32.右图为具有L22P对称的一个平面点阵，现要选取此平面点阵的基本单位，图中给出了六种可能的划分方式，若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取，被排除的有（def）
a.1b.2c.3d.4e.5f.6
33.下列选项中不属于晶体的基本性质的是（B）
A、最小内能性B、各向同性C、对称性D、自限性
34.根据开尔文方程，固体颗粒越小，其溶解度（a）
a.越小b.越大c.不变
35.若有一个变价金属氧化物XO，在氧化气氛下形成阳离子空位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为X：
O＝1：
1.1，则其化学式应为（）
a.XO1.1b.X0.90Oc.X0.91Od.X1.1O
36.从工艺的角度考虑，下列选项中不是造成二次再结晶的原因的是（B）
A、原始粒度不均匀B、烧结温度过低C、烧结速率太快D、坯体成型压力不均匀
37、二元化合物AmBn若正离子的配位数为6，负离子的配位数为（B）
A、m/nB、6m/nC、n/mD、n/6m
38、下列矿物中，属于架状结构的是（D）
A、Mg2[SiO4]B、Ca2Mg2[Si4O11]C、Be3Al2[Si6O18]D、Ca[Al2Si2O8]
39、在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为（A）
A、1/6B、-1/6C、1/4D、-1/4
40、在1850℃，15mol%CaO的添加到ZrO2中，形成的固溶体的化学式为（C）
A、Zr0.925Ca0.15O2B、Zr0.85Ca0..3O2C、Zr0.85Ca0.15O1.85D、Zr0.85Ca0.15O2
41、2Na2O·CaO·Al2O3·2SiO2的玻璃中，结构参数Y（C）
A、2.25B、2.5C、3D、3.5
42、O2-在UO2晶体中的扩散机制为（B）
A、空位B、间隙C、易位
43、刃位错位错线与柏格斯矢量关系（B）
A、平行B、垂直C、相交
44、离子晶体中的空位扩散，扩散活化能随材料的熔点升高（）
A、增加B、减小C、不变
45、为提高陶瓷坯釉的附着力，应降低（A、C）
A、SLB、SVC、LV
46、P42晶系属于（B）
A、三方B、四方C、立方D、正交
47、Pm3m晶系属于（C）
A、三方B、四方C、立方D、正交
48．下列晶体结构缺陷中缺陷浓度主要受气氛分压影响的是（C）
A、肖特基缺陷B、弗伦克尔缺陷C、非化学计量化合物d.固溶体
49．下列质点迁移微观机构中，（b）最适用于置换型固溶体的扩散
a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构d.易位机构
50．右图为具有L44P对称的一个平面点阵，现要选取此平面点阵的基本单位，图中给出了六种可能的划分方式，若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取，不被排除的有（d,e）
a.1b.2c.3d.4e.5f.6
51．在晶粒生长过程中晶界（a）
a.向凸面曲率中心移动b.背离凸面曲率中心移动c.不移动
52．K2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系统的独立组分数为（C）
A、4B、3C、2D、1
53．在析晶过程中，若△T较大，则获得的晶粒为（a）
a.数目多而尺寸小的细晶b.数目少而尺寸大的粗晶c.数目多且尺寸大的粗晶d.数目少且尺寸小的细晶
54．目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值来衡量烧结的难易，若材料γGB/γSV越大，则（a）
a.愈容易烧结b.对烧结无影响c.愈难烧结
55．伯格斯矢量与位错线垂直的位错称为（b）
a.螺型位错b.刃型位错c.混合位错
56．在熔体中加入网络变性体会使得熔体的析晶能力（c）：
a.不变b.减弱c.增大
57．塑性泥团中颗粒之间最主要的吸引力为（c）
a.范德华力b.静电引力c.毛细管力
58．在7个晶系中，晶体几何常数为：
a＝b＝c，α＝β=γ≠90°的是（c）
a.六方晶系b.四方晶系c.三方晶系d.正交晶系
59．NaCl型结构中，Cl-按立方最紧密方式堆积，Na+充填于（b）之中
a．全部四面体空隙b.全部八面体空隙c.1/2四面体空隙d.1/2八面体空隙
60．下列质点迁移微观机构中，（a）最适用于间隙型固溶体的扩散
a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构d.易位机构
61．划分单位平行六面体时，在满足对称性关系之后应考虑（b）
a.体积最小b.棱间直角关系最多c.结点间距最小
62．在烧结过程中，只改变气孔形状不引起坯体收缩的传质方式是（c）
a.扩散传质b.溶解－沉淀传质c.蒸发－凝聚传质d.流动传质
63．过冷度越大，相应的成核位垒（b），临界晶核半径（b），析晶能力（a）
a.越大b.越小c.不变
64．在离子型化合物中晶粒内部扩散系数Db，晶界区域扩散系数Dg和表面区域扩散系数Ds之间的关系应为（b）。
a.Db>Dg>Dsb.Ds>Dg>Dbc.Dg>Ds>Db
65．均匀成核与非均匀成核相比（b）更容易进行？
a.均匀成核b.非均匀成核c.二者一样
66．在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为（b）
a.肖特基缺陷b.弗伦克尔缺陷c.间隙缺陷
67．在质点迁移的空位机构中，当温度较高时以（b）为主
a.非本征扩散b.本征扩散c.非化学计量空位扩散
68．过冷度愈大，临界晶核半径（c）相应地相变（e）
a.不变b.愈大c.愈小d.愈难进行e.愈易进行f.不受影响
69．若有一个变价金属氧化物XO，在还原气氛下形成阴离子缺位型非化学计量化合物，金属元素X和氧原子数之比为X：
O＝1.2：
1，则其化学式应为（b）
a.X1.2Ob.XO0.83c.XO0.91d.XO1.2
70．立方结构的（112）与（113）晶面同属于（a）晶带轴。
a.[110]b.[111]c.[211]
71．下列关于电动电位的描述错误的是（b）
a.由一价阳离子饱和的粘土其ζ-电位大于由三价阳离子饱和的同种粘土
b.对于同价阳离子饱和的粘土而言，随着离子半径增大ζ-电位增大
c.由同种阳离子饱和的粘土，随着离子浓度增大ζ-电位减小
72．菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即扩散物质的浓度不随（b）变化。
a.距离b.时间c.温度
73．划分单位平行六面体时，在满足对称性关系之后应考虑（b）
a.体积最小b.棱间直角关系最多c.结点间距最小
74.在硅酸盐熔体中，当R＝O/Si减小时，相应熔体组成和性质的变化是：
非桥氧百分数（b），熔体粘度（a），熔体析晶倾向（b）
a.增大b.减小c.不变
75.下列质点迁移微观机构中，（b）最适用于置换型固溶体的扩散
a.间隙机构b.空位机构c.亚间隙机构d.易位机构
76.晶核生长速率u与温度的关系为（C）
A、随温度的升高而增大B、随温度的升高而减小
C、随温度的升高先增大后减小D、随温度的升高先减小后增大
77.在烧结过程中不会引起坯体致密化的传质方式是（d）
a.溶解-沉淀传质b.扩散传质c.流动传质d.蒸发-凝聚传质
79.晶体结构中所存在的一切对称要素的集合称为（c）
a.聚形b.点群c.空间群d.平移群
80.右图为具有L44P对称的一个平面点阵，现要选取此平面点阵的基本单位，图中给出了六种可能的划分方式，若根据划分平行六面体的原则中第一条进行选取，不被排除的有（a,b）
a.1b.2c.3d.4e.5f.6
81.同价阳离子饱和的粘土，其ζ-电位随着离子半径增大而（b）
a.增大b.减小c.不变
82.Si:
O趋近于1/2时硅酸盐晶体的结构类型为（d）
a.岛状b.链状c.层状d.架状
83．玻璃结构参数中的z一般是已知的，其中硼酸盐玻璃的z=（b）
a.2b.3c.4d.5
84．在晶粒生长过程中晶界（c）
a.不移动b.背离凸面曲率中心移动c.向凸面曲率中心移动
85．塑性泥团中颗粒之间最主要的吸引力为（c）
a.范德华力b.静电引力c.毛细管力
86．在晶核形成过程中，临界晶核半径愈大，则相变（c）
a.愈易进行b.不受影响c.愈难进行
87．Na2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系统的独立组分数为（c）
a.4b.3c.2d.1
88．立方晶体中的[001]方向是（b）
a．二次对称轴b.四次对称轴c.六次对称轴
89．粘土颗粒周围存在附着定向的水分子层和水化阳离子，这部分水称为（b）
a.结构水b.结合水c.自由水
90．宏观晶体中所有对称要素的集合称为（a）
a.空间群b.平移群c.点群
91．在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为（c）
a.原子互换机制b.间隙机制c.空位机制
92．α-石英与α-方石英之间的晶型转变属于（a）
a.重建型相变b.位移型相变c.扩散型相变
1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。
A:
共价键向离子键B:
离子键向共价键
C:
金属键向共价键D:
键金属向离子键
2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子配位数（）。
A:
增大，降低B:
减小，降低
C:
减小，增大D:
增大，增大
3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。
A:
5B:
6
C:
4D:
3
4、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。
A:
全部四面体B:
全部八面体
C:
1/2四面体D:
1/2八面体
5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。
A:
全部四面体B:
全部八面体
C:
全部立方体D:
1/2八面体
6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。
A:
2B:
4
C:
6D:
8
7、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。
A:
八面体空隙的半数B:
四面体空隙的半数
C:
全部八面体空隙D:
全部四面体空隙
8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。
A:
2B:
4
C:
6D:
8
9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（D）。
A:
2B:
4
C:
6D:
8
10、硅酸盐晶体的分类原则是（B）。
A:
正负离子的个数B:
结构中的硅氧比
C:
化学组成D:
离子半径
11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。
A:
岛状结构B:
层状结构
C:
链状结构D:
架状结构
12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。
A:
同质多晶B:
有序—无序转变
C:
同晶置换D:
马氏体转变
13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。
A:
岛状结构B:
层状结构
C:
链状结构D:
架状结构
14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（A）。
A:
沸石>萤石>MgOB:
沸石>MgO>萤石
C:
萤石>沸石>MgOD:
萤石>MgO>沸石
15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。
A:
2 B:
4
C:
6
D:
8
16、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A）连接。
A:
共顶 B:
共面
C:
共棱
D:
A+B+C
17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。
A：
弗仑克尔缺陷B：
肖特基缺陷
C：
杂质缺陷D：
A+B
18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。
A:
攀移B:
攀移
C:
增值D:
减少
19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
A:
负离子空位B:
间隙正离子
C:
间隙负离子D:
A或B
20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。
A:
正离子空位B:
间隙负离子
C:
负离子空位D:
A或B
21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。
A:
稳定晶格B:
活化晶格
C:
固溶强化D:
A+B+C
22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。
固溶体有有限和无限之分，其中（B）。
A:
结构相同是无限固溶的充要条件
B:
结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
C:
结构相同是有限固溶的必要条件
D:
结构相同不是形成固溶体的条件
23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。
A:
点缺陷B:
线缺陷
C:
面缺陷D:
A+B+C
24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。
A:
热缺陷B:
杂质缺陷
C:
非化学计量缺陷D:
A+B+C
25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。
A:
线性增加B:
呈指数规律增加
C:
无规律D:
线性减少
26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。
讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。
A:
杂质质点大小B:
晶体（基质）结构
C:
电价因素D:
A+B+C
27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。
A:
外力B:
热应力
C:
化学力D:
结构应力
28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为（A），其符号表示为（）。
A:
刃位错；⊥B:
刃位错；VXC:
螺位错；D:
刃位错；
29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。
A:
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
B:
正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
C:
正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
D:
正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。
生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（A）。
A:
间隙和空位质点同时成对出现
B:
正离子空位和负离子空位同时成对出现
C:
正离子间隙和负离子间隙同时成对出现
D:
正离子间隙和位错同时成对出现
31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。
A:
位错不一定是直线B:
位错是已滑移区和未滑移区的边界
C:
位错可以中断于晶体内部D:
位错不能中断于晶体内部
32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。
A:
螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移
B:
刃位错只作滑移，螺位错只作攀移
C:
螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移
D:
螺位错只作滑移，刃位错只作攀移
33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（D）因素的影响。
A:
组成B:
温度
C:
时间D:
A+B+C
34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（）。
A:
降低；增加B:
不变；降低
C:
增加；降低D:
增加；不变
35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。
A:
降低；增加B:
不变；降低
C:
增加；降低D:
增加；不变
36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B），随温度下降而（）。
A:
增大，降低B:
降低，增大
C:
增大，增大D:
降低，降低
37、由结晶化学观点知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。
A:
极性共价键 B:
离子键
C:
共价键 D:
金属键
38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为（D）。
A:
1B:
2
C:
3D:
4
39、Na2O•CaO•Al2O3•SiO2玻璃的桥氧数为（B）。
A:
2.5B:
3
C:
3.5D:
4
40、如果在熔体中同时引入一种以上的R2
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