宽禁带半导体材料与工艺宽禁带半导体材料与工艺1.1 宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体WBS是自第一代元素半导体材料Si和第二代化合物半导体材料GaAsGaPInP等之后发展起来的第三代半导体材料.这类材料主要包括SiC碳化硅CBN立方氮,用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节
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1、宽禁带半导体材料与工艺宽禁带半导体材料与工艺1.1 宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体WBS是自第一代元素半导体材料Si和第二代化合物半导体材料GaAsGaPInP等之后发展起来的第三代半导体材料.这类材料主要包括SiC碳化硅CBN立方氮。
2、用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。
低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。
此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
3、宽禁带半导体材料项目立项申请宽禁带半导体材料项目立项申请一项目名称及建设主体一项目名称宽禁带半导体材料投资建设项目二项目建设单位某某股份有限公司二项目拟建地址及用地指标一项目拟建地址该项目选址在漯河市某某工业园区.二项目用地性质及用地规模1。
4、宽禁带半导体材料和工艺设计宽禁带半导体材料与工艺1.1 宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体WBS是自第一代元素半导体材料Si和第二代化合物半导体材料GaAsGaPInP等之后发展起来的第三代半导体材料.这类材料主要包括SiC碳化硅CBN立。
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