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模电试题及答案

《模拟电子技术基础》试题(A卷)

学号姓名

「、判断下列说法是否正确,用“X”或“V”表示判断结果。

(10分)

(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

()

(2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。

()

(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。

()

(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

()

(5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

()

(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

()

(7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。

()

(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

()

(9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。

()

(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

()

二、选择填空(10分)

(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入;

为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入。

(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈

1

(2)RC串并联网络在f二f0—时呈。

2兀RC

(A)感性(B)阻性(C)容性

(3)通用型集成运放的输入级多采用。

(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法

(4)两个B相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为—

2

(A)B(B)B(C)2B(D)1+B

(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是;

既能放大电流,又能放大电压的电路是—

(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路

(6)当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为Ucubue。

(A)>(B)<(C)=(D)<

(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

(A)大(B)小(C)相等

(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求

出uo。

四、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时

B-E间电压为Ubeq,电

 

流放大系数为B,B-E间动态电阻为rbe。

填空:

静态时,IBQ的表达式为,

Icq的表达式为,Uceq的表达式

为;电压放大倍数的表

达式为,输入电阻的表达式

为,输出电阻的表达式

为;若减小Rb,贝UIcq将,rbe

将,Au将,Ri将。

五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时Ubeq=0.7V,电流放大系数为B=100,rbe=1kQ,Rbi=5kQ,Rb2=15kQ,Re=2.3kQ,Rc=Rl=3kQ,Vcc=12V。

(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(2)估算信号源内阻为Rs=1kQ时,Aus=UoUs的数值。

六、(10分)在图示电路中,已知Vcc=12V,Vee=6V,恒流源电路I=1mA,Rb1=Rb2=1kQ,Rc1=Rc2=10kQ;两只晶体管特性完全相同,且31=32=100,rbe1=rbe2=2kQ。

估算:

(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;

(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数Ac、输入电阻Ri和输出电阻Ro

七、(5分)在图示OCL电路中,已知「、T2管的|Uces|=1V,电源电压为土9V,负载电阻Rl=8Q,试计算最大输出功率Pom及效率n。

八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。

九、(6分)在图示电路中,要求Rf=100k

Q,比例系数为11,试求解R、和R的阻值。

十、(6分)求解图示电路的运算关系式。

十^一、(9分)在图示文氏桥振荡电路中,已知Ri=10kQ,R和C的可调范围分别为1~100kQ、0.001~1卩F。

(1)振荡频率的可调范围是多少?

(2)Rf的下限值为多少?

H十二、(5分)在图示电路中,已

知W7806的输出电压为6V,R1=R2=R3=200Q,试求输出电压U0的调节范围。

十三、(6分)串联型稳压电路如图所示,T2和T3管特性完全相同,T2管基极电流可忽略不计,稳压管的稳定电压为UZ。

填空:

调整管为,输出电压采

样电阻由组成,基准

电压电路由组成,比较放

大电路组成;

输出电压调节范围的表达式为

《模拟电子技术基础》

试题(B卷)

学号姓名

Rf

i>1

=cL

tJ

J

Ui

Rc

Ri

Re

r+.

Uo

一、判断下列说法是否正确,用“X”或“V”表示判断结果。

(10

分)

(1)只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。

()

(2)引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

()

(3)负反馈越深,电路的性能越稳定。

()

(4)零点漂移就是静态工作点的漂移。

()

(5)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻

()

 

(6)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

()

7)半导体中的空穴带正电。

()

(8)P型半导体带正电,N型半导体带负电。

()

(9)实现运算电路不一定非引入负反馈。

(10)凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。

()

二、选择填空(10分)

(1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入;

为了展宽频带,应在放大电路中引入。

(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈

(2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中,。

(A)©a=-1800,林=+180(B)©a=+180,©f=+180(C)©A=d,©f=C0

(3)集成运放的互补输出级采用。

(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法

(4)两个B相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为—

2

(A)B(B)B(C)2B(D)1+B

(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是;

既能放大电流,又能放大电压的电路是。

(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路

(6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为UCUBUE。

(A)>(B)<(C)=(D)<

(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

(A)大(B)小(C)相等

三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判断它是否导通,并求出uo。

四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电

位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3

管脚

0.7

6.2

3

电极

电位

(V)

0

6

10

名称

5

3

3.7

材料

类型

五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时Ubeq=0.7V,电流放大系数为B=80,rbe=1.2kQ,Rb=500kQ,Rc=Rl=5kQ,Vcc=12V。

(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

(2)估算信号源内阻为Rs=1.2kQ时,忑二Uo:

Us的数值。

六、(10分)在图示电路中,已知Vcc=12V,Vee=6V,恒流源电路

1=1mA,Rbi=Rb2=1kQ,Rci=Rc2=10kQ;两只晶体管特性完全相同,且B1=B2=100,rbe1=rbe2=2kQ。

估算:

(1)电路静态时T1和T2管的集电极电位;

(2)电路的差模放大倍数Ad、共模放大倍数Ac、输入电阻Ri和输出电阻Ro

七、(5分)在图示OCL电路中,已知「、T2管的Uces=1V,电源电

压为土9V,负载电阻Rl=8Q,试计算最大输出功率

Pom及效率n。

+

uo

八、(8分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组态的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数。

九、(6分)在图示电路中,要求其输入电阻为

20kQ,比例系数为-15,试求解R、Rf和

R的阻值。

十、(6分)求解图示电路的运算关系式。

十一、(9分)将图示电路合理连接,构成桥式(即文氏桥)正弦波振荡电路,并

估算电路的振荡频率和R1的最大值。

lW=5mA,R1=1kQ,R2=200Q。

试求输出电压U的调节范围。

十三、(6分)串联型稳压电路如图所示,稳压

管的稳定电压为U。

填空:

调整管为,输出电压采样电阻

由组成,基准电压电路由

组成,比较放大电路由组成;输出电压调节范围的表达式为

A卷参考答案

(1)X

(2)V(3)x(4)V

(5)V

(6)V(7)X(8)V(9)X(10)V

二、

(1)B、C

(2)B(3)D(4)B(5)B、C

(6)AA(7)A

三、二极管D导通,-3V

 

Ri=Rb//rbe;Ro二Rc;增大;减小;减小;减小

五、3V;1mA10^A;6.7V;-150;0.79kQ;-66.7

六、7V;-333;0;6kQ;20kQ

七、4V;5.7W70%

八、(a)电压并联负反馈;-R2/R1(b)电压串联负反馈;

1+R/R1

九、10kQ;9kQ

十-一、1.6Hz—160kH;20kQ十二、9V;8V

T2、T3、

十三、T1;R、R、R;R、DZ;

B卷参考答案

(1)X

(2)V(3)X(4)V(5)V

(6)V(7)V(8)X(9)X(10)x

二、

(1)A、D

(2)C(3)B(4)B(5)B、C

(6)B、B(7)A

三、二极管D截止,-6V

四、

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3

管脚电位

(V)

0.7

6.2

3

电极名称

B

E

E

0

6

10

E

B

C

5

3

3.7

C

C

B

材料

Si

Ge

S

类型

NPN

PNP

NPN

五、22.6uA;1.8mA3V;-167;1.2kQ;5kQ;-83.5

六、7V;-333;0;6kQ;20kQ

七、4W5.7W70%

八、(a)电压串联负反馈;1+RJ/R1(b)电压并联负反馈;-

R/R1

九、20kQ;300kQ;18.75kQ

十、U0二U|1理山2

R1

十-一、160Hz;50kQ

十二、5V--35V

十三、T;R、R、R;R、DZ;A;

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