集成电路工艺原理试题

1、集成电路设计基础工艺版图流程器件 1 什么叫Latchup,如何预防闩锁效应仕兰科广试题Q1为一纵向PNP BJT, 基极base是nwell, 基极到集电极collector的增益可达数百倍;Q2是一横向的NPN BJT,基极为P sub。

2、具体应用时：使用时尽量避免各种串扰的引入，注意输出电流不易过大。
器件外部的保护措施 低频时加限流电阻（使电源电流30mA） 尽量减小电路中的电容值。
（一般C0.01mF） 。

3、硅超大规模集成电路工艺技术理论实践与模型课后习题答案1.2. Assuming dopant atoms are uniformly distributed in a silicon crystal, how far apart are t。

4、集成电路工艺原理芯片制造试题库集成电路工艺原理芯片制造课程试题库一填空题30分1分3010题章晶圆制备1用来做芯片的高纯硅被称为 半导体级硅 ,英文简称 GSG ,有时也被称为 电子级硅 .2单晶硅生长常用 CZ法 和 区熔法 两种生长方式。

5、m long with a cross-sectional area of 1 m2. How much current would flow through this “resistor” at room temperat。

6、集成电路制造工艺与原理期末答卷深圳大学期末考试特殊考试方式电子科学与技术学院微电子科学与工程专业集成电路工艺原理期末成绩考核报告姓名: 学号: 深圳大学考试答题纸以论文报告等形式考核专用二一五二一六学年度第 一 学期课程编号16007300。

7、淀积20目前常用的CVD系统有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。
21淀积膜的过程有三个不同的阶段。
第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 汇聚成膜 ）。
22缩略语。

8、集成电路工艺原理芯片制造课程 试题一填空题30分1分3010题章晶圆制备1 用来做芯片的高纯硅被称为 半导体级硅 ,英文简称 GSG ,有时也被称为 电子级硅 .2 单晶硅生长常用 CZ法 和 区熔法 两种生长方式,生长后的单晶硅被称为 硅。

9、2016，1，8，17:00之前请详细解答以下每道问题！（回答时请每道题之间留有空隙、题之间清晰分开、每题标明题号；字迹工整、最好打印；图可以手画，但是，必须用规、具，线条清晰规范；坚决杜绝！卷面脏、乱、草）。

10、集成电路工艺原理芯片制造课程试题库文档一填空题30分1分3010题章晶圆制备1 用来做芯片的高纯硅被称为 半导体级硅 ,英文简称 GSG ,有时也被称为 电子级硅 .2 单晶硅生长常用 CZ法 和 区熔法 两种生长方式,生长后的单晶硅被称为。

11、淀积20 目前常用的CVD系统有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。
21 淀积膜的过程有三个不同的阶段。
第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 汇聚成膜 ）。
22 。

12、淀积20 目前常用的CVD系统有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。
21 淀积膜的过程有三个不同的阶段。
第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 汇聚成膜 ）。
22 。

13、加热填空题 5常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。
氩气（Ar）；13.56MHz填空题 6特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五个方面。
高分辨。

14、集成电路工艺原理期末论文期末考试特殊考试方式电子科学与技术学院集成电路工艺原理期末成绩考核报告姓名:学号: 1在离子注入工艺中,有一道工艺是沟道器件轻掺杂源漏区,其目的是减小电场峰植和热电子效应请详尽解释其原理. 10分对于一定沟道掺杂浓度。

15、完整word版集成电路制造工艺与原理期末答卷深圳大学期末考试特殊考试方式电子科学与技术学院微电子科学与工程专业集成电路工艺原理期末成绩考核报告姓名: 学号: 深圳大学考试答题纸以论文报告等形式考核专用二一五二一六学年度第 一 学期课程编号1。

16、集成电路工艺原理芯片制造课程试题库一填空题30分1分3010题章晶圆制备1 用来做芯片的高纯硅被称为 半导体级硅 ,英文简称 GSG ,有时也被称为 电子级硅 .2 单晶硅生长常用 CZ法 和 区熔法 两种生长方式,生长后的单晶硅被称为 硅。

17、集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题答案第2单元第二单元习题解答1.Si02膜网络结构特点是什么氧和杂质在SiO2网络结构中的作用和用途是什 么对SiO2膜性能有哪些影响二氧化硅的基本结构单元为Si0四面体网络状结构,四面体中心为硅原子, 四。

18、精品集成电路制造技术原理与工艺王蔚习题解答第4单元复习题1.ULSI中对光刻技术的基本要求答:一般来说,在ULSI中对光刻技术的基本要求包括五方面:高分辨率.随着集成电路集成度的不断提高,加工的线条越来越精细,要求光刻的图形具有高分辨率.在。

19、集成电路制造工艺原理模板集成电路制造工艺原理课程总体介绍:1课程性质及开课时间:本课程为电子科学和技术专业微电子技术方向和光电子技术方向专业选修课.本课程是半导体集成电路晶体管原理和设计和光集成电路等课程前修课程.本课程开课时间暂定在第五学。