级模拟电路第14单元复习自测题.docx

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级模拟电路第14单元复习自测题

14级《模拟电路》第1-4单元复习自测题

第一单元半导体器件

在P型半导体中，多数载流子是[B]

A.电子B.空穴C.离子D.杂质

在N型半导体中，多数载流子是[A]

A.电子B.空穴C.离子D.杂质

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[C]

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷

下面哪一种情况二极管的单向导电性好[A]

A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小

C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大

二极管的主要特性是[C]

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性

.左下图，设二极管导通压降为，判断二极管是否导通，并求输出电压UO。

二极管电路如右上图所示，考虑其正向压降为，判断二极管是否导通，求输出电压Uo（D1导通，D2截止。

UO=）

左下图，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、VD3的工作状态为[A]。

A.VD1导通，VD2、VD3截止B.VD2导通，VD1、VD3截止

C.VD3导通，VD1、VD2截止D.VD1，VD2、VD3均导通

.判断右上图电路中二极管的工作状态。

[A]

A.VD1导通，VD2截止B.VD2导通，VD1截止

C.VD1、VD2均导通D.VD1，VD2均截止

如左下图所示电路中D为理想元件，已知ui=5sinωtV，试对应ui画出uo的波形图。

（当ui>0,D通，u0=ui;当ui<0,D截止，u0=0）

在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图（左图）所示，该晶体管的类型是[A]

A.NPN型硅管

B.PNP型硅管

C.NPN型锗管图2V6V

D.PNP型锗管

测得处于放大状态的三极管三个管脚的直流电位如右上图所示，试说明三极管的类型是[D]

A.NPN型硅管；B.PNP型硅管；C.NPN型锗管；D.PNP型锗管

某三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[D]

A.

饱和

B.放大

C.

截止

D.已损坏

双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[B]

A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏

C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏

当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于[A]

A.截止状态　B.饱和状态　C.放大状态D.击穿

当三极管的两个PN结都正偏时，则三极管处于[B]。

A.截止状态　B.饱和状态　C.放大状态D.击穿

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和-6V，则该三极管的类型为[A]

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型　

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、和2V，则该三极管的类型为[D]。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和12V，则该三极管的类型为[B]

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型　

测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、和-6V，则该三极管的类型为[C]。

A.硅PNP型B.硅NPN型C.锗PNP型D.锗NPN型　

用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=，V3=-5V，则三个电极为[C]。

为e；2为b；3为c为e；2为c；3为b

为b；2为e；3为c为b；2为c；3为e

处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是[C]。

A.VB＞VC＞VEB.VE＞VB＞VC

C.VC＞VB＞VED.VC＞VE＞VB

处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是[B]。

A.VB＞VC＞VEB.VE＞VB＞VC

C.VC＞VB＞VED.VC＞VE＞VB

判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

（×）

2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（×）

3、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

（√）

填空题：

半导体材料有三个特性，它们是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。

半导体具有三敏特性，它们分别是（光敏特性）、（杂敏特性）和（光敏特性）。

在本征半导体中加入（5价）元素可形成N型半导体，加入（3价）元素可形成P型半导体。

N型半导体可通过在纯净半导体中掺入（5价）元素而获得，而P型半导体可通过在纯净半导体中掺入（3价）元素而获得。

在P型半导体中，多数载流子是（空穴），而在N型半导体中，多数载流子是（电子）。

P型半导体中（空穴）是多数载流子，（电子）是少数载流子。

在N型半导体中，多数载流子是（电子），而在P型半导体中，多数载流子是（空穴）。

N型半导体中（电子）是多数载流子，（空穴）是少数载流子。

二极管的主要特性是（单向导电特性）。

（单向导电特性）是二极管的主要特性。

在常温下，硅二极管的门限电压约为（）V，导通后的正向压降约为（~工程中取）V；锗二极管的门限电压约为（）V，导通后的正向压降约为（~工程中取）V。

.在常温下，发光二极管的正向导通电压约为（1~）V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在（10~20）mA。

晶体管按结构分有（NPN）和（PNP）两种类型。

晶体管按材料分有（锗管）和（硅管）两种类型。

晶体管实现放大作用的外部条件是发射结（正偏）、集电结（反偏）。

三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在饱和区时，发射结（正偏）），集电结（正偏））。

三极管工作在放大区时，发射结（正偏），集电结（反偏）；工作在截止区时，发射结（反偏）），集电结（反偏））。

第二单元放大电路基本原理和分析方法

在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[C]

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定

在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[C]

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定

在三种基本放大电路中，电压增益（放大倍数）最小的放大电路是[C]

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定

在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将[C]

A.增大B.减少C.不变D.不能确定

在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[A]

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真

在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[A]

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真

单级共射极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位[B]。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700

共基极放大电路，输入正弦信号，现用示波器观察输入电压ui和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位[A]。

A.相差00B.相差1800C.相差900D.相差2700

对于基本共射放大电路，Rb减小时，输入电阻Ri将[B]

A.增大B.减少C.不变D.不能确定

在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将[C]

A.增大B.减少C.不变D.不能确定

以下电路中，可用作电压跟随器的是[D]

A．差分放大电路B．共基电路C．共射电路D．共集电路

固定偏置共射极放大电路，已知VCC＝12V，RC=3KΩ，β＝40,忽略UBE,若要使静态时UCE＝9V，则RB应取[C]。

A.600KΩB.240KΩC.480KΩD.360KΩ

固定偏置共射放大电路,VCC＝10V，硅晶体管的β＝100,RB=100KΩ，RC=5KΩ，则该电路中三极管工作在[B]。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定

.固定偏置共射极放大电路,VCC＝10V，硅晶体管的β＝100,RB=680KΩ，RC=5KΩ，则该电路中三极管工作在[A]。

A.放大区B.饱和区C.截止区D.无法确定

多级放大电路Au1=20dB,Au2=40dB,则电路总的电压放大倍数Au为[C]dB。

A．80　B．800　C．60　　　　

在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|=100000。

在三极管多级放大电路中，已知Au1＝20，Au2＝－10，Au3＝1，则可知其接法分别为：

Au1是CB放大器，Au2是CE放大器，Au3是CC放大器。

在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载电阻，而前级的输出电阻则也可视为后级的信号源内阻。

判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。

1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（×）

2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。

（×）

3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1。

（√）

4、阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

（√）

5、直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。

（×）

在多级放大电路常见的三种耦合方式（a.阻容耦合，b.直接耦合，c.变压器耦合）中选择合适者（可不止一种）填空。

1、要求各级静态工作点互相不影响，可选用a,c。

2、要求能放大直流信号，可选用b。

3、要求能放大交流信号，可选用a,b,c。

晶体管放大电路有三种组态，分别是（共射）、（共集电极）和（共基）。

共集电极放大电路的输入电阻很（大），输出电阻很（小）。

在NPN共射放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为（饱和）失真，原因是Q点（过高）；若输出电压的波形顶部被削掉，称为（截止）失真，原因是Q点（过低）；若其输出电压的波形底部和顶部都被削掉，原因是（输入信号幅度过大）。

截止失真是由于放大电路的静态工作点接近或达到了三极管的（截止区）而引起的非线性失真，饱和失真则是由于工作点接近或达到了三极管的（饱和区）而引起的非线性失真，这两种失真统称为（非线性）失真。

在如图所示电路中，某一元件参数变化时，将UCEQ的变化情况（增加；减小；不变）填入相应的括号内。

（1）Rb增加时，UCEQ将（增加）；

（2）Rc减小时，UCEQ将（增加）；

（3）Rc增加时，UCEQ将（减小）；

（4）Rs增加时，UCEQ将（不变）；

（5）β增加时（换管子），UCEQ将（减小）。

在如图所示电路中，某一元件参数变化时，将UCEQ的变化情况（增加；减小；不变）填入相应的括号内。

（1）Rb1增加时，UCEQ将（增加）；

（2）Rc减小时，UCEQ将（增加）；

（3）Re增加时，UCEQ将（减小）；

（4）Rs增加时，UCEQ将（不变）；

（5）β增加时（换管子），UCEQ将（不变）。

在共射、共集和共基3种组态的晶体管放大电路中，输入电阻最小的是（共基）组态，输出电阻最小的是（共集）组态，输出与输入反相的是（共射）组态。

在3种基本组态放大电路中，当希望从信号源索取电流较小时，应选用（共集）组态放大电路，当希望既能放大电压，又能放大电流时，应选用（共射）组态放大电路。

设下图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的?

=50，rbb’=200?

UBEQ=,求：

1）画出直流通路和微变等效电路；

2）计算静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ各为多少？

3）输入电阻Ri,输出电阻Ro各为多少？

4）电压放大倍数Au为多少？

（IBQ=20μA；ICQ=1mA；UCEQ=3V）

（rbe=?

；Ri=?

；Ro=3k?

）

（Au=-50）

图示电路，已知

，

kΩ，

kΩ，

kΩ，

kΩ，

，试求：

（1）RL接入和断开两种情况下电路的电压放大倍数

；

（2）输入电阻Ri和输出电阻Ro；

（3）输出端开路时的源电压放大倍数

。

图示电路（接CE），已知UCC=12V，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=3kΩ，β=50。

（1）试画出直流通路估算静态工作点；

（2）画出放大电路的交流通路和微变等效电路,并求电压放大倍数；（3）求输入电阻和输出电阻。

解：

（1）画出直流通路（下图）,估算法计算静态工作点

（2）画出放大电路的交流通路和微变等效电路:

见上图

求电压放大倍数

（3）求输入电阻和输出电阻

如图所示电路中，β＝100，。

1．画出直流通路，估算放大电路的静态工作点；

2．画出放大电路的交流通路和微变等效电路；

3．求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro

4.说明该电路稳定静态工作点的过程。

5.若射极电容因故断开，对电路静态和动态有何影响？

解答4.温度对静态工作点的影响及该电路稳定静态工作点的过程：

温度升高→UBE减小→

→ICBO增大→

→β增大→IC增大

条件：

I2>>IB，则

与温度基本无关。

调节过程：

解答5.若射极电容因故断开，对电路静态Q点无影响；对动态有影响：

电压放大倍数降低，输入电阻增大。

在共射、共基、共集三种放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用（共射）放大电路；希望带负载能力强，应选用（共集）放大电路；希望从信号源索取电流小，应选用（共集）放大电路；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用（共射）放大电路。

射极输出器在连接组态方面属于（共集电极）接法，它的电压放大倍数接近

（1），输出信号与输入信号相位（相同），输入电阻很（大），输出电阻很（小）。

在电子线路中，输入电阻是用来衡量放大器对输入信号电压衰减程度的重要指标，输入电阻越（大），放大器对信号源的衰减就越小；输入电阻越（小），放大器对信号源的衰减就越大。

在电子线路中，输出电阻是用来衡量放大器带负载能力的重要指标，输出电阻越（小），放大器带负载的能力就越强；输出电阻越（大），放大器带负载的能力就越差。

第三单元差分放大电路

放大电路产生零点漂移的主要原因是[D]

A.放大倍数太大B.采用了直接耦合方式

C.晶体管的噪声太大D.环境温度变化引起参数变化

差分放大电路的设置是为了[C]

A.稳定放大倍数B.提高输入电阻

C.抑制零点漂移D.扩展频带

在长尾式差分放大电路中,Re的主要作用是[B]

A.提高差模电压放大倍数B.抑制零点漂移

C.增大差分放大电路的输入电阻D.减小差分放大电路的输出电阻

差分放大电路的主要特点是[A]

B.有效地放大差模信号，强有力地抑制共模信号

C.既可放大差模信号，也可放大共模信号

D.只能放大共模信号，不能放大差模信号

E.既抑制共模信号，又抑制差模信号

为了减小温漂，通用型集成运放的输入级多采用[C]

A.共射电路B.共集电路C.差分放大电路电路

集成运算放大器在电路结构上放大级之间通常采用[C]

A．阻容耦合B.变压器耦合C.直接耦合D.光电耦合

一个双端输入，双端输出的差分放大电路，两边的输入电压分别为u11=，u12=。

1、求差模输入信号电压u1d：

1mV；

2.两管子分别得到差模输入信号电压分量：

±

3、共模输入电压u1c：

5V

在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极Re公共电阻对差模输入信号的放大作用无影响，对共模输入信号具有抑制作用。

衡量一个差分放大电路抑制零漂能力的最主要指标是___共模抑制比K_____。

判断下列说法是否正确（在括号中画√或×）

1、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（√）

2、共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。

（×）

3、差分放大电路中的长尾电阻Re对共模信号和差模信号都有负反馈作用。

（×）

4、对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射极电阻Re一概可视为短路。

（√）

简述通用型集成运放电路的主要组成部分（请画出集成运算放大器电路方框图并简述各部分的主要功能）。

答：

输入级：

抑制共模信号，提供较大输入电阻，提取输入信号；

中间级：

提供较大电压放大倍数；

输出级：

多采用互补对称输出电路，输出电压线性范围宽，而且输出电阻小，非线性失真小，带负载能力强；

偏置电路：

为各级提供合适的静态工作点，常采用电流源电路。

什么叫温度漂移？

它由那些因素引起？

试说出任意两种抑制温度漂移的方法。

答：

当信号输入为零，而放大器电路和环境温度变化将使放大电路的输出端产生的缓慢变化的输出信号，这种现象称为温度漂移。

温度漂移是由于三极管的环境温度变化使三极管的

、

、

等参数发生变化而引起的。

抑制方法有：

（1）组成差放电路

（2）多级电路中采用阻容耦合（3）直流负反馈（4）温度补偿。

如图所示，在长尾式差分放大电路中，忽略调零电位器RW。

则

（1）差模输入电压Uid=_____________；

（2）差模电压放大倍数Aud=________________；

（3）差模输入电阻Rid=_____________；

（4）差模输出电阻Rod=_____________；

（5）共模抑制比KCMR=_____________;

（6）单端输出电压放大倍数A1=_____________。

Uid=Ui1-Ui2

KCMR=∞

双入单出：

第四单元功率放大电路

乙类放大电路是指放大管的导通角等于[B]

D.小于90o

与甲类功率放大方式比较，乙类推挽方式的主要优点是[D]

A.不用输出变压器B.不用输出端大电容

C.无交越失真D.效率高

忽略管子的饱和压降，互补对称功率放大电路的最高效率可达[B]

A%B%C%D%

填空

1．甲类放大电路是指放大管的导通角等于3600，乙类放大电路则其导通角等于1800，在甲乙类大电路中，放大管导通角为1800<θ<3600。

2．乙类互补对此功率放大电路会产生一种被称为交越失真的特有的非线性失真现象。

为了消除这种失真，应当使推挽功率放大电路工作在甲乙类状态。

判断下列说法是否正确（在括号中画√或×）

1、只有相同类型的两个晶体管（都为NPN管或都为PNP管）才能组成复合管。

（×）

2、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。

（√）

3、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

（√）

4、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态，所以微变等效电路方法已不再适用。

（√）

设放大电路的输入信号为正弦波，问在什么情况下，电路的输出波形出现既饱和又截止的失真？

在什么情况下会出现交越失真？

用波形示意图说明这两种失真的区别。

（信号幅度过大；乙类互补对称功率放大电路）

组合电路如图所示，已知：

VCC=9V，

晶体管的VCES1=VCES2=1V，RL=8Ω，

（1）T1、T2构成什么电路？

（2）D1、D2起何作用？

（3）若输入电压UI足够大，

求电路最大输出功率

=？

解：

（1）

、

构成OCL互补对称功率放大电路；

（2）

、

的作用是为

、

提供预偏置，

使

、

微导通而达到消除交越失真的目的；

（3）当输入电压足够大时，电路的最大不矢真输出功率为：

组合电路如图所示，

（1）描述电路结构及电路的工作原理：

（说明前置放大电路和互补对称功放的工作原理：

稳定静态工作点共射放大电路为前置放大电路，放大输入电压信号ui；在ui的负半周（T1输出的正半周）T2导通而T3截止，在ui的正半周（T1输出的负半周）T3导通而T2截止，可见在输入信号ui的整个周期内，T2、T3两管轮流交替地工作，互相补充，使负载获得完整的信号波形。

）

（2）该电路会出现什么失真？

怎么消除？

（交越失真;添加二极管D1、D2为两管提供一小的静态偏置电压，使得在输入信号等于零时，管子微导通，以克服交越失真。

）

（3）为使该电路能够正常工作，中点电压UA应取多大？

（UA=VCC/2）

（4）写出该电路的最大输出功率表达式。