电子技术基础节后检测解答.docx

上传人:b****8 文档编号:12164306 上传时间:2023-06-04 格式:DOCX 页数:28 大小:144.19KB
下载 相关 举报
电子技术基础节后检测解答.docx_第1页
第1页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第2页
第2页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第3页
第3页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第4页
第4页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第5页
第5页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第6页
第6页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第7页
第7页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第8页
第8页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第9页
第9页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第10页
第10页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第11页
第11页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第12页
第12页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第13页
第13页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第14页
第14页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第15页
第15页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第16页
第16页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第17页
第17页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第18页
第18页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第19页
第19页 / 共28页
电子技术基础节后检测解答.docx_第20页
第20页 / 共28页
亲,该文档总共28页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
下载资源
资源描述

电子技术基础节后检测解答.docx

《电子技术基础节后检测解答.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子技术基础节后检测解答.docx(28页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。

电子技术基础节后检测解答.docx

电子技术基础节后检测解答

《电子技术基础》节后学习检测解答

第1章节后检测解析

1.2学习检测解答:

1、半导体只所以应用广泛,是因为它具有光敏性、热敏性和掺杂性的独特性能,在导电机理上,金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中有多子和少子两种载流子同时参与导电,这是它们导电机理上的本质区别。

2、天然半导体材料经过特殊的高度提纯工艺,成为晶格结构完全对称的纯净半导体时,称为本征半导体。

在本征半导体中掺入微量的特殊杂质元素后,使本征半导体的导电能力极大增强,这时的半导体称为杂质半导体。

本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体,N型半导体中多子是自由电子,少子是空穴,定域的离子带正电;本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体,P型半导体中多子是空穴,少子是自由电子,定域的离子带负电。

3、在同一块晶体中的两端注入不同的杂质元素后,在两端分别形成P区和N区,而在P区和N区交界处因为浓度上的差别而出现扩散,扩散的结果在两区交界处形成一个干净的离子区,这个离子区就是PN结,PN结具有单向导电性:

正向偏置时导通,反向偏置时截止。

1.3学习检测解答:

1、二极管的伏安特性曲线上通常分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。

二极管工作在死区时,由于正向电压小于和等于死区电压,因此无法抵消PN结内电场对正向扩散电流的阻碍作用,电流趋近于零;二极管工作在正向导通区时,管子正向端电压的数值基本保持在小于1V的情况下不变,而在此电压下管子中通过的电流增长很快;二极管工作在反向截止区时,当温度不变时反向电流基本不变,且不随反向电压的增加而增大,故称为反射饱和电流,若温度变化时,对反向截止区的电流影响较大;二极管工作在击穿区时,特点是电压增加一点即造成电流迅速增大,若不加限制,则二极管有热击穿的危险。

2、电击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿,前者是一种碰撞的击穿,后者属于场效应的击穿,这两种电击穿一般可逆,不会造成PN结的永久损坏。

如果上述两种击穿不加任何限制而持续增强时,由于PN结上的热量积累就会造成热击穿,热击穿过程不可逆,可造成二极管的永久损坏。

3、测量二极管类型及好坏时,通常采用1.5V干电池串一个约1k的电阻,并使二极管按正向接法与电阻相连接,使二极管正向导通。

然后用万用表的直流电压档测量二极管两端的管压降UD,如果测到的UD为0.6~0.7V则为硅管,如果测到的UD为0.1~0.3V就是锗管。

如果测量时直接把1.5V的干电池正向连接到二极管的两端,因为没有限流电阻,就可能使二极管中因电流过大而损坏。

4、(a)图:

图中二极管若看作理想二极管,当输入正弦波电压低于-5V时,二极管D导通,输出电压uO=ui;当输入正弦波电压高于-5V时,二极管D截止,输出电压uO=-5V,波形如下图所示:

 

uo/ui

ωt

0

10V

(b)图:

图中二极管也看作理想二极管,当输入正弦波电压高于+5V时,二极管D导通,输出电压uO=ui;当输入正弦波电压低于+5V时,二极管D截止,输出电压uO=+5V,波形如下图所示:

 

5、

(1)将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管串联相接:

反向串联时稳压值为14V;正向串联时1.4V;一反一正串联时可获得6.7V、8.7V。

(2)将额定电压分别为6V和8V的两个稳压管并联相接:

反向并联时稳压值为6V;正向并联时或一反一正并联时只能是0.7V。

6、图中开关S闭合时发光二极管可导通。

导通发光时正向5mA电流下1.5÷5=0.3KΩ;正向15mA电流下1.5÷15=0.1KΩ。

因此限流电阻R的取值范围:

100Ω~300Ω。

1.4学习检测解答:

1、由于三极管的发射区和集电区掺杂质浓度上存在较大差异,且面积也相差不少,因此不能互换使用。

如果互换使用,其放大能力将大大下降甚至失去放大能力。

2、三极管工作在饱和区时,电流放大能力下降,电流放大系数β值随之下降。

3、其中只有说法②正确,超过最大耗散功率PCM值时,三极管将由于过热而烧损。

4、①NPN硅管,饱和区;②NPN硅管,放大区;③NPN硅管,截止区;④PNP锗管,放大区;⑤PNP锗管,截止区。

5、用指针式万用表判断三极管的好坏时,选用R×1K欧姆档。

假定某一管脚为基极,用黑表棒与假设基极的管脚相接触,红表棒接触另外两个管脚,观察万用表指针偏转情况。

如此重复上述步骤测3次,其中必有一次万用表指针偏转度都很大(或都很小)的情况,对应黑表棒(或红表棒)接触的电极就是基极,且管子是NPN型(或PNP型)的。

原理:

根据PN结的单向导电性能,如果黑表棒接触的恰好为基极,则指针在红表棒与另外两极相接触时必定摆动都很大(或基本不动),此时说明两个PN结均处导通(或截止)状态,由于黑表棒与电源正极相连,所以两个PN结应是正向偏置(或反向偏置),此时可判断出管子类型为NPN型(或PNP型),而与黑表棒(或红表棒相连的电极为基极)。

如果调换红黑两个表棒后,和不调换之前两次偏转都很大时,说明管子已经被击穿;如果和不调换之前两次偏转都很小时,说明管子已经老化不通,失去了正常时的单向导电性。

判别集电极和发射极时,让万用表的黑表棒与假设的集电极相接触,红表棒与假设的发射极相接触,而用人体电阻代替基极偏置电阻RB,一只手捏住三极管的基极,另一只手与假设的集电极接触(注意两只手不能相碰)。

观察万用表的指针偏转情况;接下来再把红黑表棒进行调换,两只手仍然是一个捏住基极,一个与黑表棒连接的电极相接触,继续观察万用表指针的偏转情况,断定万用表指针偏转较大的假设电极是正确的。

这是利用了三极管的电流放大原理。

三极管的集电区和发射区虽然同为N型半导体(或P型半导体),但由于掺杂浓度不同和结面积的不同,使用中不能互换。

如果把集电极当作发射极使用,管子的电流放大能力将大大降低。

因此,只有三极管发射极和集电极连接正确情况时的β值较大(表针摆动幅度大);如果假设错误,β值将小得多(指针偏转较小)。

1.5学习检测解答:

1、双极型三极管有多子和少子两种载流子同时参与导电;单极型三极管只有多子参与导电。

由于双极型三极管的输出电流IC受基极电流IB的控制,因此称其为电流控件;MOS管的输出电流ID受栅源间电压UGS的控制,因之称为电压控制型器件。

2、当UGS=UT时,增强型N沟道MOS管开始导通,随着UGS的增加,沟道加宽,ID增大。

当UGD=UGS-UDS

3、双极型三极管的输入电阻rbe一般在几百欧~千欧左右,相对较小;而MOS管绝缘层的输入电阻极高,趋近于无穷大,因此通常认为栅极电流为零。

4、由于二氧化硅层的原因,使MOS管具有很高的输入电阻。

在外界电压影响下,栅极易产生相当高的感应电压,造成管子击穿,所以MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。

5、双极型三极管同时有两种载流子参与导电,其中少数载流子受温度影响变化较大,即其热稳定性较差,而场效应管只有多子一种载流子参与导电,而温度对多子无影响,因此其热稳定性较好。

第2章节后检测题解析

2.1学习检测解答:

1、基本放大电路是放大电路中最基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。

它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性,或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号的放大。

从电路的角度来看,放大电路的放大作用主要体现在两个方面:

一是放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号,输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大,输出信号的能量得到了加强。

二是输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是经过三极管的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。

放大电路能量控制是以小控大,双极型三极管放大电路是以微弱的基极小电流控制集电极输出大电流的,单极型三极管放大电路则是以微弱的输入电压控制漏极较大输出电流的,通常用集电极电阻实现晶体管的电流放大转换成负载所需要的电压放大。

2、放大电路的组成原则:

(1)保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。

也就是说发射结正偏,集电结反偏。

(2)输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电流,从而产生三极管的电流控制关系,变成集电极电流的变化。

(3)输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式(输出电压或输出电流)。

3、共发射极电压放大器中输入电压与输出电压的相位关系为反相。

4、晶体管交流放大电路内部实际上是一个交、直流共存的电路。

电路中各电压和电流的直流分量及其注脚均采用大写英文字母表示;交流分量及其注脚均采用小写英文字母表示;而总量用英文小写字母,其注脚采用大写英文字母。

如基极电流的直流分量用IB表示;交流分量用ib表示;总量用iB表示。

5、集电极电阻RC的作用是将集电极的电流变化变换成集电极的电压变化,以实现电压放大。

如果电路中没有RC,显然无法得到电压放大。

2.2学习检测解答:

1、实践证明,放大电路即使有了合适静态工作点,在外部因素的影响下,例如温度变化、电源电压的波动等,都会引起静态工作点的偏移,在诸多影响因素中,温度变化是影响静点稳定的最主要因素。

在放大电路中加入反馈环节,可以有效地抑制温度对静态工作点的影响。

2、对放大电路的要求是:

对输入信号能放大且不失真。

放大电路的核心元件三极管为非线性器件,只有保证在任意时刻都使三极管工作在线性放大区,输出波形才不会失真。

若不设置静态工作点或让静态工作点靠近截止区,则输出波形容易发生截止失真;若静态工作点靠近饱和区,输出波形容易发生饱和失真。

正确的静态工作点Q可以保证输出信号的不失真。

当输入信号为零时,三极管各电极上的电流与电压处于静态。

有信号输入时,在放大管的输入回路便产生动态信号,输入信号加载在静态之上,于是输出回路电流随之产生相应的变化,再由负载电阻转换成电压的变化,从而实现了电压放大。

3、静态时耦合电容C1和C2两端均有电压。

共射放大电路静态时,输入信号源相当于短路,因此,耦合电容C1的端电压等于三极管基极电位值VB,左低右高;静态下由于无输出,所以输出端也相当短路短路,耦合电容C2的端电压等于三极管输出电压值UCE,左高右低。

4、放大电路出现的失真包括截止失真和饱和失真两种。

截止失真时,共射放大电路的集电极电流波形出现下削波,输出电压波形出现上削顶;饱和失真时,共射放大电路的集电极电流波形出现上削波,输出电压波形出现下削顶。

消除截止失真,需将静态工作点上移,消除饱和失真,要将静态工作点下移。

另外,还要在电路中加设反馈环节。

5、RE在电路中起的作用是负反馈作用,数值通常为几十至几千欧,它不但能够对直流信号产生负反馈作用,同样可对交流信号产生负反馈作用,从而造成电压增益下降过多。

为了不使交流信号削弱,一般在RE的两端并上一个滤波电容CE,以消除反馈电阻对交流量的影响,减小RE对交流电压放大倍数的影响。

2.3学习检测解答:

1、图(a)没有放大交流信号的能力。

因为,基极电位VB=UCC,静态工作点太高;图(b)电路中,由于集电极电阻RC=0,所以无法实现电压放大;图(c)分压式偏置共射放大电路缺少负反馈环节,且电容极性反了,因此易产生失真,不能正常放大;图(d)电路中核心元件三极管应选择NPN硅管,但用成PNP管,因此不具有交流信号放大能力。

2、放大电路的输出电压与输入信号电压的比值就是电压放大倍数。

共发射极放大电路中,电压放大倍数与晶体管电流放大倍数成正比,与放大电路集电极电阻成正比,与晶体管输入交流等效电阻成反比,且与输入信号电压反相。

3、对需要传输和放大的信号源来说,放大电路相当于一个负载,负载电阻就是放大电路的输入电阻。

放大电路的输入电阻ri的大小决定了放大器向信号源取用电流的大小。

因为被放大信号是微弱小信号,而且总是存在一定内阻。

所以我们希望放大电路的输入电阻ri尽量大些,这样从信号源取用的电流就会小一些,以免造成输入信号电压的衰减。

4、对负载来说,放大电路的输出电阻r0相当于信号源内阻。

我们通常希望放大电路的输出电阻r0尽量小一些,以便向负载输出电流后,输出电压没有很大的衰减。

而且放大器的输出电阻r0越小,负载电阻RL的变化对输出电压的影响就越小,使得放大器带负载能力越强。

5、放大电路的动态分析,就是求解放大电路对交流信号呈现的输入电阻ri、电路的输出电阻r0和交流电压放大倍数Au。

动态分析的对象是放大电路中各电压、电流的交流分量;动态分析的目的是找出输入电阻ri、输出电阻r0、交流电压放大倍数Au与放大电路参数间的关系。

采用微变等效电路法的思想是:

当信号变化的范围很小时,可认为晶体管电压、电流变化量之间的关系是线性的。

即在满足小信号条件下,将晶体管线性化,把放大电路等效为一个近似的线性电路。

这样我们就可以利用前面学习过的电路分析法,求出放大电路对交流信号呈现的输入电阻ri、输出电阻r0和交流电压放大倍数Au了。

2.4学习检测解答:

1、共集电极放大电路与共发射极放大电路相比,共发射极放大电路输入电阻不够大,而共集电极放大电路输入电阻较大;共发射极放大电路输出电阻不够小,而共集电极放大电路输出电阻较小;共发射极放大电路的电压放大倍数很大,放大能力较强,而共集电极放大电路的电压放大倍数约等于1。

因此共发射极放大电路适合于做多级放大电路的中间级,而共集电极放大电路适合于多级放大电路的前级和后级。

2、射极输出器的发射极电阻RE是不能象共发射极放大电路一样并联一个旁路电容CE来提高电路的电压放大倍数的。

因为射极输出器的输出取自于发射极,即输出电压等于发射极电阻RE两端的电压,如果并上一个旁路电容,则电路对交流信号就会无输出。

2.5学习检测解答:

1、从能量控制的观点来看,功率放大器和电压放大器并没有本质上的区别。

但是,从完成任务的角度和对电路的要求来看,它们之间有着很大的差别。

电压放大电路主要要求它能够向负载提供不失真的放大信号,其主要指标是电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻等。

功率放大器主要考虑获得最大的交流输出功率,而功率是电压与电流的乘积,因此功放电路不但要有足够大的输出电压,而且还应有足够大的输出电流。

2、因为晶体管都存在正向死区。

因此,当乙类功放电路在输入信号正、负半周交替时,两个功放管都处于截止状态,造成输出信号波形不跟随输入信号的波形变化,波形的正、负交界处出现了一段零值,这种失真现象称为交越失真。

为消除交越失真,可在两个功放管的发射结加上一个较小的正偏电压,使两管都工作在微导通状态。

这时,两个功放管,一个在正半周工作,另一个在负半周工作,互相弥补对方的不足,从而在负载上得到一个完整的输出波形。

即两个功放管的输入、输出特性完全一致,达到工作特性完全对称的状态。

3、直接耦合的多级放大电路,当输入信号为零时,输出信号电压并不为零,而且这个不为零的电压会随时间作缓慢的、无规则的、持续的变动,这种现象称为零点漂移,简称零漂。

差动放大电路可以有效地抑制零漂。

当温度变化时,因两管电流变化规律相同,两管集电极电压漂移量也完全相同,从而使双端输出电压始终为零。

也就是说,依靠差动放大电路的完全对称性,使两管的零漂在输出端相抵消,使零点漂移得到抑制。

4、差模信号是放大电路中需要传输和放大的有用信号,用uid表示,数值上等于两管输入信号的差值;温度变化,电源电压波动及外界电磁干扰等对放大电路的影响,相当于输入端加了“共模信号”。

因此,共模信号对放大电路是一种干扰信号,应采取措施加以抑制。

2.6学习检测解答:

1、“反馈”就是通过一定的电路形式,把放大电路输出信号的一部分或全部按一定的方式回送到放大电路的输入端,并影响放大电路的输入信号。

如果反馈能使输入信号的净输入量削弱的称为负反馈,负反馈提高了基本放大电路的工作稳定性。

如果放大电路输出信号的一部分或全部,通过反馈网络回送到输入端后,造成净输入信号增强,则这种反馈称为正反馈。

正反馈可以提高放大电路的增益,但正反馈电路的性能不稳定,一般较少使用。

2、放大电路中普遍采用的是负反馈。

负反馈通常有四种典型形式:

电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈和电流并联负反馈。

放大电路中如果反馈信号取自于输出电压,为电压负反馈;若取自于输出电流,则为电流负反馈;若反馈信号与输入信号在输入端以电压的形式相加减,可判断为串联负反馈;若反馈信号与输入是以电流的形式相加减,可判断为并联负反馈;如果反馈信号和输入信号加到放大元件的同一电极,则为并联反馈,否则为串联反馈。

3、放大电路引入负反馈后,虽然提高了放大电路的稳定性,但放大电路的电压放大倍数降低了。

但对放大电路来说,电路的稳定性至关重要,因此电路的电压放大倍数虽然降低了,换来的却是放大电路的稳定性得以提高,这种代价值得。

4、采用负反馈能够提高放大电路的稳定性,从本质上讲,是利用失真的波形来改善波形的失真,不能理解为负反馈能使波形失真完全消除。

第3章节后检测题解析

3.1学习检测解答:

1、集成电路主要由输入级、中间放大级、输出级和偏置电路四部分构成。

其中输入级是决定运放性能好坏的关键,要求输入电阻高,差模电压放大倍数大,共模抑制比大,静态电流小,通常由一个高性能的双端输入差动放大器组成。

中间放大级是整个集成运放的主放大器,其性能的好坏直接影响运放的放大倍数,主要作用是提高电压增益,通常采用复合管的共发射极电路构成。

输出级又称功放级,要求有较小的输出电阻以提高带负载能力,通常采用电压跟随器或互补的电压跟随器组成。

偏置电路的作用是向运放内部各级电路提供合适又稳定的静态工作点电流。

2、集成运放的理想条件是:

①开环电压放大倍数Au0=∞;②差模输入电阻ri=∞;③输出电阻r0=0;④共模抑制比KCMR→∞。

3、工作在线性区的理想运放有两条重要结论:

(1)虚短:

理想运放的同相输入端和反相输入端电位相等,U+=U-。

由于两个输入端并非真正短接,但却具有短接的特征,称之为“虚短”。

(2)虚断:

由于理想运放的差模输入电阻ri=∞,因此可得i+=i-=0。

集成运放的输入端并未断开,但通过的电流恒为零,这种情况称为“虚断”

3.2学习检测解答:

1、集成运放的线性应用通常为运算电路,均存在深度负反馈环节;运放在特性曲线的线性区,其特性非常接近理想特性,因此可用理想运放的“虚短”、“虚断”及“虚地”分析线性运放的问题。

2、“虚地”现象只存在于反相的线性应用运放电路中。

UB1

u0

+UZ

-UZ

0

ui

UB2

a

b

c

d

e

f

3、集成运放应用在非线性电路时,处于开环或正反馈状态下;运放在非线性运用中同相输入端和反相输入端上的信号电压大小不等,因此“虚短”的概念不再成立;非线性应用下的运放虽然同相输入端和反相输入端信号电压不等,但由于其输入电阻很大,所以输入端的信号电流仍可视为零值。

因此,非线性应用下的运放仍然具有“虚断”的特点;非线性区运放的输出量与输入量之间为非线性关系,输出端信号电压或为正饱和值,或为负饱和值。

4、滞回比较器的电压传输特性如右图所示。

当输入信号电压由a点负值开始增大时,输出u0=+UZ,直到输入电压ui=UB1时,u0由+UZ跃变到-UZ,电压传输特性由a→b→c→d→f;若输入信号电压ui由f点正值开始逐渐减小时,输出信号电压u0原来等于-UZ,当输入电压ui=UB2时,u0由-UZ跃变为+UZ,电压传输特性由f→d→e→b→a,图示曲线中的UB1、UB2称为状态转换点,又称为上、下门限电压,ΔU=UB1-UB2称为回差电压。

由于此电压比较器在电压传输过程中具有滞回特性,因此称为滞回电压比较器。

由于滞回电压比较器存在回差电压,使电路的抗干扰能力大大增强。

5、可以反相比例输入电路和同相比例输入电路为例说明。

(过程略)

6、集成运放的开环电压放大倍数Au0无穷大,所以输入信号的线性范围很小,以致集成运放在开环时实际上无法实现线性放大。

加上深度电压负反馈后,运放的闭环电压增益较开环增益小很多,因此运放的线性输入范围同时得到了扩大,扩大以后的线性输入范围才能对输入信号进行正常的线性放大。

而且,集成运放加上深度负反馈后,还能改善其他的许多性能指标,所以集成运放在线性应用电路中必须加上深度负反馈。

第4章节后检测题解析

4.1学习检测解答:

1、模拟信号是连续和不间断的,数字信号是离散和跳跃的。

实际当中的音频信号就是模拟信号,而方波脉冲就是典型的数字信号。

2、所谓逻辑,就是事件的发生条件与结果之间所要遵循的规律。

一般说来,事件的发生条件与产生的结果均为有限个状态,每一个和结果有关的条件都有满足或者不满足的可能,在逻辑中可以用“1”和“0”来表示。

逻辑关系中的“1”和“0”不表示数字,仅表示状态。

当用“1”表示高电平,“0”表示低电平时,称为正逻辑关系,反之称为负逻辑。

3、最基本的逻辑关系有“与”逻辑、“或”逻辑和“非”逻辑。

实际生活中,以教师上课为例说明“或逻辑”:

一个班有30人,这些学生为输入变量时,教师是输出变量,只要有一个学生来听课,教师就要例行上课职责教学,如果30人都因故未到,则教师就不上课了。

4.2学习检测解答:

1、完成下列数制的转换

(1)(256)10=(100000000)2=(100)16

(2)(B7)16=(10110111)2=(183)10

(3)(10110001)2=(B1)16=(261)8

2、将下列十进制数转换为等值的8421BCD码。

(1)256[001001010110]

(2)4096[0100000010010110]

(3)100.25[000100000000.00100101](4)0.024[0000.000000100100]

3、写出下列各数的原码、反码和补码。

(1)[+32]原码[00100000B]反码[00100000B]补码[00100000B]

(2)[-48]原码[10110000B]反码[11001111B]补码[11010000B]

(3)[+100]原码[01100100B]反码[01100100B]补码[01100100B]

(4)[-86]原码[11010110B]反码[10101001B]补码[10101010B]

4.3学习检测解答:

1、用真值表证明

AB

00

1

1

01

1

1

10

1

1

11

0

0

2、将

写成为最小项表达式。

3、将

化为最简与或式。

5、用卡诺图化简下列逻辑函数(卡诺图略)

(1)

(2)

第5章节后检测题解析

5.1学习检测解答:

1、基本的逻辑门是与门、或门和非门。

异或门的功能是“相同出0,相异出1”;同或门的功能是“相同出1,相异出0”。

同或门是异或门的反。

2、常用的复合逻辑门有与非门、或非门、与或非门、异或门和同或门,其中与非门的功能是“有0出1,全1出0”;或非门的功能是“有1出0,全0出1”;与或非门的功能是“与门中只要有一个输出为1,与或非门的输出即为1;两个与门输出均为0时,与或非门的输出为1”;异或门和同或门的功能如上题中解。

3、集成电路按照元件类型的不同可分为双极型逻辑门(TTL集成逻辑门)和单极型逻辑门(CMOS集成逻辑门)两大类。

这两大类集成芯片在使用时注意的事项有不小的差异,其中TTL集成电路作用时需注意的事项:

①TTL门输入端口为“与”逻辑关系时,多余的输入端可以悬空(但不能带开路长线)、接高电平、并接到一个已被使用的输入端上等。

TTL门输入端口为“或”逻辑关系时,多余的输入端可以接低电平、接地、并接到一个已被使用的输入端上等。

用的管脚可以悬空,不可以接地。

②电源电压应根据门电路参数的要求选定。

一般TT

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索
资源标签

当前位置:首页 > 农林牧渔

copyright@ 2008-2023 冰点文库 网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备19020893号-2