电子电路基础习题解答第1章Word下载.docx

1、VD处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当于短路。所以；图（b）中，断开VD时，阳极电位，阴极的电位， VD处于反偏而截止 ；图（c），断开VD1,VD2时 VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止；或， VD1，VD2的阴极连在一起 阳极电位高的VD1就先导通，则A点的电位，而 VD2处于反偏而截止图（d），断开VD1、VD2， ； VD1、VD2均处于反偏而截止。题 试判断题图中的二极管是导通还是截止，为什么在本题的分析中应注意二个问题：（1） 电位都是对固定的参考点之间的压差，参考点就是通常所称的接地点；（2） 求电位时注意各电压的方向。图（a），设图中电阻25K

2、与5K的连接点为C， 则，当假设VD开路时， 图（b），同样设图中电阻25K与5K的连接点为C，假设VD断开，则： CB VD处于反偏而截止；图（c），设图中25K与5K的连接点为C，假设VD断开， VD处于正偏导通状态题 己知在题图中，,，试对应地画出二极管的电流、电压以及输出电压的波形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。二极管在外加正偏电压时导通，外加反偏电压时截止。如果忽略二极管正向导通压降及反向漏电流，则二极管相当于一个理想的开关。即：正偏时相当于开关“闭合”，截止时相当于开关“断开”。（1）. 在ui正半周，二极管正偏而导通，uD=0uO=（V）iD=（mA

3、）（2）. 在ui负半周，二极管反偏而截止， iD=0 uO =0 uD =（V）题 电路如题图所示，稳压管的稳定电压=8V，限流电阻=，设，试画出的波形。 分析：稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时，在一定的工作电流限制下，二极管两端的的电压几乎不变。其电压值即为稳压管的稳定电压Uz。而稳压管如果外加正向偏压时，仍处于导通状态。设稳压管具有理想特性，即反偏电压只有达到稳压电压时，稳压管击穿。正偏时导通压降为零，则（V） Uz=8V当Uz时，稳压管击穿而处于稳定状态，uO =Uz；而08V时，稳压管处于反偏而截止，uO =；当时，稳压管将处于正偏而导通，uO=0。题 在题图中，

4、已知电源电压，稳压管的，试求1 稳压管中的电流2 当电源电压升高到时，将变为多少3 当仍为，但改为时，将变为多少由稳压管的特性可知，在稳压管处于反向击穿时，流过的电流可以有较大的变化，而其两端电压几乎不变。（1）. （2）. 当U升高至12V时， 不变，（3）. 当时， 题 测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位、分别为下列各组数值，试判断它们是型还是型是硅管还是锗管并确定e、b、c。 ，； ，； ，； ，工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。且有PN节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。硅管的，锗管的。所以首先找出电位差在或的两个电极，则其中必定一个为发射极，

5、一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。由PN结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为PNP型三极管。若为NPN型三极管，则发射极电位必定为最低电位；若为PNP型三极管，则发射极电位必定为最高电位。由此即可确定发射极。电位值处于中间的一个电极必定为基极。由此可知：（1）. , ， 结论：硅NPN型三极管（） ， ， （2）. , ， 锗NPN型三极管（）（3）. ， 硅PNP型三极管（）（4）. ， 锗PNP型三极管（）题 测得某电路中几个三极管的各极电位如题图所示，试判断各三极管分别工作在放大区、截止区还是饱和区。根据不同的偏置特征，

6、三机管将工作在不同的区域：放大区：发射结正偏，集电结反偏；饱和区：发射结正偏，集电结正偏 或者零偏；截止区：发射结反偏或偏压小于开启电压，集电结反偏。如以NPN型三极管为例，其偏压方式与工作状态的关系如图所示：对图（a），NPN型三极管 , 工作在放大区；图（b），NPN管，, ， 工作在截止区图（c），NPN管，图（d），NPN管， 工作在饱和区；图（e），PNP管，图（f），PNP管， 工作在饱和区图（g），PNP管，图（h），PNP管， 题 已知题图 （a）（f）中各三极管的均为50，试分别估算各电路中三极管的和，判断它们各自工作在哪个区（放大区，截止区或饱和区），并将各管子的工作点分别

7、画在题图（g）的输出特性曲线上。三极管在发射结正偏时，管子可能工作在放大区或者饱和区，取决于其基极电流是否超过基极临界饱和电流，若，则三极管工作在饱和区；若，则三极管工作在放大区，且。若三极管发射结反偏或者零偏，则该三极管一定工作在截止区。对图（a），发射结正偏，且 三极管工作在放大区且 图（b）， 且：图（c）， 三极管工作在饱和区图（d），发射结反偏，三极管处于截止状态图（e），三极管发射结零偏， 三极管处于截止状态图（f），, 题 一个的转移特性曲线如题图所示，试问1 它是沟道还是沟道的2 它的夹断电压和饱和漏极电流各是多少解JFET是一种耗尽型器件，在栅源之间没有外加电压时，其沟道已经

8、存在，且此时加上一特定的外加漏源电源时，所形成的电流即为IDSS，饱和漏极电流。当栅源加反偏电压时，沟道变窄，使同样的漏源电压而漏极电流变小。而当栅源反偏电压大到一特定值UGS（off）时，沟道夹断，漏源电流为零。（1） 有图可以看出，转移特性曲线在UGSP-JFETN-MOS增强型N-MOS耗尽型任意P-MOS增强型P-MOS耗尽型（a）、因为uGS0，iD0，所以N-MOS增强型存在开启电压UGS（th），IDO为UGS2 UGS（th）时的iD值（b）、因为uGS0，iD0，所以该器件为N-MOS耗尽型存在夹断电压UGS（off），且在UGS=0时的iD即为IDSS（d）、uGS0,iD0，且UGS=0时iD0无沟道，所以该器件为P-MOS增强型存在开启电压UGS（th），当UGS=2UGS（th）时的iD即为IDO。题 已知一个沟道增强型场效应管的开启电压，请示意画出其转移特性曲线。N-MOS管的特性曲线为一个平方率关系 即 当已知 UGS（th）=3V，IDO=4mA其示意曲线题 已知一个沟道耗尽型场效应管的饱和漏极电流，夹断电压，请示意画出其转移特性曲线。P-MOS耗尽型特性曲线表达式为已知IDSS=,UGS（off）=4V所以其示意曲线为