℃溫升斜率<4℃/sec

5.2.3.2吃錫時間2.5-5sec

5.2.3.3

BGAsolderball溫度<170℃

5.2.3.4零件面之峰值溫度<190℃

5.2.3.5PCB上表面預熱溫度100℃-120℃

5.2.3.6錫溫270+/-2℃

5.2.3.7浸錫面焊錫點之最高溫度為:

227℃-270℃

5.2.3.8120℃

5.2.4注意事項

5.2.4.1DIPProfile板上的測溫點銀膠量,剛好蓋住測溫點即可;

5.2.4.2DIPProfile板,背面測溫點的熱偶線必須由正面打孔穿過,且打孔位置與測溫點距離在

5mm以內;

Profile板放在相應的載具上時,測溫線不可被載具和板壓住

5.2.4.3量測profile時,不可將裝有Datapaq測溫器的隔熱盒直接置於

profile板之上進行量測,應准備

一個空過錫爐載具,隨profile板之後進爐,而隔熱盒應放置於此空載具之上進行

profile量測。

5.2.4.4生產異常時重新量測profile,若profile不合格時.需重新設定參數並將其更改參數填入錫爐操作參

數設定作業標準變更記錄表{參考錫爐操作參數設定作業標準變更記錄(C-5-1-2-QW0902-07)},

並再次量測profile(變更的參數必頇在

SOP的范圍內)。

5.2.4.5參數變更由錫爐操作員或錫爐領班變更並作記綠,由

ME人員確認。

5.3WaveSolder校驗(按客戶要求)

5.3.1使用測溫板如圖示,材質:

FR4(測溫板粘貼部分)(每次測試

200次頇要進行更換載具上的

FR4材質)

測溫線

FR4

5.3.2MSIHSF制程WaveSolder參數設定如下:

WS-350PC參數設定:

預熱一:

340℃.預熱二:

360℃.預熱三:

380℃.錫溫:

260℃.

鏈速:

100cm/min.LambadaWave:

25Hz.

CP-2002

參數設定:

預熱一.350℃.預熱二.370℃.預熱三.390℃.錫溫.260℃.

鏈速:

100cm/min.LambadaWave:

600rpm.

CP-2000

參數設定:

預熱一.350℃.預熱二.370℃.預熱三.390℃.錫溫.260℃.

鏈速:

100cm/min.LambadaWave:

450rpm.

5.3.3按上面的機台型號,設定固定參數,測試出25組數據統計分析建立校驗profile:

上下規格范圍

(中心值±3倍標准差),做出上下線作為校驗標准(用透明片制作),錫爐校驗profile(Calibrateprofile)統計

分析表(C-5-5-2-QW09123-01)

5.3.4每月月保養後(24-28日)由錫爐維護員用校驗板測試一次profile並與校驗profile規格作比較,檢查測出的校驗profile是否在校驗標准profile的規格內,對測試過的Profile要進行保存,填寫錫爐校

驗Profile測試紀錄表(C-5-5-2-QW09123-02),機台大保養後也頇要對其作校驗,以確保機台的溫度穩定。

5.3.5如果測出的校驗profile與其標准校驗profile的規格不符時,應檢查profile板是否完好,如無問

題,再重測profile,檢查是否符合規格並作紀錄。

如仍然不符合應請設備工程師處理(如檢查加

熱管道,溫度感應器⋯⋯有必要頇要請應商協助處理),等故障排除後再次測量profile,符合規

格後方可生產。

5.4工程profilewindow建立(按客戶要求):

標準作業指導書

恩斯邁電子

MSIHSF制程DIPProfile量測規范及標准規格

生效日期

2006年12

月30日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

8.0

頁次

4

5.4.3如果測出的產品profile與工程profilewindow規格不符時,應先檢查profile是否在spec以內,profile板是否完好,並重測次profile,如還不符應反應ME工程師進行分析處理(確認機台和測溫板無異常).確認OK後方可生產。

5.4.1工程profilewindow的建立:

依據“5.2MSIHSF制程DIPprofile規格”做出的profilewindow(profilewindow頇用透明片制作,以便於對比)。

 

5.4.2工程profilewindow建立後要與每日量測的產品profile作對比,以確認產品profile在profilewindow的規格范圍之內,對測試過的profile要進行保存.並填寫錫爐產品profile確認紀錄表

(C-5-5-2-QW09123-03)。

5.5Goldenprofile的建立(forM/B-DELL):

5.5.1每個機種均需要保留工程sample板。

5.5.2需把第一次調試OK的溫度profile圖用菲琳片打印出來並保存。

5.6WI參數說明

5.6.1參數包括通用參數和可變參數(通用參數:

sop有定義其設定標准;可變參數:

根據實際制程進行設定的參數)

5.6.2可變參數位於WI的參數設置表格中,通用參數位於WI注意事項中。

6.0參考文件、附件及編號

6.1CP-2002錫爐作業管理規范(C-5-1-5-QW0948)

6.2錫爐校驗Profile統計分析表(C-5-5-2-QW09123-01)

6.3錫爐校驗Profile測試紀錄表(C-5-5-2-QW09123-02)

6.4錫爐產品Profile確認紀錄表(C-5-5-2-QW09123-03)

標準作業指導書

恩斯邁電子

MSIHSF制程DIPProfile量測規范及標准規格

生效日期

2006年12

月30日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

6.0

頁次

5

MSIComputer(Shenzhen)Co.,Ltd.

恩斯邁電子(深圳)有限公司

錫爐校驗Profile統計分析表

C-5-5-2-QW09123-01

線別:

機台編號:

次數

樣本

備注

1

X1

填寫管控數據,如最高溫度.升溫斜率..

2

X2

升溫時間等參數。

3

X3

4X4

 

5X5

 

6X6

 

7X7

 

8X8

9X9

10X10

 

11X11

 

12X12

⋯⋯⋯⋯

 

求和ΣX

平均值X

標准差δ

上限

建立

中心線

規格

下限

說明:

數據之統計必頇來源于實際量測的Profile之真實數值。

標準作業指導書

恩斯邁電子

MSIHSF制程DIPProfile量測規范及標准規格

生效日期

2006年12月30日

分類編號

C-5-5-2-QW09123

修訂版序

6.0

頁次

6

MSIC

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 高中教育 > 小学教育

copyright@ 2008-2023 冰点文库 网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备19020893号-2