电子电路基础习题解答第1章Word下载.docx

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VD处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。

理想情况为零，相当于短路。

所以；

图（b）中，断开VD时，阳极电位，阴极的电位，

∵

∴VD处于反偏而截止

∴；

图（c），断开VD1,VD2时

∴VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止

；

或，∵VD1，VD2的阴极连在一起

∴阳极电位高的VD1就先导通，则A点的电位，

而

∴VD2处于反偏而截止

图（d），断开VD1、VD2，

；

∴VD1、VD2均处于反偏而截止。

题试判断题图中的二极管是导通还是截止，为什么

在本题的分析中应注意二个问题：

（1）电位都是对固定的参考点之间的压差，参考点就是通常所称的接地点；

（2）求电位时注意各电压的方向。

图（a），设图中电阻25K与5K的连接点为C，

则，当假设VD开路时，

∵

图（b），同样设图中电阻25K与5K的连接点为C，

假设VD断开，

则：

CB

∴VD处于反偏而截止；

图（c），设图中25K与5K的连接点为C，假设VD断开，

∴VD处于正偏导通状态

题己知在题图中，,，试对应地画出二极管的电流、电压以及输出电压的波形，并在波形图上标出幅值。

设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。

二极管在外加正偏电压时导通，外加反偏电压时截止。

如果忽略二极管正向导通压降及反向漏电流，则二极管相当于一个理想的开关。

即：

正偏时相当于开关“闭合”，截止时相当于开关“断开”。

（1）.在ui正半周，二极管正偏而导通，

uD=0

uO=（V）

iD=（mA）

（2）.在ui负半周，二极管反偏而截止，

iD=0

uO=0

uD=（V）

题电路如题图所示，稳压管ＤＺ的稳定电压ＵＺ=8V，限流电阻Ｒ=，设，试画出的波形。

分析：

稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时，在一定的工作电流限制下，二极管两端的的电压几乎不变。

其电压值即为稳压管的稳定电压Uz。

而稳压管如果外加正向偏压时，仍处于导通状态。

设稳压管具有理想特性，即反偏电压只有达到稳压电压时，稳压管击穿。

正偏时导通压降为零，则（V）

Uz=8V

当Uz时，稳压管击穿而处于稳定状态，uO=Uz；

而0<

<

8V时，稳压管处于反偏而截止，uO=；

当时，稳压管将处于正偏而导通，uO=0。

题在题图中，已知电源电压，，，稳压管的，试求∶

1稳压管中的电流

2当电源电压Ｖ升高到１２Ｖ时，将变为多少

3当Ｖ仍为１０Ｖ，但改为时，将变为多少

由稳压管的特性可知，在稳压管处于反向击穿时，流过的电流可以有较大的变化，而其两端电压几乎不变。

（1）.∵

∴

∵

∴

（2）.当U升高至12V时，

∵不变，

（3）.当时，

∴

题测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位、、分别为下列各组数值，试判断它们是ＮＰＮ型还是ＰＮＰ型是硅管还是锗管并确定e、b、c。

①，，；

②，，；

③，，；

④，，

工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。

且有PN节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。

硅管的～，锗管的～。

所以首先找出电位差在～或～的两个电极，则其中必定一个为发射极，一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。

由PN结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN型三极管；

若集电极电位最低，则该管必定为PNP型三极管。

若为NPN型三极管，则发射极电位必定为最低电位；

若为PNP型三极管，则发射极电位必定为最高电位。

由此即可确定发射极。

电位值处于中间的一个电极必定为基极。

由此可知：

（1）.,，

结论：

硅NPN型三极管（）

，，

（2）.,，

锗NPN型三极管（）

（3）.，

硅PNP型三极管（）

（4）.，

锗PNP型三极管（）

题测得某电路中几个三极管的各极电位如题图所示，试判断各三极管分别工作在放大区、截止区还是饱和区。

根据不同的偏置特征，三机管将工作在不同的区域：

放大区：

发射结正偏，集电结反偏；

饱和区：

发射结正偏，集电结正偏或者零偏；

截止区：

发射结反偏或偏压小于开启电压，集电结反偏。

如以NPN型三极管为例，其偏压方式与工作状态的关系如图所示：

对图（a），NPN型三极管

∵,

∴工作在放大区；

图（b），NPN管，

，

∴工作在截止区

图（c），NPN管，，

图（d），NPN管，，

∴工作在饱和区；

图（e），PNP管，，

图（f），PNP管，

∴工作在饱和区

图（g），PNP管，，

图（h），PNP管，

题已知题图（a）—（f）中各三极管的均为50，，试分别估算各电路中三极管的和，判断它们各自工作在哪个区（放大区，截止区或饱和区），并将各管子的工作点分别画在题图（g）的输出特性曲线上。

三极管在发射结正偏时，管子可能工作在放大区或者饱和区，取决于其基极电流是否超过基极临界饱和电流，若，则三极管工作在饱和区；

若，则三极管工作在放大区，且。

若三极管发射结反偏或者零偏，则该三极管一定工作在截止区。

对图（a），发射结正偏，且

∴三极管工作在放大区

且

图（b），∵

且：

图（c），∵

∴三极管工作在饱和区

图（d），∵发射结反偏，∴三极管处于截止状态

图（e），∵三极管发射结零偏，

∴三极管处于截止状态

图（f），∵,

题一个ＪＦＥＴ的转移特性曲线如题图所示，试问∶

1它是Ｎ沟道还是Ｐ沟道的ＦＥＴ

2它的夹断电压和饱和漏极电流各是多少

解

JFET是一种耗尽型器件，在栅源之间没有外加电压时，其沟道已经存在，且此时加上一特定的外加漏源电源时，所形成的电流即为IDSS，饱和漏极电流。

当栅源加反偏电压时，沟道变窄，使同样的漏源电压而漏极电流变小。

而当栅源反偏电压大到一特定值

UGS（off）时，沟道夹断，漏源电流为零。

（1）有图可以看出，转移特性曲线在UGS<

0区域，而uGS又处于反偏，所以栅极一定为P型材料，即该特性曲线描述的是N沟道JFET。

（2）UGS（off）=-4V，IDSS=3mA

题已知一个Ｎ沟道增强型Ｍ０Ｓ场效应管的漏极特性曲线如题图所示，试作出时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压和值，以及当时的跨导。

转移特性曲线是指在一定的UDS下，uGS与iD的关系，只要在输出特性曲线上以UDS=15V作一条垂线，与各条不同的uGS值下的iD曲线相交，对应的画在uGS与iD的坐标中。

由转移特性曲线可以看出，其开启电压UGS（th）约为2V，而IDO表示UGS=2UGS（off）时的ID值，即当UGS=4V时的。

所以IDO=。

由MOS特性曲线

跨导

不同的uGS对应不同的gm值。

题试根据题图所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型〔结型或绝缘栅型，Ｐ沟道或Ｎ道沟，增强型或耗尽型〕。

如为耗尽型，在特性上标注出其夹断电压和饱和漏极电流；

如为增强型，标注出其开启电压。

根据场效应管的结构可总结出一些相关的特性

uGS

uDS

iD

开启

夹断

N-JFET

>

√

P-JFET

N-MOS增强型

N-MOS耗尽型

任意

P-MOS增强型

P-MOS耗尽型

（a）、因为uGS>

0，iD>

0，所以N-MOS增强型

存在开启电压UGS（th），IDO为UGS＝2UGS（th）时的iD值

（b）、因为uGS>

0，iD<

0，uGS=0时有iD，一定为耗尽型器件P-JFET

存在夹断电压UGS（off），IDSS为UGS=0时的iD。

（c）、uGS可正可负，且iD>

0，所以该器件为N-MOS耗尽型

存在夹断电压UGS（off），且在UGS=0时的iD即为IDSS

（d）、uGS<

0,iD<

0，且UGS=0时iD＝0无沟道，所以该器件为P-MOS增强型

存在开启电压UGS（th），当UGS=2UGS（th）时的iD即为IDO。

题已知一个Ｎ沟道增强型Ｍ０Ｓ场效应管的开启电压，，请示意画出其转移特性曲线。

N-MOS管的特性曲线为一个平方率关系

即

当已知UGS（th）=3V，IDO=4mA

其示意曲线

题已知一个Ｐ沟道耗尽型Ｍ０Ｓ场效应管的饱和漏极电流，夹断电压，请示意画出其转移特性曲线。

P-MOS耗尽型特性曲线表达式为

已知IDSS=,UGS（off）=4V

所以

其示意曲线为