模拟电子技术复习题

1、填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V.2二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 .3二极管的最主要特性是 单。

2、模拟电子技术基础期末复习题填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V;锗二极管的门槛电压约为 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 V.3二极管的最主要特性是 .结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流。

3、第1页,第1章 常用半导体器件,N型半导体,P型半导体如何产生在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如磷锑砷等,即构成 N 型半导体.在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如硼镓铟等,即构成 P 型半导体.2.PN结的形成,空间。

4、模拟电子技术习题第一章 常用半导体器件自 测 题 一判断下列说法是否正确,用和表示判断结果填入空内. 1在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体. 2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. 3PN结在无光照无外。

5、最新模拟电子技术综合复习题模拟电子技术综合复习题一二章:一.选择题1在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体.A.二 B.三 C.四 D.五2在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度.A.大于 B.等于 C.小于3本征半导体温。

6、电气技术基础复习题模拟电子电气技术基础复习题模拟电子技术基础部分第1章 半导体器件一填空题1纯净的具有晶体结构的半导体称为 本征 半导体.N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数。

7、模拟电子技术综合复习题答案1在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体.A.二 B.三 C.四 D.五2在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P型半导体.A.二 B.三 C.四 D.五3在本征半导体中,自由电子浓度 B 。

8、模拟电子技术复习资料docx1 1填空题1信号是消息的载体,从广义上讲,它包含 , , 02. 电信号是指随时间而变化的 o3. 模拟信号的幅度或数值具有性,数字信号的幅度或数值具有性.4. 模拟电子技术是主要研究处理 的电子技术.5. 模。

9、模电总结复习模拟电子技术基础模电复习资料第一章 半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质如硅Si锗Ge.2.特性光敏热敏和掺杂特性.3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体. 4. 两种载流子 带有正负。

10、模拟电子技术总结复习半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质如硅Si锗Ge.2.特性光敏热敏和掺杂特性.3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体. 4. 两种载流子 带有正负电荷的可移动的空。

11、模拟电子技术复习试题doc资料模拟电子技术复习试题模拟电子期末练习题填空题: 1PN结正偏时 ,反偏时,所以PN结具有导电性. 2漂移电流是 电流,它由载流子形成,其大小与有关,而与外加电压. 3所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为,等。

12、模拟电子技术复习资料一填空题每题1分1. 当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度 ,因而少子漂移而形成的反向电流 ,二极管反向伏安特性曲线 移.2. 在PN结形成过程中,载流子扩散运动是 作用下产生的,漂移运动是 作用下产生的.3. 在。

13、模拟电子技术复习题及答案一填空题: 1电子电路中常用的半导体器件有二极管稳压管双极型三极管和场效应等.制造这些器材的主要材料是半导体,例如硅 和锗等. 半导体中中存在两种载流子:电子和空穴.纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力很差.掺有。

14、模拟电子技术复习题填空选择填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V.2二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。