第1章半导体器件习题解答Word下载.docx

1、3. P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。4. 晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。5.二极管正向偏置时，PN结的电流主要是多数载流子的扩散运动。6.结型场效应管的漏源电压 Uds大于夹断电压 Up后，漏极电流iD将为零。1、X 2、 X 3、 X 4、 X 5、“ 6、 X三、二极管电路如图T1 3所示，写出各电路的输出电压值。设图 T1 - 3解:（b）图 T1 4100= 10A习题11o1电路如图P1- 1所示，设电路中的二极管为理想二极管， 试求各电路中的输出电压 Uab。1. 2电路如图P1 - 2所示，设二极管正向导通电压为 0V，反向电阻为无穷大，输入电压为ui

2、=10sin cot V , E=5V，试分别画出输出电压 uo的波形。图 P1- 21. 3选择填空.硅材料的N型半导体中加入的杂质是 元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质是 兀素。A.三价 B. 四价 C. 五价.PN结正向偏置时，空间电荷区将 。A.变宽 B. 变窄 C. 不变.场效应管的夹断电压 Up=-10V，则此场效应管为 。A.耗尽层 B.增强型 C结型.某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在 状态。A.放大 B.截止 C.饱和.N沟道结型场效应管的导电载流子是 。A.电子 B.空穴 C.电子和空穴场效应管是一种 控制型器件。A.电流 B.电压 C.光电.N沟

3、道结型场效应管放大时，栅源之间的 PN结 。A.应正偏， B.应反偏， C.应零偏。.对于结型场效应管，当 Ugs Up ，那么管子将工作在 区。A.可变电阻 B恒流 C.夹断 D.击穿（1） C A （2） B （3） A （4） C （5） A （6） B （7） B （8） C1. 4两只硅稳压二极管的正向电压均为 0.5伏，稳定电压分别为 Uzi =6V , Uz2 =8V，若与一电阻串联后接入直流电源中， 当考虑稳压管正负极性的不同组合时， 可获得哪几种较稳定的电压值。两个稳压管组合可以有 14V, 6.5V, 8.5V, 1V四种输出电压1. 5图P1- 5所示为半导体二极管正向伏

4、安特性的近似曲线，试画出由恒压源 U，电阻rd和理想二极管 D组成的该二极管正向工作的电路模型，并写出 U及rd的表达式。UD =U on + iDD rD =（Ud Uon）/iD1. 6解：电路如图P1 6所示，其中 R=2K Q,硅稳压管 Dz1、Dz2的稳定压Uz1、Uz2分别 为5V、10V，正向压降为0.6V，不计稳压管的动态电阻和耗散功率，试求各电路输出电压。图 P1 6（a）Dzi反向击穿，Dz2截止，故ui =5V（b） Dzi 正偏，Dz2 截止，故 u2 =0.6V（c）Dzi反向击穿，Dz2截止，故Uo3 =0V（d）Dz1反向击穿，DZ2反向击穿，故uo4 =5VDz

5、的稳定电压Uz =6V ,稳定电流的最小值Izmin =5mA , 求R的范围；（2）当R=1K Q时，求Ui的范围。U i max-RImax Uz -1 103 20 10-3 6 =26/1. 8在如图P1 8所示电路中，R=400 ，已知稳压管 Dz的稳定电压Uz =10V，最小电流Izmin =5mA ,最大管耗为Pzm =150mW。（1）当Ui =20V时，求Rl的最小值；当3 =26V时, 求Rl的最大值；若Rl =时，则将会产生什么现象 ？（1）Rl最小时，通过稳压管的电流为 I zmin = 5mAUi- Uz 2010c- 25mA400Izmaxa 二辺-15mAUz

6、10, Ui-Uz 26- 10此时，lR - - 40mAR 400I Lm i I - I Z m a4 0-15RLmax 二10 400WI Lm i n 25若Rl二：，将会烧毁稳压管1. 9电路如图P1- 9所示,设二极管为理想二极管。根据以下条件，求二极管中的电流和 Y的电位。当 VA =VB =5V 时105 UY= = 4.76V10+0.51uD1、D2 的电流为 Id1=Id2= 江 Y 0.24mA210（2）当 VA =10V, Vb =0V 时此时D1导通，D2截止。1 0汇 1 0 UY = =9. 091 0+ 1, Ua- Uy 1 0- 9. 09 1 D1

7、 0. 9n1A1 11 D2 = 0（3）当 Va =6V，Vb =5.8V 时10假如D2截止，则UY = 汉6= 5.45V，故D2应该导通1+10Ua-Uy=Id1“丿Ub- Uy =Id2“Uy =10Id1 +）, l, , 6-5.62 小 “ “ , 5.8- 5.62 “ A解得：Uy =5.62V 1 D1 = 0.38 mA 1 D2 = = 0.18mA1. 10已知三极管的输出特性曲线如图 P1 10所示，试求图中的Ic =6mA , Uce =6V时，电流的放大系数|.6 = 0. 99IE IC IB 6 0. 0 61. 11已知处于放大状态的晶体管的三个电极对

8、公共参考点的电压为 Ui、U2、U3,如图P111所示，试分别判断它们是 NPN型或PNP型？是硅管还是锗管？并标出三个电极的符号。图 P1 11NPN型硅管u2、U3分别是B、E、C上的电压锗管PNP型U1、U2、C、E上的电压（4）P1 12所示，试判别它们各处于放大、饱和与截止中1. 12已测得三极管的各极电位如图 的哪种工作状态？6V10V0.7V2V（c） 一6.7V（a） 0V（b） 10V0.3V-6V（d） 0.6V图 P1 12（a） 发射极正偏、集电极反偏，故为放大状态（b） 发射极反偏，故为截止状态（c） 发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态（d） 发射极正偏、集电极反偏

9、，故为放大状态（e） 发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态（f） 发射极电压为0、集电极反偏，故为截止状态1. 13已知一个N沟道增强型 MOS场效应管的开启电压 Ut =3V , Ido =4mA，请画出转移特 性曲线示意图。转移特性曲线即Id和Ugs的关系：UgsI I （ GSD DOU T1）2 =4（L - 1）231. 14已知一个N沟道结型场效应管的夹断电压 Up =4V, Idss =5mA，请画出其转移特性曲线示意图，并计算当 uGS = 2V时iD的值。转移特性曲线即Id和Ugs的关系:I D = I DSS（1- = 5（1-U pU GS ）2-4Ugs（V）1. 15已知某一晶体三极管（BJT）的共基极电流放大倍数 =0.99。（1）在放大状态下，当其发射极的电流Ie =5mA时，求Ib的值；（2）如果耗散功率 Pcm =100mW，此时Uce最大为多 少是安全的？ （3）当Icm =20mA时，若要正常放大，Ib最大为多少？（1）在放大状态下，当其发射极的电流 Ie =5mA时，求Ib的值；lc =I e - 0.99 5 = 4.95mA=lE - IC =5 4. 95 = 0. 0n5A i 5 0Uce最大为20.2VI 20Ibm 宀二矿0.202mAWA