多晶硅产业链调研.docx

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多晶硅产业链调研

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概述

太阳能多晶硅产业链示意图如下：

石英砂（SiO2≥97%）→工业硅→多晶硅（西门子法、硅烷法、冶金法）→多晶硅锭→切片→光伏电池→光伏电池组件→光伏电站（离网、并网）

圈中为有机硅部分，本文暂不涉及。

表1.近年来硅行业相关政策及事件

时间

主题

摘要

2008年3月1日起执行

国家发改委《铁合金行业准入条件》

（1）工业硅矿热电炉采用矮烟罩半封闭型或全封闭型，容量为25000kva及以上（中西部具有独立运行的小水电及矿产资源优势的国家和省定扶贫开发工作重点县，单台矿热电炉容量≥12500kva）。

（2）工业硅生产能耗不高于12000kWh/t，硅元素回收率≥85%，水循环利用率≥95%。

2010年12月31日

工信部《多晶硅行业准入条件》

（1）阳能级多晶硅项目每期规模大于3000t/a，半导体级多晶硅项目规模大于1000t/a。

（2）太阳能级多晶硅还原电耗小于60kWh/kg；半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100kWh/kg，半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120kWh/kg。

（3）还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%；水循环利用率≥95%。

2012年2月25日

工信部《光伏产业“十二五”规划》

（1）到2015年形成：

多晶硅领先企业达到5万吨级，骨干企业达到万吨级水平;太阳能电池领先企业达到5GW级，骨干企业达到GW级水平。

（2）多晶硅生产还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%，到2015年平均综合电耗低于120kWh/kg。

单晶硅电池的产业化转换效率达到21%，多晶硅电池达到19%，非晶硅薄膜电池达到12%，新型薄膜太阳能电池实现产业化。

光伏电池生产设备和辅助材料本土化率达到80%，掌握光伏并网、储能设备生产及系统集成关键技术。

（3）到2015年，光伏组件成本下降到7000元/千瓦，光伏系统成本下降到1.3万元/kW，发电成本下降到0.8元/kWh，光伏发电具有一定经济竞争力;到2020年，光伏组件成本下降到5000元/kW，光伏系统成本下降到1万元/kW，发电成本下降到0.6元/kWh，在主要电力市场实现有效竞争。

2012年7月

以江苏中能、江西赛维LDK、洛阳中硅、重庆大全为首的中国多晶硅企业向中国商务部起诉韩、美、德对我国实行多晶硅倾销

“反倾销反补贴”调查、裁定中

2012年9月6日

欧盟启动针对中国输欧光伏产业反侵销调查

2012年9月12日

《太阳能发电发展“十二五”规划》

太阳能发电“十二五”规划目标定调为2100万千瓦，其中光伏和光热发电分别为2000万千瓦（分布式发电与大型电站装机规模均为1000万千瓦）和100万千瓦。

2012年10月10日

美国商务部对中国光伏企业进行“反倾销”终裁

　2011年11月，应SolarWorld等美国太阳能设备企业的要求，美国政府开始立案调查75家中国光伏企业，2012年3月和5月，美国商务部曾分别向中国光伏对美出口征收反补贴税与反倾销税做出肯定性初裁。

美国商务部确定中国出口美国的太阳能电池存在倾销和补贴行为，美方将针对中国相关生产和出口企业征收介于18.32%至249.96%的反倾销关税，以及介于14.78%至15.97%的反补贴关税。

2012年10月10日就中国光伏企业对美出口调查做出终裁，决定向中国光伏企业征收反倾销与反补贴税。

对此，中国商务部回应称美国无视中方的合理抗辩，采取不公正的征税措施，中方对裁决结果强烈不满。

2012-10-26

国家电网发布分布式光伏发电项目并网方案

满足条件的光伏项目可以接入电网，这些条件包括：

位于用户附近，所发电能能够就地利用，10千伏以下电压等级接入电网而且单个并网总装机容量不超过6兆瓦。

1金昌市及周边地区石英石资源概况

生产工业硅的石英砂要求SiO2≥97%，对其中的砷、磷、硫有严格的要求。

1.1我国石英石资源概况

自然界的石英砂、石英砂岩、石英岩、脉石英等硅质原料统称为硅石矿。

硅石矿广泛用于玻璃、耐火材料、陶瓷、铸造、石油、化工、环保、研磨、建筑材料等行业。

纯度较高的硅石矿可制结晶硅。

中国玻璃硅质原料资源非常丰富。

全国26个省（区）有189个矿区，总保有储量38亿吨。

主要分布在青海、海南、河北、内蒙古、辽宁、河南、福建、广西等省（区）。

就地区分布看，玻璃用石英岩以青海为最，占全国总储量的42.4%；石英砂以海南为最多；玻璃用石英砂岩山东则居首位。

1.2金昌市石英石资源

金昌市石英资源比较丰富，大型矿山有高石咀石英岩矿，砂鲁咀石英岩矿，马莲沟石英砂岩矿，大横沟脉石英矿等。

但矿石中二氧化硅品位均低于97%。

1.3周边地区优良的石英石资源（距金昌运距500km）

兰州石英石质量好、品位高，储量约3.8亿吨。

兰州金盛石英砂厂，前身永登富强石英砂厂，生产基地位于中国六大石英岩储藏地之一甘肃永登县，有丰富的石英矿，硅石品位含量达到99.45%以上，含铁量仅在0.03%以下。

且资源优良、交通方便。

该厂年生产各种规格精制石英砂、精制石英粉、普通石英砂、滤料石英砂、炉料石英砂、纯天然石英砂2.8万余t。

品位在98%（售价240元/t）～99.6%（售价750元/t）之间。

河西地区的主要石英矿有山丹县的悬山熔剂石英石矿，储量为1895万吨，未开发利用，具体品位不详。

1.4周边地区优良的石英岩资源（距金昌运距1000km）

青海省石英岩矿资源量居全国首位，矿石品位高。

而大通县石英岩矿产资源占全省已探明储量的90%以上，主要矿床集中分布在大通县娘娘山一带的中元古界磨石沟组地层中，现已查明的矿山有大通县窑沟石英岩矿、门洞滩石英岩矿、卧牛掌石英岩矿、柏木沟石英岩矿，可满足工业硅用石英岩较理想的矿山有窑沟石英岩矿和门洞滩英岩矿，目前全县石英岩矿开采量20万t，主要用于硅铁和碳化硅原料。

1.4.1大通县门洞滩石英岩矿

大通县门洞滩石英岩矿位于大通县景阳镇中岭村西北侧。

矿区距景阳镇9公里，东南距长宁火车站26km，距大通县桥头镇42km，距西宁45km。

区内石英岩化学成分:

SiO2，平均99.08%；AI203平均0.37%；Fe2O3平均0.045%；CaO平均0.053%；P2O5<0.013%。

矿区已探明储量1332万t。

可满足工业硅用右英岩资源量600万t。

距离金昌545km。

1.4.2大通县窑沟石英岩矿

大通县窑沟石英岩矿位于大通县斜沟乡河滩庄南2km。

矿区向北5km有乡村公路与西宁一张掖公路相通，东至大通县桥头镇15km，南距西宁45km，宁大铁路直通大通。

区内石英岩SiO2≥99%的矿石单层厚度1.41～28.77m，呈似层状，剖面上具一定的对应性，较便于规模性开采，其化学成分Si0299～99.68%；Al2O30.41%～0.19%；Fe2O30.20%～0.072%；CaO<0.07%，多为零；P2O5<0.019%。

矿区已探明储量8419万t，可满足工业硅用石英岩资源量占总资源量的30%以上。

距离金昌545km。

1.4.3宁夏石嘴山市惠农县红果子沟石英砂岩矿区

该矿区二氧化硅97.8%，三氧化铝0.83%，三氧化二铁0.05%，储量2400万t。

硅石当地单价:

140～150元/t），运距680km。

1.4.4宁夏银川市大口子熔剂硅石矿

宁夏银川市大口子熔剂硅石矿储量1000万t，纯度约98.5%，运距600km。

2多晶硅三种工艺及生产成本对比

2.1工业硅生产成本

冶金级硅（工业硅）是制造多晶硅的原料，它由石英砂（二氧化硅）在电弧炉中用碳（木炭、石油焦、煤等）还原而成，称电热法。

尽管二氧化硅矿石在自然界中随处可见，但仅有其中的少数可以用于冶金级硅的制备。

一般来说，要求矿石中二氧化硅的含量应该在97%以上，并对各种杂质特别是砷、磷和硫等的含量有严格的限制。

冶金硅形成过程的化学反应式为：

SiO2+2C＝Si+2CO。

冶金硅产品含Si在97.00%～99.99%。

世界大部分工业国家炼硅矿热电炉容量为10000kVA～48000kVA。

而中国炼硅矿热电炉容量大部分为6300kVA和10000kVA，近年来新建项目大多采用12500kVA～27000kVA电炉，也有从国外引进的39000kVA电炉，但数量不多。

准入条件：

根据《铁合金行业准入条件（2008年修订）》，工业硅矿热电炉采用矮烟罩半封闭型或全封闭型，容量为25000kVA及以上（中西部具有独立运行的小水电及矿产资源优势的国家和省定扶贫开发工作重点县，单台矿热电炉容量≥12500kVA），变压器选用有载电动多级调压的三相或三个单相节能型设备，生产工艺操作机械化和控制自动化。

工业硅生产能耗不高于12000kWh/t，硅元素回收率≥85%，水循环利用率≥95%。

工业硅行业概况：

中国1957年～2010年，建成投产的工业硅生产厂家有600家以上，现在仍在生产的有200家以上。

根据硅业分会统计，2011年我国工业硅总产能超过320万t/a，在建100万t/a。

2011年我国工业硅产量为136万t，同比增长15.2%，占世界产量的80%左右。

2011年全年工业硅出口量为58.4万t，同比下降7.7%。

其中对日出口17.4万t，同比下降6.4%；对韩出口10.34万t，比增加21.1%；对欧出口10.7万t，比下滑14.1%。

2011年，中国工业硅消费量同比增长27%。

工业硅品种之一553工业硅的全年均价达到13122元/t高位，同比上涨3.6%。

2012年1月～8月，Si-553平均价格为10800元/t。

化学用硅是指用于有机硅和多晶硅生产的工业硅。

从世界范围来看，现在冶金用硅的消费量多于化学用硅的消费量，但随着科学技术的不断发展，化学用硅用于有机硅和半导体生产等领域不断拓宽，广泛用于生产有机硅单体和聚合物硅油，硅橡胶、硅树脂建筑物防腐、防水剂等，它们具有耐高温、电绝缘、耐辐射、防水等独特性能。

用于电气、航空、机械、化工、医药、国防、建筑等部门。

作为集成电路核心的电子元器件，95%以上是用半导体硅制成的，半导体是当代信息工业的支柱。

表2.GB/T2881-2008工业硅牌号及化学成分

品级

牌号

化学成分

Si（＞.%）

杂质含量（≤,%）

杂质总和（＜，%）

Fe

Al

Ca

化学硅

Si-2202

99.5

0.20

0.20

0.03

0.5

Si-3303

99.0

0.30

0.30

0.03

1.0

Si-3305

99.0

0.30

0.30

0.05

1.0

Si-441

99.0

0.40

0.40

0.10

1.0

冶金硅

Si-553

98.5

0.50

0.50

0.30

1.5

Si-1

98.0

0.70

—

0.50

2.0

根据2012年8月金昌周边地区石英石和原材料价格，工业硅生产成本如表3所示。

表3.2011年25000kVA工业硅炉（1万t工业硅/年.单台炉）生产成本分析

名称

单耗

单价

价格

石英砂（Si≥98%）

2.5t/t工业硅

350元/t

875元

煤、木炭

0.85t/t工业硅

400元/t

340元

石油焦

0.6t/t工业硅

1500元/t

900元

其他辅助燃料

1t/t工业硅

150元/t

150元

电能

12000kWh/t工业硅

0.48元/kWh

5760元

电极

70kg/t工业硅

12000元/t

840元

水

12t/t工业硅

3元/t

36元

人工及生产辅助费用

300元

单位生产成本合计

9201元

2.2三种多晶硅生产工艺对比

电子级多晶硅（EG）要求纯度达到9N，太阳能级多晶硅（SOG）要求纯度达到6N。

2.2.1改良西门子法

占世界多晶硅总产能的85%。

1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产，被外界称为“西门子法”。

由于西门子法生产多晶硅存在转化率低，副产品排放污染严重（例如四氯化硅SiCl4）的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。

改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本（针对单次转化率低）。

因此，改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。

改良西门子法优点

节能：

由于改良西门子法采用多对棒、大直径还原炉，可有效降低还炉消耗的电能。

降低物耗：

改良西门子法对还原尾气进行了有效回收。

减少污染：

由于改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种物料得到充分利用，排出的废料极少，相对传统西门子法而言，污染得到了控制，保护了环境。

改良西门子法工艺流程

主要反应包括：

Si+HCl—SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）

SiCl4+H2—SiHCl3+HCl（热氢化）

SiHCl3+H2—SiCl4+HCl+Si（氢还原）

改良西门子法生产多晶硅工艺大致分为以下几个工序：

H2制备与净化、HCl合成、SiHCl3合成、合成气干法分离、氯硅烷分离提纯、SiHCl3氢还原、还原尾气干法分离、SiCl4氢化、氢化气干法分离、硅芯制备及产品整理、废气及残液处理等。

在三氯氢硅还原为多晶硅的过程中，会有大量的剧毒副产品四氯化硅生成。

改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后，把回收的四氯化硅送到氢化反应环节将其转化为三氯氢硅，并与尾气中分离出来的三氯氢硅一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回三氯氢硅合成装置，均实现了闭路循环利用。

这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。

CVD还原反应（将高纯度三氯氢硅还原为高纯度多晶硅）是改良西门子法多晶硅生产工艺中能耗最高和最关键的一个环节，CVD工艺的改良是多晶硅生产成本下降的一项重要驱动力。

2011年保利协鑫多晶硅生产成本构成

改良西门子法可生产太阳能级多晶硅和电子级多晶硅。

目前产能分列全球前两位的中国保利协鑫和韩国OCI是改良西门子法的典型代表。

最近公布的2011年第四季度财报显示，截至2011年底，保利协鑫的多晶硅生产成本已经降至18.6美元/千克（包括设备折旧成本，大约占14%），综合电耗可低至65kWh/km。

改良西门子法在多晶硅生产领域已经应用了几十年，至今它的主导地位仍然牢不可破。

通过CVD技术的改良、中间气体生产技术的进步和规模化效益的凸显，二次创新的改良西门子法已经成为目前技术最成熟、配套最完善、综合成本最低的多晶硅生产工艺。

2.2.2硅烷法（含流化床法）

占世界多晶硅总产能的12%。

硅烷的制取方式有多种，有日本Komatsu发明的硅化镁法、硅的直接氢化法、美国MEMC发明的NaA1H4与SiF4反应的新硅烷法、美国UnionCarbide发明的歧化法等。

但适合于大规模生产电子级多晶硅的硅烷是以冶金硅与四氯化硅逐步反应而得。

具体方法为：

四氯化硅与氢、硅在500℃和3.55MPa下反应生成三氯氢硅，经分馏、再分配反应变成二氯二氢硅，并且在再分配反应器中生成三氯氢硅，三氯氢硅通过第三次再分配反应生成需要的硅烷以及副产品二氯二氢硅。

各反应的转化效率依次为20％~22.5％，9.6％和14％。

硅烷法制造多晶硅也是一种化学方法，核心工艺是利用高纯度硅烷在反应器中热分解为高纯度硅。

硅烷法可以分为两类，较早出现的是硅烷西门子法（SilaneSiemens），即用硅烷（SiH4）而非三氯氢硅（SiHCl3，简称TCS））作为CVD还原炉的原料，通过硅烷（包括副产品SiH2Cl2，简称DCS）的热分解和气相沉积来生产高纯度多晶硅棒料，挪威REC公司旗下的RECSilicon公司（位于美国，包括原Asimi和SGS）采用过此方法生产电子级多晶硅；不过，REC近期的多晶硅扩建项目采用了另一种硅烷法——硅烷流化床法（SilaneFBR），将硅烷通入加有小颗粒硅粉的流化床（FBR）反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅。

硅烷法是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。

硅烷作为中间化合物的优点在于：

金属杂质在硅烷的制备过程中，不易形成挥发性的金属氢化物气体，硅烷形成后，剩余的主要杂质仅为硼和磷等非金属，相对容易去除，因而易于提纯。

此外硅烷不需要经过还原反应而直接在温度相对较低（500℃）的环境下热分解生成颗粒状多晶硅。

日本小松（Komatsu）公司采用硅烷法技术生产，但因爆炸事故而被REC收购。

目前，硅烷法生产的多晶硅占世界多晶硅总产能的12%。

仅有REC（ASIMI和SGS）采用硅烷热分解生产高纯度的多晶硅。

挪威的REC公司（RenewableEnergyCorporation）是全球最重要的高纯硅烷供应商，一度占据全球电子级硅烷市场80%的份额，对采用硅烷法生产多晶硅有很强的动力。

和REC采用的硅烷流化床法类似的是由美国联合碳化合物公司（MEMC）最早推出的流化床法，以STC、H2、冶金硅和HCl为原料在流化床（FBR）高温（500℃以上，不算很高）高压（20bar以上）下氢化生成三氯氢硅，三氯氢硅通过一系列歧化反应后制得硅烷气，硅烷气再通入有小颗粒硅粉的流化床反应炉内连续热解为粒状多晶硅。

这种方法制得的多晶硅纯度相对较低，但基本能满足太阳能级多晶硅的要求。

美国MEMC公司硅烷法生产高纯多晶硅的原则流程见图2。

需要说明的是，由于每步转化率都不高，故物料需要多次循环，同时硅棒上的沉积速率与反应器上的沉积速率之比为10比1，仅为改良西门子法的十分之一。

但因分解温度（800℃）低，电耗仅为40kWh/kg。

硅烷气体为有毒易燃性气体，沸点低，反应设备要密闭，并应有防火、防冻、防爆等安全措施。

硅烷又以它特有的自燃、爆炸性而著称。

硅烷有非常宽的自发着火范围和极强的燃烧能量，决定了它是一种高危险性的气体。

硅烷应用和推广在很大程度上因其高危特性而受到限制在涉及硅烷的工程或实验中，不当的设计、操作或管理均会造成严重的事故甚至灾害。

然而，实践表明，过分的畏惧和不当的防范并不能提供应用硅烷的安全保障。

因此，如何安全而有效地利用硅烷，一直是生产线和实验室应该高度关注的问题。

硅烷法的优点在于热解时温度要求较低（800℃左右），流化床法还有参与反应的硅料表面积大、生产效率高的优点，所以还原电耗低于改良西门子法；另外，硅烷流化床法是一个连续生产的过程，除定期清床之外设备可连续运行，也不需要换装硅芯、配置碳电极等，这些优点均反映为硅烷法生产多晶硅的现金成本很低。

以REC为例，2011年Q4硅烷流化床法生产多晶硅的现金成本已降至14美元/kg。

不过，硅烷流化床法相对改良西门子法还不是很成熟、单位建设成本也比较高，2011年Q4REC的单位研发成本是4美元/kg，单位折旧是8美元/kg，多晶硅生产的综合成本为26美元。

另一方面，改良西门子法在二次创新（提高CVD产能、优化CVD单位功耗、改进STC氢化工艺等）后，无论是还原电耗还是综合电耗都有显著降低，考虑到目前改良西门子法的单位建设成本已经很低（保利协鑫约30美元/kg），其生产多晶硅的综合成本仍然优于硅烷流化床法。

以保利协鑫2011年Q4的情况为例，多晶硅综合成本为19.3美元/kg，不仅优于REC硅烷流化床法的同期成本，也优于REC制定的2012年Q4目标—23美元/kg。

而且，硅烷法对安全性要求很高（硅烷易爆炸，被RECSilicon收购的日本小松Komatsu在应用硅烷法时就曾发生过严重的爆炸事故而不愿扩大生产；RECSilicon的6500t新生产线SiliconIII在投产后不久也出现过气体泄漏的安全问题而被迫紧急抢修）；硅烷分解时容易在气相成核从而生产相当比例（10%以上）的硅粉，变相拉高成本；流化床法制成的多晶硅纯度也相对较差。

图3.REC硅烷流化床法多晶硅的生产成本

图4挪威REC公司硅烷法多晶硅流化床示意图

资料显示，英利的六九硅业选择用四氟化硅法生产硅烷，一期工程采用硅烷西门子法，利用CVD炉热解硅烷生产高纯度多晶硅，设计年产能3000吨；计划中的二期工程则准备采用硅烷流化床法，通过流化床反应装置将硅烷热解为粒状多晶硅。

暂且不论受专利严格保护的硅烷流化床法（六九硅业一期工程还没有应用此方法），单是生产高纯度硅烷的四氟化硅法，六九硅业要自主掌握也有很大的难度。

四氟化硅法又称休斯法，是美国MEMC的专利技术，虽然适合大规模生产高纯度硅烷，但工艺难度高、设备庞杂（特别是提纯）、投资巨大，而且不像改良西门子法在关键设备及工艺方案上有成熟供应商。

因此，六九硅业的“自主研发”进展得很不顺利，不仅硅烷法自产的多晶硅成本远高于外购，而且实际产量也一直远低于设计产能；2011年Q4，英利对六九硅业进行了高达人民币23亿元（合3.615亿美元）的固定资产减值处理。

图5.六九硅业新硅烷法工艺流程图

上世纪90年代，美国曾经组织专家对硅烷法生产多晶硅的几种原料从12个方面进行过评价、打分，排序为：

SiH4＞SiHCl3＞SiH2Cl2＞SiH4。

采用流化床反应器用于硅烷法多晶硅的生产，可以提高反应效率和节约生产成本，硅烷法流化床反应器的特点：

（1）气体（液体）与悬浮固体进行气固相反应，可以实现固体物料的连续输入和输出；

（2）床层具有良好的传热性能，床层内部温度均匀，而且易于控制，特别适用于强放热反应；

（3）存在返混和气泡，影响反应效率，采用多层床和高速湍冲可适当避免返混和气泡的负影响；

（4）生产安全性稍差，产品纯度为7N～9N。

目前采用流化床法生产多晶硅的主要有：

美国MEMC、美国Hemlock、德国Wacker、挪威REC。

MEMC公司流化床多晶硅生产流程为：

工业硅+SiCl4、H2→氢化→三氯氢硅→硅烷（SiH4）→流化床（FBR）→颗粒硅

2.2.3冶金法

目前，冶金法多晶硅占世界多晶硅总产能的3%。

有别于改良西门子法和硅烷法的化学方法，冶金法是利用物理方法生产太阳能级多晶硅.1996年日本川崎制铁公司（KawasakiSteel）开发出了由冶金级硅生产SOG硅的方法。

该方法采用了电子束和等离子冶金技术并结合了定向凝固方法，是世界上最早宣布成功生产出SOG硅的冶金法（MetallurgicalMethod）。

其典型工艺是将纯度好的冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭的外表部分和金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质直接生成太阳能级多晶硅。

从理论上讲，冶金法的工艺要比改良西门子法和硅烷法简单很多，综合电耗也低许多（大约22kWh/kg，改良西门子法最优也在65kWh/kg），所以投资少、建设周期短、生产成本低。

冶金法能生产5N～6N的多晶硅，完全可满足太阳能行业的要求。

目前世界上采用冶金法生产多晶硅的有：

挪威Elkem、美国DowCorning、CrystalSystems、德国Wacker、加拿大Timminco、中国宁发集团银星多晶硅（2000t）、上海普罗、厦门佳科、南阳讯天宇、