材料科学基础选择题汇总.docx

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材料科学基础选择题汇总

材料科学基础选择题汇总

A:

共价键向离子键B:

离子键向共价键

C:

金属键向共价键D:

键金属向离子键

2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离〔B〕，离子配位数〔〕。

A:

增大，降低B:

减小，降低

C:

减小，增大D:

增大，增大

3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是〔C〕。

A:

5B:

6

C:

4D:

3

4、NaCl单位晶胞中的〝分子数〞为4，Na+填充在Cl-所构成的〔B〕间隙中。

A:

全部四面体B:

全部八面体

C:

1/2四面体D:

1/2八面体

5、CsCl单位晶胞中的〝分子数〞为1，Cs+填充在Cl-所构成的〔C〕间隙中。

A:

全部四面体B:

全部八面体

C:

全部立方体D:

1/2八面体

6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有〔B〕个MgO分子。

A:

2B:

4

C:

6D:

8

7、萤石晶体能够看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了〔D〕。

A:

八面体间隙的半数B:

四面体间隙的半数

C:

全部八面体间隙D:

全部四面体间隙

8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为〔B〕。

A:

2B:

4

C:

6D:

8

9、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为〔D〕。

A:

2B:

4

C:

6D:

8

10、硅酸盐晶体的分类原那么是〔B〕。

A:

正负离子的个数B:

结构中的硅氧比

C:

化学组成D:

离子半径

11、锆英石Zr[SiO4]是〔A〕。

A:

岛状结构B:

层状结构

C:

链状结构D:

架状结构

12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为〔C〕。

A:

同质多晶B:

有序—无序转变

C:

同晶置换D:

马氏体转变

13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是〔A〕。

A:

岛状结构B:

层状结构

C:

链状结构D:

架状结构

14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的间隙体积相比较，其由大到小的顺序为〔A〕。

A:

沸石>萤石>MgOB:

沸石>MgO>萤石

C:

萤石>沸石>MgOD:

萤石>MgO>沸石

15、依照鲍林（Pauling）规那么，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为〔B〕。

A:

2　　B:

4

C:

6

　　　D:

8

16、构成硅酸盐晶体的差不多结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能〔A〕连接。

A:

共顶　　B:

共面

C:

共棱

　　　D:

A+B+C

17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是〔D〕。

A：

弗仑克尔缺陷B：

肖特基缺陷

C：

杂质缺陷D：

A+B

18、位错的〔A〕是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。

A:

攀移B:

攀移

C:

增值D:

减少

19、关于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生〔D〕。

A:

负离子空位B:

间隙正离子

C:

间隙负离子D:

A或B

20、关于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生〔D〕。

A:

正离子空位B:

间隙负离子

C:

负离子空位D:

A或B

21、形成固溶体后对晶体的性质将产生阻碍,要紧表现为〔D〕。

A:

稳固晶格B:

活化晶格

C:

固溶强化D:

A+B+C

22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原先的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。

固溶体有有限和无限之分，其中〔B〕。

A:

结构相同是无限固溶的充要条件

B:

结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件

C:

结构相同是有限固溶的必要条件

D:

结构相同不是形成固溶体的条件

23、缺陷对晶体的性能有重要阻碍，常见的缺陷为〔D〕。

A:

点缺陷B:

线缺陷

C:

面缺陷D:

A+B+C

24、按照晶体结构缺陷形成的缘故，可将晶体结构缺陷的类型分为〔D〕。

A:

热缺陷B:

杂质缺陷

C:

非化学计量缺陷D:

A+B+C

25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是〔B〕。

A:

线性增加B:

呈指数规律增加

C:

无规律D:

线性减少

26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。

讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑〔D〕。

A:

杂质质点大小B:

晶体〔基质〕结构

C:

电价因素D:

A+B+C

27、位错的滑移是指位错在〔A〕作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。

A:

外力B:

热应力

C:

化学力D:

结构应力

28、柏格斯矢量〔BurgersVector〕与位错线垂直的位错称为（A），其符号表示为（）。

A:

刃位错；⊥B:

刃位错；VXC:

螺位错；D:

刃位错；

29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的缘故所产生的空位或间隙质点〔原子或离子〕。

当离子晶体生成肖特基缺陷〔Schottkydefect〕时，〔B〕。

A:

正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时相伴晶体体积的缩小

B:

正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时相伴晶体体积的增加

C:

正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时相伴晶体体积的增加

D:

正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时相伴晶体体积的增加

30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的缘故所产生的空位或间隙质点〔原子或离子〕。

生成弗仑克尔缺陷〔Frenkeldefect〕时，〔A〕。

A:

间隙和空位质点同时成对显现

B:

正离子空位和负离子空位同时成对显现

C:

正离子间隙和负离子间隙同时成对显现

D:

正离子间隙和位错同时成对显现

31、位错的具有重要的性质，以下说法不正确的选项是〔C〕。

A:

位错不一定是直线B:

位错是已滑移区和未滑移区的边界

C:

位错能够中断于晶体内部D:

位错不能中断于晶体内部

32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中〔A〕。

A:

螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移

B:

刃位错只作滑移，螺位错只作攀移

C:

螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移

D:

螺位错只作滑移，刃位错只作攀移

33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度〔数量〕受〔D〕因素的阻碍。

A:

组成B:

温度

C:

时刻D:

A+B+C

34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量〔C〕，粘度〔〕。

A:

降低；增加B:

不变；降低

C:

增加；降低D:

增加；不变

35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物〔C〕，粘度〔〕。

A:

降低；增加B:

不变；降低

C:

增加；降低D:

增加；不变

36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而〔B〕，随温度下降而〔〕。

A:

增大，降低B:

降低，增大

C:

增大，增大D:

降低，降低

37、由结晶化学观点知，具有〔A〕的氧化物容易形成玻璃。

A:

极性共价键　　B:

离子键　

C:

共价键　　　　　D:

金属键

38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为〔D〕。

A:

1B:

2

C:

3D:

4

39、Na2O•CaO•Al2O3•SiO2玻璃的桥氧数为〔B〕。

A:

2.5B:

3

C:

3.5D:

4

40、假如在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为〔B〕。

A:

加和效应B:

混合碱效应

C:

中和效应D:

交叉效应

41、对一般硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将〔A〕。

A:

降低B:

升高

C:

不变D:

A或B

42、熔体的组成对熔体的表面张力有专门重要的阻碍，一样情形下，O/Si减小，表面张力将〔A〕。

A:

降低B:

升高

C:

不变D:

A或B

43、由熔融态向玻璃态转变的过程是〔C〕的过程。

A:

可逆与突变B:

不可逆与渐变

C:

可逆与渐变D:

不可逆与突变

44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有〔C〕。

A:

突变性B:

不变性

C:

连续性D:

A或B

45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的阻碍，一样情形下，O/Si减小，表面张力将〔A〕。

〔A〕降低〔B〕升高〔C〕不变〔D〕A或B

46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值〔Tg/TM〕接近〔B〕易形成玻璃。

A:

二分之一B:

三分之二

C:

四分之一D:

五分之一

47、可用三T〔Time-Temperature-Transformation〕曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出10－6体积分数的晶体的时刻是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，那么系统形成玻璃〔A〕。

A:

愈困难B:

愈容易

C:

质量愈好D:

质量愈差

48、不同O/Si比对应着一定的集合负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。

聚合程度越低，形成玻璃〔A〕。

A:

越不容易B:

越容易

C:

质量愈好D:

质量愈差

49、当熔体中负离子集团以〔C〕的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。

A:

低聚合B:

不聚合

C:

高聚合D:

A或C

25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的专门多性质取决于Y值。

在形成玻璃范畴内，随Y的增大，粘度〔D〕，膨胀系数〔〕。

A:

增大；不变B:

降低；增大

C:

不变；降低D:

增大；降低

50、关于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于〔A〕的能阶，因此导致材料出现一系列专门的性质。

A:

较高B:

较低

C:

相同D:

A或C

51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相关于正常位置的上、下位移，称为〔B〕。

A:

表面收缩B:

表面弛豫

C:

表面滑移D:

表面扩张

52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一样说来，同一种物质，其固体的表面能〔B〕液体的表面能。

A:

小于B:

大于

C:

小于等于D:

等于

53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内〔〕，垂直方向的层间距与体内〔A〕。

A:

不同；相同B:

相同；相同

C:

相同；不同D:

不同；不同

54、粘附剂与被粘附体间相溶性〔C〕，粘附界面的强度〔〕。

A:

越差；越牢固B:

越好；越差

C:

越好；越牢固D:

越好；不变

55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳固的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面〔C，这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳固。

A:

收缩B:

弛豫

C:

双电层D:

B+C

56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地阻碍表面性质，关于脆性材料的强度这种阻碍尤为重要，微裂纹长度〔〕，断裂强度〔A〕。

A:

越长；越低B:

越长；越高

C:

越短；越低D:

越长；不变

57、界面对材料的性质有着重要的阻碍，界面具有〔D〕的特性。

A:

会引起界面吸附B:

界面上原子扩散速度较快

C:

对位错运动有阻碍作用D:

A+B+C

58、只要液体对固体的粘附功〔B〕液体的内聚功，液体即可在固体表面自进展开。

A:

小于B:

大于

C:

小于等于D:

等于

59、当液体对固体的润湿角θ＜90°时，即在润湿的前提下，表面粗糙化后，液体与固体之间的润湿〔C〕。

A:

更难B:

不变

C:

更易D:

A或B

60、当液体对固体的润湿角θ＞90°时，即在不润湿的前提下，表面粗糙化后，液体与固体之间的润湿〔A〕。

A:

更难B:

不变

C:

更易D:

A或B

61、粘附功数值的大小，标志着固-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值〔B〕，固-液两相互相结合〔〕；相反，粘附功越小，那么越易分离。

A:

越大；越松散B:

越大；越牢固

C:

越小；越牢固D:

越大；不变

62、为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液-固界面张力〔　B　〕。

A:

降低　　　　B:

升高　

C:

保持不变D:

有时升高，有时降低

63、关于附着润湿而言，附着功表示为W=γSV+γLV-γSL，依照这一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。

A:

尽量采纳化学组成相近的两相系统

B:

尽量采纳化学组成不同的两相系统

C:

采纳在高温时不发生固相反应的两相系统

D:

前三种方法都不行

64、将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去，那么外加组分在表面层的浓度〔C〕体积内部的浓度。

A:

等于B:

大于

C:

小于D:

A或B

65、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地阻碍表面性质，关于脆性材料的强度这种阻碍尤为重要，微裂纹长度〔A〕，断裂强度〔〕。

A:

越长；越低B:

越长；越高

C:

越短；越低D:

越长；不变

66、吸附膜使固体表面张力〔B〕。

A:

增大B:

减小

C:

不变D:

A或B

67、粗糙度对液固相润湿性能的阻碍是：

C

A:

固体表面越粗糙，越易被润湿

B:

固体表面越粗糙，越不易被润湿

C:

不一定

D:

粗糙度对润湿性能无阻碍

68、以下关于晶界的说法哪种是错误的。

A

A:

晶界上原子与晶体内部的原子是不同的

B:

晶界上原子的堆积较晶体内部疏松

C:

晶界是原子、空位快速扩散的要紧通道

D:

晶界易受腐蚀

69、相平稳是指在多相体系中，物质在各相间分布的平稳。

相平稳时，各相的组成及数量均可不能随时刻而改变，是〔C〕。

A:

绝对平稳　B:

静态平稳

C:

动态平稳　　D:

临时平稳

70、二元凝聚系统平稳共存的相数最多为3，而最大的自由度数为〔A〕。

A:

2B:

3

C:

4D:

5

71、热分析法是相平稳的研究方法之一，其原理是依照系统在冷却过程中温度随时刻的变化情形来判定系统中是否发生了相变化，该方法的特点是〔D〕。

A:

简便　　　　　　　　　B:

测得相变温度仅是一个近似值

C:

能确定相变前后的物相　　　D:

A+B

72、淬冷法是相平稳的研究的动态方法，其特点是〔D〕。

A:

准确度高　　　　　　　　　B:

适用于相变速度慢的系统

C:

适用于相变速度快的系统　　　D:

A+B

73、可逆多晶转变是一种同质多晶现象，多晶转变温度〔A〕两种晶型的熔点。

A:

低于　　　　　　　　　B:

高于

C:

等于　　　D:

A或B

74、不可逆多晶转变的多晶转变温度〔B种晶型的熔点。

A:

低于　　　　　　　　　B:

高于

C:

等于　　　D:

A或B

75、在热力学上，每一个稳固相有一个稳固存在的温度范畴，超过那个范畴就变成介稳相。

在一定温度下，稳固相具有〔C〕的蒸汽压。

A:

最高　　　　　　　　　B:

与介稳相相等

C:

最低　　　D:

A或B

76、多晶转变中存在时期转变定律，系统由介稳状态转变为稳固态不是直截了当完成的，而是依次通过中间的介稳状态，最后变为该温度下的稳固状态。

最终存在的晶相由〔D〕决定。

A:

转变速度　　　　　　　　B:

冷却速度

C:

成型速度　　　D:

A与B

77、二元凝聚系统的相图中，相界线上的自由度为〔　C〕。

A:

3B:

2

C:

1D:

0

78、依照杠杠规那么，在二元凝聚系统的相图中，假如一个总质量为M的相分解为质量G1和G2的两个相，那么生成两个相的质量与原始相的组成到两个新生相的组成点之间线段〔B。

A:

成正比B:

成反比

C:

相等D:

A或C

79、三元相图中，相界线上的自由度为〔　C　〕。

A:

3　　B:

2

C:

1　　　D:

0

80、固体中质点的扩散特点为：

（D）。

A:

需要较高温度B:

各向同性

C:

各向异性D:

A+C

81、在离子型材料中，阻碍扩散的缺陷来自两个方面：

热缺陷与不等价置换产生的点缺陷，后者引起的扩散为（C）。

A：

互扩散B：

无序扩散

C：

非本征扩散D：

本征扩散

82、固体中质点的扩散特点为：

D

A:

需要较高温度B:

各向同性

C:

各向异性D:

A+C

83、扩散之因此能进行，在本质上是由于体系内存在〔A〕。

A:

化学位梯度B:

浓度梯度

C:

温度梯度D:

压力梯度

84、固溶体的类型及溶质的尺寸对溶质扩散的活化能有较大阻碍。

那么H、C、Cr在γ-Fe中扩散的活化能的大小顺序为〔B〕。

A:

QH>QC>QCrB:

QCr>QC>QH

C:

QC>QH>QCrD:

QCr>QH>QC

85、晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在〔A〕的关系。

A:

Ds>Dg>DbB:

Db

C:

Dg>Ds>DbD:

Dg

86、在离子型材料中，阻碍扩散的缺陷来自两个方面：

热缺陷和掺杂点缺陷。

由它们引起的扩散分别称为〔B〕。

A:

自扩散和互扩散B:

本征扩散和非本征扩散

C:

无序扩散和有序扩散D:

稳固扩散和不稳固扩散

87、稳固扩散〔稳态扩散〕是指在垂直扩散方向的任一平面上，单位时刻内通过该平面单位面积的粒子数〔B〕。

A:

随时刻而变化B:

不随时刻而变化

C:

随位置而变化D:

A或B

88、不稳固扩散（不稳态扩散）是指扩散物质在扩散介质中浓度随〔A〕。

A:

随时刻和位置而变化B:

不随时刻和位置而变化

C:

只随位置而变化D:

只随时刻而变化

89、菲克〔Fick〕第一定律指出，扩散通量与浓度梯度成正比，扩散方向与浓度梯度方向〔C〕。

A:

相同B:

无关

C:

相反D:

前三者都不是

90、由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同，在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中，其扩散活化能的大小为〔C〕。

A:

易位扩散=间隙扩散>空位扩散B:

易位扩散>间隙扩散=空位扩散

C:

易位扩散>间隙扩散>空位扩散D:

易位扩散<间隙扩散<空位扩散

91、一样晶体中的扩散为〔D〕。

A:

空位扩散B:

间隙扩散

C:

易位扩散D:

A和B

92、由肖特基缺陷引起的扩散为〔A〕

A:

本征扩散B:

非本征扩散

C:

正扩散D:

负扩散

93、空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于〔C〕的扩散。

A:

各种类型固溶体B:

间隙型固溶体

C:

置换型固溶体D:

A和B

94、扩散过程与晶体结构有紧密的关系，扩散介质结构〔A〕，扩散〔〕。

A:

越紧密；越困难B:

越疏松；越困难

C:

越紧密；活化能越小D:

越疏松；活化能越大

95、不同类型的固溶体具有不同的结构，其扩散难易程度不同，间隙型固溶体比置换型〔D〕。

A:

难于扩散B:

扩散活化能大

C:

扩散系数小D:

容易扩散

96、扩散相与扩散介质性质差异越大，〔B〕。

A:

扩散活化能越大B:

扩散系数越大

C:

扩散活化能不变D:

扩散系数越小

97、在晶体中存在杂质时对扩散有重要的阻碍，要紧是通过〔D〕，使得扩散系数增大。

A:

增加缺陷浓度B:

使晶格发生畸变

C:

降低缺陷浓度D:

A和B

98、通常情形下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散要紧是〔A〕。

A:

本征扩散B:

非本征扩散

C:

互扩散D:

A+B

99、按热力学方法分类，相变能够分为一级相变和二级相变，一级相变是在相变时两相化学势相等，其一阶偏微熵不相等，因此一级相变〔B〕。

A:

有相变潜热，无体积改变

B:

有相变潜热，并相伴有体积改变

C:

无相变潜热，并相伴有体积改变

D:

无相变潜热，无体积改变

100、二级相变是指在相变时两相化学势相等，其一阶偏微熵也相等，而二阶偏微熵不等，因此二级相变〔D〕。

A:

有相变潜热，无体积的不连续性，有居里点

B:

无相变潜热，有体积的不连续性，有居里点

C:

无相变潜热，无体积的不连续性，无居里点

D:

无相变潜热，无体积的不连续性，有居里点

101、晶体由一相转化为另一相时，如该相变为一级相变，那么在相变温度时，该过程〔C〕。

A:

自由焓相等，等压热容不等B:

自由焓不相等，体积相等

C:

自由焓相等，体积不等　D:

自由焓不相等，等压热容相等

102、假设某一体系进行二级相变，那么在相变温度下，二相的〔C〕。

A:

自由焓相等，体积不相等B:

自由焓不相等，体积相等

C:

自由焓和体积均相等D:

自由焓和体积均不相等

103、成核-长大型相变是材料中常见的一种相变，如结晶釉的形成。

成核-长大型相变是由〔A〕的浓度起伏开始发生相变，并形成新相核心。

A:

程度大，范畴小B:

程度小，范畴小

C:

程度大，范畴大D:

以上均不正确

104、关于吸热的相变过程，要使相变过程能自发进行，那么必须〔A〕。

A:

过热B:

过冷

C:

过饱和D:

在相平稳温度保温

105、关于放热的相变过程，要使相变过程能自发进行，那么必须：

A

A:

过冷B:

过热

C:

过饱和D:

在相平稳温度保温

106、临界晶核是能够稳固存在的且能成长为新相的核胚，临界晶核的半径越大，晶核的形成〔C〕。

A:

越容易B:

需要更低的能量

C:

越困难D:

不受阻碍

107、在相同条件下，非平均成核与平均成核比较，非平均成核〔D〕。

A:

晶核数目更多B:

晶核大小更平均

C:

需要更大的过冷度D:

均不对

108、在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非平均成核与平均成核之分。

将非平均成核与平均成核过程的成核势垒相比较，有如下关系〔B〕。

A:

非平均成核势垒≥平均成核势垒

B:

非平均成核势垒≤平均成核势垒

C:

非平均成核势垒＝平均成核势垒

D:

视具体情形而定，以上三种均可能。