半导体器件物理复习重点

1、杂质在硅锗等半导体中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心.施主电离能:多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量.受主杂质:杂质在硅,锗等半导体中能接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心.受主电。

2、基本概念题:第一章 半导体电子状态1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多.1.2能带晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没。

3、半导体物理知识点及重点习题总结删减第一章 半导体电子状态1.半导体:通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多.2能带:晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续。

4、16. 回旋共振 是测量半导体内载流子有效质量的重要技术手段.17. PN结电容可分为 势垒电容 和扩散电容两种.18. PN。

5、这样引入的空穴,其产生的电流正好等于能带中其它电子的电流.所以空穴导电的实质是能带中其它电子的导电作用,而事实上这种粒子是不存在的.1.5 半导体的回旋共振现象是怎样发生的以n型半导体为例 首先将半导体置于匀强磁场中。

6、这样引入的空穴,其产生的电流正好等于能带中其它电子的电流.所以空穴导电的实质是能带中其它电子的导电作用,而事实上这种粒子是不存在的.8.半导体的回旋共振现象是怎样发生的以n型半导体为例 答案:首先将半导体置于匀强磁场中。

7、在1000和1个大气压下,干氧的浓度C0是5.2x1016分子数cm3,湿氧的C0是3x1019分子数cm3.10 当表面反应时限制生长速率的主要因素时,氧化层厚度随时间呈线性变化XBtA线性区干氧氧化与湿氧。

8、半二复习笔记1.1 MOS结构1. 费米势:禁带中心能级EFi与费米能级EF之差的电势表示2. 表面势:半导体表面电势与体内电势之差,体内EFi和表面EFi之差的电势表示3. 金半功函数差4. P沟道阈值电压注意faifn是个负值1.3 M。

9、半导体物理与器件尼曼课后小结与重要术语解释汇总第一章 固体晶体结构1.小结1.硅是最普遍的半导体材料2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定.晶胞是晶体中的一小块体积,用它可以重构出 整个晶体.三种基本的晶胞是简立方体心立。

10、最新尼尔曼第三版半导体物理与器件小结重要术语解释知识点复习题尼尔曼第三版半导体物理与器件小结重要术语解释知识点复习题第一章固体晶体结构小结 1.硅是最普遍的半导体材料.2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定.晶胞是晶体中。

11、半导体器件物理II必背公式 考点摘要半二复习笔记1.1 MOS结构1. 费米势:禁带中心能级EFi与费米能级EF之差的电势表示2. 表面势:半导体表面电势与体内电势之差,体内EFi和表面EFi之差的电势表示3. 金半功函数差4. P沟道阈值。

12、最新半导体物理知识点及重点习题总结删减第一章 半导体电子状态1.半导体:通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多.2能带:晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准。

13、半导体器件物理II必背公式定理考点概要半二复习笔记1.1 MOS结构1. 费米势:禁带中心能级EFi与费米能级EF之差的电势表示2. 表面势:半导体表面电势与体内电势之差,体内EFi和表面EFi之差的电势表示3. 金半功函数差4. P沟道阈。

14、半导体器件物理哈理工复习资料缩印分析1.PN结:采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将 P型半导体和N型半导体制作在同一块半导体基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为 PN结.2.雪崩击穿:随着PN结反向电压的增加,势垒中电场强度也在增加。