电容总体分类.docx

电容总体分类.docx

《电容总体分类.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电容总体分类.docx（15页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。

电容总体分类

电容的种类和用途              

电容

二、电容器的分类

1、按照结构分三大类：

固定电容器、可变电容器和微调电容器。

2、按电解质分类有：

有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。

3、按用途分有：

高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。

4、频旁路：

陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。

5、低频旁路：

纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。

6、滤波：

铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。

7、调谐：

陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。

8、高频耦合：

陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。

9、低耦合：

纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。

10、小型电容：

金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

三、常用电容器

1、铝电解电容器（CD）

用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量：

0.47--10000u

额定电压：

6.3--450V

主要特点：

体积小，容量大，损耗大，漏电大

应用：

电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

2、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）

用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

电容量：

0.1--1000u

额定电压：

6.3--125V

主要特点：

损耗、漏电小于铝电解电容

应用：

在要求高的电路中代替铝电解电容

3、薄膜电容器

结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。

a聚酯（涤纶）电容（CL）

电容量：

40p--4u

额定电压：

63--630V

主要特点：

小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差

应用：

对稳定性和损耗要求不高的低频电路

b聚苯乙烯电容（CB）

电容量：

10p--1u

额定电压：

100V--30KV

主要特点：

稳定，低损耗，体积较大

应用：

对稳定性和损耗要求较高的电路

c聚丙烯电容（CBB）

电容量：

1000p--10u

额定电压：

63--2000V

主要特点：

性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差

应用：

代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

4、瓷介电容器

穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。

引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。

a高频瓷介电容（CC）

电容量：

1--6800p

额定电压：

63--500V

主要特点：

高频损耗小，稳定性好

应用：

高频电路

b低频瓷介电容（CT）

电容量：

10p--4.7u

额定电压：

50V--100V

主要特点：

体积小，价廉，损耗大，稳定性差

应用：

要求不高的低频电路

5、独石电容器

      （多层陶瓷电容器）在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

容量范围：

0.5PF--1UF

耐压：

二倍额定电压。

电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。

应用范围：

广泛应用于电子精密仪器。

各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

6、纸质电容器

一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。

制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量　

一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。

油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路。

7、微调电容器

电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。

瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。

云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。

线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用。

2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.

当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。

电容的时间常数：

为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。

各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

五、电容器容量标示

1、直标法

用数字和单位符号直接标出。

如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。

2、文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。

如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF,2u2表示2.2uF.

3、色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。

电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符号：

+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。

用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF

一、电容器的型号命名方法

国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。

依次分别代表名称、材料、分类和序号。

第一部分：

名称，用字母表示，电容器用C。

第二部分：

材料，用字母表示。

第三部分：

分类，一般用数字表示，个别用字母表示。

第四部分：

序号，用数字表示。

用字母表示产品的材料：

A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

a空气介质可变电容器

可变电容量：

100--1500p

主要特点：

损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等

应用：

电子仪器，广播电视设备等

b薄膜介质可变电容器

可变电容量：

15--550p

主要特点：

体积小，重量轻；损耗比空气介质的大

应用：

通讯，广播接收机等

c薄膜介质微调电容器

可变电容量：

1--29p

主要特点：

损耗较大，体积小

应用：

收录机，电子仪器等电路作电路补偿

d陶瓷介质微调电容器

可变电容量：

0.3--22p

主要特点：

损耗较小，体积较小

应用：

精密调谐的高频振荡回路

8、陶瓷电容器

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高频瓷介电容器适用于高频电路。

9、玻璃釉电容器（CI）

由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008

电容量：

10p--0.1u

额定电压：

63--400V

主要特点：

稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）

应用：

脉冲、耦合、旁路等电路

四、电容器主要特性参数

1、标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系：

00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取

电子元件的封装

大的来说,元件有插装和贴装.

1．BGA球栅阵列封装

2．CSP芯片缩放式封装

3．COB板上芯片贴装

4．COC瓷质基板上芯片贴装

5．MCM多芯片模型贴装

6．LCC无引线片式载体

7．CFP陶瓷扁平封装

8．PQFP塑料四边引线封装

9．SOJ塑料J形线封装

10．SOP小外形外壳封装

11．TQFP扁平簿片方形封装

12．TSOP微型簿片式封装

13．CBGA陶瓷焊球阵列封装

14．CPGA陶瓷针栅阵列封装

15．CQFP陶瓷四边引线扁平

16．CERDIP陶瓷熔封双列

17．PBGA塑料焊球阵列封装

18．SSOP窄间距小外型塑封

19．WLCSP晶圆片级芯片规模封装

20．FCOB板上倒装片

零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。

是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。

像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。

电阻AXIAL

无极性电容RAD

电解电容RB-

电位器VR

二极管DIODE

三极管TO

电源稳压块78和79系列TO－126H和TO-126V

场效应管和三极管一样

整流桥D－44D－37D－46

单排多针插座CONSIP

双列直插元件DIP

晶振XTAL1

电阻：

RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列

无极性电容：

cap;封装属性为RAD-0.1到rad-0.4

电解电容：

electroi;封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0

电位器：

pot1,pot2；封装属性为vr-1到vr-5

二极管：

封装属性为diode-0.4（小功率）diode-0.7（大功率）

三极管：

常见的封装属性为to-18（普通三极管）to-22（大功率三极管）to-3（大功率达林顿管）

电源稳压块有78和79系列；78系列如7805，7812，7820等

79系列有7905，7912，7920等

常见的封装属性有to126h和to126v

整流桥：

BRIDGE1,BRIDGE2:

封装属性为D系列（D-44，D-37，D-46）

电阻：

AXIAL0.3-AXIAL0.7其中0.4-0.7指电阻的长度，一般用AXIAL0.4

瓷片电容：

RAD0.1-RAD0.3。

其中0.1-0.3指电容大小，一般用RAD0.1

电解电容：

RB.1/.2-RB.4/.8其中.1/.2-.4/.8指电容大小。

一般<100uF用RB.1/.2,100uF-470uF用RB.2/.4,>470uF用RB.3/.6

二极管：

DIODE0.4-DIODE0.7其中0.4-0.7指二极管长短，一般用DIODE0.4

发光二极管：

RB.1/.2

集成块：

DIP8-DIP40,其中8－40指有多少脚，8脚的就是DIP8

贴片电阻：

0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系但封装尺寸与功率有关  

02011/20W

04021/16W

06031/10W

08051/8W

12061/4W

电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:

0402=1.0x0.5

0603=1.6x0.8

0805=2.0x1.2

1206=3.2x1.6

1210=3.2x2.5

1812=4.5x3.2

2225=5.6x6.5

关于零件封装我们在前面说过，除了DEVICE。

LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：

以晶体管为例说明一下：

晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。

LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。

还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES1和RES2，不管它是100Ω还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W和甚至1/2W的电阻，都可以用AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。

现将常用的元件封装整理如下：

电阻类及无极性双端元件AXIAL0.3-AXIAL1.0

无极性电容RAD0.1-RAD0.4

有极性电容RB.2/.4-RB.5/1.0

二极管DIODE0.4及DIODE0.7

石英晶体振荡器XTAL1

晶体管、FET、UJTTO-xxx（TO-3,TO-5）

可变电阻（POT1、POT2）VR1-VR5

    当然，我们也可以打开C:

\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封装。

这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3可拆成AXIAL和0.3，AXIAL翻译成中文就是轴状的，0.3则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。

同样的，对于无极性的电容RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。

对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。

对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。

SIPxx就是单排的封装。

等等。

    值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。

例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1脚为E（发射极），而2脚有可能是B极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。

因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。

Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。

在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、W、及2，所产生的网络表，就是1、2和W，在PCB电路板中，焊盘就是1，2，3。

当电路中有这两种元件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶体管管脚改为1，2，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的1，2，3即可。

CDIP-----CeramicDualIn-LinePackage

CLCC-----CeramicLeadedChipCarrier

CQFP-----CeramicQuadFlatPack

DIP-----DualIn-LinePackage

LQFP-----Low-ProfileQuadFlatPack

MAPBGA------MoldArrayProcessBallGridArray

PBGA-----PlasticBallGridArray

PLCC-----PlasticLeadedChipCarrier

PQFP-----PlasticQuadFlatPack

QFP-----QuadFlatPack

SDIP-----ShrinkDualIn-LinePackage

SOIC-----SmallOutlineIntegratedPackage

SSOP-----ShrinkSmallOutlinePackage

DIP-----DualIn-LinePackage-----双列直插式封装。

插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。

DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。

PLCC-----PlasticLeadedChipCarrier-----PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。

PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。

PQFP-----PlasticQuadFlatPackage-----PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。

SOP-----SmallOutlinePackage------1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装（SOP）。

以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。

常见的封装材料有：

塑料、陶瓷、玻璃、金属等，现在基本采用塑料封装。

　　按封装形式分：

普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。

　　按封装体积大小排列分：

最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。

　　两引脚之间的间距分：

普通标准型塑料封装，双列、单列直插式一般多为2.54±0.25mm，其次有2mm（多见于单列直插式）、1.778±0.25mm（多见于缩型双列直插式）、1.5±0.25mm，或1.27±0.25mm（多见于单列附散热片或单列V型）、1.27±0.25mm（多见于双列扁平封装）、1±0.15mm（多见于双列或四列扁平封装）、0.8±0.05～0.15mm（多见于四列扁平封装）、0.65±0.03mm（多见于四列扁平封装）。

　　双列直插式两列引脚之间的宽度分：

一般有7.4～7.62mm、10.16mm、12.7mm、15.24mm等数种。

　　双列扁平封装两列之间的宽度分（包括引线长度：

一般有6～6.5±mm、7.6mm、10.5～10.65mm等。

　　四列扁平封装40引脚以上的长×宽一般有：

10×10mm（不计引线长度）、13.6×13.6±0.4mm（包括引线长度）、20.6×20.6±0.4mm（包括引线长度）、8.45×8.45±0.5mm（不计引线长度）、14×14±0.15mm（不计引线长度）等。

插入式封装

引脚插入式封装（Through-HoleMount）。

此封装形式有引脚出来，并将引脚直接插入印刷电路板（PWB）中，再由浸锡法进行波峰焊接，以实现电路连接和机械固定。

由于引脚直径和间距都不能太细，故印刷电路板上的通孔直径，间距乃至布线都不能太细，而且它只用到印刷电路板的一面，从而难以实现高密度封装。

它又可分为引脚在一端的封装（Singleended），引脚在两端的封装（Doubleended）禾口弓I胜9矩正封装（PinGridArray）。

引脚在一端的封装（Singleended）又可分为三极管封装和单列直插式封装（SingleIn-linePackage）。

引脚在两端的封装（Doubleended）又可分为双列直插式封装，Z形双列直插式封装和收缩型双列直插式封装等。

双列直插式封装（DIP：

DualIn-linePackage）。

它是20世纪70年代的封装形式，首先是陶瓷多层板作载体的封装问世，后来Motorola和Fairchild开发出塑料封装。

绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。

DIP封装的芯片有两排引脚，分布于两侧，且成直线平行布置，引脚直径和间距为2．54mm（100mil），需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。

当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。

此封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。

此封装具有以下特点：

（1）适合在印刷电路板（PCB）上穿孔焊接，操作方便；

（2）芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大；（3）除其外形尺寸及引脚数之外，并无其它特殊要求，但由于引脚直径和间距都不能太细，故：

PWB上通孔直径、间距以及布线间距都不能太细，故此种PKG难以实现高密度封装，且每年都在衰退。

（ZigzagIn-linePackage）与DIP并无实质上的区别，只是引脚呈Z状排列，其目的是为了增加引脚的数量，而引脚的间距仍为2.54mm。

陶瓷Z形双列直插式封装CZIP（CeramicZag-ZagPackage）它与ZIP外形一样，只是用陶瓷材料封装。

收缩型双列直插式封装（SKDIP：

ShrinkDualIn-linePackage）形状与DIP相同，但引脚中心距为1.778mm（70mil）小于DIP（2.54mm），引脚数一般不超过100，材料有陶瓷和塑料两种。

引脚矩正封装（PinGridArray）。

它是在DIP的基础上，为适应高速度，