05第五节计算机硬件内存 3.docx

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05第五节计算机硬件内存3

第五节、计算机内部硬件内存

一、内存条的简介

计算机的存储器由两大部份组成内存和外存，外存主要有硬盘、光盘等。

计算机硬盘（或者是软盘和CD–ROM）就像是个文件柜，桌面就相当于电脑的内存，桌面越大，可以摆放的文件数量就越多，使用者就不必经常打开文件柜抽取或存放文件，这样它的工作效率也就会提高。

同理内存越大，计算机的速度也越快。

内存的主要作用是用来临时存放数据，再与CPU协调工作，从而提高整机性能。

内存作为个人计算机硬件的必要组成部分之一，其地位越来越重要，内存的容量与性能已成为衡量计算机整体性能的一个决定性因素。

在内存中最小的物理单元是位，从本质上来讲，位是一个位于某种二值状态（通常是0和1）下的电气单元。

八位组成一个字节，这样组合的可能有256种（2的8次方）。

字节是内存可访问的最基本单元，每个这样的组合可代表单独的一个数据字符或指令。

二、内存条的分类

内存（Memory）也称内部存储器或主存，按照内存的工作原理主要分为两类。

早期的主板使用的内存类型主要有FPM、EDO、SDRAM、RDRAM，目前主板常见的有DDR、DDR2内存。

当前，内存条的封装方式有184线、200线、240线等多种。

168线、184线已淘汰。

下图：

SD-168线内存条

DDR2-240线内存条

（一）、RAM（RandomAccessMemory）

随机存取存储器，用来暂时存放程序和数据，其特点是存储的数据在掉电后会丢失。

系统运行时，首先将指令和数据从外部存储器（外存）中调入内存，CPU再从内存中读取指令和数据进行运算，并将运算结果存入内存中。

它又分为两种。

1、动态随机存取存储器（DRAM，DynamicRAM）

DRAM主要应用在计算机中的主存储器中，如内存条由此构成

特点：

集成度高，结构简单，功耗低，生产成本低。

2、静态随机存取存储器（SRAM，StaticRAM）

SRAM主要应用在计算机中的高速小容量存储器，如CACHE则是由此构成

特点：

结构相对复杂，造价高，速度快。

（二）、ROM（ReadOnlyMemory）

只读存储器，特点：

只能从中读取信息而不能任意写入信息。

一般用于保存不可更改的数据，如BIOS。

可分为以下三种：

⑴.EPROM：

可擦可编程只读存储器，芯片上有一个透明窗口。

⑵.EEPROM：

电可擦可编程只读存储器。

⑶.闪速存储器FlashMemory：

可以将BIOS存储在其中，当需要时可以利用软件来自动升级和修改BIOS，较为方便。

三、内存接口标准

内存条的接口类型有SIMM、DIMM和RIMM等3种。

SIMM（SingleInlineMemoryModule，单列直插内存模块）就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDDDRAM

DIMM（DualInlineMemoryModule，双列直插内存模块）与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。

SDRAMDIMM为168PinDIMM结构;DDR2DIMM为240pinDIMM结构。

RIMM（RambusInlineMemoryModule）是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型

四、内存技术指标

1、存储速度

内存的存储速度用存取一次数据的时间来表示，单位为纳秒，记为ns，1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10ˉ9秒。

ns和MHz之间的换算关系如下：

1ns=1000MHz

6ns=166MHz

7ns=143MHz

10ns=100MHz

2、存储容量

目前常见的内存存储容量单条为128MB、256MB、512MB，当然也有单条1GB的，内存，不过其价格较高，普通用户少有使用。

3、CL

CL是CASLstency的缩写，即CAS延迟时间，是指内存纵向地址脉冲的反应时间，是在一定频率下衡量不同规范内存的重要标志之一。

对于PC1600和PC2100的内存来说，其规定的CL应该为2，即他读取数据的延迟时间是两个时钟周期。

4、SPD芯片

SPD是一个8针256字节的EERROM（可电擦写可编程只读存储器）芯片.位置一般处在内存条正面的右侧,里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址、带宽等参数信息。

当开机时，计算机的BIOS将自动读取SPD中记录的信息。

6、内存带宽

即内存数据传输速率。

内存带宽的确定方式为：

B表示带宽、F表于存储器时钟频率、D表示存储器数据总线位数，则带宽B=F*D/8

如常见100MHz的SDRAM内存的带宽=100MHz*64bit/8=800MB/秒

常见133MHz的SDRAM内存的带宽=133MHz*64bit/8=1064MB/秒

7、内存电压

内存正常工作所需要的电压值，SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；DDRSDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；而DDR2SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。

五、内存选配指南

1.不要贪高求贵，量力而行。

如果不考虑以后主板或CPU等系统的升级，最好是量体裁衣，不要一昧求高频率、高容量。

就目前水平，一般选择容量512M即可，如果要作图形图像处理或运行大型3D游戏，可选择更大一些的容量。

2.注意速度同FSB的搭配

目前CPU常见的FSB为533MHHZ、800MHZ、1000MHZ、1066MHZ。

可参考下表。

FSB内存

533MHZDDR266，如主板支持双通道，则选两条正好匹配。

800MHZDDR400，如主板支持双通道，则选两条正好匹配。

如板支持DDRII，可选DDRII400、DDRII533或更高

总之，在同FSB的搭配上，内存的总传输率同FSB要大致相当（同频内存传输率双通道为单通道的两倍）。

3）注意同主板搭配

在同主板的搭配上，要注意，当前不是所有主板都支持DDRII，例如Intel平台主板，915以前的芯片组系列是不支持DRRII的；而AMD平台主板比较好判定：

754和939接口的主板都不支持DDRII，今年（06）开始流行AM2接口的主板都支持。

六.内存芯片编号

以下分别列出了几种常见内存颗粒的编号，希望对您选购内存有所帮助。

1、HYUNDAI（现代）

“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。

·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。

（V：

VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：

VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：

VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：

VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）

·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。

（64：

64M4K刷新；66：

64M2K刷新；28：

128M4K刷新；56：

256M8K刷新；57：

256M4K刷新；12：

512M8K刷新；1G：

1G8K刷新）

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。

（4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片）

·“2”指内存的bank（储蓄位）。

（1=2bank；2=4bank；3=8bank）

·“2”代表接口类型为SSTL_2。

（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

·“B”是内核代号为第3代。

（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。

·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。

（T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA）

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP（Hynix）；MU=MCP（UTC），上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。

·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。

该内存为普通封装材料。

·“D43”表示内存的速度为DDR400。

（D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200）

·工作温度，一般被省略。

I=工业常温（-40～85度）；E=扩展温度（-25～85度）

　　因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDRSDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。

现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HY5XXXXXXXXXXXXX–XX

HY代表是现代的产品。

5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDRSDRAM。

第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V,"U"为2.5V。

第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：

第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。

是2的幂次关系。

第9个X一般为0，代表LVTTL（LowVoltageTTL）接口。

第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。

第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。

第12、13个X代表封装形式，分别如下：

最后几位为速度：

注：

例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4Krefresh　cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400milTSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

2、LGS（LGSemiconCo.,Ltd。

）

LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

GM72VXXXXX1XXTXX

GM代表为LGS的产品。

72代表SDRAM。

第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。

第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。

第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。

第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。

第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。

"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。

最后的XX自然是代表速度：

注：

例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。

3、SAMSUNG（三星）

三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：

KM4XXSXX0XXXT-G/FX

KM代表是三星的产品。

三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDRSDRAM。

"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

三星的容量需要自己计算一下。

方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。

"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。

2为2个Bank，3为难个Bank。

"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。

"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。

"T"为TSOP封装。

速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。

"G/F"后的X代表速度：

注：

例如KM416S4031BT-GH，是64Mbit（16*4），16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。

4、MicronMT

Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：

MT48XXXXMXXAXTG-XXX

MT代表是Micron的产品。

48代表是SDRAM系列。

其后的XX如为LC则为普通SDRAM。

46V为DDRSDRAM。

Mricron的容量需要自己计算一下。

方法是将XXMXX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。

M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

AX代表WriteRecovery（Twr），如A2表示Twr=2clk。

TG为TSOPⅡ封装。

LG为TGFP封装。

最后的XX是代表速度：

其中X为A~E，字母越后性能越好。

按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：

3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。

速度后如有L则为低耗。

注：

例如MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit（8*8），8位，且是性能相当不错的芯片，完全符合PC-100规范。

5、IBM

IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

IBM03XXXXXXT3X---XXX

IBM代表为IBM的产品。

IBM的SDRAM产品均为03。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。

一般的封装形式为TSOP。

对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。

第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。

第6个X为P为低功耗，C为普通。

第7个X表示内核的版本。

最后的XXX代表速度：

在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：

135MHZ。

注：

例如IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。

6、HITACHI（日立）

HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：

HM52XXXX5XXTT-XX

HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDODRAM。

第1、2个X代表容量。

第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。

第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。

第6个X如果是字母"L"就是低功耗。

空白则为普通。

TT为TSOPⅡ封装。

最后XX代表速度：

注：

例如HM5264805F-A60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL可为2。

7、NEC

NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：

μPD45XXXXXG5-AXXX-XXX

μPD4代表是NEC的产品。

"5"代表是SDRAM。

第1、2个X代表容量。

第3（4）个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。

当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。

由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。

第4（5）个X代表Bank。

"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。

第5个X，如为"1"代表LVTTL。

如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。

G5为TSOPⅡ封装。

-A后的XX是代表速度：

速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

-XXX：

第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。

其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。

估计与封装外型有关：

"NF"对应:

44-pinTSOP-（Ⅱ）；"JF"对应54-pinTSOP（Ⅱ）；"JH"对应86-pinTSOP-（Ⅱ）。

注：

例如μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。

8、TOSHIBA（东芝）

TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：

TC59SXXXXXFTX-XX

TC代表是东芝的产品。

59代表是SDRAM系列。

其后的S为普通SDRAM，R为RambusSDRAM，W为DDRSDRAM。

第1、2个X代表容量。

64为64Mbit，M7为128Mbit。

第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。

第5个X估计是用来表示内核的版本。

目前常见的为"B"。

FT为TSOPⅡ封装。

FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。

最后的XX是代表速度：

注：

例如TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。

注意PCB

看了芯片还要看一下印刷电路板。

印刷电路板上对质量有影响的地方很多，如内部布线、阻抗的分布等，但这些部份是肉眼不能分辩的。

我们在选购内存条时主要观察板面是否光洁，色泽要均匀；部件焊接要求整齐，绝对不允许错位；焊点要均匀有光泽；金手指要光亮，不能有发白或发黑的现象，发白是镀层质量差的表现，发黑是磨损和氧化的后果；板上应该印刷有厂商的标识。

另外，印刷电路板上的电阻、电容之类东西从来只见有省不见有添的。

常见的劣质内存经常是芯片标识模糊或混乱，印刷电路板毛糙，金手指色泽暗，电容歪歪扭扭如手焊一般，焊点不干净利落。