05第五节计算机硬件内存 3.docx

1、05第五节计算机硬件内存 3第五节、计算机内部硬件内存一、内存条的简介计算机的存储器由两大部份组成内存和外存 ，外存主要有硬盘、光盘等。计算机硬盘(或者是软盘和CDROM)就像是个文件柜，桌面就相当于电脑的内存，桌面越大，可以摆放的文件数量就越多，使用者就不必经常打开文件柜抽取或存放文件，这样它的工作效率也就会提高。同理内存越大，计算机的速度也越快。内存的主要作用是用来临时存放数据，再与CPU协调工作，从而提高整机性能。内存作为个人计算机硬件的必要组成部分之一，其地位越来越重要，内存的容量与性能已成为衡量计算机整体性能的一个决定性因素。在内存中最小的物理单元是位，从本质上来讲，位是一个位于某种

2、二值状态（通常是0和1）下的电气单元。八位组成一个字节，这样组合的可能有256种（2的8次方）。字节是内存可访问的最基本单元，每个这样的组合可代表单独的一个数据字符或指令。二、内存条的分类内存（Memory）也称内部存储器或主存，按照内存的工作原理主要分为两类。早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、SDRAM、RDRAM，目前主板常见的有DDR、DDR2内存。当前，内存条的封装方式有184线、200线、240线等多种。168线、 184线已淘汰。下图：SD-168线内存条 DDR2-240线内存条 (一)、RAM（Random Access Memory）随机存取存储器，用来暂时存放程

3、序和数据，其特点是存储的数据在掉电后会丢失。系统运行时，首先将指令和数据从外部存储器（外存）中调入内存，CPU再从内存中读取指令和数据进行运算，并将运算结果存入内存中。它又分为两种。1、动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic RAM）DRAM主要应用在计算机中的主存储器中，如内存条由此构成特点：集成度高，结构简单，功耗低，生产成本低。2、静态随机存取存储器（SRAM，Static RAM）SRAM主要应用在计算机中的高速小容量存储器，如CACHE则是由此构成特点：结构相对复杂，造价高，速度快。(二)、ROM（Read Only Memory）只读存储器，特点：只能从中读取信息而不能任意写

4、入信息。一般用于保存不可更改的数据，如BIOS。可分为以下三种：.EPROM ：可擦可编程只读存储器，芯片上有一个透明窗口。.EEPROM：电可擦可编程只读存储器。.闪速存储器Flash Memory：可以将BIOS存储在其中，当需要时可以利用软件来自动升级和修改BIOS，较为方便。三、内存接口标准内存条的接口类型有SIMM、DIMM和RIMM等3种。SIMM（Single Inline Memory Module，单列直插内存模块）就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDD DRAM DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块

5、）与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。 SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构 ; DDR2 DIMM为240pin DIMM结构。RIMM（Rambus Inline Memory Module）是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型 四、内存技术指标1、存储速度内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒，即1纳秒=109秒。 ns和MHz之间的换算关系如下：1ns=1000MHz6ns=166MHz7ns=143MHz10ns=1

6、00MHz2、存储容量目前常见的内存存储容量单条为128MB、256MB、512MB，当然也有单条1GB的，内存，不过其价格较高，普通用户少有使用。 3、CLCL是CAS Lstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。对于PC1600和PC2100的内存来说，其规定的CL应该为2，即他读取数据的延迟时间是两个时钟周期。4、SPD芯片SPD是一个8针256字节的EERROM(可电擦写可编程只读存储器)芯片.位置一般处在内存条正面的右侧,里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。当开机时，计算机的BIO

7、S将自动读取SPD中记录的信息。6、内存带宽即内存数据传输速率。内存带宽的确定方式为：B表示带宽、F表于存储器时钟频率、D表示存储器数据总线位数，则带宽B=F*D/8如常见100MHz的SDRAM内存的带宽=100MHz*64bit/8=800MB/秒常见133MHz的SDRAM内存的带宽=133MHz*64bit/8=1064MB/秒7、内存电压内存正常工作所需要的电压值，SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。 五、内存选配

8、指南1.不要贪高求贵，量力而行。如果不考虑以后主板或CPU等系统的升级，最好是量体裁衣，不要一昧求高频率、高容量。就目前水平，一般选择容量512M即可，如果要作图形图像处理或运行大型3D游戏，可选择更大一些的容量。2.注意速度同FSB的搭配目前CPU常见的FSB为533MHHZ、800MHZ、1000MHZ、1066MHZ。可参考下表。FSB 内存533MHZ DDR266，如主板支持双通道，则选两条正好匹配。800MHZ DDR400，如主板支持双通道，则选两条正好匹配。 如板支持DDRII，可选DDRII400、DDRII533或更高总之，在同FSB的搭配上，内存的总传输率同FSB要大致相

9、当（同频内存传输率双通道为单通道的两倍）。3）注意同主板搭配在同主板的搭配上，要注意，当前不是所有主板都支持DDRII，例如Intel平台主板，915以前的芯片组系列是不支持DRRII的；而AMD平台主板比较好判定：754和939接口的主板都不支持DDRII，今年（06）开始流行AM2接口的主板都支持。六. 内存芯片编号以下分别列出了几种常见内存颗粒的编号，希望对您选购内存有所帮助。1、HYUNDAI （现代）“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.

10、5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)“2”代表接口类型

11、为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。封装原料，空白=普通；P=铅；H卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43

12、=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)工作温度，一般被省略。I=工业常温(-4085度)；E=扩展温度(-2585度)因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HY 5X X XXX XX X X X X XX XXHY代表是现代的产品。5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。第2

13、个X代表工作电压，空白为5V，V为3.3V, U为2.5V。第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。第9个X一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口。第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。第11个X如为L则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。第12、13个X代表封装形式，分别如下：最后几位为速度：注：例如常见的HY57V658010CTC-10s

14、，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refreshcycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-封装，10S代表CL=3的PC-100。2、LGS（LG Semicon Co.,Ltd。）LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：GM72V XX XX X 1 X X T XXGM代表为LGS的产品。72代表SDRAM。第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits ，66为64Mbits。第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。第5个X代表Bank ，2对应2个Ban

15、k，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到E了。第7个X如果是字母L，就是低功耗，空白则为普通。T为常见的TSOP封装，现在还有一种BLP封装出现，为I。最后的XX自然是代表速度：注：例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16 位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。3、SAMSUNG（三星）三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FXKM代表是三星的产品。三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的S代表普通的SDRAM，如为H，则为DDR SDR

16、AM。S前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。三星的容量需要自己计算一下。方法是用S后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。0后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3 为难个Bank。0后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。0后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。T为TSOP封装。速度前的G和F的区别在自刷新时的电流，F需要的电流较G小，相当于一般的低功耗版。G/F后的X代表速度： 注：例如KM416S4031BT-GH，是64Mbit（16*4），16，4个B

17、ank，在100MHZ时CL=2。4、Micron MTMicron的SDRAM芯片上标识为以下格式：MT48 XX XX M XX AX TG-XX XMT代表是Micron的产品。48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。AX代表Write Recovery（Twr），如A2表示Twr=2clk。TG为TSOP封装。LG为TGFP封装。最后的XX是代表速度：其中X

18、为AE，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法AE分别为：3-3-3、3-2-3、 3-2-2、 2-2-2、2-2-2。速度后如有L则为低耗。注：例如MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit（8*8），8位，且是性能相当不错的芯片，完全符合PC-100规范。5、IBMIBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：IBM03 XX XX X XT3X -XXXIBM代表为IBM的产品。IBM的SDRAM产品均为03。第1、 2个X代表容量。第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。第

19、5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。第6个X为P为低功耗，C为普通。第7个X表示内核的版本。最后的XXX代表速度：在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。注：例如IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。6、HITACHI （日立）HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：HM 52 XX XX 5 X X TT-XXHM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。第1、2个X代表容量。第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。第5个

20、X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到F了。第6个X如果是字母L就是低功耗。空白则为普通。TT为TSOP封装。最后XX代表速度：注：例如HM5264805F-A60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL可为2。7、NECNEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：PD45 XX X X XG5-AXX X-XXXPD4代表是NEC的产品。5代表是SDRAM。第1、2个X代表容量。第3（4）个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定， 这会对下面的数字造成影响。第4（5）

21、个X代表Bank。3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank。第5个X，如为1代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL。G5为TSOP封装。-A后的XX是代表速度：速度后的X如果是字母L就是低功耗，空白则为普通。-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的JF、JH、NF等。估计与封装外型有关：NF对应: 44-pinTSOP-（）；JF对应54-pin TSOP（）；JH对应86-pin T

22、SOP-（）。注：例如PD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。8、TOSHIBA（东芝）TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：TC59S XX XX X FT X-XXTC代表是东芝的产品。59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。第5 个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为B。F

23、T为TSOP封装。FT后如果有字母L就是低功耗，空白则为普通。最后的XX是代表速度：注：例如TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。注意PCB 看了芯片还要看一下印刷电路板。印刷电路板上对质量有影响的地方很多，如内部布线、阻抗的分布等，但这些部份是肉眼不能分辩的。我们在选购内存条时主要观察板面是否光洁，色泽要均匀；部件焊接要求整齐，绝对不允许错位；焊点要均匀有光泽；金手指要光亮，不能有发白或发黑的现象，发白是镀层质量差的表现，发黑是磨损和氧化的后果；板上应该印刷有厂商的标识。另外，印刷电路板上的电阻、电容之类东西从来只见有省不见有添的。常见的劣质内存经常是芯片标识模糊或混乱，印刷电路板毛糙，金手指色泽暗，电容歪歪扭扭如手焊一般，焊点不干净利落。