第一次综述载流子注入

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2、2.2.1雪崩倍增效应2.2.2阈值电压漂移2.2.3 MOSFET性能的退化2.2.4寄生晶体管效应2.3热载流子注入对MOS结构C-V和I-V特性的影响2.3.1热载流子注入对MOS结构C-V特性的影响2.3.2。

3、第一次综述热载流子注入效应对MOS器件性能的影响讲解热载流子效应及其对器件特性的影响 组长:尹海滨 09023105 整合资料撰写综述组员:马祥晖 09023106 查找问题三资料 王小果 09023128 查找问题二资料 李洋 09023。

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