电池线测试题库正式版V1.docx

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电池线测试题库正式版V1

电池线测试题库

题型：

填空题100道，判定题50道，问答题30道，案例分析10道

一、填空题

1、清洗制绒的目的是为了在硅片上取得表面绒面结构，这种结构对提高晶体硅对光的吸收率有着重要作用。

2、关于单晶硅，采纳碱溶液的各向异性侵蚀，其化学方程式为：

2KOH+Si+H2O→K2SiO3+2H2；

3、多晶硅采纳酸溶液的各向同异性侵蚀，其化学反映方程式：

Si+4HNO3→SiO2+4NO2+2H2O，SiO2+4HF→SiF4+2H2O和SiF4+2HF→H2[SiF6]。

4、扩散工艺是在硅片的一面通过扩散磷来形成P-N结，采纳POCL3作为扩散源，提供磷原子。

5、为了将扩散所得的硅片制成P-N结，需把周围的N型层去掉。

反面的N型层能够用补偿法排除。

用丝网印刷铝浆，然后烧结能够使N型层返回到P型层。

6、去硅片周边用激光刻蚀的方式和等离子体刻蚀法，我车间采纳激光刻蚀的方式去除周边。

7、激光切割去周边时，必需把激光束照在背电极上，必需操纵好激光的强度和运行速度，才能做到对电池片的P-N结无阻碍。

8、PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反映气体，气体经一系列化学反映和等离子体反映，在样品表面形成固态薄膜。

9、PECVD方式区别于其它CVD方式的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，他们能够提供化学气相沉积进程所需的激活能。

10、由于在氨气圧条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度一样可达30~300nm/min以上。

11、PECVD该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳固性高。

12、写出PECVD设备中要紧的化学反映方程式：

3SiN4+4NH3Si3N4+12H2

13、进入车间须穿着好干净服、帽子，戴好口罩、手套，头发长的要将其放入帽子或衣服中。

14、丝网印刷的工艺流程：

制减反射膜→印刷正电极→低温烘干→印刷背电极→低温烘干→印刷背电场→高温烧结

15、正电极印刷时，应常常性的用无尘布轻擦网板底部，幸免栅线过粗。

16、电极的质量与链式烧结炉中的温度散布、传送硅片的网带的前进速度、硅片的清洁度、烧结炉的清洁度等因素有着重要关系。

17、方块电阻（SheetResistance）能够明白得为在硅片上正方形薄膜两头之间的电阻。

测量方块电阻时，相同厚度等距离的两点间会取得相同的电阻。

18、丝网印刷线之前到后依次印刷正银、背银铝和背铝，Rs越小、Rsh越大，电池片效率越高。

19、关于快速烧结炉，冷却水进水口温度18～25℃，冷却水压力为6～8bar，CDA压力为4～8bar，温度上限为zone1～4650℃，zone5～61000℃。

20、异丙醇（IPA）在制绒中的作用，一是能够减缓反映速度，二是能够赶走硅片表面残留的气泡使得硅片表面侵蚀的均匀。

21、在太阳能行业的扩散工艺中，要紧原料气体包括POCL3、O2和N2。

22、烧结的目的：

干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

23、少子是在半导体中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。

24、少子寿命是少数载流子受激发从产生到复合的时刻，单位为微秒。

25、光伏技术是将太阳能转化为电能的太阳能电池系统。

26、由半导体材料组成的光伏单元吸收阳光后将电子从原子中释放出来。

电子在半导体材料中移动产生了电流。

27、将最大输出功率Pm与Uoc和Isc的乘积之比概念为填充因子FF。

FF越大那么输出功率越高。

28、太阳能电池的转化效率概念为太阳能电池的最大输出功率与照射到太阳能电池的总辐射能之比。

29、去磷硅玻璃是用化学方式除去扩散层的SiO2，SiO2与HF反映生成具有挥发性的SiF4，从而使Si表面的磷硅玻璃去除掉。

30、高温快速烧结炉采纳网带传送工作，红外加热升温快、热透性好，热场均匀，集低温烘干和高温烧结于一体。

31、多晶硅晶体与单晶硅显著地不同点是多晶硅的导电性远不如单晶硅。

32、氮化硅的物理性质和化学性质：

结构致密，硬度大；能抵御碱金属离子的侵蚀；介电强度高；耐湿性好；耐一样的酸碱，除HF和热H3PO4.

33、选择性发射极结构有两个特点：

1）在电极栅线下及其周围形成高搀杂深扩散区；2）在其他区域（活性区）形成低搀杂浅扩散区，如此便取得了一个横向高低结。

34、三氯氧磷极易水解，在潮湿的空气中，因水解产生酸雾，水解产生的HCl熔于源中会使源变成淡黄色，必需换源。

35、扩散系统不干燥时，POCl3+2H2O→HPO3+HCl，HPO3是一种白色粘滞性液体，对硅片有侵蚀作用，并使石英舟粘在管道上不易拉出。

36、丝网印刷由五大要素组成，即丝网、刮刀、浆料、工作台和基片。

37、氢氟酸是无色透明的液体，具有较弱的酸性、易挥发性和很强的侵蚀性。

3八、氢氟酸有一个很重要的特性是它能够溶解二氧化硅，因此不能装在玻璃瓶中。

39、在配制氢氟酸溶液时，要穿好防护服，戴好防护手套和防毒面具。

40、当硅片从氢氟酸中提起时，观看其表面是不是脱水，若是脱水，那么说明磷硅玻璃已去除干净；若是表面还沾有水珠，那么说明磷硅玻璃未被去除干净。

41、POCl3液态源扩散方式具有生产效率较高，取得PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优势，这关于制作具有大面积结的太阳电池是超级重要的。

42、在太阳电池扩散工艺中，扩散层方块电阻是反映扩散层质量是不是符合设计要求的重要工艺指标之一。

43、目前生产中，测量扩散层薄层电阻普遍采纳四探针法。

44、三氯氧磷源瓶改换的标准操作进程：

依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，改换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。

45、经常使用杂质（硼,磷,砷等）在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。

46、正面电极的形成和厚度，老是两方面的因素平稳的结果：

一方面要有高的透过率；另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。

47、清洗制绒的冷却装置中冷却水进出压力差≥3bar。

48、太阳能级多晶硅的纯度要求远不及电子级多晶硅，一样以为5~6个9就能够够知足要求。

4九、TTV——总厚度误差，Warp——翘曲度，BOW——弯曲度，TIR——平整度

50、填充因子FF取决于入射光强、材料禁带宽度、串联电阻和并联电阻等。

51、硅片通过去磷硅玻璃后，颜色由棕色变成灰色。

5二、在PSG中，HF的原始浓度为49%，清洗需要的浓度一样为5%。

53、硅片在线测量的要紧参数有硅片表面不平整度、厚度、电阻率和TTV。

54、在太阳电池中，其能量的损失有两种：

光学损失和电学损失。

5五、在去PSG的正常运行时，CDA的工作压力位6bar，纯水的工作压力位3bar，氮气的工作压力为1bar。

5六、光学性质的损失中，硅表面的反射损失最多。

57、一样尺寸的基片，绒面电池的P-N结面积较大，能够提高短路电流，转化效率也有相应的提高。

58、扩散是一种由微粒的热运动所引发的物质输运进程，能够由一种或多种物质在气、液或固体的同一相内或不同相间进行。

5九、扩散的驱动力实质是化学势梯度。

60、磷扩散的扩散机制是空位机制。

6一、扩散制结进程中在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。

6二、必需对太阳能电池周边的搀杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的P-N结。

63、烧结炉分为烘干、预烧结、烧结、降温冷却四个时期。

64、在电池片生产进程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特气等外围设施。

6五、当石墨舟运行到必然的次数后，表面沉积了很厚的氮化硅，阻碍舟壁与硅片的接触，从而阻碍镀膜的质量，因此要进行石墨舟的清洗。

6六、除Si和N，PECVD的氮化硅一样还包括必然比例的氢原子，其氢原子能够起到钝化作用，复合硅片体内的缺点。

67、扩散温度和扩散时刻对扩散结深阻碍较大。

6八、当扩散炉的温度升高时，其方块电阻将会降低；相反，温度降低时，其方块电阻将会升高。

6九、第一次扩散前或停产一段时刻以后恢复活产时，需使石英管在810℃通源饱和1小时以上。

70、磷有极毒，换源时应在通风系统好的条件下进行，且不要在尚未倒掉旧源时就用水冲，如此易引发源瓶炸裂。

71、在烧结核心区的加热灯管采纳入口红外短波辐射加热管。

7二、关于烧结炉，要按期对传动部份进行保护，各轴承应及时加入润滑油，调整网带。

73、PECVD的保护及保养：

维持真空度、爱惜气路、爱惜罗茨泵机、按期进行酸洗等。

74、丝网印刷是生产太阳能电池的重要工序，其印刷质量（厚度，宽度，膜厚一致性）阻碍电池片的技术指标。

7五、在电池片的正极用银浆料印刷两条或三条电极导线（宽约3～4mm）作为电池片的电极。

7六、丝网印刷的刮板条的硬度越低，印刷图形的厚度越大，刮刀材料必需耐磨，刃口有专门好的直线性，维持与丝网的全接触；刮刀一样选用菱形刮刀，它具有4个刃口，可逐个利用，利用率高。

77、刮刀角度的设定与浆料有关；浆料黏度值越高，流动性越差，需要刮刀对浆料的向下的压力越大，刮刀角度小；刮刀角度调剂范围为45°～75°。

7八、经常使用的丝网材料有不锈钢和尼龙2种，在太阳能电池片的印刷中采纳不锈钢丝网。

7九、浆料是由功能组份、粘结组份和有机载体组成的一种流体，

80、反面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为P型搀杂，它能够减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应。

8一、经常使用的含量单位：

ppm=10-6ppb=10-9ppt=10-12

8二、强酸要紧包括、、、、、、、、。

83、强酸都有强烈的刺激和侵蚀作用。

在未佩带防护用品的情形下，长期接触会引发酸中毒。

84、操作酸时要戴防护手套，如酸为强侵蚀性且易挥发，需戴化学平安防护眼镜，如酸液有毒，应戴防毒口罩。

8五、若是酸液滴在皮肤上，需当即用大量水冲洗，并用5%的碳酸氢钠冲洗，严峻时需要就医。

8六、若是滴在皮肤上的酸是氢氟酸，必需当即冲洗干净，并当即用六氟灵解毒，当即就医。

87、酸液滴在皮肤上时，绝对不能用碱去中和，幸免放热烧伤。

8八、在未佩带防护用品操作碱溶液的情形下，长期接触会引发碱侵蚀和中毒。

8九、盛放碱的试剂瓶绝对不能用玻璃塞，不然会打不开。

90、若是酸液滴在眼睛里，必需当即提起眼睑，用大量水冲洗，并非时转动眼球，就医。

9一、盐酸灭火方式：

用碱性物质如碳酸氢钠、碳酸钠、消石灰等中和。

也可用大量水扑救。

9二、有机溶剂的防护：

生产和利用有机溶剂时，要增强密闭和通风，减少有机溶剂的逸散和蒸发。

93、氢氟酸是氟化氢气体的水溶液，为澄清无色至淡黄色发烟液体，极易挥发，有刺激性气味，相对密度～。

沸点112.2℃（按重量百分比计为%），是弱酸。

94、氢氧化钾是强碱，具有强吸水性，溶于水时放出大量的热。

具有强侵蚀性。

侵蚀皮肤、衣服、玻璃陶瓷，其性质与烧碱相似。

9五、硝酸是强氧化剂，有强侵蚀性，在生产，利用和运输中要注意平安。

9六、盐酸是一种强酸，浓盐酸具有极强的挥发性，因此盛有浓盐酸的容器打开后能在上方看见酸雾。

97、IPA无色透明液体，能与水、醇、醚相混溶，有似乙醇和丙酮混合物的气味。

9八、氨气爆炸上限（V/V）16%——25%，易燃气体，相对照重（空气=1）。

9九、硅烷爆炸上限（V/V）1%——96%，相对照重（空气=1）。

100、《中华人民共和国平安生产法》指出：

平安生产治理，坚持预防为主、综合治理的方针。

二、判定题

1、太阳能是一种清洁的不可再生能源。

（×）

2、扩散进程中，硅片周边表面形成扩散层可不能对电池片造成任何阻碍。

（×）

3、刻蚀是采纳物理或化学的方式无选择性的从半导体材料表面去除不需要材料的进程。

（×）

4、丝网印刷中是用银铝浆料印刷背电场。

（×）

5、在通过量晶制绒后，就决定了硅片的正反面。

（√）

6、在严寒的天气下，电池片的转化效率会受到必然阻碍。

（×）

7、每次改换网版、网版的位置、印刷压力和刮板平行度要从头调整。

（√）

8、印刷放片于平台时，尽可能一次放置到位，不要将硅片在平台上摩擦。

（√）

9、一旦正电极有漏印现象发生，应当即停止印刷，并查找缘故（浆料太少、网孔堵塞）。

（√）

10、正电极主栅线能够与背电极方向不一致。

（×）

1一、测量PECVD镀的膜厚用的四探针，测量方块电阻用的是椭偏仪。

（×）

12、阻碍扩散方块电阻的因素有温度、时刻和流量。

（√）

13、丝网印刷是把带有图像或图案的模版被附着在丝网上进行印刷的。

（√）

14、目数的概念：

单位面积（英寸或cm）上丝网孔的数量。

（√）

1五、制造一个PN结是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一路就能够形成的。

（×）

1六、N型区域磷浓度和扩散结深一起决定着方块电阻的大小。

（√）

17、磷扩散进程中只需要少量的氧气。

（×）

1八、POCl3不容易发生水解，但POCl3极易挥发。

（×）

1九、方块电阻是标志进入半导体中的杂质总量的一个重要参数。

（√）

20、在减少光损失方面，电池的织构化技术和减反射技术起着重要作用。

（√）

21、电池片正面的梳子状电极结构中，一样有2条或3条主电极粗线。

（√）

2二、扩散工艺中，不做背靠背，采纳单片扩散也是能够的。

（√）

23、太阳能级多晶硅的纯度要求远不及电子级多晶硅，一样以为5~6个9就能够够知足要求。

（√）

24、少数载流子寿命直接阻碍到电池的转化效率。

（√）

25、由太阳光吸收面产生的光生载流子不能完全转变成电能，这是因为在硅材料的体内和表面存在很多晶体缺点和杂质原子。

（√）

26、氧原子存在于硅中，完满是有害的。

（×）

27、在去磷硅玻璃的进程中，用的是HNO3来清洗硅片。

（×）

2八、在去PSG进程中，MF表示中等浓度氢氟酸的意思。

（×）

29、栅线负责把电池体内的光生电流引到电池外部。

（√）

30、电阻率表示对电流的阻碍能力，电阻率越低的材料有越好的导电性。

（√）

3一、在硅片检测设备操作中，至少天天要将机械初始归为一次。

（√）

3二、在硅片检测设备中，只要关掉电脑就能够够马上关掉电源。

（×）

33、在硅片检测设备中，在紧急情形终止后，即将启动设备时，必然要将机械初始归位。

（√）

34、硅片检测的缘故：

硅片质量的好坏直接决定了电池片的转化效率。

（√）

35、异丙醇的爆炸极限很高，因此不容易发生着火事故。

（×）

3六、在往设备中装Carrier时，是没有方向性的。

（×）

37、P-N结两边搀杂度越大，开路电压也越大。

（√）

38、在设备的槽中没有水时，泵仍能够正常工作。

（×）

3九、PWW-C表示高浓度HF废液排出管道，PWW-D表示低浓度HF废液排出管道。

（√）

40、在去PSG中是通过PLC实现生产进程自动化的。

（√）

4一、燃烧三要素包括1可燃物；2助燃物（一样为氧气）；3达到可燃物着火点的温度。

（√）

4二、灭火确实是破坏燃烧条件使燃烧反映终止的进程。

（√）

43、燃烧大体原理归纳为以下四个方面：

冷却、窒息、隔离和化学抑制。

（√）

44、我国消防工作的方针是：

预防为主,防消结合。

（√）

4五、灭火器是扑救初起火灾的重要消防器材。

（√）

4六、危险化学品，包括爆炸品、紧缩气体和液化气体、易燃液体、易燃固体、自燃物品和遇湿易燃物品、氧化剂和有机过氧化物、有毒品和侵蚀品等。

（√）

47、氢氟酸不燃，具强侵蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。

（√）

4八、氢氧化钾灭火方式：

用水、砂土扑救，但须避免物品遇水产生飞溅，造成灼伤。

（√）

4九、IPA易燃，其蒸气与空气可形成爆炸性混合物，遇明火、高热能引发燃烧爆炸。

与氧化剂接触猛烈反映。

（√）

50、IPA爆炸极限%（V/V）为%——%。

（√）

三、问答题

1请简要写出我车间的生产工艺流程。

答：

硅片检测（检测来料的质量）→单/多晶清洗制绒→氧化炉（镀氧化膜）→激光刻槽（刻出栅线的形状）→LDE（刻槽后的清洗）→扩散炉→去磷硅玻璃→PECVD→丝网印刷→快速烧结→激光刻蚀→检测分类

2、什么缘故要进行激光刻蚀，利用激光去除硅片的周边？

答：

由于在扩散进程中，即便采纳背靠背扩散，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可幸免地扩散上磷。

PN结的正面所搜集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的反面，而造成短路。

此短路通道等效于降低并联电阻。

3、采纳什么方式能够增加电池片对太阳光的吸收？

别离体此刻哪些工艺段？

答：

1）降低表面反射。

——清洗制绒

2）改变光在电池体内的途径。

——制减反射膜

3）采纳反面反射。

——印刷铝背场

4、PECVD的具体含义是什么？

PECVD设备的优势在哪里？

答：

等离子体增强化学气相沉积。

优势：

放电能力强；真空度高；成膜温度低；生产能力强；沉积速度快；设备密封性好

五、磷扩散的目的是什么？

如采纳POCL3液态源扩散法，其顶用到了POCL3、O2、N2，这些扩散源别离起到什么作用，并写出化学反映方程式。

答：

1）为了使硅片形成P-N结

2）各扩散源的作用：

POCl3为扩散源提供磷原子、O2为工作气体参与化学反映、N2用于携带扩散源POCl3

3）反映进程

4POCl3+3O2（过量）→2P2O5+6Cl2

硅片表面沉积磷硅玻璃P2O5，Si代替P

2P2O5+5Si→5SiO2+4P

随后P扩散进入硅中，同时氯气被排出

六、烧结后的质量要求有哪些？

答：

1）烧结后的氮化硅表面颜色应该均匀，无明显的色差.

2）电极无断线

3）背场无铝珠

3）电池最大弯曲度不超过1mm

7、刻蚀后发觉硅片表面较暗，说明刻蚀过度，缘故有哪些？

答：

1）刻蚀温度太高;2）刻蚀速度过慢；3）HF浓度较大。

八、关于光伏行业的进展前景，你有何观点？

请写出个人的观点及对个人尔后的工作有何打算。

9、异丙醇（IPA）在制绒进程中起得作用是什么？

答：

1）能够减缓反映速度。

2）能够赶走硅片表面残留的气泡使得硅片表面侵蚀的更均匀。

10、简述多晶制绒。

答：

多晶制绒是酸混合液对多晶硅片进行的清洗制绒进程，其主若是去除硅片表面的刻蚀损伤层和在硅片表面形成绒面结构，以增加硅片对太阳光的吸收，减少反射效率。

其要紧步骤为一、HF+HNO3刻蚀，二、去离子水喷淋清洗3、KOH喷淋清洗4、去离子水二次喷淋清洗五、HF+HCl清洗六、去离子水三次喷淋清洗7、干燥硅片。

1一、简述单晶制绒。

答：

单晶制绒是碱液对单晶硅片进行的清洗制绒进程，其主若是去除硅片表面的刻蚀损伤层和在硅片表面形成倒金字塔的绒面结构，以增加硅片对太阳光的吸收，减少反射效率。

其要紧步骤为一、KOH+IPA刻蚀，二、去离子水清洗3、HF+HCl清洗4、去离子水清洗五、热水及热气干燥硅片。

1二、简述单、多晶制绒中所需外围供给。

答：

单晶制绒的外围供给包括：

380V电源、去离子水、紧缩空气、氮气、IPA、KOH、HF、HCl。

多晶制绒的外围供给包括：

380V电源、去离子水、工艺冷却水、自来水、乙二醇、HF、HNO3、HCl、KOH。

13、简述扩散制结。

答：

扩散一样用三氯氧磷液态源作为扩散源。

把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下利用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反映，取得磷原子。

通过一按时刻，磷原子从周围进入硅片的表面层，而且通过硅原子之间的间隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交壤面，确实是PN结。

反映进程：

4POCl3+3O2（过量）→2P2O5+6Cl2

硅片表面沉积磷硅玻璃P2O5，Si代替P

2P2O5+5Si→5SiO2+4P

随后P扩散进入硅中，同时氯气被排出。

14、简述去PSG。

答：

去PSG全称是去磷硅玻璃。

由于在氧化和扩散工艺中，会在硅片的表面形成了含有磷的二氧化硅，为了不阻碍硅片的吸光率，必需将它出去，因此利用HF将其除去。

通过扩散工艺后，硅片是棕色，通过去PSG后，硅片变成灰色。

1五、简述PECVD。

答：

全称是等离子体增强化学气相沉积法，目的是在硅片表面镀一层致密的氮化硅薄膜，以减少入射光的反射。

镀膜后，硅片的光照面显示为蓝色。

1六、简述丝网印刷。

答：

丝网印刷由五大要素组成，即丝网、刮刀、浆料、工作台和基片。

工作时，他们由上而下的顺序是刮刀、浆料、丝网、基片和工作台。

其原理是:

利用丝网图形部份网孔透浆料，非图文部份网孔不透浆料进行印刷正面银电极、反面铝电极和铝背场。

17、简述快速烧结。

答-快速烧结是丝网印刷后续处置工艺，作用是将通过银浆、铝浆及银铝浆印刷过的硅片，通过烘干有机溶剂完全挥发，脱层收缩成为固状物紧密粘附在硅片上，可视为金属电极材料层和硅片接触在一路。

，形成良好的欧姆接触。

1八、什么是LDE。

答：

LDE的英文全称为LaserDamageetch（去除激光刻蚀损伤）。

为制作选择性发射极的一个工艺环节。

LDE的作用：

硅片通过激光刻蚀后，去除硅片表面的刻蚀损伤及遗留的硅粉，

1九、遇上严峻火灾如何办？

答：

1）维持镇定。

2）呼唤周围的同事援助。

3）报警；通知消防中心119，报警时要讲清详细地址、起火部位、着火物质、火势大小、报警人姓名及号码，并派人到路口迎候消防车。

4）关闭火场周围的电器总闸。

5）正确利用灭火器灭火。

6）要指示出方向，迅速组织人员疏散和自己逃生，万万不可乘坐电梯。

20、简述单晶制绒与多晶制绒的区别。

答：

区别要紧有两个一、由于单晶是各向异性，多晶各向同性，它们不同的结构致使咱们需要采纳不同的刻蚀液别离对它们进行清洗刻蚀：

单晶制绒采纳KOH+IPA，多晶制绒采纳HF+HNO3；二、单晶和多晶取得的绒面结构不同：

单晶绒面结构为倒金字塔；多晶制绒后绒面是由米粒状组成的结构。

2一、简述硅片正面镀银的缘故。

答：

银材质导电性好，电导率高，印刷正面银电极作用通过栅线和银电极搜集内建电场中电子，降低电池片接触电阻，形成电池片负极。

2二、简述硅片反面银铝的缘故。

答：

反面银铝电极电导率高，印刷背铝栅线作用是搜集电池线反面带正电空穴，形成电池片正极。

23、请写出电池线所有设备的名称。

答：

检测质量检测、多晶制绒、单晶制绒、氧化炉、激光刻槽、LDE、扩散炉、去磷硅玻璃、PECVD、丝网印刷、石墨舟清洗机、通风柜、离线检测（四探针、载流子寿命测试仪、椭偏仪、显微镜和立体显微镜）。

24、请写出电池线所用到的各类化学品。

答：

盐酸、硝酸、氢氟酸、氢氧化钾、异丙醇、乙二醇、三氯氧磷、氧气、氮气、硅烷、氨气和DCE等。

2五、请写出单晶制绒进程中的化学方程式。

答：

Si+2H2O+2OH¯→[SiO2（OH）2]2¯+2H2

2六、请写出多晶制绒进程中的化学方程式。

答：

Si+4HNO3→SiO2+4NO2↑+2H2O

SiO2+4HF→SiF4+2H2O

SiF4+2HF→H2[SiF6]

27、请写出PECVD中发生的化学方程式。

答：

3SiN4+4NH3Si3N4+12H2

2八、请写出你所熟悉的各类平安用具。

答：

一次性橡胶手套、防割耐高温手套、防酸碱手套、防酸碱鞋、硅胶全面罩、气体过滤器、Chemmax防护服、防护眼镜、防化围裙、防毒半面罩、喷淋器、急救箱等。

2九、请写出改换POCL3的操作要点和注意事项。

答：

源瓶改换的标准操作进程

　依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，改换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。

30、请写出单、多晶制绒添加的化学品名称。

答：

单晶