电子镇流器控制芯片IR2156.docx

上传人:b****1 文档编号:10762129 上传时间:2023-05-27 格式:DOCX 页数:12 大小:286.46KB
下载 相关 举报
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第1页
第1页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第2页
第2页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第3页
第3页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第4页
第4页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第5页
第5页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第6页
第6页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第7页
第7页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第8页
第8页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第9页
第9页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第10页
第10页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第11页
第11页 / 共12页
电子镇流器控制芯片IR2156.docx_第12页
第12页 / 共12页
亲,该文档总共12页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
下载资源
资源描述

电子镇流器控制芯片IR2156.docx

《电子镇流器控制芯片IR2156.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子镇流器控制芯片IR2156.docx(12页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。

电子镇流器控制芯片IR2156.docx

电子镇流器控制芯片IR2156

电子镇流器控制芯片IR2156

1 引言

   IR2156是IR公司最新推出的多功能、低成本电子镇流器控制芯片,它由一个高压半桥门极驱动器和一个频率可调振荡器组成。

具有预热频率和运行频率可调,预热时间可调,死区时间可调,以及过流门限可调等特性。

完善的保护性能,诸如灯管触发失败保护,灯丝故障保护以及自动重启动功能都设计在其中。

IR2156具有DIP14及SOIC14两种封装。

图1是其内部原理框图。

图1 IR2156内部原理框图

2 主要电气特性

2.1 主要电气特性

   主要电气特性见表1。

除非另有说明,一般情况下:

   VCC=VBS=VBIAS=14V±0.25V,VVDC=OPEN,RT=39.0kΩ,RPH=100.0kΩ,CT=470pF,VCPH=0.0V,VCS=0.0V,VSD=0.0V,CLO,HO=1000pF,Ta=25℃。

表1 主要电气参数

注1:

该芯片内部VCC与COM之间设有15.6V稳压管,注意该脚不能直接外加电压源。

详细参数见IR2156数据表。

2.2 推荐工作条件

   推荐工作条件见表2。

表2 推荐工作条件

符号

定义

最小值

最大值

单位

Vbs

高端浮动供电电压

VCC-0.7

Vclamp

V

Vs

高端浮动供电偏置电压

-1

600

V

VCC

供电电压

Vccuv+

Vclamp

V

ICC

供电电流

注2

10

mA

CT

CT引脚电容

220

——

pF

Isd

关断引线电流

-1

1

mA

Ics

电流检测引线电流

-1

1

mA

Tj

结温

-40

125

注2:

VCC引线要有足够的电流使内部的15.6V的稳压管能够稳住电压。

 

3 IR2156管脚排列及功能

   器件管脚排列见图2,管脚功能见表3。

表3 管脚功能

1

NC

不接

2

VCC

逻辑电路及低端门极驱动供电

3

VDC

IC启动及DC总线检测输入

4

RT

最小频率定时电阻

5

RPH

预热频率定时电阻

6

CT

振荡器定时电容

7

CPH

预热定时电容

8

COM

IC电源及信号地线

9

SD

关断输入

10

CS

电流检测输入

11

LO

低端门极驱动输出

12

VS

高端浮地

13

HO

高端门极驱动输出

14

VB

高端门极驱动浮动供电

图2管脚排列

4 功能简介

4.1 欠压关断(UVLO)模式

   欠压关断模式是当供电电压VCC低于IC的开启门限电压时,IC不工作。

IR2156的欠压关断模式要求供电电流最小保持在200μA以上,保证IC正常工作并驱动高低端输出。

图3为典型的从直流母线馈电和从镇流器输出级充电泵共同为IR2156供电的例子。

通过供电电阻(RSUPPLY)的电流一部分作为启动电流流入IC,其余给启动电容(CVCC)充电。

电阻应能供应两倍的最大启动电流,以保证镇流器在低电压输入下启动。

一旦VCC脚电容电压到达启动门限,且SD脚电压低于4.5V,则IC开始工作,HO,LO振荡。

由于IC工作电流增大,电容开始放电见图4。

图3 IC启动供电方式

图4 CVCC电压

   在放电期间,充电泵产生的整流电流给电容充电,使VCC电压高于IC关断门限,充电泵和IC内置15.6V稳压管来提供供电电压。

启动电容和缓冲电容要有足够的容量,使供电电流满足镇流器工作需要。

自举二极管(DBOOT)和自举电容(CBOOT)提供高端驱动电路的工作电压。

为了在HO脚的第一个脉冲前就给高端供电,因此输出驱动的第一个脉冲来自LO脚。

在欠压关断状态,高端和低端输出驱动HO和LO都为低电平,CT脚在内部连接到COM使镇流器停止振荡,CPH脚在内部连接到COM使预热时间复位。

4.2 预热(PH)模式

   图5为预热电路。

预热模式工作于灯管灯丝开始加热直至灯丝达到正常的点燃温度,它是延长灯管寿命和降低点燃电压所必需的步骤。

当VCC超过UVLO门限时进入预热模式。

LO和HO开始以50%占空比的预热频率振荡,死区时间由外部定时电容CT和内部死区时间电阻RDT决定。

CPH脚与COM断开,内部5μA电流源给CPH脚外接的预热时间电容充电。

CS脚的过流保护在预热期间被屏蔽掉。

图5 预热电路

   预热频率由并联的电阻RT和RPH,以及定时电容CT决定。

CT分别在到达(1/3)VCC和(3/5)VCC电压时充电和放电,RT和RPH并联后内部连接到VCC,通过MOS管S1对CT指数充电(见图1)。

CT的充电时间为(1/3)VCC至(3/5)VCC,分别驱动LO和HO。

一旦CT电压超过(3/5)VCC,MOS管S1关断,电阻RT和RPH与VCC断开。

CT通过内部电阻RDT穿过MOS管S3对COM以指数放电。

CT的放电时间为(3/5)VCC到(1/3)VCC,即输出门极驱动LO和HO的死区时间。

CT的容量要根据RDT和要求的死区时间来选取。

一旦CT放电至低于(1/3)的VCC,MOS管S3关断,RDT与COM断开,MOS管S1导通,RT和RPH连接到VCC。

工作频率始终保持在预热频率直到CPH脚电压超过13V,IC进入触发模式。

在预热模式期间,当CPH脚电压高于7.5V时,恢复过流保护和DC总线欠压复位功能。

4.3触发(IGN)模式

   触发电路如图6所示。

触发模式是指建立触发灯管所需的高电压并触发灯管。

当管脚CPH上的电压超过13V,IR2156进入触发模式。

图6 触发电路

   管脚CPH内部连接到一个P沟道的MOSFET(S4)的门极,S4连接管脚RPH和RT。

当管脚CPH上的电压超过13V时,S4的G-S电压开始低于S4的开通门限。

管脚CPH上的电压持续向VCC上升,S4缓慢关断,这样就使电阻RPH平滑地从RT上断开,同时使工作频率平滑地过渡到触发频率,再过渡到最终的运行频率。

管脚CS的过流保护功能可以在触发失败或灯丝开路时保护镇流器。

外部电流检测电阻RCS上的电压即为管脚CS的电压。

RCS定义镇流器可提供的最大峰值电流(以及触发电压)。

峰值触发电流必须低于MOSFET所能承受的最大电流。

当CS上的电压超过内部的1.3V门限,IC进入故障模式,输出驱动HO和LO都被锁定为低电平。

4.4 运行(RUN)模式

   当灯管触发成功后,镇流器进入运行模式。

运行模式是指灯弧已经建立,灯管以给定的功率工作时IC所处的状态。

运行模式的振荡频率是由定时电阻RT和定时电容CT决定的。

4.5 DC总线欠压复位

   当DC总线电压过低时,灯管的输出级频率会接近或低于谐振频率,这时会造成硬开关,并破坏半桥的开关。

为了防止这种现象的发生,管脚VDC测量DC总线的电压,并在脚VDC上的电压下降到10.9V并低于VCC时,线性拉低管脚CPH电压,这样使得P沟道MOSFETS4在DC总线降压时开通,并使频率向上提高到高于谐振点的一个安全的工作频率。

频率变化值由外部电阻RBUS和内部电阻RVDC决定。

通过拉低管脚CPH,触发斜率也被复位。

当DC总线电压过低时,整流器不进行触发,当DC总线电压再次上升时,IC将进行自动再触发。

当CPH上的电压超过7.5V时(预热模式期间),内部电阻RVDC连接到管脚VDC和COM之间。

4.6 故障(FAULT)模式

   在预热模式过后的任何时间,当电流检测脚CS上的电压超过1.3V时,IC进入故障模式,驱动输出HO和LO都被置位为低电平。

CPH向COM放电,复位预热时间,同时CT向COM放电,关断振荡器。

要想退出故障模式,VCC电压必须下降至低于UVLO的下门限,或者关断脚SD的电压拉高至大于5.1V。

这两种方式都可以使IC进入UVLO模式,一旦脚VCC电压大于开通门限,同时SD低于4.5V,IC将进入预热模式开始振荡。

5 设计步骤1) 1)因为器件参数离散性的原因,计算的结果还需要通过实验微调

5.1 设置死区时间

   通过定时电容CT和内部死区时间电阻RDT可以定义LO和HO的死区时间tDT。

死区时间为电容CT上的电压从(3/5)VCC到(1/3)VCC的放电时间。

公式如下:

   tDT=CT·1475     s

(1)

   CT=tDT/1475     F

(2)

5.2 设置运行频率

   最终的运行频率fRUN由定时电阻RT和定时电容CT设置。

电容CT上的电压从(1/3)VCC到(3/5)VCC的充电时间为输出驱动HO和LO的开通时间。

运行频率的计算公式如下:

   fRUN=

   Hz(3)

   RT=

-2892   Ω(4)

5.3 设置预热频率

   预热频率fPH由定时电阻RT和RPH、定时电容CT设置。

在预热模式期间,定时电阻通过内部连接方式并联。

预热频率计算公式如下:

   fPH=

   Hz(5)

   RPH=

   Ω(6)

5.4 设置预热时间

   预热时间tPH由接在脚CPH上的电容从0充电到13V的时间决定。

一个内部的5μA电流源流入管脚CPH。

预热时间的计算公式如下:

   tPH=CPH·2.6e6    s(7)

   CPH=tPH·0.385e-6   F(8)

5.5 设置最大触发电流

   最大触发电流IIGN由外部电阻RCS和内部1.3V门限共同决定。

该门限定义镇流器的过流点,触发频率靠近谐振点或灯管触发失败时,会超过这个门限。

最大触发电流计算公式如下:

   IIGN=

   A(9)

   RCS=

   Ω(10)

6 设计实例

   根据以上公式,按照42W紧凑型电子镇流器要求,计算所有元件参数(具体计算略)。

计算值向元件标称值靠并通过实验做细调,元件取值如下:

   CT=470pF,RT=43kΩ,RPH=68kΩ,

   CPH=0.22μF,RCS=0.61Ω。

这样,一个功能完善的镇流器就设计好了。

将其安装并测试其计算值,根据元件的离散性稍加调整,镇流器就可在典型状态下工作。

具体运行参数见表4。

表4 镇流器运行参数

参数

特性

数值

fPH

预热频率

68kHz

VPH

灯管预热电压

460Vpp

tPH

预热时间

700ms

Rw/Rc

灯丝预热比

4∶1

VIGN

最大触发电压

1500Vpp

tIGN

触发时间

50ms

fRun

运行频率

47.5kHz

VRun

运行灯管电压

180Vpk

Pin

镇流器运行输入功率

42W

 

7 典型波形

   预热时灯丝电压波形如图7所示。

预热、触发和运行时灯电压波形如图8所示。

图7 预热时灯丝电压(5V/格)     图8 预热、触发和运行时灯电压(250V/格)

   运行时半桥输出电压和RCS上的电压波形如图9所示。

触发失败时灯电压和RCS上的电压波形如图10所示。

上:

100V/格下:

200mV/格

图9运行时半桥输出电压和Rcs上电压

上:

500V/格下:

1V/格

图10触发失败时灯电压和Rcs上电压

8 结语

   IR2156是一款功能完善、性能稳定和成本低廉的电子镇流器控制集成电路。

该IC既可应用于直管莹光灯,也可应用于紧凑型节能灯,其预热和故障保护功能大大提高了灯管和镇流器的寿命。

极具实用推广价值。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索
资源标签

当前位置:首页 > 工程科技 > 能源化工

copyright@ 2008-2023 冰点文库 网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备19020893号-2