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单片机模拟复习题

一、填空题

1、MCS─51设置组工作寄存器,每组中有个工作寄存器。

应通过特殊功能寄存器的两位选择工作寄存器组。

2、MCS─51有个并行I/O口,其信息读取有两种方法是:

3、在直接寻址方式中,只能使用位二进制数作为直接地址,因此其寻址对象只限于。

4、通常把CPU完成一个基本操作所需要的时间称为周期,执行一条指令所需要的时间称为周期。

5、单片机的

端的功用是,8031的

端应接到。

其原因是。

6、在寄存器间接寻址方式中,其“间接”体现在指令中寄存器的内容不是操作数,而是操作数的。

7、64KB的SRAM存储器芯片需要根地址线和根数据线。

8、MCS—51可提供和两种存储器、最大存储空间可达的两个并行存储器扩展系统。

9、MCS—51单片机的中断系统有个中断请求源。

各中断源对应的入口地址在程序存储器空间的地址段内。

10、MCS—51单片机定时/计数器的定时功能是通过对时钟脉冲源的来实现的。

使用时,必须在编程时设定为。

1、MCS—51单片机内部RAM的工作寄存器区共有个单元,分为组工作寄存器,每组单元。

2、单片机系统复位后,内部RAM工作寄存器的当前工作寄存器是第组,8个工作寄存器的单元地址是~。

3、MCS—51单片机位处理器的数据存储空间是由的可寻址位和内部RAM的位寻址区的个位组成,其寻址范围是。

4、通常把CPU完成一个基本操作所需要的时间称为周期,执行一条指令所需要的时间称为周期。

5、(A)=56H,执行ADDA,#38H后PSW中的OV=,Cy=

6、(A)=22H,(R0)=40H,(40H)=10H执行指令MOVA,@R0后(A)=。

7、RAM6264芯片的地址线为A12~A0,其存储容量为。

8、MCS—51可提供和两种存储器、最大存储空间可达

的两个并行存储器扩展系统。

9、51系列单片机有个中断源,默认优先级别最高的中断源是

10、MCS—51单片机内部有个定时/计数器,组成它们的核心部件为。

1、单片机也可称为或。

2、单片机与普通计算机的不同之处在于其将、和

三部分集成于一块芯片上。

3、如果(A)=65H,(50H)=50H,(R1)=50H,执行指令XCHDA,@R1;结果为:

(A)=H,(50H)=H。

4、(A)=56H,执行ADDA,#38H后PSW中的OV=,Cy=。

5、MCS-51系列单片机为位单片机。

6、MCS─51有个并行I/O口,在使用时作地址总线,分时作数据总线。

7、MCS-51单片机有级优先级中断个中断源。

8、通常把CPU执行一条指令所需要的时间称为周期,把CPU完成一个基本操作所需要的时间称为周期。

9、MCS-51系列单片机的典型芯片分别为、、。

10、MCS-51系列单片机指令系统的寻址方式有、、

、、、。

11、74LS138是具有3个输入的译码器芯片,其输出作为片选信号时,最多可以选中

片芯片。

12、利用8255A可以扩展个并行口,其中条口线具有位操作功能。

13、若MCS-51外扩32KB数据存储器的首地址为0000H,则末地址为H。

14、由8031组成的单片机系统在工作时,

引脚应该接。

1.128D=B=H。

2.MCS-51单片机片内RAM的通用工作寄存器共有个,可分为__组,用户可以通过指令改变PSW中的和两位来切换当前的工作寄存器组。

3.当单片机复位时,DPTR=H,SP=H。

4.单片机存储器的主要功能是存储和。

5.AT89C51单片机内部有组并行I/O端口,可作地址/数据复用总线的是口,进行输入操作前应先向端口。

6.若(A)=85H,(R0)=20H,(20H)=AFH,执行指令:

ADDA,@R0,结果为:

(A)=,CY=1,AC=,OV=1,P=。

7.MOVA,@R0指令中源操作数的寻址方式是,JC40H指令中源操作数的寻址方式是。

8.AT89C51片内随机存取存储器的容量为,片外程序存储器的最大容量为。

 

二.概念

1、DPTR

2、SP

3、中断嵌套

4、定时/计数器的定时工作方式和计数工作方式有何不同?

5、PC

6、ALU

7、中断

8、寻址方式

三、简答题

1.MCS-51采用6MHz的晶振,定时2ms,如用定时器方式1时的初值(16进制数)应为多少?

(写出计算过程)

2.说明MCS-51的外部引脚

的作用?

3.如果(DPTR)=507BH,(SP)=32H,(30H)=50H,(31H)=5FH,(32H)=3CH,则执行下列指令后:

POPDPH;

POPDPL;

POPSP;

则:

(DPH)=___;(DPL)=__________;(SP)=_______;

4.分析下列程序的功能

PUSHACC

PUSHB

POPACC

POPB

5、简述

管脚的用途?

6、什么是伪指令?

写出三种常用的伪指令,并说明其功能?

7、MCS-51的外部中断有哪两种触发方式?

它们对电信号的状态有何要求(定性)?

8、设单片机的晶振频率为12MHz,要求用T0定时150s,试计算采用定时方式2的定时初值。

9.简述AT89C51单片机内存RAM的分区及其用途?

10.简述

管脚的用途?

11.简述MCS-51单片机的指令系统按功能可分为哪几类?

12.MCS-51采用12MHz的晶振,定时1ms,如用定时器方式1时的初值(16进制数)应为多少?

(写出计算过程)

 

四、选择题

1.MCS-51单片机在访问外部数据存储器时,其地址指针可采用()。

A.DPTRB.PCC.PSWD.SP

2.80C51与8051的区别在于()。

A.内部ROM的类型不同;B.半导体工艺的形式不同;

C.内部寄存器单元的数目不同;D.内部程序存储器不同。

3.PC的值是()。

A.当前指令前一条指令的地址B.当前正在执行指令的地址

C.下一条指令的地址D.控制器中指令寄存器的地址

4.MCS-5l单片机的堆栈区是设置在()中。

A.片内ROM区B.片外ROM区

C.片内RAM区D.片外RAM区

5.在MCS-51中,需要外加电路实现中断撤除的是()。

A.电平方式的外部中断B.定时中断

C.外部串行中断D.脉冲方式的外部中断

6.AJMP指令的跳转范围是()。

A.256BB.1KBC.2KBD.64KB

7.下列指令中不影响标志位CY的指令是()。

A.ADDA,20HB.CLRC

C.RRCAD.INCA

8.下列说法不正确的是()。

A.同一级别的中断请求按时间的先后顺序响应。

B.同级中断不能嵌套。

C.低优先级中断请求不能中断高优先级中断,但是高优先级中断请求能中断低优先级中断。

D.同一时间同一级别的多中断请求,将形成阻塞,系统无法响应。

9.在寄存器间接寻址方式中,间址寄存器中存放的数据是()。

A.参与操作的数据B.操作数的地址值

C.程序的转移地址D.指令的操作码

10.CPU寻址外设端口地址的方法有两种,一种是统一编址,还有一种是(C)。

A.混合编址B.动态编址C.独立编址D.变址编址

11.PC的值是()。

A.当前指令前一条指令的地址;B.当前正在执行指令的地址;

C.当前正在执行指令的下一条指令的地址;D.控制器中指令寄存器的地址。

12.单片机AT89C51的XTAL1和XTAL2引脚是()引脚。

A.外接定时器B.外接串行口C.外接中断D.外接晶振

3.要用传送指令访问MCS-51片外数据存储器,它的指令操作码助记符应是()。

A.PUSHB.MOV

C.MOVXD.MOVC

4.当PSW的RS0和RS1位分别为1和0时,系统选用的工作寄存器组为()。

A.组0B.组1C.组2D.组3

5.单片机的堆栈指针SP始终()。

A.指示堆栈底B.指示堆栈顶

C.指示堆栈中间D.指示堆栈长度

6.单片机AT89C51在访问外部数据存储器时,其地址指针可采用()。

A.DPTRB.PCC.PSWD.SP

7.单片机应用程序代码一般存放在()中。

A.RAMB.ROMC.寄存器D.CPU

8.下列指令中访问程序存储器的是()

A.MOVA,R0B.MOVXA,@DPTR

C.MOVC,P1.0D.MOVCA,@A+DPTR

9.下列说法不正确的是()。

A.同一级别的中断请求按时间的先后顺序响应。

B.同级中断不能嵌套。

C.低优先级中断请求不能中断高优先级中断,但是高优先级中断请求能中断低优先级中断。

D.同一时间同一级别的多中断请求,将形成阻塞,系统无法响应。

10.AJMP指令的跳转范围是()。

A.256BB.1KBC.2KBD.64KB

 

五、编程题

1.编写程序,将内部RAM从50H单元开始连续10个单元的内容送到外部RAM以2000H开始的单元中。

ORG2000H

MOVR0,#50

MOVR2,#0AH

MOVDPTR,#2000H

LOOP:

MOVA,@R0

MOVX@DPTR,A

INCR0

INCDPTR

DJNZR2,LOOP

$:

SJMP$

END

2、试编写程序段,将R1中的低4位数与R2中的高4位数合并成一个8位数,并将其存放在R1中。

ORG1000H

MOVA,R1

ANLA,#0FH

MOVR1,A

MOVA,R2

ANLA,#0F0H

ORLA,R1

MOVR1,A

$:

SJMP$

END

3、试编程将片外RAM中2000H和2001H单元内容相加,结果存放在片内RAM的40H和41H单元中,41H存放高字节。

4、试编程将片外RAM1000H~1020H单元中的内容传送到以40H为首地址的片内RAM存储区中。

5、设Y、D、E、F、G都代表位地址,试编写程序完成位运算Y=E(F+D)G的操作。

6.试编程将片外RAM中1000H和1001H单元内容相加,结果存放在片内RAM的20H和21H单元中,21H存放高字节。

7.试编程将片外RAM2000H~204FH的存储区中数据块内容,传送到片内RAM以20H单元为首地址的存储区中,并将原数据块区域全部清零。

8、编写程序,将内部数据存储器40H~4FH单元的内容送到片外RAM从2000H开始的16个单元。

9、从内部数据存储器20H~30H单元,有16个有符号数据。

试编一个程序,把其中的负数送到内部数据存储器从50H开始的存储单元。

10、编写程序,将片内RAM从50H单元开始的10个单元的内容传送到以2000H为首地址的片外数据存储器中。

11、编程将外部RAM的2050H~3000H地址单元清零。

12、编程将片外2000H单元与2001H单元的内容相乘,结果存放在片内20H与21H单元中,高位存放在21H单元中。

13.一个16位数的高字节存放在片外数据存储器2000H单元,低字节存放在2001H单元,另一16位数据的高字节存放在片内数据存储器的30H单元,低字节存放在31H单元,编程完成这2个16位数据加法运算,和的高8位存放在50H单元,低8位存放在51H单元。

(假设和仍为两字节)

 

14.编写程序,求出内部RAM中从地址为30H开始的连续8个单元中的内容的平均值,并存入60H单元中。

(假设8个单元的总和小于255)

 

六、读程题

1.已知(B)=21H,(A)=20H在执行下列指令后,(SP)=______,内部RAM(51H)=______。

MOVSP,#50H

PUSHACC

PUSHB

2.已知(59H)=50H,以下程序段执行后(A)=,(51H)=,(R0)=。

MOVA,59H

MOVR0,A

MOVA,#00

MOV@R0,A

MOVA,#25H

MOV51H,A

MOV52H,#70H

3.读程序,写出结果。

MOVA,#50H

MOVB,#77H

PUSHACC

PUSHB

POPACC

POPB

执行完本段指令后(A)=(B)=。

4.读程序,写出结果。

MOVDPTR,#2000H

MOVA,#80H

MOVX@DPTR,A

INCDPTR

MOVA,#90H

MOVX@DPTR,A

MOVDPTR,#2000H

MOVXA,@DPTR

MOVB,A

INCDPTR

MOVXA,@DPTR

以上程序执行后,(DPTR)=,(A)=,(2001H)=。

5、设内部RAM的30H单元的内容为40H,40H单元的内容为10H,10H单元的内容为00H,端口P1=0BAH。

问执行以下指令后,各有关存储单元、寄存器以及端口的内容(即R0、R1、A、B、P1、P2、40H、30H、10H单元)

MOVR0,#30H

MOVA,@R0

MOVR1,A

MOVB,@R1

MOV@R1,P1

MOVP2,P1

MOV10H,#50H

MOV30H,10H

 

6.执行下列程序段后,R1=R2=R3=。

MOVA,#65H

MOVB,A

RLA

MOVR1,A

MOVR2,B

ANLA,B

MOVR3,A

7.执行下列程序段后,(A)=_______,AC=。

MOVA,#88H

MOVR3,#1FH

ADDA,R3

8.执行下列程序段后,(75H)=,(76H)=,SP=。

MOVSP,#75H

MOV75H,#25H

MOVA,#45H

PUSHA

9.下列程序段执行后,(R0)=,(7EH)=。

MOVR0,#7EH

MOV7EH,#0FFH

MOV7FH,#40H

INC@R0

INCR0

INC@R0

六、综合题

1、以AT89C51为主机的系统,拟采用2片6264数据存储器芯片,扩展16KB的数据存储器,试设计硬件电路图,并分别写出芯片的地址空间范围。

 

2.下图中外部扩展的程序存储器和数据存储器容量各是多少?

P2.7

P2.5

5

5

PSEN

P2.6

P2.4

P2.0

AT89C51

D0-D7

OE

0#2764

A8-A12

OE

74LS373

Q0

Q7

D0

D7

G

ALE

8

5

8

2#6264

CS

A8-A12

A0-A7

A8-A12

A0-A7

1#6264

RD

5

8

3.三片存储器芯片的地址范围分别是多少?

(地址线未用到的位填1)

CE

WR

D0-D7

OE

CE

A0-A7

P0.7

P0.0

8

8

8

8

8

+5V

WR

CE

+5V

WR

CS

OE

OE

 

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