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多晶硅产业化生产概述
多晶硅
产业化生产概述
编写：
陆迪一
2009年2月
目录
目录-1-
第一章多晶硅概况-3-
1.1多晶硅的基本概况-3-
1.1.1多晶硅、单晶硅、非晶硅的概念-4-
1.1.2多晶硅的物理化学性质-4-
1.2纯度的概念及多晶硅的分类-5-
1.3多晶硅产品的用途-5-
1.4多晶硅制备的特点-7-
第二章多晶硅生产工艺-7-
2.1主要的多晶硅生产的工艺-8-
2.1.1改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法-8-
2.1.2硅烷法——硅烷热分解法-10-
2.1.3流化床法-11-
2.1.4太阳能级多晶硅新工艺技术-12-
气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅-13-
重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅-13-
2.2国外多晶硅生产技术发展的特点-13-
2.3国内多晶硅技术发展状况-14-
第三章改良西门子法-15-
3.1氯化氢合成工序-16-
3.1.1氢气的制备与净化-17-
3.1.2液氯的气化-18-
3.2三氯氢硅合成工序-23-
3.3合成气干法分离工序-25-
3.4氯硅烷分离提纯工序（氯硅烷的精馏）-26-
3.4.1氯硅烷分离提纯工艺流程-26-
3.4.2各级精馏塔的精馏过程：
-26-
3.5三氯氢硅氢还原工序-31-
3.5.1三氯氢硅还原工艺-32-
3.5.2三氯氢硅氢还原中的主要设备-33-
3.6还原尾气干法分离工序-36-
3.7四氯化硅氢化工序-37-
3.8氢化气干法分离工序-39-
3.10沉积硅的载体—硅芯制备工序-40-
3.11产品整理工序-42-
3.12废气及残液处理工序-42-
3.12.1、含氯化氢工艺废气净化-42-
3.13废硅粉处理-43-
3.14工艺废料处理工序-43-
3.15各工序危险设别-44-
3.15.1、氢气制备-44-
3.15.2、三氯氢硅合成-44-
3.15.3、合成气干法分离工序-44-
3.15.4、氯硅烷分离提纯工序-45-
3.15.5、三氯氢硅氢还原工序-45-
3.15. 6、还原尾气干法分离工序-46-
3.15.7、四氯化硅氢化工序-46-
3.15.8、氢化气干法分离工序-47-
3.15.9、其他工序-47-
第四章多晶硅主要生产企业-48-
4.1世界主要多晶硅生产企业-48-
4.1.1、美国DOWCORNING道-康宁-48-
4.1.2、德国WACKER公司-49-
4.1.3、美国MEMC公司-50-
4.2国内主要多晶硅生产企业-52-
4.3中国各省市多晶硅项目投资情况-52-
第一章多晶硅概况
1.1多晶硅的基本概况
多晶硅是重要的半导体材料，是硅产品产业链中一个极其重要的中间产品。
它可以直接制作成太阳能电池，也可以作为原料生产单晶硅。
目前90%以上的半导体器件是使用硅材料制成的，也就是用多晶硅为原料生产的单晶硅制成的。
在电子工业中少不了硅，特别是少不了多晶硅，它被视为“微电子大厦的基石”。
目前，硅是可获得的纯度最高的材料之一，其实验室纯度可达到12个9的本征级，工业化大生产中也能达到7到11个9的本征级。
1.1.1多晶硅、单晶硅、非晶硅的概念
多晶硅（p-Si）是单质硅的一种形态。
是由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体。
当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒结合起来，则形成多晶硅。
单晶硅（c-Si）：
8s2e6B3k;A以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种（籽晶）上结晶而成,由于其晶体原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齐排列所以称为单晶硅。
非晶硅（a-Si）：
熔融硅在过冷条件下凝固时，硅原子以无规则网络形态排列成许多晶核，这些晶粒结合起来，就结晶成非晶硅。
单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。
如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。
例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。
在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。
在化学活性方面，两者的差异极小。
多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等
多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。
单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度6个9以上。
大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到9个9。
目前，人们已经能制造出纯度为十二个9的单晶硅。
单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
1.1.2多晶硅的物理化学性质
多晶硅是人工提取的高纯材料，其英文名为polysilicon，分子式Si，分子量28.08，熔点1410℃，沸点2355℃。
多晶硅一般呈深银灰色，不透明，具有金属光泽，性脆。
密度2.32~2.34。
溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。
硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。
加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。
常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。
高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。
具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。
1.2纯度的概念及多晶硅的分类
高纯物质的纯度常用主体物质占总物料的重量的百分数来表示。
如99.999%的高纯三氯氢硅，就是每单位重量物质中占三氯氢硅99.999%，在分析过程中，是从物料中取出小量的物料来测定其中的杂质含量，因此高纯物质的纯度可用下式来表示：
纯度=（试料重量－杂质的重量）/试料重量×100%
在分析中，同一物质硅中若要求分析的杂质越多，相对分析检出来的杂质元素越少，其纯度就越高。
纯度常用表示方法：
ppm（partspermillion）：
百万分之一。
Ppb（partsperbillion）：
十亿分之一。
Ppba：
杂质原子数与主体原子数的比.。
一般也用N来表示某物质的纯度达到多少个9。
如11N表示达到99.999999999%的纯度级别。
硅按纯度分类可以分为：
冶金级（金属硅）、太阳能级、电子级。
冶金级硅（MG）：
是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。
一般含Si为95%左右，高达99.8%以上。
太阳级硅（SG或SOGPSi）：
纯度介于冶金级硅与电子级硅之间，至今未有明确界定。
一般认为含Si在99.99~99.9999%。
（4到6个9）。
产品按外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅。
电子级硅（EG）：
一般要求含Si99.9999%以上，超高纯达到99.9999999%~99.999999999%.（9到11个9）
1.3多晶硅产品的用途
多晶硅是制造集成电路和太阳能电池的主要原料，目前全球90％的半导体及太阳能电池是用多晶硅生产的，因此，多晶硅是信息产业和太阳能电池光伏产业的关键基础材料。
多晶硅按照用途不同可分为电子级和光伏级。
电子级多晶硅是制备单晶硅的原材料，而单晶硅被广泛用来制作集成电路、分立器件等，是电子工业的基石，目前全球每年100亿美元的硅材料支撑起2500亿美元的电子信息产业。
光伏级多晶硅是指用来制备光伏太阳能电池的多晶硅。
目前硅基太阳能电池约占整个太阳能电池90%以上的市场份额。
随着传统能源逐步耗尽，人类必须找到能够代替碳的新的清洁能源，太阳能因之取之不尽、用之不绝成为人类未来的能源希望，硅材料由于其储量丰富，制备技术成熟，光电转换率高，使用寿命长，预计到本世纪中叶硅基太阳能光伏发电将成为未来人类最重要的清洁能源，而硅材料将成为最重要的新能源材料。
高纯多晶硅是最重要的电子信息基础材料，被视为“微电子大厦的基石”。
多晶硅的用途非常广泛，除IT产业外，它还主要运用于太阳能光伏电池板和可控硅元件的生产。
由于硅材料的工艺成熟、质量好、原料丰富、价格相对较低，因而在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子信息和光伏产业主要原材料。
在IT产业中，多晶硅生产的单晶硅。
即硅半导体，是多晶硅的衍生产品，它是制造集成电路和电子元件的优质材料。
由于硅半导体耐高电压、耐高温、晶带宽度大，比其它半导体材料有体积小、效率高、寿命长、可靠性强等优点，因此被广泛用于电子工业集成电路的生产中。
多晶硅的另一大用途是直接用于制造太阳能光伏电池板，或加工成单晶硅后再用于制造光伏电池板。
先将硅料铸锭、切片或直接用单晶硅棒切片，再通过在硅片上掺杂和扩散形成PN结，然后采用丝网印刷法，将银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面上涂减反射膜等一系列工艺加工成太阳能电池单体片，最后按需要组装成太阳能电池板。
目前，硅光伏电池占世界光伏电池总产量的98%以上，其中多晶硅电池占55%，单晶硅电池约占36%，其它硅材料电池约占70%。
由于多晶硅光伏电池的制造成本较低，光电转换效率较高（接近20%），因而得到快速发展。
目前晶体硅电池在太阳能电池中的比重超过90%，而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。
1.4多晶硅制备的特点
多晶硅的制备工艺过程是元素硅的提纯过程，它是将2个“9”的工业硅提纯到7～11个“9”的高纯硅工艺过程；
硅的提纯方法是将元素硅转化成易于制得、易于提纯、易于还原的化合物（如SiHCl3、SiCl4、SiH4等），工艺中以提纯硅的化合物为提纯元素硅的主要手段；
多晶硅的制备基本上是一个化工过程，主要的化工工艺有：
硅的化合物的合成、硅的各类化合物的分离、硅化合物的提纯、氢还原硅化合物的汽固相沉积多晶硅等；
多晶硅制备是高耗能产业，平均每吨多晶硅的电耗在20万kWh以上；
多晶硅制备工艺是集化工、气体净化、电气控制、理化分析等工序复杂而有机集成的过程，它需要各类专业人才密切合作才能取得成功；
多晶硅制备是资金密集、技术密集、人才密集的“三密”产业，平均而言，每吨多晶硅的投资高达70～100万元人民币；
一个现代化的多晶硅厂的建设需要24～28个月，所使用的设备大多是非标准设备，设计、加工、安装、调试等所需的时间较长；
多晶硅制备是将元素硅提纯到很高纯度的过程，这个生产系统的任何泄漏、微量沾污及引入系统的原料、试剂、保护气氛等都会对产品质量产生重大影响。
严格控制、有效管理生产系统的各种设备、管道、阀门、接头等的清洗、干燥和安装是制得合格的优质产品的关键之一。
第二章多晶硅生产工艺
冶金级硅（工业硅）是制造多晶硅的原料，它由石英砂（二氧化硅）在电弧炉中用碳还原而成。
尽管二氧化硅矿石在自然界中随处可见，但仅有其中的少数可以用于冶金级硅的制备。
一般来说，要求矿石中二氧化硅的含量应该在97～98%以上，并对各种杂质特别是砷、磷和硫等的含量有严格的限制。
冶金硅形成过程的化学反应式为：
SiO2+C→Si+CO2↑。
在用于制造多晶硅的冶金硅中，要求含有99%以上的Si，还含有铁、铝、钙、磷、硼等，它们的含量在百万分之几十到百万分之一千（摩尔分数）不等。
而EG硅中的杂质含量应该降到10-9（摩尔分数）的水平，SOG硅中的杂质含量应该降到10-6（摩尔分数）的水平。
要把冶金硅变成SOG硅或EG硅，显然不可能在保持固态的状态下提纯，而必须把冶金硅变成含硅的气体，先通过分馏与吸附等方法对气体提纯，然后再把高纯的硅源气体通过化学气相沉积（CVD）的方法转化为多晶硅。
2.1主要的多晶硅生产的工艺
目前世界上生产制造多晶硅的工艺技术主要有：
改良西门子法、硅烷（SiH4）法、流化床法以及专门生产太阳能级多晶硅的新工艺。
2.1.1改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法
传统的多晶硅制备技术目前主要采用西门子法。
后来又有公司采用其它反应气体和钟罩式反应器生产多晶硅，统称为改良西门子法。
如美国HEMLOCK采用二氯二氢硅、REC公司采用硅烷作反应气体等。
目前国际上90%以上的多晶硅是采取西门子或改良西门子法生产的。
这种方法技术成熟，可以制备电子级多晶硅，纯度可以达到11N。
国际上七大多晶硅生产商垄断了全球电子级多晶硅市场。
1955年，西门子公司成功开发了利用氢气还原三氯硅烷（SiHCl3）在硅芯发热体上沉积硅的工艺技术，并于1957年开始了工业规模的生产，该技术实际上是一种化学气相沉积技术，反应器为钟罩式，用细硅芯棒作发热和硅沉积体，用三氯氢硅作反应气体制备出多晶硅，由于是由西门子公司最先开发出来，因此命名。
这就是通常所说的西门子法。
代表公司如德国WACKER公司、日本Tokuyama公司等。
。
在西门子法工艺的基础上，通过增加还原尾气干法回收系统、SiCl4氢化工艺，实现了闭路循环，于是形成了改良西门子法——闭环式SiHCl3氢还原法。
改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成HCl（或外购HCl），HCl和冶金硅粉在一定温度下合成SiHCl3，分离精馏提纯后的SiHCl3进入氢还原炉被氢气还原，通过化学气相沉积反应生产高纯多晶硅。
具体生产工艺流程见图1。
改良西门子法包括五个主要环节：
SiHCl3合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收和SiCl4的氢化分离。
该方法通过采用大型还原炉，降低了单位产品的能耗。
通过采用SiCl4氢化和尾气干法回收工艺，明显降低了原辅材料的消耗。
图1：
改良西门子法生产工艺流程简图
改良西门子法生产工艺简述：
A、石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
B、为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。
把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅（SiHCl3）。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑
反应温度为300度，该反应是放热的。
同时形成气态混合物（H2,HCl,SiHCl3,SiC14,Si）。
C、第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:
过滤硅粉，冷凝SiHCl3,SiC14，而气态H2,HCl返回到反应中或排放到大气中。
然后分解冷凝物SiHCl3,SiC14，净化三氯氢硅（多级精馏）。
D、净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。
剩余部分同H2,HCl,SiHCl3,SiC14从反应容器中分离。
这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。
气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
改良西门子法制备的多晶硅纯度高，安全性好，沉积速率为8～10μm/min，一次通过的转换效率为5%～20%，相比硅烷法、流化床法，其沉积速率与转换效率是最高的。
沉积温度为1100℃，仅次于SiCl4（1200℃），所以电耗也较高，为120kWh/kg（还原电耗）。
改良西门子法生产多晶硅属于高能耗的产业，其中电力成本约占总成本的70%左右。
SiHCl3还原时一般不生产硅粉，有利于连续操作。
该法制备的多晶硅还具有价格比较低、可同时满足直拉和区熔要求的优点。
因此是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺，国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产SOG硅与EG硅，所生产的多晶硅占当今世界总产量的70～80%。
2.1.2硅烷法——硅烷热分解法
1956年，英国标准电讯实验所成功研发出了硅烷（SiH4）热分解制备多晶硅的方法，即通常所说的硅烷法。
1959年，日本的石冢研究所也同样成功地开发出了该方法。
后来，美国联合碳化合物公司采用歧化法制备SiH4，并综合上述工艺且加以改进，便诞生了生产多晶硅的新硅烷法。
硅烷法以氟硅酸、钠、铝、氢气为主要原辅材料，通过SiCl4氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取SiH4，然后将SiH4气提纯后通过SiH4热分解生产纯度较高的棒状多晶硅。
硅烷法与改良西门子法接近，只是中间产品不同：
改良西门子法的中间产品是SiHCl3；而硅烷法的中间产品是SiH4。
硅烷法的具体生产工艺流程见图2。
图2：
硅烷法生产工艺流程图
硅烷法存在成本高、硅烷易爆炸、安全性低的缺点；另外整个过程的总转换效率为0.3，转换效率低；整个过程要反复加热和冷却，耗能高；SiH4分解时容易在气相成核，所以在反应室内生成硅的粉尘，损失达10%～20%，使硅烷法沉积速率（3～8μm/min）仅为西门子法的1/10。
日本小松公司曾采用过此技术，但由于发生过严重的爆炸事故，后来就没有继续推广。
目前，美国Asimi和SGS公司（现均属于挪威REC公司）采用该工艺生产纯度较高的多晶硅。
2.1.3流化床法
流化床法是美国联合碳化合物公司早年研发的多晶硅制备工艺技术。
该方法是以SiCl4（或SiF4）、H2、HCl和冶金硅为原料在高温高压流化床（沸腾床）内生成SiHCl3，将SiHCl3再进一步歧化加氢反应生成SiH2Cl2，继而生成SiH4气。
制得的SiH4气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。
因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。
缺点是安全性差，危险性大。
其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。
目前采用该方法生产颗粒状多晶硅的公司主要有：
挪威REC公司、德国Wacker公司、美国Hemlock和MEMC公司等。
挪威REC公司是一家业务贯穿整个太阳能行业产业链的公司。
该公司利用硅烷气为原料，采用流化床反应炉闭环工艺分解出粒状多晶硅，且基本上不产生副产品和废弃物。
这一特有专利技术使得REC公司在全球太阳能行业中处于独一无二的低位。
REC公司还积极开发新型流化床反应器技术（FBR），该技术使多晶硅在流化床反应器中沉积，而不是在传统的热解沉积炉或西门子反应器中沉积，因而可极大地降低建厂投资和生产能耗。
2006年计划新建利用该技术生产太阳能级多晶硅的工厂。
此外，REC正积极开发流化床多晶硅沉积技术（FluidizedBedPolysiliconDeposition）和改良的西门子反应器技术（ModifiedSiemens-reactortechnology）。
德国Wacker公司开发了一套全新的粒状多晶硅流化床反应器技术生产工艺。
该工艺基于流化床技术（以SiHCl3为给料），已在两台实验反应堆中进行了工业化规模的生产试验。
美国Hemlock公司将开设实验性颗粒硅生产线来降低硅的成本。
MEMC公司一直采用MEMC工艺（流化床法）生产粒状多晶硅，而且是世界上生产单晶硅的大型企业。
该公司计划在2010年底其产能达到7000t左右。
2.1.4太阳能级多晶硅新工艺技术
除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。
冶金法生产太阳能级多晶硅
据资料报导，日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（SHARP公司）应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。
主要工艺是：
选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。
气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅
据资料报导,以日本Tokuyama公司为代表，目前10吨试验线在运行，200吨半商业化规模生产线在2005-2006年间投入运行。
主要工艺是：
将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。
重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅
据美国CrystalSystems资料报导，美国通过对重掺单晶硅生产过程中产生的硅废料提纯后，可以用作太阳能电池生产用的多晶硅，最终成本价可望控制在20美元/Kg以下
2.2国外多晶硅生产技术发展的特点
A、研发的新工艺技术几乎全是以满足太阳能光伏硅电池行业所需要的太阳能级多晶硅。
b、研发的新工艺技术主要集中体现在多晶硅生成反应器装置上，多晶硅生成反应器是复杂的多晶硅生产系统中的一个提高产能、降低能耗的关键装置。
c、研发的流化床（FBR）反应器粒状多晶硅生成的工艺技术，将是生产太阳能级多晶硅首选的工艺技术。
其次是研发的石墨管状炉（Tube-Recator）反应器，也是降低多晶硅生产电耗，实现连续性大规模化生产，提高生产效率，降低生产成本的新工艺技术。
d、流化床（FBR）反应器和石墨管状炉（Tube-Recator）反应器，生成粒状多晶硅的硅原料可以用硅烷、二氯二氢硅或是三氯氢硅。
e、在2005年前多晶硅扩产中100%都采用改良西门子工艺。
在2005年后多晶硅扩产中除Elkem外，基本上仍采用改良西门子工艺。
目前多晶硅主要的新增需求来自于太阳能光伏产业，国际上已经形成开发低成本、低能耗的太阳能级多晶硅生产新工艺技术的热潮，并趋向于把生产低纯度的太阳能级多晶硅工艺和生产高纯度电子级多晶硅工艺区分开来，以降低太阳能级多晶硅生产成本，从而降低太阳能电池制造成本，促进太阳能光伏产业的发展，普及太阳能的利用，无疑是一个重要的技术决策方向。
2.3国内多晶硅技术发展状况
目前国内的几家多晶硅生产单位的扩产，都是采用改良西门子工艺技术。
国内绝大多数的多晶硅生产厂家均使用改良西门子法生产。
1999年前后，中国政府终于寻到机会，从俄罗斯购入“改良西门子法”，放到四川峨嵋半导体厂。
但俄罗斯目前的能力也仅限于百吨级产量的技术，没有达到1000t产能的最小经济规模。
同时俄罗斯的技术在电能消耗上明显高于国际同行，生产每公斤硅材料耗电量300度，而国际水准仅为100度。
1999年，四川峨嵋半导体厂与原北京有色设计研究总院在俄罗斯的“改良西门子法”的基础上，共同开发的年产100t改良西门子法多晶硅工业试验线取得成功，2000年1月通过了专家鉴定。
作为国内自行开发的工艺技术，与过去采用的传统技术相比，无论从规模、还是消耗指标上，都有很大进步。
依托该技术，2006年，峨嵋厂多晶硅生产能力扩建到200吨。
洛阳中硅是峨嵋半导体材料厂派生的一个支脉，它的技术也是来自峨嵋半导体厂和原北京有色设计研究总院。
洛阳中硅采用常压合成，加硅粉的连续性问题是洛阳中硅要解决的核心问题。
洛阳中硅于2005年10月建成了一条年产300t多晶硅生产线，并于当年11月投产，2007年扩建到1000t。
年产700t生产线的产品主要介于EG国标1级品与2级品
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