半导体物理知识点总结.docx
《半导体物理知识点总结.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体物理知识点总结.docx（44页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。
半导体物理知识点总结
半导体物理知识点总结
本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。
在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。
（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：
重点：
1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；
三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同：
孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动（共有化运动），单电子近似认为，晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。
3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂，是形成半导体能带的原因，半导体能带的特点：
①存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。
杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带②低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。
③导带与价带间的能隙（Energygap）称为禁带（forbiddenband）.禁带宽度取决于晶体种类、晶体结构及温度。
④当原子数很大时，导带、价带内能级密度很大，可以认为能级准连续。
4、晶体中电子运动状态的数学描述：
自由电子的运动状态：
对于波矢为k的运动状态，自由电子的能量E，动量p，速度v均有确定的数值。
因此，波矢k可用以描述自由电子的运动状态，不同的k值标志自由电子的不同状态，自由电子的E和k的关系曲线呈抛物线形状，是连续能谱，从零到无限大的所有能量值都是允许的。
晶体中的电子运动：
服从布洛赫定理：
晶体中的电子是以调幅平面波在晶体中传播。
这个波函数称为布洛赫波函数。
求解薛定谔方程，得到电子在周期场中运动时其能量不连续，形成一系列允带和禁带。
一个允带对应的K值范围称为布里渊区。
5、用能带理论解释导带、半导体、绝缘体的导电性。
6、理解半导体中求E（k）与k的关系的方法：
晶体中电子的运动状态要比自由电子复杂得多，要得到它的E（k）表达式很困难。
但在半导体中起作用地是位于导带底或价带顶附近的电子。
因此，可采用级数展开的方法研究带底或带顶E（k）关系。
7、掌握电子的有效质量的定义：
＝/（一维），注意，在能带底是正值，在能带顶是负值。
电子的速度为v＝，注意v可以是正值，也可以是负值，这取决于能量对波矢的变化率。
8、引入电子有效质量后，半导体中电子所受的外力与加速度的关系具有牛顿第二定律的形式，即a＝f/。
可见是以有效质量代换了电子惯性质量。
9、有效质量的意义：
在经典牛顿第二定律中a=f/m0,式中f是外合力，是惯性质量。
但半导体中电子在外力作用下，描述电子运动规律的方程中出现的是有效质量mn*，而不是电子的惯性质量。
这是因为外力f并不是电子受力的总和，半导体中的电子即使在没有外加电场作用时，它也要受到半导体内部原子及其它电子的势场作用。
当电子在外力作用下运动时，它一方面受到外电场力f的作用，同时还和半导体内部原子、电子相互作用着，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果。
但是，要找出内部势场的具体形式并且求得加速度遇到一定的困难，引进有效质量后可使问题变得简单，直接把外力f和电子的加速度联系起来，而内部势场的作用则由有效质量加以概括。
因此，引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。
特别是mn*可以直接由实验测定，因而可以很方便地解决电子的运动规律。
在能带底部附近，d2E/dk2>0，电子的有效质量是正值；
在能带顶附近，d2E/dk20，数值上与该处的电子有效质量相同，即＝－>0，空穴带电荷＋q。
③空穴的能量坐标与电子的相反，分布也服从能量最小原理。
13、本征半导体的导电机构：
对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中就对应出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。
这一点是半导体同金属的最大差异，金属中只有电子一种荷载电流的粒子（称为载流子），而半导体中有电子和空穴两种载流子。
正是由于这两种载流子的作用，使半导体表现出许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件。
14、回旋共振的实验发现，硅、锗电子有效质量各向异性，说明其等能面各向异性。
通过分析，硅有六个椭球等能面，分别分布在晶向的六个等效晶轴上，电子主要分布在这六个椭球的中心（极值）附近。
仅从回旋共振的实验还不能决定导带极值（椭球中心）的确定位置。
通过施主电子自旋共振实验得出，硅的导带极值位于方向的布里渊区边界的0.85倍处。
15、n型锗的实验指出，锗的导电极小值位于方向的布里渊区边界上共有八个。
极值附近等能面为沿方向旋转的八个椭球面，每个椭球面有半个在布里渊区，因此，在简约布里渊区共有四个椭球。
16、硅和锗的价带结构：
有三条价带，其中有两条价带的极值在k＝0处重合，有两种空穴有效质量与之对应，分别为重空穴和轻空穴，还有第三个价带，其带顶比前两个价带降低了，对于硅，＝0.04ev，对于锗＝0.29ev，这条价带给出了第三种空穴。
空穴重要分布在前两个价带。
在价带顶附近，等能面接近平面。
17、砷化镓的能带结构：
导带极小值位于布里渊区中心k＝0处，等能面为球面，导带底电子有效质量为0.067。
在方向布里渊区边界还有一个导带极小值，极值附近的曲线的曲率比较小，所以此处电子有效质量比较大，约为0.55，它的能量比布里渊区中心极小值的能量高0.29ev。
正是由于这个能谷的存在，使砷化镓具有特殊的性能（见第四章）。
价带结构与硅、锗类似。
室温下禁带宽度为1.424ev。
难点：
1、描述晶体的周期性可用原胞和晶胞，要把原胞和晶胞区分开。
在固体物理学中，只强调晶格的周期性，其最小重复单元为原胞，例如金刚石型结构的原胞为棱长a的菱立方，含有两个原子；
在结晶学中除强调晶格的周期性外，还要强调原子分布的对称性，例如同为金刚石型结构，其晶胞为棱长为a的正立方体，含有8个原子。
2、闪锌矿型结构的Ⅲ－Ⅴ族化合物和金刚石型结构一样，都是由两个面心立方晶格套构而成，称这种晶格为双原子复式格子。
如果选取只反映晶格周期性的原胞时，则每个原胞中只包含两个原子，一个是Ⅲ族原子，另一个是Ⅴ族原子。
3、布洛赫波函数的意义：
晶体中的电子在周期性势场中运动的波函数与自由电子的波函数形式相似，代表一个波长为1/k而在k方向上传播的平面波，不过这个波的振幅（x）随x作周期性的变化，其变化周期与晶格周期相同。
所以常说晶体中的电子是以一个被调幅的平面波在晶体中传播。
显然，若令（x）为常数，则在周期性势场中运动的电子的波函数就完全变为自由电子的波函数了。
其次，根据波函数的意义，在空间某一点找到电子的几率与波函数在该点的强度（即||=）成比例。
对于自由电子，||=A,即在空间各点波函数的强度相等，故在空间各点找到电子的几率相同，这反映了电子在空间中的自由运动，而对于晶体中的电子，||=|（x）（x）|，但（x）是与晶格同周期的函数，在晶体中波函数的强度也随晶格周期性变化，所以在晶体中各点找到该电子的几率也具周期性变化的性质。
这反映了电子不再完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其它晶胞内的对应点，因而电子可以在整个晶体中运动，这种运动成为电子在晶体内的共有化运动。
组成晶体的原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，常称为准自由电子。
而内层电子的共有化运动较弱，其行为与孤立原子中的电子相似。
最后，布洛赫波函数中的波矢k与自由电子波函数的一样，它描述晶体中电子的共有化运动状态，不同的k的标志着不同的共有化运动状态。
4、金刚石结构的第一布里渊区是一个十四面体，（见教材图1－11），要注意图中特殊点的位置。
5、有效质量的意义：
引入有效质量后，电子的运动可用牛顿第二定律描述，a=f/mn*。
注意，这是一个经典力学方程，f是外合力。
半导体中的电子除了外力作用外，还受到半导体内部原子及其它电子势场力的作用，这种作用隐含在有效质量中，这就使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。
6、价带电子导电通常用空穴导电来描述。
实践证明，这样做是十分方便的。
但是，如何理解空穴导电？
设想价带中一个电子被激发到价带，此时价带为不满带，价带中电子便可导电。
设电子电流密度密度为J，则：
J＝价带（k状态空出）电子总电流可以用下述方法计算出J的值。
设想以一个电子填充到空的k状态，这个电子的电流等于电子电荷-q乘以k状态电子的速度v（k），即k状态电子电流＝（-q）v（k）填入这个电子后，价带又被填满，总电流应为零，即J＋（-q）v（k）＝0因而得到J＝（＋q）v（k）这就是说，当价带k状态空出时，价带电子的总电流，就如同一个正电荷的粒子以k状态电子速度v（k）运动时所产生的电流。
因此，通常把价带中空着的状态看成是带正电的粒子，称为空穴。
引进这样一个假象的粒子――空穴后，便可以很简便地描述价带（未填满）的电流。
7、回旋共振原理及条件。
8、对E（k）表达式和回旋共振实验有效质量表达式的处理。
在k空间合理的选取坐标系，可是问题得到简化。
如选取为能量零点，以为坐标原点，取、、为三个直角坐标轴，分别与椭球主轴重合，并使轴沿椭球长轴方向（即沿方向），则等能面分别为绕轴旋转的旋转椭球面。
E（k）表达式简化为E（k）＝；
如果、轴选取恰当，计算可简单，选取使磁感应强度B位于轴和轴所组成的平面内，且同轴交角，则在这个坐标系里，B的方向余弦、、分别为＝sin，＝0，＝cos。
本章基本概念及名词术语：
1、原胞和晶胞：
都是用来描述晶体中晶格周期性的最小重复单元，但二者有所不同。
在固体物理学中，原胞只强调晶格的周期性；
而在结晶学中，晶胞还要强调晶格中原子分布的对称性。
2、电子的共有化运动：
原子组成晶体后，由于原子壳层的交叠，电子不再局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到另一个原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。
但须注意，因为各原子中相似壳层上的电子才有相同的能量，电子只能在相似壳层中转移。
3、能带产生的原因：
定性理论（物理概念）：
晶体中原子之间的相互作用，使能级分裂形成能带定量理论（量子力学计算）：
电子在周期场中运动，其能量不连续形成能带。
能带（energyband）包括允带和禁带。
允带（allowedband）：
允许电子能量存在的能量范围。
禁带（forbiddenband）：
不允许电子存在的能量范围。
允带又分为空带、满带、导带、价带。
空带（emptyband）：
不被电子占据的允带。
满带（filledband）：
允带中的能量状态（能级）均被电子占据。
导带（conductionband）：
电子未占满的允带（有部分电子。
）价带（valenceband）:
被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。
4、用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性：
固体按其导电性分为导体、半导体、绝缘体，其机理可以根据电子填充能带的情况来说明。
固体能够导电，是固体中的电子在外场的作用下定向运动的结果。
由于电场力对电子的加速作用，使电子的运动速度和能量都发生了变化。
换言之，即电子与外电场间发生能量交换。
从能带论来看，电子的能量变化，就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上去。
对于满带，其中的能级已被电子所占满，在外电场作用下，满带中的电子并不形成电流，对导电没有贡献，通常原子中的内层电子都是占据满带中的能级，因而内层电子对导电没有贡献。
对于被电子部分占满的能带，在外电场作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的的能级去，起导电作用，常称这种能带为导带。
金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的导电体。
半导体和绝缘体的能带类似，即下面是已被价电子占满的满带（其下面还有为内层电子占满的若干满带），亦称价带，中间为禁带，上面是空带。
因此，在外电场作用下并不导电，但是这只是绝对温度为零时的情况。
当外界条件发生变化时，例如温度升高或有光照时，满带中有少量电子可能被激发到上面的看到中去，使能带底部附近有了少量电子，因而在外电场作用下，这些电子将参与导电；
同时，满带中由于少了一些电子，在满带顶部附近出现了一些空的量子状态，满带变成了部分占满的能带，在外电场作用下，仍留在满带中的电子也能够起导电作用，满带电子的这种导电作用等效于把这些空的量子状态看作带正电荷的准粒子的导电作用，常称这些空的量子状态为空穴。
所以在半导体中导带的电子和价带的空穴参与导电，这是与金属导体的最大差别。
绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，在通常温度下，能激发到导带中的电子很少，所以导电性很差。
半导体禁带宽度比较小，数量级在1eV左右，在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去，所以具有一定的导电能力，这是绝缘体和半导体的主要区别。
室温下，金刚石的禁带宽度为6～7eV，它是绝缘体；
硅为1.12eV，锗为0.67eV，砷化镓为1.43eV，所以它们都是半导体。
5、半导体中电子的准动量：
经典意义上的动量是惯性质量与速度的乘积，即v。
根据教材式（1-1）和式（1-10），对于自由电子v＝hk，这是自由电子的真实动量，而在半导体中hk＝v；
有效质量与惯性质量有质的区别，前者隐含了晶格势场的作用（虽然有质量的量纲）。
因为v与v具有相同的形式，因此称v为准动量。
6、本征激发：
共价键上的电子激发成为准自由电子，亦即价带电子吸收能量被激发到导带成为导带电子的过程，称为本征激发。
这一概念今后经常用到。
7、载流子：
晶体中荷载电流（或传导电流）的粒子。
金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴，而影响半导体导电性的主要是导带电子和价带空穴。
8、回旋共振实验：
目的是测量电子的有效质量，以便采用理论与实验相结合的方法推出半导体的能带结构。
为能观测出明显的共振吸收峰，就要求样品纯度要高，而且实验一般在低温下进行，交变电磁场的频率在微波甚至在红外光的范围。
实验中常是固定交变电磁场的频率，改变磁感应强度以观测吸收现象。
磁感应强度约为零点几T。
等能面的形状与有效质量密切相关，对于球形等能面，有效质量各向同性，即只有一个有效质量；
对于椭球等能面，有效质量各向异性，即在不同的波矢方向对应不同的有效质量。
9、横向有效质量沿椭球短轴方向，纵向有效质量沿椭球长轴方向。
10、直接带隙半导体是指导带极小值与价带极大值对应同一波矢；
间接带隙半导体是指导带极小值与价带极大值对应不同的波矢。
本章要求掌握的内容及考点：
——本章要求熟练掌握基本的物理原理和概念——考题主要涉及填空、名词解释和简答题（物理过程的解释）1、以上基本概念和名词术语的解释。
2、熟悉金刚石型结构与闪锌矿型结构晶胞原子的空间立体分布及硅、锗、砷化镓晶体结构特点，晶格常数，原子密度数量级（1022个原子/立方厘米）。
3、掌握能带形成的原因及电子共有化运动的特点；
掌握实际半导体的能带的特点。
4、掌握有效质量的意义及计算公式，速度的计算方法，正确理解半导体中电子的加速度与外力及有效质量的关系，正确理解准动量及其计算方法，准动量的变化量应为。
5、掌握半导体的导电机构，正确理解空穴的导电机理。
6、掌握硅、锗、砷化镓的能带结构，注意它们导带底和价带顶所处的位置。
7、已留的课后作业题。
第二章半导体中的杂质和缺陷能级本章各节内容提要：
理想半导体：
1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构。
2、晶体中无杂质，无缺陷。
3电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。
由本征激发提供载流子。
如果晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷——本征半导体。
（纯净半导体中，Ef的位置和载流子的浓度只是由材料本身的本征性质决定的）实际材料中，1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。
2、杂质电离提供载流子。
本章重点介绍半导体中主要的杂质和缺陷及其能级。
在2.1节，介绍硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及和杂质能级，浅能级杂质电离能的计算，介绍了杂质补偿作用。
在2.2节，介绍III-V族化合物中的杂质能级，引入等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念。
本章重难点：
重点：
1、在纯净的半导体中掺入一定的杂质，可以显著地控制半导体地导电性质。
根据掺入杂质地分布位置可以分为替位式杂质和受主杂质。
2、施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。
受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p型半导体。
3、杂质元素掺入半导体后，由于在晶格势场中引入微扰，使能带极值附近出现分立的能级——杂质能级。
V族元素在靠近导带底的禁带中引入施主能级，Ⅲ族元素在靠近价带顶的禁带中引入受主能级。
类氢模型对浅能级的位置给出了比较满意的定量描述。
经过修正后，施主杂质的电离能和轨道半径可表示为：
，；
受主杂质的电离能可表示为：
式中，为氢原子的基态电离能；
为晶体的相对介电常数。
4、施主杂质和受主杂质有相互抵消作用，通常称为“杂质补偿”。
“杂质补偿”是制造各种半导体器件的基础。
5、非Ⅲ、Ⅴ族杂质元素在半导体中也可能会产生深能级或多能级。
6、例如：
金Au在硅中电离后产生两个能级，一个在价带上面0.35ev处的施主能级，它在P型硅中起主要作用。
另一个在导带下面0.54ev处的受主能级，它在n型硅中起主要作用。
7、深能级杂质和晶体缺陷形成的能级一般作为复合中心。
8、四族元素硅在砷化镓中的双性行为，即硅的浓度较低时主要起施主杂质作用，当硅的浓度较高时，一部分硅原子将起到受主杂质作用。
这种双性行为可作如下解释：
实验测得硅在砷化镓中引入一浅施主能级（－0.002）ev，硅应起施主作用，那么当硅杂质电离后，每一个硅原子向导带提供一个导电电子，导带中的电子浓度应随硅杂质浓度的增加而线性增加。
但是实验表明，当硅杂质浓度上升到一定程度之后，导带电子浓度趋向饱和，施主杂质的有效浓度降低了。
这种现象出现，是因为硅杂质浓度较高时，硅原子不仅取代镓原子起着受主杂质的作用，而且硅也取代了一部分V族砷原子而起着受主杂质的作用，因而对于取代Ⅲ族原子镓的硅施主杂质起到补偿作用，从而降低了有效施主杂质的浓度，电子浓度趋于饱和。
可见，在这个粒子中，硅杂质的总效果是起施主作用，保持砷化镓为n型半导体。
实验还表明，砷化镓单晶体中硅杂质浓度为时，取代镓原子的硅施主浓度与取代砷原子的硅受主浓度之比约为5.3:
1。
硅取代砷所产生受主能级在（）ev处。
9、点缺陷和位错对半导体性能的影响难点：
1、用类氢模型计算浅能级杂质的电离能；
解释金在锗中产生多重能级的原因：
金是Ⅰ族元素，中性金原子（记为）只有一个价电子，它取代锗晶格中的一个锗原子而位于晶格点上。
金比锗少三个价电子，中性金原子的这一个价电子，可以电离而跃迁入导带，这一施主能级为，因此，电离能为（）。
因为金的这个价电子被共价键所束缚，电离能很大，略小于锗的禁带宽度，所以，这个施主能级靠近价带顶。
电离以后，中性金原子接受就称为带一个电子电荷的正电中心。
但是，另一方面，中性金原子还可以和周围的四个锗原子形成共价键，在形成共价键时，它可以从价带接受三个电子，形成、、三个受主能级。
金原子接受第一个电子后变为，相应的受主能级为，其电离能为（-）。
接受第二个电子后，变为，相应的受主能级为，其电离能为（-）。
接受第三个电子后，变为，相应的受主能级为，其电离能为（-）。
上述的、、分别表示成为带一个、两个、三个电子电荷的负电中心。
由于电子间的库仑排斥作用，金从价带接受第二个电子所需要的电离能比接受第一个电子时的大，接受第三个电子时的电离能又比接受第二个电子时的大，所以，>>。
离价带顶相对近一些，但是比Ⅲ族杂质引入的浅能级还是深得多，更深，就几乎靠近导带底了。
于是金在锗中一共有、、、、五种荷电状态，相应地存在着、、、四个孤立能级，它们都是深能级。
以上的分析方法，也可以用来说明其它一些在硅、锗中形成深能级的杂质，基本上与实验情况相一致。
本章基本概念及名词术语：
施主杂质（n型杂质）：
杂质电离后能够施放电子而产生自由电子并形成正电中心的杂质——施主杂质。
施主杂质电离能：
杂质价电子挣脱杂质原子的束缚成为自由电子所需要的能量——杂质电离能，用EDi表示。
正电中心：
施主电离后的正离子——正电中心施主能级ED：
施主电子被施主杂质束缚时的能量对应的能级称为施主能级。
对于电离能小的施主杂质的施主能级位于禁带中导带底以下较小底距离。
受主杂质：
能够向（晶体）半导体提供空穴并形成负电中心底杂质——受主杂质受主杂质电离能EAi：
空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量。
受主能级EA：
空穴被受主杂质束缚时的能量状态对应的能级。
浅能级杂质：
电离能小的杂质称为浅能级杂质。
所谓浅能级，是指施主能级靠近导带底，受主能级靠近价带顶。
室温下，掺杂浓度不很高底情况下，浅能级杂质几乎可以可以全部电离。
五价元素磷（P）、锑（Sb）在硅、锗中是浅受主杂质，三价元素硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）在硅、锗中为浅受主杂质。
杂质补偿：
半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们底共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。
在制造半导体器件底过程中，通过采用杂质补偿底方法来改变半导体某个区域底导电类型或电阻率。
高度补偿：
若施主杂质浓度与受主杂质浓度相差不大或二者相等，则不能提供电子或空穴，这种情况称为杂质的高等补偿。
这种材料容易被误认为高纯度半导体，实际上含杂质很多，性能很差，一般不能用来制造半导体器件。
深能级杂质：
杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。
深能级杂质有三个基本特点：
一是不容易电离，对载流子浓度影响不大；
二是一般会产生多重能级，甚至既产生施主能级也产生受主能级。
三是能起到复合中心作用，使少数载流子寿命降低（在第五章详细讨论）。
四是深能级杂质电离后以为带电中心，对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。
等电子陷阱和等离子杂质：
在某些化合物半导体中，例如磷化镓中掺入V族元素氮或铋，氮或铋将取代磷并在禁带中产生能级。
这个能级称为等离子陷阱。
这种效应称为等离子杂质效应。
所谓等离子杂质是与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子，它们替代了格点上的同族原子后，基本上仍是电中性的。
但是由于原子序数不同，这些原子的共价半径和电负性有差别，因而它们能俘获某种载流
升级会员 