多晶硅行业准入条件版多晶硅行业准入条件2011版D二多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小节能环保的工艺设备以及安全设施,主要工段设备参数应能实现连续流程在线检测.三资源回收利用及能耗一新建多晶硅项目生产占地面积小,现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则。（二）太阳能级多晶
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1、多晶硅行业准入条件版多晶硅行业准入条件2011版D二多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小节能环保的工艺设备以及安全设施,主要工段设备参数应能实现连续流程在线检测.三资源回收利用及能耗一新建多晶硅项目生产占地面积小。
2、现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则。
（二）太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60千瓦时/千克。
（三）半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克，半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120。
3、多晶硅行业准入申请报告多晶硅行业准入申请报告企业名称加盖公章: 联系地址及邮编: 联系人1: 职务: 手 机: 传真: 办公电话: 电子信箱: 联系人2: 职务: 手 机: 传真: 办公电话: 电子信箱: 填表日期 : 年 月 日填 写 须。
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