数字集成电路设计笔记归纳第三章器件一超深亚微米工艺条件下MOS管主要二阶效应:1速度饱和效应:主要出现在短沟道NMOS管,PMOS速度饱和效应不显著.主要原因是太大.在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度,即载流子迁移率是常数.但在电,由于器件发展过程中，电压降低的幅度不及器件尺寸，导致电场强
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1、数字集成电路设计笔记归纳第三章器件一超深亚微米工艺条件下MOS管主要二阶效应:1速度饱和效应:主要出现在短沟道NMOS管,PMOS速度饱和效应不显著.主要原因是太大.在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度,即载流子迁移率是常数.但在电。
2、由于器件发展过程中，电压降低的幅度不及器件尺寸，导致电场强度提高，使得电子速度增加。
漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对，从而形成衬底电流，另一方面使电子隧穿到栅氧中，形成栅电流并改变阈值电压。
影响：1、使器件。
3、数字集成电路设计笔记归纳资料doc第三章器件一超深亚微米工艺条件下MOS管主要二阶效应:1速度饱和效应:主要出现在短沟道NMOS管,PMOS速度饱和效应不显著.主要原因是太大.在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度,即载流子迁移率是常。
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