集成电路测试员实习报告.docx
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集成电路测试员实习报告
集成电路测试员实习报告
篇一：
测控技术与仪器专业生产实习报告
测控技术与仪器专业
《生产实习报告》
一、实习概况
实习时间：
XX.7.28-XX.8.8
实习地点：
无锡市公共实训基地
实习要求：
掌握如下的专业知识和技能并通过考核。
1.集成电路及测试常识
2.模拟集成电路测试原理、方法及设备详细构成；
3.集成电路主要参数及测试设备框架构成；
4.评估集成电路的具体技术指标；
5.集成电路测试实际操作。
二、实习企业介绍
北京信诺达泰思特科技股份有限公司成立于XX年11月，注册资本为632万人民币，主要从事集成电路测试系统的研发。
在集成电路测试领域具有深厚的技术实力与市场储备，同时承接集成电路测试服务、电路板测试维修业务。
公司是集研制、开发、销售、服务于一体的高新技术企业。
由研发人员发明了“一种快速获取DSP测试向量的方法及装置”并取得国防专利证书。
公司核心研发团队多年来一直从事半导体测试系统的研发工作，参与并完成的项目包括国家六.五重点科技攻关项目“大规模/超大规模存储器集成电路测试系统研制”；国家“七五”、“八五”重点科技攻关项目“测试程序库的开发与实
用化”；北京市科学院“100M超大规模数字电路测试系统研制”项目等，以上项目均顺利通过验收。
公司所研发的产品涵盖数字集成电路测试、模拟集成电路测试、数模混合集成电路测试、存储器测试、继电器测试、电源模块测试等，曾为多家封装测试企业、军工企业及科研院所提供产品及服务，广泛应用于航空、航天、铁路、船舶、兵器、电子、核工业等领域。
还可以针对用户实际需求，量身为客户提供最优的测试解决方案。
公司秉承“敬业、奉献、协同、创新”的精神，为客户提供高质高效的测试展品和服务。
三、实习内容
第一周：
7月28日上午我们来到无锡公共实训基地学习集成电路测试的相关知识。
下午基地领导带我们参观了公司、介绍了相关产品。
产品描述：
ST5000是一款高精度的半导体分立器件测试系统，该系统采用了标准的PXI总线，能够兼容CPCI和PXI设备。
它是一款浮动资源的测试工作站，这种特殊的架构方式使得用户可以最有效的利用系统资源，配置出最经济、高效的测试系统。
测试原理符合相应的国家标准、国家军用标准。
ST5000旨在帮助您最大限度地提高系统的正常运行时间、性能，大幅降低器件的测试时间，提高测试效率，同时最大限度地降低运营成本，支持广泛的业务。
而且，我们的服务可以完全灵活的满足您的需求。
系统基本特征：
1.最低的拥有成本，可靠的、可扩展的体系结构。
2.CPU内嵌在系统主机内，并通过PXI总线控制和管理测试主机。
3.WindowsXP/XX操作系统，窗口式编程，直观、友好的图形用户界
面极大的方便了用户。
4.支持两测试站乒乓测试，两测试站可测试不同的器件类型，并支持不同的工作模式。
5.系统采用四线开尔文连接方式及屏蔽措施保证被测器件端的测试精度和稳定性。
6.兼容各类机械手、探针台。
7.系统可以兼容所有CPCI和PXI设备，可以扩展数字资源，客户对机器
的使用方式有多种选择。
8.设备所有板卡和测试盒都是可以插拔的，是用户在使用过程中方便维护。
9.机器体积的减小，缩短主机与DUT卡的距离，提高了设备的稳定性和精确度。
篇二：
08生产实习报告
长安大学
生产实习报告
院系：
电控学院电子科学与技术系
专业：
电子科学与技术
班级：
32050801
学号：
3205080104
学生姓名：
匡春燕
指导教师：
肖剑张林李清华谷文萍
一、实习目的
通过生产实习，了解本专业的生产过程，巩固所学专业知识。
了解半导体产业发展现状；熟悉半导体元器件和集成电路制造、测试技术；熟悉集成电路封装技术。
二、实习时间
XX年6月27日～XX年7月8日
三、实习地点
天水天光半导体有限责任公司、天水华天科技股份有限公司
四、单位基本情况
天光电子半导体有限责任公司是国家重点工程的配套生产研制单位，先后承担了亿次计算机，风云气象卫星，东方红3号，资源卫星，“神舟”号飞船和其他重点工程和军事吸纳灌木的配套任务，提供了大量可靠的七专产品，以质量可靠，性能稳定而著称，主要生产肖特基二极管管芯，也生产少量集成电路，同时也在积极进行发光二极管的开发等先进项目。
天水华天科技股份有限公司主要生产塑封集成电路、模拟集成电路、混合集成电路、DC/DC电源、集成压力传感器、变压器共五大类400多个品种。
其中主导产品塑封集成电路年封装能力已达30亿块。
公司产品以其优良的品质而被广泛应用于航天、航空、军事工程、电子信息和工业自动控制等领域。
四、实习内容
根据老师及企业的安排，我们于XX.6.28-XX.6.29在甘肃天光电子半导体有限责任公司参观学习，在相关人员的带领下，我们知道了半导体工艺制造的流程以及测试封装的相关知识，同时了解该公司的一些技术设备及相关的杂质处理及生产用水的制备。
XX.6.30-XX.7.1在天水华天科技股份有限公司参观学习，通过第一天相关知识的讲解，我们更加熟悉晶圆的制作流程以及封装的流程，测试的要求，还了解到压力传感器的制作流程以及电镀的相关知识。
总的来说，通过这次的实习，对它们的工厂的参观，了解到以后我们工作的性质。
而且我们学到一些知识，大致可以分为以下几个方面。
1、芯片的制造过程及晶圆制作的工艺流程
2、塑封集成电路封装
3、工艺中的相关测试
4、压力传感器的制作流程
5、电镀的相关知识
6、对天光公司的了解
通过他们的讲解以及查阅相关资料，整理成如下信息：
1芯片的制造过程及晶圆制作的工艺流程
1.1晶圆制造的工艺流程外延扩散的重复，然后进行金属化，后进行钝化，最后反刻，这一系列的工艺结合最终制成晶圆。
其详细流程如下：
1、表面清洗
2、初次氧化
3、CVD（ChemicalVapordeposition）法沉积一层Si3N4（HotCVD或LPCVD）。
（1）常压CVD（NormalPressureCVD）
（2）低压CVD（LowPressureCVD）
（3）热CVD（HotCVD）/（thermalCVD）
（4）电浆增强CVD（PlasmaEnhancedCVD）
（5）MOCVD（MetalOrganicCVD）&分子磊晶成长（MolecularBeamEpitaxy）
（6）外延生长法（LPE），淀积一层Si3N4。
4、涂敷光刻胶
（1）光刻胶的涂敷
（2）预烘（prebake）
（3）曝光
（4）显影
（5）后烘（postbake）
（6）腐蚀（etching）
（7）光刻胶的去除
光刻也就是有选择的扩散。
在光刻工艺中，要注意分辨力、清晰度以及套刻程度。
5、此处用干法氧化法将氮化硅去除
6、离子布植将硼离子（B+3）透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱
7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理
8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷（P+5）离子，形成N型阱
9、退火处理，然后用HF去除SiO2层
10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅
11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层
12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区
13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。
14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成SiO2保护层。
15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷（As）离子，形成NMOS的源漏极。
用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。
16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。
17、沉积掺杂硼磷的氧化层
18、濺镀第一层金属
（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。
（2）真空蒸发法（EvaporationDeposition）
（3）溅镀（SputteringDeposition）
19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。
然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层。
20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置
21、最后进行退火处理，以保证整个Chip的完整和连线的连接性。
晶圆制造工艺中，要注意周边环境的影响，特别是静电，采取措施将人体产生的静电及环境中的静电排除出去，减少对器件的影响。
1.2芯片的制造过程
芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（WaferFabrication）、晶圆针测工序（WaferProbe）、构装工序（Packaging）、测试工序（InitialTestandFinalTest）等几个步骤。
其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（FrontEnd）工序，而构装工序、测试工序为后段（BackEnd）工序。
1）晶圆处理工序：
本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2）晶圆针测工序：
经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下，为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。
在用针测（Probe）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3）构装工序：
就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。
其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。
到此才算制成了一块集成电路芯片（即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块）。
4）测试工序：
芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。
经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。
而特殊测试则是根据客户特殊需求的技术参数，从相近参数规格、品种中拿出部分芯片，做有针对性的专门测试，看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为客户设计专用芯片。
经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。
而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。
2塑装集成电路的封装
2、1封装的介绍
所谓封装就是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保持芯片和增强电热性能的作用，而且芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接.目前集成电路的封装主要还是采用锡铅焊料，封装业进入国际主流领域后，实现焊球阵列封装（BGA）、系统封装（SiP）、芯片级封装（CSP）、多芯片组件（MCM）等新型封装形式。
封装的作用：
1、传递电路
2、传递电路信号
3、提供散热路径
4、对电路的结构保护和支持
在封装过程中，芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：
1。
引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能。
基于散热的要求，封装越薄越好。
2、2封装的工艺流程
来料检查：
即用高倍显微镜检查晶圆在搬运的过程中是否产生缺陷，检验的项目有：
是否压点氧化，是否压点沾污、钝化成是否有残留、资料不符等。
贴膜：
磨片之前，在硅片表面上贴一层保护膜以防止在磨片过程中硅片电路受损。
在划片之前，会去除此保护膜。
磨片：
对硅片背面进行减薄，使其变得更轻更薄，以满足封装工艺要求。
贴片：
在将硅片切割成单个芯片之前，使用保护膜和金属框架将其固定。
划片：
将硅片切成单个的芯片，并对其进行检测，只有切割后经过检测合格的芯片可进入到下道工序。
篇三：
集成电路实习报告1
长安大学
集成电路实习报告
院系：
电控学院电子科学与技术系专业名称：
电子科学与技术班级：
24050601学号：
2405060136学生姓名：
钱德亮指导教师：
邱彦章肖剑
一、实习目的
通过集成电路实习，掌握数字集成电路的设计流程和前端设计方法；熟悉Synopsys公司的电路仿真工具VCS和逻辑综合工具DC，完成密勒解码器的设计。
二、实习时间
XX年11月30日～XX年12月11日
三、实习地点
国家集成电路设计西安产业化基地
四、实习内容密勒解码器设计
一、题目：
设计一个密勒解码器电路二、输入信号：
1．DIN：
输入数据
2．CLK：
频率为2MHz的方波，占空比为50％3．RESET：
复位信号，低有效三、输入信号说明：
输入数据为串行改进密勒码，每个码元持续时间为8μs，即16个CLK时钟；数据流是由A、B、C三种信号组成；
A：
前8个时钟保持“1”，接着5个时钟变为“0”，最后3个时钟为“1”。
B：
在整个码元持续时间内都没有出现“0”，即连续16个时钟保持“1”。
C：
前5个时钟保持“0”，后面11个时钟保持“1”。
改进密勒码编码规则如下：
如果码元为逻辑“1”，用A信号表示。
如果码元为逻辑“0”，用B信号表示，但以下两种特例除外：
如果出现两个以上连“0”，则从第二个“0”起用C信号表示；如果在“通信起始位”之后第一位就是“0”，则用C信号表示，以下类推；
“通信起始位”，用C信号表示；“通信结束位”，用“0”及紧随其后的B信号表示。
“无数据”，用连续的B信号表示。
输入数据信号示例如下：
（S代表“通信起始位”，E代表“通信结束位”）
注意：
当DIN为“1”时，CLK信号为连续的2MHz方波；当DIN为“0”时，为便于理解，特将A信号图示如下：
DIN：
CLK四、输出信号：
1．DOUT：
输出数据
2．DATA＿EN：
输出数据使能信号3．BIT＿EN：
码元使能信号五、输出信号规定：
DATA＿EN：
（本文来自：
WwW.xiaOCaofAnweN.Com小草范文网:
集成电路测试员实习报告） DOUT：
01001
BIT＿EN：
DATA＿EN信号从“0”变为“1”到变回“0”，表示收到一帧完整的数据，DOUT和BIT＿EN只有在DATA＿EN为“1”时才是有效的；BIT＿EN信号为“1”时，DOUT的值即为当前码元。
上图表示解码结果为0100101。
注意，“通信起始位”和“通信结束位”在输出信号中必须消去。
六、设计要求
●设计一个密勒解码电路，输入信号为如下4帧数据：
10010110、00010100、10100101、00100111（与前面输入数据信号示例相同），正确完成解码，并使输出信号符合规定。
●可不考虑错码。
●请首先提供书面设计方案
1．总体设计框图
密勒解码器设计
CDRUT
TA_EN2．总体设计思路说明
整个系统分为两个模块：
检测模块和解码模块。
检测模块主要完成从输入串行序列判断出A，B或C信号，并分别输出脉冲标志脉冲串Signal_A，Signal_B和Signal_C；同时，当检测到任一信号时，BIT_EN_temp输出一个高脉冲。
解码模块根据检测模块输出的三个标志脉冲进行0/1解码，输出最终的密勒解码数据DOUT；同时，输出DATA_EN和BIT_EN两个标志信号。
3．各个模块设计及时序关系说明
3．1检测模块
由于时钟不完整，我们只能计算高电平个数，假设count为输入数据低电平之间高电平的个数；分析发现，根据前一个信号状态与count的值可以判定下一
个信号状态，如下表所示：
因此检测模块处理流程包含三个部分：
计数部分，信号状态转移部分和检测输出部分。
计数部分：
系统复位后处于B状态，设定一个5位寄存器count_temp，每个CLK上升沿进行计数，记满后保持原值不变（此时必定处于无效状态）；当DIN＝0时，一次计数完成，将count_temp的值赋给count保存，同时count_temp清零，准备下一次计数；count值送入“信号状态转移部分”，与当前信号一起判断下一个信号状态。
这里要注意，当下一状态为B时，状态改变了但计数值没有清零（DIN＝0时count才清零），如对于A状态，如果count>12（则下个状态是B），则将count_temp的值先保存，以得到B状态。
然后再在B状态中根据count_temp最终的值，判断下一个状态。
信号状态转移部分：
如图2－1所示（参考表一）
RESET
图2－1：
信号状态转移图
检测输出部分：
若状态为A或C时，且在下一CLK上升沿，count_temp变为1，说明count_temp先被清零了，已经检测到一次A或C，因此Signal_A或Signal_B输出一次高脉冲；若状态为B，且count_temp>12或count_temp>20表
示count_temp还未清零，检测到一次B，信号Signal_B输出一次高脉冲。
3．2解码模块
与检测模块思想一致，根据本次状态和上次状态来判断是开始位，有效数据位或停止位。
因此，我们可以设计一个三状态的有限状态机分别代表开始状态start，数据状态data或停止状态idle。
A，B，C三个信号两两组合共有9组信号，其中AC信号不存在，BB，CB信号表示停止（参看表一）；在idle状态下如果检测到BC则表示数据传输开始，进入start状态，即start状态前一个状态为C，若当前状态为B，则进入idle状态，若当前状态为A或C则进入data状态。
在data状态中有AB，AA，BA，BC，CA，CC六种有效状态，若状态变为BB或CB则表示数据传输结束，进入idle状态。
整个状态转移图如图3－1所示。
在有效状态下，DATA_EN置高，输出DOUT根据miller编码思想和输入状态来决定，如输入A则DOUT＝1，输入B/C，DOUT＝0。
BIT_EN可由BIT_EN_temp与DATA_EN相与得到。
REAA/ABBA/BCCC/CA
图3－1：
有效数据状态转移图
4．附件
4．1文件清单及目录结构
本文档清单如下：
“源代码”文件夹：
miller_decode.v顶层模块
miller_decode_tb.v顶层模块测试程序Signal_detect.v检测模块
Signal_detect_tb2.v检测模块测试程序decode.v解码模块
decode_tb.v解码模块测试程序“结果波形文件夹”：
miller_decode_1.bmp密勒解码器总体输入输出波形图
miller_decode_2.bmp密勒解码器总体输入输出波形局部放大图
Signal_detect_1.bmp密勒解码器检测模块输入输出波形图Signal_detect_2.bmp密勒解码器检测模块输入输出波形局部放大图
decode.bmp密勒解码器解码部分波形图
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