第1章半导体器件习题解答Word下载.docx
《第1章半导体器件习题解答Word下载.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第1章半导体器件习题解答Word下载.docx（14页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。
3.P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。
4.晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。
5.
二极管正向偏置时，PN结的电流主要是多数载流子的扩散运动。
6.结型场效应管的漏源电压Uds大于夹断电压Up后，漏极电流iD将为零。
1、X2、X3、X4、X5、“6、X
三、二极管电路如图T1—3所示，写出各电路的输出电压值。
设
图T1-3
解:
（b）
图T1—4
100
=10」A
习题1
1o1电路如图P1-1所示，设电路中的二极管为理想二极管，试求各电路中的输出电压Uab。
1.2电路如图P1-2所示，设二极管正向导通电压为0V，反向电阻为无穷大，输入电压为
ui=10sincotV,E=5V，试分别画出输出电压uo的波形。
图P1-2
1.3选择填空
⑴.硅材料的N型半导体中加入的杂质是元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质
是兀素。
A.三价B.四价C.五价
⑵.PN结正向偏置时，空间电荷区将。
A.变宽B.变窄C.不变
⑶.场效应管的夹断电压Up=-10V，则此场效应管为。
A.耗尽层B.增强型C结型
⑷.某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在状态。
A.放大B.截止C.饱和
⑸.N沟道结型场效应管的导电载流子是。
A.电子B.空穴C.电子和空穴
⑹•场效应管是一种控制型器件。
A.电流B.电压C.光电
⑺.N沟道结型场效应管放大时，栅源之间的PN结。
A.应正偏，B.应反偏，C.应零偏。
⑻.对于结型场效应管，当UgsUp，那么管子将工作在区。
A.可变电阻B恒流C.夹断D.击穿
（1）CA
（2）B（3）A（4）C（5）A（6）B（7）B（8）C
1.4两只硅稳压二极管的正向电压均为0.5伏，稳定电压分别为Uzi=6V,Uz2=8V，若与
一电阻串联后接入直流电源中，当考虑稳压管正负极性的不同组合时，可获得哪几种较稳定
的电压值。
两个稳压管组合可以有14V,6.5V,8.5V,1V四种输出电压
1.5图P1-5所示为半导体二极管正向伏安特性的近似曲线，试画出由恒压源U，电阻rd
和理想二极管D组成的该二极管正向工作的电路模型，并写出U及rd的表达式。
UD=Uon+iD「DrD=（UdUon）/iD
1.6解：
电路如图P1—6所示，其中R=2KQ,硅稳压管Dz1、Dz2的稳定压Uz1、Uz2分别为5V、10V，正向压降为0.6V，不计稳压管的动态电阻和耗散功率，试求各电路输出电压。
图P1—6
（a）Dzi反向击穿，Dz2截止，故u°
i=5V
（b）Dzi正偏，Dz2截止，故u°
2=0.6V
（c）Dzi反向击穿，Dz2截止，故Uo3=0V
（d）Dz1反向击穿，DZ2反向击穿，故uo4=5V
Dz的稳定电压Uz=6V,稳定电流的最小值Izmin=5mA,求R的范围；
（2）当R=1KQ时，求Ui的范围。
Uimax
-RImaxUz-11032010-36=26/
1.8在如图P1—8所示电路中，R=400，已知稳压管Dz的稳定电压Uz=10V，最小电流
Izmin=5mA,最大管耗为Pzm=150mW。
（1）当Ui=20V时，求Rl的最小值；
⑵当3=26V时,求Rl的最大值；
若Rl=^时，则将会产生什么现象？
（1）
Rl最小时，通过稳压管的电流为Izmin=5mA
Ui-Uz2010c
-25mA
400
Izmax^a二辺-15mA
Uz10
Ui-Uz26-10
此时，lR--40mA
R400
ILmiI-IZma^40-15
RLmax^^二10400W
ILmin25
若Rl二：
：
，将会烧毁稳压管
1.9电路如图P1-9所示,设二极管为理想二极管。
根据以下条件，求二极管中的电流和Y
的电位。
当VA=VB=5V时
10^5UY==4.76V
10+0.5
1u
D1、D2的电流为Id1=Id2=江Y—0.24mA
210
（2）
当VA=10V,Vb=0V时
此时D1导通，D2截止。
10汇10UY==9.0\9
10+1
Ua-Uy10-9.09^—
1D1———0.9n1A
11
1D2=0
（3）
当Va=6V，Vb=5.8V时
10
假如D2截止，则UY=汉6=5.45V，故D2应该导通
1+10
Ua-Uy=Id1“
丿Ub-Uy=Id2“
Uy=10"
Id1+£
）
,l"
\,,6-5.62小““,5.8-5.62“A
解得：
Uy=5.62V1D1=~0.38mA1D2==0.18mA
1.10已知三极管的输出特性曲线如图P1—10所示，试求图中的Ic=6mA,Uce=6V时，电
流的放大系数|.\
6—=0.99
IEICIB60.06
1.11已知处于放大状态的晶体管的三个电极对公共参考点的电压为Ui、U2、U3,如图P1
—11所示，试分别判断它们是NPN型或PNP型？
是硅管还是锗管？
并标出三个电极的符号。
图P1—11
NPN型
硅管
u2、
U3分别是
B、
E、
C上的电压
锗管
PNP型
U1、
U2、
C、
E上的电压
（4）
P1—12所示，试判别它们各处于放大、饱和与截止中
1.12已测得三极管的各极电位如图的哪种工作状态？
6V
10V
0.7V
2V
（c）一
6.7V
（a）0V
（b）10V
0.3V
-6V
（d）0.6V
图P1—12
（a）发射极正偏、集电极反偏，故为放大状态
（b）发射极反偏，故为截止状态
（c）发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态
（d）发射极正偏、集电极反偏，故为放大状态
（e）发射极正偏、集电极正偏，故为饱和状态
（f）发射极电压为0、集电极反偏，故为截止状态
1.13已知一个N沟道增强型MOS场效应管的开启电压Ut=3V,Ido=4mA，请画出转移特性曲线示意图。
转移特性曲线即Id和Ugs的关系：
Ugs
II（GS
DDO
UT
1）2=4（L-1）2
3
1.14已知一个N沟道结型场效应管的夹断电压Up=
4V,Idss=5mA，请画出其转移特
性曲线示意图，并计算当uGS=2V时iD的值。
转移特性曲线即Id和Ugs的关系:
ID=IDSS（1-=5（1-
Up
UGS）2
-4
Ugs（V）
1.15已知某一晶体三极管（BJT）的共基极电流放大倍数=0.99。
（1）在放大状态下，当其
发射极的电流Ie=5mA时，求Ib的值；
（2）如果耗散功率Pcm=100mW，此时Uce最大为多少是安全的？
（3）当Icm=20mA时，若要正常放大，Ib最大为多少？
（1）在放大状态下，当其发射极的电流Ie=5mA时，求Ib的值；
lc=〉Ie-0.995=4.95mA
=lE-IC=54.95=0.0n5A"
i50\
Uce最大为20.2V
I20
Ibm宀二矿0.202mAWA
升级会员 